JPH01268159A - 樹脂封止半導体装置及び成型用金型 - Google Patents
樹脂封止半導体装置及び成型用金型Info
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- JPH01268159A JPH01268159A JP63097938A JP9793888A JPH01268159A JP H01268159 A JPH01268159 A JP H01268159A JP 63097938 A JP63097938 A JP 63097938A JP 9793888 A JP9793888 A JP 9793888A JP H01268159 A JPH01268159 A JP H01268159A
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- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 title 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 38
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- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 6
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の放熱板の形状および樹脂封止半導
体装置用成型金型の構造に関する。
体装置用成型金型の構造に関する。
従来、半導体素子８を積載した放熱板５は第６図に示す
ようにその先端部か平坦であり、成形する際に、対をな
す上型１と下型２に形成された押え部４，１７により挾
持される。３はキャビティ、６はリード、１１は樹脂注
入孔である。この仕様で成型された半導体装置の外観を
第７図に示す。図から明らかなように放熱板５の一部１
３．１８が露出するＳ造となる。１２は樹脂封止半導体
装置の樹脂部である。
ようにその先端部か平坦であり、成形する際に、対をな
す上型１と下型２に形成された押え部４，１７により挾
持される。３はキャビティ、６はリード、１１は樹脂注
入孔である。この仕様で成型された半導体装置の外観を
第７図に示す。図から明らかなように放熱板５の一部１
３．１８が露出するＳ造となる。１２は樹脂封止半導体
装置の樹脂部である。
上述した従来の樹脂封止半導体装置は放熱板の一部か露
出しているため、絶縁性が不充分となる。
出しているため、絶縁性が不充分となる。
また、放熱板の露出部、すなわち樹脂と放熱板との隙間
を介して水分か浸入することがあり、その耐湿性に問題
かあった。
を介して水分か浸入することがあり、その耐湿性に問題
かあった。
本発明の目的は前記課題を解決した樹脂封止半導体装置
及び成型用金型を提供することにある。
及び成型用金型を提供することにある。
上述した従来の樹脂封止半導体装置及び成型用金型に対
し、本発明は放熱板の先端部に表面側への屈曲部を形成
したこと、成型金型の上型にのみ設置された押え部また
は摺動可能とした押え部を設置したことにより、放熱板
の露出を最小限に抑えたという相違点を有する。
し、本発明は放熱板の先端部に表面側への屈曲部を形成
したこと、成型金型の上型にのみ設置された押え部また
は摺動可能とした押え部を設置したことにより、放熱板
の露出を最小限に抑えたという相違点を有する。
上記目的を達成するため、本発明の樹脂封止半導体装置
においては、半導体素子を積載した放熱板の先端の一部
を該放熱板の表面側に屈曲させて樹脂封止したものであ
る。また、本発明の成型用金型においては、半導体素子
を積載した放熱板の先端屈曲部の表面側に当接させる押
え部を金型本体に一体にまたは進退動可能に備え、金型
本体の樹脂注入孔を該放熱板の屈曲した先端部の裏面側
に向き合う位置に開口したちのである。
においては、半導体素子を積載した放熱板の先端の一部
を該放熱板の表面側に屈曲させて樹脂封止したものであ
る。また、本発明の成型用金型においては、半導体素子
を積載した放熱板の先端屈曲部の表面側に当接させる押
え部を金型本体に一体にまたは進退動可能に備え、金型
本体の樹脂注入孔を該放熱板の屈曲した先端部の裏面側
に向き合う位置に開口したちのである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明に係る成型用金型の実施例１を示す断面
図、第２図は本発明により樹脂封止した半導体装置を示
す斜視図である。
図、第２図は本発明により樹脂封止した半導体装置を示
す斜視図である。
図において、本発明に係る樹脂材」１−半導体装置は半
導体素子８を積載した放熱板５のうち、成型金型の樹脂
注入孔１１側の先端をその表面側に屈曲させて樹脂封止
したものである。図示した本発明の樹脂封止半導体装置
はパワー１〜ランジスタを対象としている。６はリード
、１２は樹脂封止半導体装置の樹脂部である。
導体素子８を積載した放熱板５のうち、成型金型の樹脂
注入孔１１側の先端をその表面側に屈曲させて樹脂封止
したものである。図示した本発明の樹脂封止半導体装置
はパワー１〜ランジスタを対象としている。６はリード
、１２は樹脂封止半導体装置の樹脂部である。
また、前述の樹脂封止半導体装置を樹脂封止する成型用
金型は向き合う面にキャピテイ３を形成した対をなす上
型１及び下型２を有し、放熱板５の先端屈曲部７の表面
側に当接さぜる押え部４を」−型１の内側に一体に形成
し、樹脂注入孔１１を、放熱板５の先端屈曲部７の裏面
側に対向する位置に開口したものである。また、上型１
の押え部４に対応する下型２の押え部は無く、放熱板５
の先端屈曲部７の裏面側と下型２との間には樹脂流９が
流動する空隙を形成する。
金型は向き合う面にキャピテイ３を形成した対をなす上
型１及び下型２を有し、放熱板５の先端屈曲部７の表面
側に当接さぜる押え部４を」−型１の内側に一体に形成
し、樹脂注入孔１１を、放熱板５の先端屈曲部７の裏面
側に対向する位置に開口したものである。また、上型１
の押え部４に対応する下型２の押え部は無く、放熱板５
の先端屈曲部７の裏面側と下型２との間には樹脂流９が
流動する空隙を形成する。
先端部を放熱板の表面側に屈曲させた放熱板５を上型１
に設げられな押え部４で固定するとともに、リード６を
上型１と下型２とで挾持し固定する。この時、金型の樹
脂注入孔１１は放熱板の先端屈曲部７の裏面側に位置す
るように形成されている。
に設げられな押え部４で固定するとともに、リード６を
上型１と下型２とで挾持し固定する。この時、金型の樹
脂注入孔１１は放熱板の先端屈曲部７の裏面側に位置す
るように形成されている。
成型の際、注入された樹脂は放熱板５の先端屈曲部７に
衝突し、樹脂流９に向けて流入する。この時、樹脂流１
０への流入は、放熱板の先端屈曲部７の屈曲角度に依存
する。本実施例では該角度を４０〜５０°に設定した。
衝突し、樹脂流９に向けて流入する。この時、樹脂流１
０への流入は、放熱板の先端屈曲部７の屈曲角度に依存
する。本実施例では該角度を４０〜５０°に設定した。
樹脂流９によって放熱板５は上型の押え部４へ圧接され
ることになり、放熱板５の裏面側に−様な樹脂注入が可
能となる。
ることになり、放熱板５の裏面側に−様な樹脂注入が可
能となる。
第２図は、本実施例にて成形された樹脂封止半導体装置
である。図から明らかなように、樹脂封止後、放熱板５
の表面の一部１３のみが露出することになり、放熱板５
の露出量を最小限に抑えることが可能となる。
である。図から明らかなように、樹脂封止後、放熱板５
の表面の一部１３のみが露出することになり、放熱板５
の露出量を最小限に抑えることが可能となる。
（実施例２）
第３図、第４図、第５図は本発明の実施例２の縦断面図
である。本実施例では上型の押え部４を上下逆退勤可能
としている。キャピテイ３内への樹脂注入の際に、押え
部１４は放熱板５に接しており、樹脂流９により圧接さ
れる。次に、放熱板５の裏面側に樹脂注入が完了した時
点て、押え部１４を］−型１内に移動させる。この時、
キャビティ３内の樹脂は第４図に示すようにリード６側
から移動した樹脂１５と放熱板５の先端屈曲部７側から
移動する樹脂１６となり、以後は、樹脂流１０により、
キャピテイ３を充填することになる。
である。本実施例では上型の押え部４を上下逆退勤可能
としている。キャピテイ３内への樹脂注入の際に、押え
部１４は放熱板５に接しており、樹脂流９により圧接さ
れる。次に、放熱板５の裏面側に樹脂注入が完了した時
点て、押え部１４を］−型１内に移動させる。この時、
キャビティ３内の樹脂は第４図に示すようにリード６側
から移動した樹脂１５と放熱板５の先端屈曲部７側から
移動する樹脂１６となり、以後は、樹脂流１０により、
キャピテイ３を充填することになる。
第５図は、他の実施例で成形された樹脂封止半導体装置
の外観図てあり、放熱板５の露出はなく、完全に樹脂で
被覆されている。
の外観図てあり、放熱板５の露出はなく、完全に樹脂で
被覆されている。
以上説明したように本発明は放熱板の先端部を表面側に
屈曲させること、及び成型金型の上型に固定された押え
部、または進退動可能な押え部を設けることにより、放
熱板の露出を最小限に抑えることができ、さらには完全
に除去することができ、絶縁性、耐湿性の向上に効果が
ある。
屈曲させること、及び成型金型の上型に固定された押え
部、または進退動可能な押え部を設けることにより、放
熱板の露出を最小限に抑えることができ、さらには完全
に除去することができ、絶縁性、耐湿性の向上に効果が
ある。
第１図は本発明の樹脂封止半導体装置用金型の縦断面図
、第２図は第１図の金型で成形されたパワートランジス
タの外観図、第３図は本発明の他の実施例て用いた樹脂
封止半導体装置用金型の縦断面図、第４図は第３図の金
型で押え部が上型内に移動完了した状態を示す図、第５
図は第４図の金型で成型されたパワートラジスタの外観
図、第６図は従来金型の縦断面図、第７図は従来金型で
成型されたパワートランジスタの外観図である。 １・・・上型 ２・・・下型３・・・キ
ャピテイ ４・・・上型の押え部５・・・放熱
板 ６・・・リード７・・・放熱板の先端
屈曲部 ８・・・半導体素子９．１０・・・樹脂流
１１・・・樹脂注入孔１２・・・樹脂封止半導体
装置の樹脂部１４・・・摺動可能な押え部 藷 ／ 択 ＼○
、第２図は第１図の金型で成形されたパワートランジス
タの外観図、第３図は本発明の他の実施例て用いた樹脂
封止半導体装置用金型の縦断面図、第４図は第３図の金
型で押え部が上型内に移動完了した状態を示す図、第５
図は第４図の金型で成型されたパワートラジスタの外観
図、第６図は従来金型の縦断面図、第７図は従来金型で
成型されたパワートランジスタの外観図である。 １・・・上型 ２・・・下型３・・・キ
ャピテイ ４・・・上型の押え部５・・・放熱
板 ６・・・リード７・・・放熱板の先端
屈曲部 ８・・・半導体素子９．１０・・・樹脂流
１１・・・樹脂注入孔１２・・・樹脂封止半導体
装置の樹脂部１４・・・摺動可能な押え部 藷 ／ 択 ＼○
Claims (2)
- （１）半導体素子を積載した放熱板の先端の一部を該放
熱板の表面側に屈曲させて樹脂封止したことを特徴とす
る樹脂封止半導体装置。 - （２）半導体素子を積載した放熱板の先端屈曲部の表面
側に当接させる押え部を金型本体に一体にまたは進退動
可能に備え、金型本体の樹脂注入孔を該放熱板の屈曲し
た先端部の裏面側に向き合う位置に開口したことを特徴
とする成型用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097938A JPH01268159A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 樹脂封止半導体装置及び成型用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097938A JPH01268159A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 樹脂封止半導体装置及び成型用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268159A true JPH01268159A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14205610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63097938A Pending JPH01268159A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 樹脂封止半導体装置及び成型用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01268159A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0469299A2 (en) * | 1990-07-31 | 1992-02-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Electrically well insulated support element for a silicon wafer used as a component in electrical and electronic circuits |
| JPH0446549U (ja) * | 1990-08-23 | 1992-04-21 | ||
| US5371044A (en) * | 1991-05-27 | 1994-12-06 | Hitachi, Ltd. | Method of uniformly encapsulating a semiconductor device in resin |
| EP1075022A1 (en) * | 1999-08-04 | 2001-02-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Offset edges mold for plastic packaging of integrated semiconductor devices |
| US6593665B2 (en) | 2000-04-28 | 2003-07-15 | Stmicroelectronics S.R.L. | Protective envelope for a semiconductor integrated circuit |
| JP2010103411A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2014116366A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| DE112016006381T5 (de) | 2016-02-09 | 2018-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungshalbleitervorrichtung und herstellungsverfahren dafür |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63097938A patent/JPH01268159A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0469299A2 (en) * | 1990-07-31 | 1992-02-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Electrically well insulated support element for a silicon wafer used as a component in electrical and electronic circuits |
| EP0469299A3 (en) * | 1990-07-31 | 1993-03-17 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Electrically well insulated support element for a silicon wafer used as a component in electrical and electronic circuits |
| JPH0446549U (ja) * | 1990-08-23 | 1992-04-21 | ||
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| US11107746B2 (en) | 2016-02-09 | 2021-08-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor apparatus and manufacturing method therefor |
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