JPH04361537A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
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- JPH04361537A JPH04361537A JP3137449A JP13744991A JPH04361537A JP H04361537 A JPH04361537 A JP H04361537A JP 3137449 A JP3137449 A JP 3137449A JP 13744991 A JP13744991 A JP 13744991A JP H04361537 A JPH04361537 A JP H04361537A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
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- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 10
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パワートランジスタ，
電力用ダイオード等の半導体装置をモールド金型によっ
て樹脂封止する半導体装置の樹脂封止方法に関するもの
である。
電力用ダイオード等の半導体装置をモールド金型によっ
て樹脂封止する半導体装置の樹脂封止方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的な電力用樹脂封止型半導体
装置では、半導体チップが固着された支持板の裏面には
封止樹脂が設けられていない。このため、この半導体装
置を外部放熱体に取付けるには、支持板を外部放熱体に
対して電気的に絶縁させるために、両者の間にマイカ板
等の絶縁シートを介在させていた。ところが、そのよう
にしたのでは半導体装置を外部放熱体に取付ける作業が
煩雑になる。このような不具合を解消するため、従来で
は支持板の裏面にも封止樹脂を設けるようにすることが
提案されている。支持板の裏面にも封止樹脂を設ける半
導体装置の樹脂封止方法を図２および図３によって説明
する。
装置では、半導体チップが固着された支持板の裏面には
封止樹脂が設けられていない。このため、この半導体装
置を外部放熱体に取付けるには、支持板を外部放熱体に
対して電気的に絶縁させるために、両者の間にマイカ板
等の絶縁シートを介在させていた。ところが、そのよう
にしたのでは半導体装置を外部放熱体に取付ける作業が
煩雑になる。このような不具合を解消するため、従来で
は支持板の裏面にも封止樹脂を設けるようにすることが
提案されている。支持板の裏面にも封止樹脂を設ける半
導体装置の樹脂封止方法を図２および図３によって説明
する。
【０００３】図２は従来の半導体装置の樹脂封止方法に
使用するモールド金型の断面図で、同図は樹脂注入後の
状態を示す。図３は従来の半導体装置の樹脂封止方法に
用いるリードフレーム組立体を示す斜視図である。これ
らの図において、１はリードフレームで、このリードフ
レーム１は、半導体チップ２が固着される支持板３と、
前記半導体チップ２に金属細線４を介して電気的に接続
される外部リード５とを備えている。
使用するモールド金型の断面図で、同図は樹脂注入後の
状態を示す。図３は従来の半導体装置の樹脂封止方法に
用いるリードフレーム組立体を示す斜視図である。これ
らの図において、１はリードフレームで、このリードフ
レーム１は、半導体チップ２が固着される支持板３と、
前記半導体チップ２に金属細線４を介して電気的に接続
される外部リード５とを備えている。
【０００４】６はモールド金型で、このモールド金型６
は上金型７と下金型８等とから構成されている。９は前
記上金型７に形成されたキャビティ、１０は前記下金型
８に形成されたキャビティである。１１は前記キャビテ
ィ９，１０に封止樹脂１２を注入するためのゲートであ
る。
は上金型７と下金型８等とから構成されている。９は前
記上金型７に形成されたキャビティ、１０は前記下金型
８に形成されたキャビティである。１１は前記キャビテ
ィ９，１０に封止樹脂１２を注入するためのゲートであ
る。
【０００５】次に、従来の半導体装置の樹脂封止方法を
上述したモールド金型６を用いて説明する。先ず、図３
に示すリードフレーム組立体を準備する。このリードフ
レーム組立体は、支持板３の主表面上に半導体チップ２
を固着させ、その後、半導体チップ２と外部リード５と
を金属細線で電気的に接続して組立てられる。しかる後
、このリードフレーム組立体をモールド金型６に装填す
る。このときには、外部リード５と、この外部リード５
とは反対側に導出された細条とを上下両金型７，８で挟
圧支持させる。これによってキャビティ９，１０内での
支持板３の位置が安定する。なお、支持板３の裏面とキ
ャビティ１０の底面との間隔は１ｍｍ以下とされている
。上述したようにリードフレーム組立体をモールド金型
６に装填した後、封止樹脂１２を注入して硬化させる。 樹脂硬化後、樹脂封止されたリードフレーム組立体をモ
ールド金型６から取り出して樹脂封止作業が終了する。 このように樹脂封止を行うと、支持板３の裏面側に厚み
１ｍｍ以下の封止樹脂層１３を形成することができる。
上述したモールド金型６を用いて説明する。先ず、図３
に示すリードフレーム組立体を準備する。このリードフ
レーム組立体は、支持板３の主表面上に半導体チップ２
を固着させ、その後、半導体チップ２と外部リード５と
を金属細線で電気的に接続して組立てられる。しかる後
、このリードフレーム組立体をモールド金型６に装填す
る。このときには、外部リード５と、この外部リード５
とは反対側に導出された細条とを上下両金型７，８で挟
圧支持させる。これによってキャビティ９，１０内での
支持板３の位置が安定する。なお、支持板３の裏面とキ
ャビティ１０の底面との間隔は１ｍｍ以下とされている
。上述したようにリードフレーム組立体をモールド金型
６に装填した後、封止樹脂１２を注入して硬化させる。 樹脂硬化後、樹脂封止されたリードフレーム組立体をモ
ールド金型６から取り出して樹脂封止作業が終了する。 このように樹脂封止を行うと、支持板３の裏面側に厚み
１ｍｍ以下の封止樹脂層１３を形成することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の樹脂
封止方法で樹脂封止すると、支持板３の裏面側に位置す
る封止樹脂層１３にボイドやピンホールが発生してしま
うことがあった。これは、支持板３の主表面側の封止樹
脂層と裏面側の封止樹脂層との比率により（主表面側の
厚みに対して裏面側は５０％以下である。）、図４に示
すように支持板３の裏面側では封止樹脂１２が流れ難く
なるからであった。なお、図４は従来の半導体装置の樹
脂封止方法に使用するモールド金型の断面図で、同図は
樹脂注入中の状態を示す。
封止方法で樹脂封止すると、支持板３の裏面側に位置す
る封止樹脂層１３にボイドやピンホールが発生してしま
うことがあった。これは、支持板３の主表面側の封止樹
脂層と裏面側の封止樹脂層との比率により（主表面側の
厚みに対して裏面側は５０％以下である。）、図４に示
すように支持板３の裏面側では封止樹脂１２が流れ難く
なるからであった。なお、図４は従来の半導体装置の樹
脂封止方法に使用するモールド金型の断面図で、同図は
樹脂注入中の状態を示す。
【０００７】このような不具合を解消するには支持板３
の裏面側の封止樹脂層１３を厚くすればよいが、そのよ
うにすると、半導体装置内の熱が外部放熱体（図示せず
）に伝わり難くなってしまう。
の裏面側の封止樹脂層１３を厚くすればよいが、そのよ
うにすると、半導体装置内の熱が外部放熱体（図示せず
）に伝わり難くなってしまう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の樹脂封止方法は、半導体チップが実装された基板を、
キャビティの底面が上下動自在とされた下金型を有する
モールド金型に装填し、前記下金型のキャビティの底面
を最終位置より下げた状態で、このモールド金型内に封
止用樹脂を注入し、樹脂注入中に、前記下金型のキャビ
ティの底面を最終位置まで上昇させるものである。
の樹脂封止方法は、半導体チップが実装された基板を、
キャビティの底面が上下動自在とされた下金型を有する
モールド金型に装填し、前記下金型のキャビティの底面
を最終位置より下げた状態で、このモールド金型内に封
止用樹脂を注入し、樹脂注入中に、前記下金型のキャビ
ティの底面を最終位置まで上昇させるものである。
【０００９】
【作用】下金型のキャビティの底面を最終位置まで上昇
させると、基板の裏面側に流れ込んだ封止樹脂は、基板
とキャビティの底面とで圧縮されて基板の裏面全面に行
きわたるようにして拡がる。
させると、基板の裏面側に流れ込んだ封止樹脂は、基板
とキャビティの底面とで圧縮されて基板の裏面全面に行
きわたるようにして拡がる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１（ａ），（ｂ
）によって詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体
装置の樹脂封止方法を実施するに当たり使用するモール
ド金型の断面図で、同図（ａ）は封止樹脂の注入初期の
状態を示し、同図（ｂ）は下金型可動部を上昇させた状
態を示す。これらの図において前記図２ないし図４で説
明したものと同一もしくは同等部材については、同一符
号を付し詳細な説明は省略する。図１（ａ），（ｂ）に
おいて、２１は下金型８のキャビティ１０の底面を構成
する下金型可動部で、この下金型可動部２１は下金型８
に上下動自在に装着されている。また、この下金型可動
部２１は油圧プレス（図示せず）に連結されており、所
定圧力をもって上昇するように構成されている。
）によって詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体
装置の樹脂封止方法を実施するに当たり使用するモール
ド金型の断面図で、同図（ａ）は封止樹脂の注入初期の
状態を示し、同図（ｂ）は下金型可動部を上昇させた状
態を示す。これらの図において前記図２ないし図４で説
明したものと同一もしくは同等部材については、同一符
号を付し詳細な説明は省略する。図１（ａ），（ｂ）に
おいて、２１は下金型８のキャビティ１０の底面を構成
する下金型可動部で、この下金型可動部２１は下金型８
に上下動自在に装着されている。また、この下金型可動
部２１は油圧プレス（図示せず）に連結されており、所
定圧力をもって上昇するように構成されている。
【００１１】次に、本発明に係る半導体装置の樹脂封止
方法を図１（ａ），（ｂ）に示したモールド金型を用い
て説明する。先ず、従来と同様にしてリードフレーム組
立体をモールド金型６に装填する。このときには、下金
型可動部２１を下げ、支持板３と上金型７のキャビティ
９の上面との間隔と、支持板３と下金型可動部２１の上
面との間隔とが略等しくなるようにする。そして、その
状態でモールド金型６内に封止樹脂１２を注入する。樹
脂注入を開始すると、図１（ａ）に示すように、封止樹
脂１２は主表面側へ流れる量と同程度か、もしくはそれ
以上の量をもって支持板３の裏面側へ流れ込む。その後
、所定タイミングをもって下金型可動部２１を上昇させ
、最終位置に位置づける。この動作は油圧プレスを作動
させて行う。なお、最終位置としては、支持板３の裏面
と下金型可動部２１の上面との間で薄い成形樹脂層が形
成される位置とする。上述したように下金型可動部２１
を上昇させると、図１（ｂ）に示すように、支持板３の
裏面側の空間が狭められ、封止樹脂１２は圧縮されて支
持板３の裏面前面に行きわたるように拡がる。その後は
封止樹脂１２をモールド金型６内が満たされるまで注入
し、従来と同様にして硬化させる。樹脂硬化後、樹脂封
止されたリードフレーム組立体をモールド金型６から取
り出して樹脂封止作業が終了する。このように樹脂封止
を行うと、支持板３の裏面側に厚みの薄い封止樹脂層１
３を形成することができる。
方法を図１（ａ），（ｂ）に示したモールド金型を用い
て説明する。先ず、従来と同様にしてリードフレーム組
立体をモールド金型６に装填する。このときには、下金
型可動部２１を下げ、支持板３と上金型７のキャビティ
９の上面との間隔と、支持板３と下金型可動部２１の上
面との間隔とが略等しくなるようにする。そして、その
状態でモールド金型６内に封止樹脂１２を注入する。樹
脂注入を開始すると、図１（ａ）に示すように、封止樹
脂１２は主表面側へ流れる量と同程度か、もしくはそれ
以上の量をもって支持板３の裏面側へ流れ込む。その後
、所定タイミングをもって下金型可動部２１を上昇させ
、最終位置に位置づける。この動作は油圧プレスを作動
させて行う。なお、最終位置としては、支持板３の裏面
と下金型可動部２１の上面との間で薄い成形樹脂層が形
成される位置とする。上述したように下金型可動部２１
を上昇させると、図１（ｂ）に示すように、支持板３の
裏面側の空間が狭められ、封止樹脂１２は圧縮されて支
持板３の裏面前面に行きわたるように拡がる。その後は
封止樹脂１２をモールド金型６内が満たされるまで注入
し、従来と同様にして硬化させる。樹脂硬化後、樹脂封
止されたリードフレーム組立体をモールド金型６から取
り出して樹脂封止作業が終了する。このように樹脂封止
を行うと、支持板３の裏面側に厚みの薄い封止樹脂層１
３を形成することができる。
【００１２】したがって、下金型８の下金型可動部２１
を最終位置まで上昇させると、支持板３の裏面側に流れ
込んだ封止樹脂１２は、支持板３と下金型可動部２１と
で圧縮されて支持板３の裏面全面に行きわたるようにし
て拡がる。このため、支持板３の裏面と下金型との間の
比較的狭い空間へも確実に封止樹脂１２を充填すること
ができる。
を最終位置まで上昇させると、支持板３の裏面側に流れ
込んだ封止樹脂１２は、支持板３と下金型可動部２１と
で圧縮されて支持板３の裏面全面に行きわたるようにし
て拡がる。このため、支持板３の裏面と下金型との間の
比較的狭い空間へも確実に封止樹脂１２を充填すること
ができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
装置の樹脂封止方法は、半導体チップが実装された基板
を、キャビティの底面が上下動自在とされた下金型を有
するモールド金型に装填し、前記下金型のキャビティの
底面を最終位置より下げた状態で、このモールド金型内
に封止用樹脂を注入し、樹脂注入中に、前記下金型のキ
ャビティの底面を最終位置まで上昇させるため、下金型
のキャビティの底面を最終位置まで上昇させると、基板
の裏面側に流れ込んだ封止樹脂は、基板とキャビティの
底面とで圧縮されて基板の裏面全面に行きわたるように
して拡がる。したがって、基板の裏面と下金型との間の
比較的狭い空間へも確実に封止樹脂を充填することがで
きるから、ボイドやピンホールのない薄い成形樹脂層を
基板の裏面側に形成することができる。このため、本発
明の樹脂封止方法によって樹脂封止すると、信頼性の高
い半導体装置を得ることができる。
装置の樹脂封止方法は、半導体チップが実装された基板
を、キャビティの底面が上下動自在とされた下金型を有
するモールド金型に装填し、前記下金型のキャビティの
底面を最終位置より下げた状態で、このモールド金型内
に封止用樹脂を注入し、樹脂注入中に、前記下金型のキ
ャビティの底面を最終位置まで上昇させるため、下金型
のキャビティの底面を最終位置まで上昇させると、基板
の裏面側に流れ込んだ封止樹脂は、基板とキャビティの
底面とで圧縮されて基板の裏面全面に行きわたるように
して拡がる。したがって、基板の裏面と下金型との間の
比較的狭い空間へも確実に封止樹脂を充填することがで
きるから、ボイドやピンホールのない薄い成形樹脂層を
基板の裏面側に形成することができる。このため、本発
明の樹脂封止方法によって樹脂封止すると、信頼性の高
い半導体装置を得ることができる。
【図１】本発明に係る半導体装置の樹脂封止方法を実施
するに当たり使用するモールド金型の断面図で、同図（
ａ）は封止樹脂の注入初期の状態を示し、同図（ｂ）は
下金型可動部を上昇させた状態を示す。
するに当たり使用するモールド金型の断面図で、同図（
ａ）は封止樹脂の注入初期の状態を示し、同図（ｂ）は
下金型可動部を上昇させた状態を示す。
【図２】従来の半導体装置の樹脂封止方法に使用するモ
ールド金型の断面図で、同図は樹脂注入後の状態を示す
。
ールド金型の断面図で、同図は樹脂注入後の状態を示す
。
【図３】従来の半導体装置の樹脂封止方法に用いるリー
ドフレーム組立体を示す斜視図である。
ドフレーム組立体を示す斜視図である。
【図４】従来の半導体装置の樹脂封止方法に使用するモ
ールド金型の断面図で、同図は樹脂注入中の状態を示す
。
ールド金型の断面図で、同図は樹脂注入中の状態を示す
。
２ 半導体チップ
３ 支持板
６ モールド金型
７ 上金型
８ 下金型
１２ 封止樹脂
１３ 封止樹脂層
２１ 下金型可動部
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に半導体チップが実装されかつ
この基板の裏面と対応する外面に放熱用伝熱面が形成さ
れる樹脂封止型半導体装置をモールド金型によって成形
する半導体装置の樹脂封止方法において、半導体チップ
が実装された基板を、キャビティの底面が上下動自在と
された下金型を有するモールド金型に装填し、前記下金
型のキャビティの底面を最終位置より下げた状態で、こ
のモールド金型内に封止用樹脂を注入し、樹脂注入中に
、前記下金型のキャビティの底面を最終位置まで上昇さ
せることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3137449A JPH04361537A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3137449A JPH04361537A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04361537A true JPH04361537A (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=15198874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3137449A Pending JPH04361537A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04361537A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243303A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法及び樹脂封止金型 |
| JP2010173083A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
-
1991
- 1991-06-10 JP JP3137449A patent/JPH04361537A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243303A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法及び樹脂封止金型 |
| JP2010173083A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
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