JPS6011642Y2 - 半導体装置の樹脂モ−ルド装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本案は半導体装置の樹脂モールド装置の改良に関するも
のである。

一般に半導体装置は例えば第１図〜第３図に示すように
金属部材よりなる放熱板Ａにリード片ｂ１〜トよりなる
リードＢを、リード片ｂ１．ｂ７が放熱板Ａの突出部Ｃ
によってかしめ固定されかつリード片鳥〜へが放熱板Ａ
の表面に離隔位置するように配設すると共に、放熱板Ａ
のほぼ中央部に固定された半導体素子りの電極とリード
片ｂ２〜ｂ６とを金属細線Ｅにて接続し、然る後、放熱
板Ａにおける半導体素子りの固定側を樹脂材Ｆにてモー
ルド被覆して構成される。

ところで、放熱板Ａにおける主要部分の樹脂材Ｆによる
モールド被覆は例えば第４図〜第５図に示すように、放
熱板Ａにおける半導体素子りの非固定側が上部金型Ｇ１
の上部内壁面に密着されるようにリードＢを上部金型Ｇ
□及び下部金型Ｇ２にて挟持し、この状態で上部金型Ｇ
１と下部金型Ｇ２とによって構成されるキャビティに樹
脂材Ｆを注入することによって行われている。

しかし乍ら、この放熱板Ａは金属素材を半導体素子りの
非固定側より固定側に向けて所望形状に打抜き加工され
ている関係で、非固定側の陵線部には丸味を帯びた変形
部Ｈが形成されており、特にそれの板厚が厚くなるほど
大きくなる傾向にある。

従って、樹脂材Ｆのモールド被覆に先立って、放熱板Ａ
における半導体素子りの非固定側を上部金型Ｇ□の上部
内壁面に密着させても、その周縁部分は変形部Ｈのため
に密着させることができない。

これがために、樹脂材Ｆのモールド被覆。時に変形部Ｈ
と上部金型Ｇ１の上部内壁面との間の空隙部に樹脂材Ｆ
が流れ込む上、特にエポキシ樹脂のように流動性に優れ
たものにあっては変形部Ｈよりさらに内側の放熱板Ａと
上部金型Ｇ１の上部内壁面との接触面に、放熱板Ａの加
工時における変形などに起因して０．０２ｍｍ程度の隙
間が形成されていても、その隙間に樹脂材Ｆが流れ込ん
で第６図に示すようにバリＫが形成される。

このバＩＪＫは放熱板Ａの変形量に応じて形成されるた
めに、その形状は一定化せず、外観が著しく損なわれる
のみならず、放熱板Ａを放熱器に固定する場合、取付面
が密着しないために、放熱効果が著しく阻害される。

また放熱板Ａ素材が始めから撓み変形あるいは捩れ変形
していたり、厚みが不均一であると樹脂モールド時に金
型と放熱板Ａとが密着せず、パリが放熱板中央部にまで
及ぶことがあった。

従って、従来においては、ブラツシ法、サンドブラスト
法などを用いてパリＫを除去することが試みられている
が、除去の際に放熱板Ａの側面と樹脂材Ｆとの接触境界
部分に剥離や樹脂クラックが生じたりして耐湿性が損な
われ易いという欠点がある。

また機械的にバＩＪＫを除去するため放熱板Ａを傷つけ
、外観を損うという問題もあった。

本案はこのような点に鑑み、簡単な構成にて放熱板の露
出面への樹脂材によるパリの発生を抑制しうる半導体装
置の樹脂モールド装置を提供するもので、以下実施例に
ついて説明する。

第７図〜第８図において、１は例えば上下動自在に構成
された上部金型であって、それの下面には凹部２が形成
されている。

尚、凹部２は図示例では１個であるが、複数個形成する
こともできる。

そして、それの凹部２の上部内壁面２ａには後述する半
導体装置構成体の放熱板の所望周縁部に当接しうる突起
部３が形成されている。

この突起部３の高さは放熱板の成形時に形成される変形
部の長さや、放熱板の変形に応じて例えば０，０４ＴＩ
ｒ！Ｉｔに設定され、また放熱板の外周より０．５ｍｍ
程度の位置に環状に形成され衣。

４は上部金型１に対向して配設された下部金型であって
、それの上面には上部金型１の凹部２に対応するように
凹部５が形成されている。

次のこの樹脂モールド装置による半導体装置の樹脂モー
ルド方法につい□て第９図〜第１４図を参照して説明す
る。

まず、第９図〜第１０図に示すように、放熱板６にリー
ド片７□〜７７よりなるリード７を、リード片７□、７
７が放熱板６の突出部によってかしめ固定され、かつリ
ード片７□〜７６が放熱板６の表面６ａに離隔位置する
ように配設すると共に、放熱・板６の表面中央部分に半
導体素子８を固定し、然る後、半導体素子８の電極とリ
ード片７□〜７６とを金属細線９にて接続して半導体装
置構成体を得る。

次に第１１図に示すように、゛放熱板６の裏面６ｂ′に
おける周縁部に上部金型１の突起部３が若干喰い込むよ
うに、リード７を上部金型１及び下部金型４によって挟
持して半導体装置構成体を凹部２，５よりなるキャビテ
ィに収納配置する。

次にこの状態において、第１２図に示すように、キャビ
ティ内にゲート（図示せず）より溶融状態の樹脂材１０
′を注入する。

そして、キャビティが樹脂材１０′に□て完全に充実さ
れると、樹脂材１０′は上部金型１の上部内壁面２ａと
放熱板６との接触部分より裏面６ｂに流出しようとする
が、突起部３が放熱板６の変形部の長さや撓み、捩れに
よる変形量より長く設定され放熱板６の裏面６ｂに喰い
込んでいる関係で、殆んど流出しない。

次に樹脂材１０′の硬化後、上部金型１及び下部金型４
からノックアウトピン（図示せず）を用いて取り出すこ
とによって第１３図〜第１４図に示す半導体装置が得ら
れる。

このように上部金型１の上部内壁面２ａには突起部３が
形成されており、半導体装置構成体の上部金型１及び下
部金型４へのセット時に、放熱板６の裏面周縁部に突起
部３が若干喰い込む関係で、樹脂モールドの際に樹脂材
１０′が放熱板６の裏面に殆んど流出しない。

従って、樹脂材による薄膜状のパリの発生を効果的に減
少できる。

又、突起部３の放熱板６の裏面６ｂに当接する位置が端
縁部より内方の場合には突起部３より外方に位置する周
縁部分には薄膜状のパリが形成されるのであるが、それ
が定形化されるので外観が損なわれることはないし、突
起部３の放熱板６への当接位置を周縁外方にずらせば定
形化されたパリの巾をも小さくできる。

第１５図は本案の他の実施例を示すものであって、上部
金型１の上部内壁面２ａには上記実施例より大きい突起
部３１が形成されており、この突起部３１は半導体装置
構成体の放熱板６の段部１２に当接されている。

この実施例によれば、放熱板６の放熱器などへの取付は
面以外の部分に突起部３１を当接させているので、樹脂
材の取付は面（裏面６ｂ）への流出を皆無にできるし、
取付は面を全体に亘って面一に構成でき、放熱器などに
対する密着性を改善できる。

第１６図は本案の他の実施例を示すものであって、上部
金型１の上部内壁面には凹部１３が形成されており、そ
れの上部内壁面には突起部３゜が、それの先端が上部内
壁面２ａより若干下方に突出するように形成されている
。

この実施例によれば、第７図〜第８図に示す実施例と同
様の効果が得られる。

尚、本案において、上部金型における突起部は樹脂パリ
の発生を防止したい部所にのみ形成することもできる。

以上のように本案によれば、簡単な構成にて半導体装置
構成体の放熱板の露出面への樹脂材によるパリの発生を
効果的に抑制できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は半導体装置の要部破断平面図、第２図は第１図
のＩ−Ｉ断面図、第３図は第１図の■−■断面図、第４
図は樹脂モールド方法を説明するための側断面図、第５
図は第４図のＸ部拡大図、第６図は第１図の下面図、第
７図は本案の一実施例を示す側断面図、第８図は第７図
における上部金型の下面図、第９図〜第１４図は樹脂モ
ールド方法の説明図であって、第９図は半導体装置構成
体の平面図、第１０図は第９図の■−■断面図、第１１
図は半導体装置構成体の上部金型及び下部金型へのセッ
ト状態を示す側断面図、第１２図は樹脂材の注入状態を
示す側断面図、第１３図は樹脂モールド終了状態の半導
体装置の下面図、第１４図は第１３図のＩＶ−ＩＶ断面
図、第１５図〜第１６図は本案の他のそれぞれ異った実
施例を示す側断断面図である。 図中、１は上部金型、２，５は凹部、３，３□、３２は
突起部、４は下部金型、６は放熱板、６ａは表面、６ｂ
は裏面、７はリード、８は半導体素子である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 下面に凹部を有する上部金型と、上部金型に対向し、上
   面に凹部を有する下部金型とを具備し、上記上部金型の
   凹部の上部内壁面に、少なくとも放熱板に半導体素子を
   固定すると共にそれの電極とリードとを電気的に接続し
   てなる半導体装置構成体の放熱板の所望周縁部に当接す
   る突起部を形成したことを特徴とする半導体装置の樹脂
   モールド装置。