JPS63170949A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63170949A JPS63170949A JP270487A JP270487A JPS63170949A JP S63170949 A JPS63170949 A JP S63170949A JP 270487 A JP270487 A JP 270487A JP 270487 A JP270487 A JP 270487A JP S63170949 A JPS63170949 A JP S63170949A
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- JP
- Japan
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- parts
- protruding
- recessed
- substrate
- protruding part
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- Pending
Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素体が金属基板上に固着され、素体を
覆う樹脂体により封止された半導体素子に関する。
覆う樹脂体により封止された半導体素子に関する。
半導体ペレットをリードフレームのマウント部に固着し
、外部リード部とペレットの１極とをワイヤボンディン
グにより接続したのち、ペレットを覆うように樹脂成形
した半導体素子はよく知られている。第２図はそのよう
な素子の製造工程中の状態を示し、リードフレームの連
結部２につながり取り付は穴３を有するマウント部１の
上に、半導体ペレット４あるいは５が固着されている。
、外部リード部とペレットの１極とをワイヤボンディン
グにより接続したのち、ペレットを覆うように樹脂成形
した半導体素子はよく知られている。第２図はそのよう
な素子の製造工程中の状態を示し、リードフレームの連
結部２につながり取り付は穴３を有するマウント部１の
上に、半導体ペレット４あるいは５が固着されている。
第３図は樹脂成形後の素子の断面を示し、マウント部１
の両面を樹脂体６が覆っているフルバツク型素子であり
、外部リード７が露出している。このような半導体素子
の樹脂成形の際、樹脂の流れが一方向であると、金型内
の空気が閉じこめられて樹脂体中にピンホールが生ずる
問題があり、この対策としてマウント部の面に絞り、押
し出しにより凸部を形成して樹脂の流れを阻止するもの
が知られている。
の両面を樹脂体６が覆っているフルバツク型素子であり
、外部リード７が露出している。このような半導体素子
の樹脂成形の際、樹脂の流れが一方向であると、金型内
の空気が閉じこめられて樹脂体中にピンホールが生ずる
問題があり、この対策としてマウント部の面に絞り、押
し出しにより凸部を形成して樹脂の流れを阻止するもの
が知られている。
しかし、絞り、押し出しによって形成される凸部は、位
置１寸法の精度が悪く、また成形に大きな力がいる欠点
がある。
置１寸法の精度が悪く、また成形に大きな力がいる欠点
がある。
本発明の目的は、基板を覆う樹脂成形時に樹脂の流れを
阻止する凸部が位置１寸法の精度が高く、成形の容易な
半導体装置を提供することにある。
阻止する凸部が位置１寸法の精度が高く、成形の容易な
半導体装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、
基板の一面に凸部、他面のその凸部の背後の位置に凸部
とほぼ同一形状の凹部を有するものとする。
基板の一面に凸部、他面のその凸部の背後の位置に凸部
とほぼ同一形状の凹部を有するものとする。
上記のように、両面の同じ位置に凸部、凹部が存在する
基讐反は、プレスによる、いわゆるハーフ抜き加工で成
形でき、成形容易である。また背面の凹部も樹脂流阻止
の作用をもつので、基板両面が樹脂体で覆われるフルパ
ンク型素子において特に有効である。
基讐反は、プレスによる、いわゆるハーフ抜き加工で成
形でき、成形容易である。また背面の凹部も樹脂流阻止
の作用をもつので、基板両面が樹脂体で覆われるフルパ
ンク型素子において特に有効である。
第１図は、本発明の一実施例に使用するリードフレーム
を示し、第２図と共通の部分には同一の符号が付されて
いる。このリードフレームの両側の連結部２につながる
マウント部１には、半導体ベレット４または５の固着さ
れる部分の近（に凸部８を有するが、第１図Ｔｏｌに示
すようにこの凸部の裏側には、同一形状の凹部９が形成
されている。
を示し、第２図と共通の部分には同一の符号が付されて
いる。このリードフレームの両側の連結部２につながる
マウント部１には、半導体ベレット４または５の固着さ
れる部分の近（に凸部８を有するが、第１図Ｔｏｌに示
すようにこの凸部の裏側には、同一形状の凹部９が形成
されている。
このような凸部８および凹部９は、凹部１３を有する上
型１１と凸部１４を有する下型１２との間に金属板をは
さんでプレスすることによって形成できる。
型１１と凸部１４を有する下型１２との間に金属板をは
さんでプレスすることによって形成できる。
第４図は、マウント部に設けられる凸部８が、従って凹
部９も種々の形状をもつ実施例を示し、また第５図は凸
部８および凹部９の断面が種々の形状をもつ実施例を示
し、これにより樹脂の流れの阻止方向あるいは阻止量を
種々に制御することができる。
部９も種々の形状をもつ実施例を示し、また第５図は凸
部８および凹部９の断面が種々の形状をもつ実施例を示
し、これにより樹脂の流れの阻止方向あるいは阻止量を
種々に制御することができる。
本発明によれば、樹脂形成時に樹脂の流れを阻止するた
めの基板面の凸部とともにその裏側に凹部も設けること
によりハーフ抜き成形を可能にしたので、従来のリード
フレームの凸部形成に用いられた絞り、押し出しにくら
べて成形に要する力が小さく、加工容易で、押し出し方
式では板厚の１７５までしか形成できなかった凸部の高
さをより高くできる。また、絞り方式では不可能であっ
た厚い基板への凸部形成あるいは幅がせまく、板面に垂
直な面をもつ凸部の形成も可能になる。そして背面側の
凹部も樹脂流阻止ならびに樹脂よりの基板の抜は防止に
役立つのでフルパンク型素子に対して特に有効である。
めの基板面の凸部とともにその裏側に凹部も設けること
によりハーフ抜き成形を可能にしたので、従来のリード
フレームの凸部形成に用いられた絞り、押し出しにくら
べて成形に要する力が小さく、加工容易で、押し出し方
式では板厚の１７５までしか形成できなかった凸部の高
さをより高くできる。また、絞り方式では不可能であっ
た厚い基板への凸部形成あるいは幅がせまく、板面に垂
直な面をもつ凸部の形成も可能になる。そして背面側の
凹部も樹脂流阻止ならびに樹脂よりの基板の抜は防止に
役立つのでフルパンク型素子に対して特に有効である。
第１図（５）、 （ｂ）は本発明の一実施例の製造工程
の中間段階を示し、（ａｌが平面図、 （ｂｌが側断面
図、第２図は従来の半導体装置の製造工程の中間段階を
示す平面図、第３図は製造後の断面図、第４図（ａ）〜
（ｊ）は本発明の実施例における凸部の種々の形状を示
す平面図、第５図ｔａ＋〜（ｅｌは本発明の実施例にお
ける凸部および凹部の種々の形状を示す平面図である。 １：リードフレームマウント部、４：半導体ベレット、
８：凸部、９：凹部。 第１図 第２図 （２
の中間段階を示し、（ａｌが平面図、 （ｂｌが側断面
図、第２図は従来の半導体装置の製造工程の中間段階を
示す平面図、第３図は製造後の断面図、第４図（ａ）〜
（ｊ）は本発明の実施例における凸部の種々の形状を示
す平面図、第５図ｔａ＋〜（ｅｌは本発明の実施例にお
ける凸部および凹部の種々の形状を示す平面図である。 １：リードフレームマウント部、４：半導体ベレット、
８：凸部、９：凹部。 第１図 第２図 （２
Claims (1)
- １）半導体素体が金属基板上に固着され、該素体を覆う
樹脂体によって封止されたものにおいて、基板の一面に
凸部、他面の該凸部の背後の位置に凸部とほぼ同一形状
の凹部を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP270487A JPS63170949A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP270487A JPS63170949A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63170949A true JPS63170949A (ja) | 1988-07-14 |
Family
ID=11536675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP270487A Pending JPS63170949A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63170949A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514913A (en) * | 1991-12-05 | 1996-05-07 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Net Mezzogiorno | Resin-encapsulated semiconductor device having improved adhesion |
| JP2017188694A (ja) * | 2017-06-15 | 2017-10-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法、ならびに半導体モジュール |
| US11417578B2 (en) | 2014-05-21 | 2022-08-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor module |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535807U (ja) * | 1978-08-28 | 1980-03-07 | ||
| JPS5655065A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Toshiba Corp | Semiconductor lead frame |
-
1987
- 1987-01-09 JP JP270487A patent/JPS63170949A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535807U (ja) * | 1978-08-28 | 1980-03-07 | ||
| JPS5655065A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Toshiba Corp | Semiconductor lead frame |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514913A (en) * | 1991-12-05 | 1996-05-07 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Net Mezzogiorno | Resin-encapsulated semiconductor device having improved adhesion |
| US5766985A (en) * | 1991-12-05 | 1998-06-16 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Process for encapsulating a semiconductor device having a heat sink |
| US11417578B2 (en) | 2014-05-21 | 2022-08-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor module |
| JP2017188694A (ja) * | 2017-06-15 | 2017-10-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法、ならびに半導体モジュール |
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