JP2572841Y2 - 半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型 - Google Patents
半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型Info
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- JP2572841Y2 JP2572841Y2 JP1992074956U JP7495692U JP2572841Y2 JP 2572841 Y2 JP2572841 Y2 JP 2572841Y2 JP 1992074956 U JP1992074956 U JP 1992074956U JP 7495692 U JP7495692 U JP 7495692U JP 2572841 Y2 JP2572841 Y2 JP 2572841Y2
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、半導体装置の製造に用
いる樹脂封止用金型に関する。
いる樹脂封止用金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、図４を参照して従来例に係る半導
体装置の概要について説明する、図４は従来例に係る樹
脂封止用金型の型締め状態を示す要部断面図である。図
４によれば、半導体素子１１１を搭載し、ワイヤ１１２
を介して電気的導通回路を構成したリードフレーム１１
３を樹脂封止した半導体装置１１４は、前記半導体素子
を搭載した搭載部１１５がキャビティ部１１６に位置す
るように樹脂封止用金型１１７の下型１１８の上面に載
置し、前記樹脂封止用金型１１７の上型１１９を前記リ
ードフレーム１１３に衝合させて前記上型及び下型の型
締めを行った後、上型に設けたポット内（図示されてい
ない）に挿入した樹脂タブレットを前記ポット内で往復
作動するプランジャ（図示されていない）で加圧し、該
加圧樹脂を、図示されていない、カル、ランナ及びゲー
トを通ってキャビティ１１６内への圧入を行い、樹脂パ
ッケージ部から突出した前記リードフレーム１１３のア
ウターリード１２０をＵ型、Ｚ型又はＪ型などの曲げ加
工を行って形成している。
体装置の概要について説明する、図４は従来例に係る樹
脂封止用金型の型締め状態を示す要部断面図である。図
４によれば、半導体素子１１１を搭載し、ワイヤ１１２
を介して電気的導通回路を構成したリードフレーム１１
３を樹脂封止した半導体装置１１４は、前記半導体素子
を搭載した搭載部１１５がキャビティ部１１６に位置す
るように樹脂封止用金型１１７の下型１１８の上面に載
置し、前記樹脂封止用金型１１７の上型１１９を前記リ
ードフレーム１１３に衝合させて前記上型及び下型の型
締めを行った後、上型に設けたポット内（図示されてい
ない）に挿入した樹脂タブレットを前記ポット内で往復
作動するプランジャ（図示されていない）で加圧し、該
加圧樹脂を、図示されていない、カル、ランナ及びゲー
トを通ってキャビティ１１６内への圧入を行い、樹脂パ
ッケージ部から突出した前記リードフレーム１１３のア
ウターリード１２０をＵ型、Ｚ型又はＪ型などの曲げ加
工を行って形成している。
【０００３】次に、図４及び図５を参照して従来例に係
る樹脂封止用金型について説明する、図５は従来例に係
る後のアウターリードの一部を示す断面図である。この
種の樹脂封止に用いる金型１１７は、図４、図５に示す
ように、ベースプレート１２１とその上に固定されたセ
ンターブロックとこれらを貫通して装着したポットと複
数のキャビティ１１６を埋設したチェイスブロック１２
２を備え、前記リードフレーム１１３のアウターリード
１２０の上面に圧接する上型１１９と、ベースプレート
１２３とその上に固定されたセンターブロックに前記ポ
ットに対応する、図示されていない溶融樹脂を圧流する
カールとランナとゲートと複数のキャビティ１１６ａを
埋設したチェイスブロック１２４とを備え、前記リード
フレーム１１３のアウターリード１２０の下面に圧接す
る上型１１８とを具備しており、さらに前記金型１１７
の上型及び下型１１９、１１８のセンターブロックやチ
ェイスブロック１２２、１２４に適切なパッテング逃げ
部１２５、１２６を設けて圧接面積を狭くして圧接精度
を向上させると共に、前記アウタリード１２０を連結す
る樹脂止め用ダムバー１２８（Ｕ曲げ領域内）の上面及
び下面の同一範囲に前記チェイスブロック１２２、１２
４のパッティングエリアＬ、Ｌａの境界の稜線部が位置
するように構成されており、溶融樹脂がリードフレーム
の不要部分に流入する樹脂漏れを防止する構成されたも
のが一般的である。
る樹脂封止用金型について説明する、図５は従来例に係
る後のアウターリードの一部を示す断面図である。この
種の樹脂封止に用いる金型１１７は、図４、図５に示す
ように、ベースプレート１２１とその上に固定されたセ
ンターブロックとこれらを貫通して装着したポットと複
数のキャビティ１１６を埋設したチェイスブロック１２
２を備え、前記リードフレーム１１３のアウターリード
１２０の上面に圧接する上型１１９と、ベースプレート
１２３とその上に固定されたセンターブロックに前記ポ
ットに対応する、図示されていない溶融樹脂を圧流する
カールとランナとゲートと複数のキャビティ１１６ａを
埋設したチェイスブロック１２４とを備え、前記リード
フレーム１１３のアウターリード１２０の下面に圧接す
る上型１１８とを具備しており、さらに前記金型１１７
の上型及び下型１１９、１１８のセンターブロックやチ
ェイスブロック１２２、１２４に適切なパッテング逃げ
部１２５、１２６を設けて圧接面積を狭くして圧接精度
を向上させると共に、前記アウタリード１２０を連結す
る樹脂止め用ダムバー１２８（Ｕ曲げ領域内）の上面及
び下面の同一範囲に前記チェイスブロック１２２、１２
４のパッティングエリアＬ、Ｌａの境界の稜線部が位置
するように構成されており、溶融樹脂がリードフレーム
の不要部分に流入する樹脂漏れを防止する構成されたも
のが一般的である。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、前記ア
ウタリード１２０の曲げ領域に、前記チェイスブロック
１２２、１２４のパッティングエリアＬ、Ｌａが衝合圧
接される。そうして、アウターリードの曲げ領域の上面
及び下面に、図５に示すように相互に対応した同一位置
（Ｌ＝Ｌａ）にパッテングマーク１２９、１３０が刻印
される。このため、前記リードフレームに１１３に前記
半導体素子１１１を搭載し、これを樹脂封止して半導体
装置１１４を形成した後、前記パッケージから突出した
アウターリード１２０を分離独立させて曲げ加工を行い
Ｕ型、Ｚ型又はＪ型などのリード形状を成形する際に、
その上面に刻印された凹状のパッティングマーク１２９
の段差部１３１の境界の稜線部に曲げ加工による引っ張
り応力が集中して先付け又は後付けされたメッキ表面皮
膜層にクラックが発生し、外部環境により前記アウター
リード１２０の素材部分が腐食されてメッキ被膜層の表
面を汚染したり、剥離が生じて外観品質及び長期信頼性
を低下させるという問題があった。
ウタリード１２０の曲げ領域に、前記チェイスブロック
１２２、１２４のパッティングエリアＬ、Ｌａが衝合圧
接される。そうして、アウターリードの曲げ領域の上面
及び下面に、図５に示すように相互に対応した同一位置
（Ｌ＝Ｌａ）にパッテングマーク１２９、１３０が刻印
される。このため、前記リードフレームに１１３に前記
半導体素子１１１を搭載し、これを樹脂封止して半導体
装置１１４を形成した後、前記パッケージから突出した
アウターリード１２０を分離独立させて曲げ加工を行い
Ｕ型、Ｚ型又はＪ型などのリード形状を成形する際に、
その上面に刻印された凹状のパッティングマーク１２９
の段差部１３１の境界の稜線部に曲げ加工による引っ張
り応力が集中して先付け又は後付けされたメッキ表面皮
膜層にクラックが発生し、外部環境により前記アウター
リード１２０の素材部分が腐食されてメッキ被膜層の表
面を汚染したり、剥離が生じて外観品質及び長期信頼性
を低下させるという問題があった。
【０００５】本考案は上記事情に鑑みてなされたもので
あって、アウターリードの曲げ加工を行う際に、前記段
差部に生じる集中応力を緩和すると共に、その集中応力
によって発生する表面皮膜層のクラックや剥離を防ぐこ
とのできる半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型を
提供することにある。
あって、アウターリードの曲げ加工を行う際に、前記段
差部に生じる集中応力を緩和すると共に、その集中応力
によって発生する表面皮膜層のクラックや剥離を防ぐこ
とのできる半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型を
提供することにある。
【０００６】 上記の目的に沿おう請求項１記載の半導
体装置の製造に用いる樹脂封止用金型は、リードフレー
ムに半導体素子を搭載した後、これを樹脂封止するパッ
ケージを形成するキャビティを有し、ベースプレートに
固定されたチェイスブロックとセンターブロックとを具
備し、且つ前記リードフレームに衝合圧接するチェイス
ブロックのパッティングエリアと前記リードフレームの
パッティング逃げ部を設けた上型及び下型とで構成され
た樹脂封止用金型であって、前記樹脂封止用金型が型締
め状態で前記リードフレームのアウターリードの上面及
び下面に衝合圧接する上型、下型のチェイスブロックの
パッティングエリアの内、前記上型のパッティングエリ
アとパッティング逃げ部との境界の稜線部が前記下型の
パッティング逃げ部の領域に位置するように前記上型の
パッティングエリアを下型のパッティングエリアよりも
広く構成し、且つ下型のパッティングエリアとパッティ
ング逃げ部との境界の稜線部がアウタリードのＵ曲げ領
域内に位置した構成としたことを特徴とするものであ
る。
体装置の製造に用いる樹脂封止用金型は、リードフレー
ムに半導体素子を搭載した後、これを樹脂封止するパッ
ケージを形成するキャビティを有し、ベースプレートに
固定されたチェイスブロックとセンターブロックとを具
備し、且つ前記リードフレームに衝合圧接するチェイス
ブロックのパッティングエリアと前記リードフレームの
パッティング逃げ部を設けた上型及び下型とで構成され
た樹脂封止用金型であって、前記樹脂封止用金型が型締
め状態で前記リードフレームのアウターリードの上面及
び下面に衝合圧接する上型、下型のチェイスブロックの
パッティングエリアの内、前記上型のパッティングエリ
アとパッティング逃げ部との境界の稜線部が前記下型の
パッティング逃げ部の領域に位置するように前記上型の
パッティングエリアを下型のパッティングエリアよりも
広く構成し、且つ下型のパッティングエリアとパッティ
ング逃げ部との境界の稜線部がアウタリードのＵ曲げ領
域内に位置した構成としたことを特徴とするものであ
る。
【０００７】 上記のように構成された請求項１記載の
半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型においては、
上型、下型のチェイスブロックのパッティングエリアの
内、前記上型のパッティングエリアとパッティング逃げ
部との境界の稜線部が前記下型のパッティング逃げ部の
領域に位置するように構成されているので、下型のパッ
ティング逃げ部の領域に位置するアウターリードが下型
のパッティング逃げ部の領域に逃げることにより、前記
アウターリードの上面に刻印される凹状のパッティング
マークの段差を著しく浅くすることができる。ここで、
上型の前記稜線部は、Ｕ曲げ領域内、Ｕ曲げ領域外のい
ずれに位置する構成としてもよいが、好ましくはＵ曲げ
領域を外れた構成すれば曲げ領域内に段差が生じること
がなくなる。これによって、前記アウターリードの上面
のＵ曲げ領域に凹状のパッティングエリアの境界の稜線
部が位置しても段差部が著しく浅く形成されるので、前
記アウターリードのＵ曲げを行う際に生じる引っ張り応
力の集中を著しく緩和することができる。そして、アウ
タリードの表面に予め形成されためっきなどの被膜層に
発生していたクラックがなくなり、素材面の露出を防止
することができる。
半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型においては、
上型、下型のチェイスブロックのパッティングエリアの
内、前記上型のパッティングエリアとパッティング逃げ
部との境界の稜線部が前記下型のパッティング逃げ部の
領域に位置するように構成されているので、下型のパッ
ティング逃げ部の領域に位置するアウターリードが下型
のパッティング逃げ部の領域に逃げることにより、前記
アウターリードの上面に刻印される凹状のパッティング
マークの段差を著しく浅くすることができる。ここで、
上型の前記稜線部は、Ｕ曲げ領域内、Ｕ曲げ領域外のい
ずれに位置する構成としてもよいが、好ましくはＵ曲げ
領域を外れた構成すれば曲げ領域内に段差が生じること
がなくなる。これによって、前記アウターリードの上面
のＵ曲げ領域に凹状のパッティングエリアの境界の稜線
部が位置しても段差部が著しく浅く形成されるので、前
記アウターリードのＵ曲げを行う際に生じる引っ張り応
力の集中を著しく緩和することができる。そして、アウ
タリードの表面に予め形成されためっきなどの被膜層に
発生していたクラックがなくなり、素材面の露出を防止
することができる。
【０００８】
【実施例】図１は本考案の実施に係る樹脂封止用金型の
型締め状態を示す要部断面図、図２は本考案の実施に係
る樹脂封止後のアウターリードの一部を示す平面図、図
３は本考案の実施に係る樹脂封止後のアウターリードの
Ｕ曲げ部を示す断面図である。
型締め状態を示す要部断面図、図２は本考案の実施に係
る樹脂封止後のアウターリードの一部を示す平面図、図
３は本考案の実施に係る樹脂封止後のアウターリードの
Ｕ曲げ部を示す断面図である。
【０００９】 まず、この種の半導体装置１１４は、図
１、図２に示すように、半導体素子１１を搭載した搭載
部１２を備え、該素子１１のパッドとワイヤ１３を介し
て電気的導通回路を形成する複数のインナーリード１４
とこれらを相互連結して樹脂の流出を防ぐダムバー１５
と前記インナーリードに延設するアウターリード１６を
具備し、所要部分にめっきなどの表面皮膜層を有するリ
ードフレーム１７を、前記アウタリード１６の上面、下
面に衝合圧接するパッティング面ＰＬ１、ＰＬ２を有す
る上型１８、下型１９とを備えた樹脂封止金型に載置し
て前記半導体素子及びリードフレームの一端部側を封止
樹脂で封止してパッケージを形成した後、該パッケージ
から突出したアウターリードを所要の形状（Ｕ、Ｊ、Ｚ
字形状）に折り曲げ形成された構成のものである。
１、図２に示すように、半導体素子１１を搭載した搭載
部１２を備え、該素子１１のパッドとワイヤ１３を介し
て電気的導通回路を形成する複数のインナーリード１４
とこれらを相互連結して樹脂の流出を防ぐダムバー１５
と前記インナーリードに延設するアウターリード１６を
具備し、所要部分にめっきなどの表面皮膜層を有するリ
ードフレーム１７を、前記アウタリード１６の上面、下
面に衝合圧接するパッティング面ＰＬ１、ＰＬ２を有す
る上型１８、下型１９とを備えた樹脂封止金型に載置し
て前記半導体素子及びリードフレームの一端部側を封止
樹脂で封止してパッケージを形成した後、該パッケージ
から突出したアウターリードを所要の形状（Ｕ、Ｊ、Ｚ
字形状）に折り曲げ形成された構成のものである。
【００１０】次に、本考案に係る半導体装置の製造に用
いる樹脂封止用金型１０は、前記上型１８は、樹脂を圧
流するプランジャとポットと（図示されていない）、上
型のベースプレート２０上に装着した上型のチェイスブ
ロック２１とを有し、該ブロック２１のパッティング面
ＰＬ１に窪設した複数の上型のキャビティ２２と該キャ
ビティ２２間に所定の凹状の上型のパッティング逃げ部
２３を備えており、該逃げ部２３を区画する上型のパッ
ティングエリア２４の境界の稜線部がアウターリード１
６の上面のＵ曲げ領域Ｓａ（引っ張り応力の作用範囲）
内に位置し、且つ下型のパッティング逃げ部の領域に位
置するように下型のパッティングエリアよりも広く形成
されている。また、前記下型１９は、封止樹脂を下型の
キャビティ２７に圧流するカル、ランナ及びゲートと
（図示されていない）、下型のベースプレート２５上に
装着した下型のチェイスブロック２６とを有し、該ブロ
ック２６の下型のパッティング面ＰＬ２に窪設した複数
の下型のキャビティ２７と該キャビティ２７間に所定の
凹状の下型のパッティング逃げ部２８を備えており、該
逃げ部２８を区画する下型のパッティングエリア２９の
境界の稜線部がアウタリード１６の下面のＵ曲げ（圧縮
応力の作用範囲）Ｓｂに位置し、且つ上型のパッティン
グエリア２４よりも狭くなるように前記逃げ部２８が広
く形成されている。
いる樹脂封止用金型１０は、前記上型１８は、樹脂を圧
流するプランジャとポットと（図示されていない）、上
型のベースプレート２０上に装着した上型のチェイスブ
ロック２１とを有し、該ブロック２１のパッティング面
ＰＬ１に窪設した複数の上型のキャビティ２２と該キャ
ビティ２２間に所定の凹状の上型のパッティング逃げ部
２３を備えており、該逃げ部２３を区画する上型のパッ
ティングエリア２４の境界の稜線部がアウターリード１
６の上面のＵ曲げ領域Ｓａ（引っ張り応力の作用範囲）
内に位置し、且つ下型のパッティング逃げ部の領域に位
置するように下型のパッティングエリアよりも広く形成
されている。また、前記下型１９は、封止樹脂を下型の
キャビティ２７に圧流するカル、ランナ及びゲートと
（図示されていない）、下型のベースプレート２５上に
装着した下型のチェイスブロック２６とを有し、該ブロ
ック２６の下型のパッティング面ＰＬ２に窪設した複数
の下型のキャビティ２７と該キャビティ２７間に所定の
凹状の下型のパッティング逃げ部２８を備えており、該
逃げ部２８を区画する下型のパッティングエリア２９の
境界の稜線部がアウタリード１６の下面のＵ曲げ（圧縮
応力の作用範囲）Ｓｂに位置し、且つ上型のパッティン
グエリア２４よりも狭くなるように前記逃げ部２８が広
く形成されている。
【００１１】 したがって、図２、図３に示すように、
前記樹脂封止用金型１０に、前記半導体素子１１が搭載
された前記リードフレーム１７を装着して型締め状態に
すると、前記ブロック２１のパッティングエリア２４は
前記アウターリード１６の上面のＵ曲げ領域Ｓａに圧接
し、前記ブロック２６のパッティングエリア２９は前記
アウターリード１６の下面のＵ曲げ領域Ｓｂに圧接す
る。そして、図３に示すように、前記上型のパッティン
グ面ＰＬ１、前記下型のパッティング面ＰＬ２が、前記
アウターリード１６の上面及び下面に上型及びした型の
稜線が位置ずれした状態で衝合圧接する。そして、前記
アウターリード１６の位置ずれ部分が下型のパッティン
グ逃げ部に逃げるように構成されているので、上面のパ
ッティングマーク３０の段差が著しく浅く刻印されるこ
とになる。ここで、上型の前記稜線部は、Ｕ曲げ領域
内、Ｕ曲げ領域外のいずれに位置する構成としてもよい
が、好ましくはＵ曲げ領域を外れた構成すれば曲げ領域
内に段差をなくすことができる。これによって、前記ア
ウターリード１６のＵ曲げを行う際に、前記アウターリ
ードの段差部３２の境界の稜線部に生じる集中応力によ
るメッキ層のクラックや剥離を防ぐことができる。
前記樹脂封止用金型１０に、前記半導体素子１１が搭載
された前記リードフレーム１７を装着して型締め状態に
すると、前記ブロック２１のパッティングエリア２４は
前記アウターリード１６の上面のＵ曲げ領域Ｓａに圧接
し、前記ブロック２６のパッティングエリア２９は前記
アウターリード１６の下面のＵ曲げ領域Ｓｂに圧接す
る。そして、図３に示すように、前記上型のパッティン
グ面ＰＬ１、前記下型のパッティング面ＰＬ２が、前記
アウターリード１６の上面及び下面に上型及びした型の
稜線が位置ずれした状態で衝合圧接する。そして、前記
アウターリード１６の位置ずれ部分が下型のパッティン
グ逃げ部に逃げるように構成されているので、上面のパ
ッティングマーク３０の段差が著しく浅く刻印されるこ
とになる。ここで、上型の前記稜線部は、Ｕ曲げ領域
内、Ｕ曲げ領域外のいずれに位置する構成としてもよい
が、好ましくはＵ曲げ領域を外れた構成すれば曲げ領域
内に段差をなくすことができる。これによって、前記ア
ウターリード１６のＵ曲げを行う際に、前記アウターリ
ードの段差部３２の境界の稜線部に生じる集中応力によ
るメッキ層のクラックや剥離を防ぐことができる。
【００１２】ここで、前記逃げ部２３を区画するパッテ
ィングエリア２４の境界の稜線部がアウターリード１６
の上面のＵ曲げ領域Ｓａ（引っ張り応力の作用範囲）外
に位置するように前記逃げ部を形成するようにしても同
様な効果が得られる。また、パッティング逃げ部２４、
２８を区画するパッティングエリア２４、２９の境界の
稜線部に円弧形状の面取りを付した構成とすればさらに
応力の集中を緩和することができる。
ィングエリア２４の境界の稜線部がアウターリード１６
の上面のＵ曲げ領域Ｓａ（引っ張り応力の作用範囲）外
に位置するように前記逃げ部を形成するようにしても同
様な効果が得られる。また、パッティング逃げ部２４、
２８を区画するパッティングエリア２４、２９の境界の
稜線部に円弧形状の面取りを付した構成とすればさらに
応力の集中を緩和することができる。
【００１３】 本考案の樹脂封止用金型は上記のように
構成されているから、アウターリードの上面の段差が少
なくなる、その結果としてメッキ層に曲げ応力の集中に
よるクラックの発生がなくなり、外部環境によるメッキ
などの皮膜層の表面汚染がなくなり、半導体装置の外観
品質を著しく向上させることができると共に、長期信頼
性の高い半導体装置の製造に用いることができる樹脂封
止用金型を提供することができる。
構成されているから、アウターリードの上面の段差が少
なくなる、その結果としてメッキ層に曲げ応力の集中に
よるクラックの発生がなくなり、外部環境によるメッキ
などの皮膜層の表面汚染がなくなり、半導体装置の外観
品質を著しく向上させることができると共に、長期信頼
性の高い半導体装置の製造に用いることができる樹脂封
止用金型を提供することができる。
【図１】本考案の実施に係る樹脂封止用金型の型締め状
態を示す要部断面図である。
態を示す要部断面図である。
【図２】本考案の実施に係る樹脂封止後のアウターリー
ドの一部を示す平面図である。
ドの一部を示す平面図である。
【図３】本考案の実施に係る半導体装置の部分断面図で
ある。
ある。
【図４】従来の実施例に係る樹脂封止用金型の型締め状
態を示す要部断面図である。
態を示す要部断面図である。
【図５】従来の実施例に係る半導体装置の部分断面図で
ある。
ある。
１０ 樹脂封止用金型 １１ 半導体素子 １２ 半導体素子搭載部 １３ ワイヤ １４ インナーリード １５ ダムバー １６ アウターリード １７ リードフレーム １８ 上型 １９ 下型 ２０ ベースプレート（上型） ２１ チェイスブロック（上型） ２２ キャビティ（上型） ２３ パッティング逃げ部（上型） ２４ パッティングエリア（上型） ２５ ベースプレート（下型） ２６ チェイスブロック（下型） ２７ キャビティ（下型） ２８ パッティング逃げ部（下型） ２９ パッティングエリア（下型） ３０ アウターリード上面のパッテングマーク ３１ アウターリード下面のパッテングマーク ３２ アウターリード上面の段差部 ３３ アウターリード下面の段差部 ＰＬ１ 上型のパッティング面 ＰＬ２ 下型のパッティング面 Ｓａ アウターリード上面のＵ曲げ領域（引っ張り応力
作用範囲） Ｓｂ アウターリード下面のＵ曲げ領域（圧縮応力作用
範囲） １１１ 半導体素子 １１２ ワイヤ １１３ リードフレーム １１４ 半導体装置 １１５ 半導体素子搭載部 １１６ キャビティ部 １１６ａ キャビティ １１７ 樹脂封止用金型 １１８ 下型 １１９ 上型 １２０ アウターリード １２１ 上型のベースプレート（上型） １２２ 上型のチェイスブロック（上型） １２３ 下型のベースプレート（下型） １２４ 下型のチェイスブロック（下型） １２５ 上型のパッテング逃げ部（上型） １２６ 下型のパッテング逃げ部（下型） １２８ 樹脂止め用ダムバー １２９ パッティングマーク（上型） １３０ パッティングマーク（下型） １３１ 段差部Ｌ アウターリード上面のパッティングエリア Ｌａ アウターリード下面のパッティングエリア
作用範囲） Ｓｂ アウターリード下面のＵ曲げ領域（圧縮応力作用
範囲） １１１ 半導体素子 １１２ ワイヤ １１３ リードフレーム １１４ 半導体装置 １１５ 半導体素子搭載部 １１６ キャビティ部 １１６ａ キャビティ １１７ 樹脂封止用金型 １１８ 下型 １１９ 上型 １２０ アウターリード １２１ 上型のベースプレート（上型） １２２ 上型のチェイスブロック（上型） １２３ 下型のベースプレート（下型） １２４ 下型のチェイスブロック（下型） １２５ 上型のパッテング逃げ部（上型） １２６ 下型のパッテング逃げ部（下型） １２８ 樹脂止め用ダムバー １２９ パッティングマーク（上型） １３０ パッティングマーク（下型） １３１ 段差部Ｌ アウターリード上面のパッティングエリア Ｌａ アウターリード下面のパッティングエリア
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームに半導体素子を搭載した
後、これを樹脂封止するパッケージを形成するキャビテ
ィを有し、ベースプレートに固定されたチェイスブロッ
クとセンターブロックとを具備し、且つ前記リードフレ
ームに衝合圧接するチェイスブロックのパッティングエ
リアと前記リードフレームのパッティング逃げ部を設け
た上型及び下型とで構成された樹脂封止用金型であっ
て、 前記樹脂封止用金型が型締め状態で前記リードフレーム
のアウターリードの上面及び下面に衝合圧接する上型、
下型のチェイスブロックのパッティングエリアの内、前
記上型のパッティングエリアとパッティング逃げ部との
境界の稜線部が前記下型のパッティング逃げ部の領域に
位置するように前記上型のパッティングエリアを下型の
パッティングエリアよりも広く構成し、且つ下型のパッ
ティングエリアとパッティング逃げ部との境界の稜線部
がアウタリードのＵ曲げ領域内に位置した構成としたこ
とを特徴とする半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金
型。
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| JP1992074956U JP2572841Y2 (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP1992074956U JP2572841Y2 (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型 |
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| JPH0645336U JPH0645336U (ja) | 1994-06-14 |
| JP2572841Y2 true JP2572841Y2 (ja) | 1998-05-25 |
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| JP6259137B1 (ja) | 2017-03-13 | 2018-01-10 | 東洋ゴム工業株式会社 | タイヤ加硫金型、及びそれを用いたタイヤの製造方法 |
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1992
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|---|---|
| JPH0645336U (ja) | 1994-06-14 |
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