JPH04336214A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
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- JPH04336214A JPH04336214A JP10742591A JP10742591A JPH04336214A JP H04336214 A JPH04336214 A JP H04336214A JP 10742591 A JP10742591 A JP 10742591A JP 10742591 A JP10742591 A JP 10742591A JP H04336214 A JPH04336214 A JP H04336214A
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
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- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばサイリスタ,パ
ワートランジスタ等の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止
方法に関するものである。
ワートランジスタ等の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、サイリスタ,パワートランジスタ
等の樹脂封止型(フルモールド型)半導体装置としては
、裏面を放熱板に密接させて基板に実装されるものがあ
る。この種の半導体装置を図4および図5によって説明
する。図4は従来のフルモールド型半導体装置を示す斜
視図、図5は従来のフルモールド型半導体装置をモール
ド金型で樹脂封止している状態を示す断面図である。 これらの図において、1はフルモールド型半導体装置で
、樹脂封止部1aの一側部からリード1bが3本突出し
ている。樹脂封止部1aの裏面は平坦に形成されており
、その部分は実装基板の放熱板(図示せず)に密接され
るように接続面1cとされている。この接続面1cが放
熱用伝熱面を構成しており、接続面1cを放熱板に密接
させることで、半導体装置1自体が発する熱を放熱板へ
逃がすことができる。なお、1dは樹脂封止部1aを放
熱板に締結させるねじ(図示せず)が挿通される取付穴
である。
等の樹脂封止型(フルモールド型)半導体装置としては
、裏面を放熱板に密接させて基板に実装されるものがあ
る。この種の半導体装置を図4および図5によって説明
する。図4は従来のフルモールド型半導体装置を示す斜
視図、図5は従来のフルモールド型半導体装置をモール
ド金型で樹脂封止している状態を示す断面図である。 これらの図において、1はフルモールド型半導体装置で
、樹脂封止部1aの一側部からリード1bが3本突出し
ている。樹脂封止部1aの裏面は平坦に形成されており
、その部分は実装基板の放熱板(図示せず)に密接され
るように接続面1cとされている。この接続面1cが放
熱用伝熱面を構成しており、接続面1cを放熱板に密接
させることで、半導体装置1自体が発する熱を放熱板へ
逃がすことができる。なお、1dは樹脂封止部1aを放
熱板に締結させるねじ(図示せず)が挿通される取付穴
である。
【0003】図5において、2はモールド金型で、この
モールド金型2は基台(図示せず)に対して固定された
下金型3と、この下金型3に接離自在に設けられ、成形
プレス(図示せず)によって下金型3に対して昇降され
る上金型4とから構成されている。5は前記下金型3の
一端面に形成されたキャビティ、6は上金型4の一端面
に形成されたキャビティで、このキャビティ6は前記下
金型3のキャビティ5と対応する位置に設けられている
。7はゲートとしての注入口で、前記上金型4のキャビ
ティ6と一連に形成されている。
モールド金型2は基台(図示せず)に対して固定された
下金型3と、この下金型3に接離自在に設けられ、成形
プレス(図示せず)によって下金型3に対して昇降され
る上金型4とから構成されている。5は前記下金型3の
一端面に形成されたキャビティ、6は上金型4の一端面
に形成されたキャビティで、このキャビティ6は前記下
金型3のキャビティ5と対応する位置に設けられている
。7はゲートとしての注入口で、前記上金型4のキャビ
ティ6と一連に形成されている。
【0004】8は前記フルモールド型半導体装置1のリ
ードフレームで、このリードフレーム8は銅材によって
薄板状に形成され、その上面には半導体チップ9が実装
されている。なお、前記リード1bはこのリードフレー
ム8に一体的に設けられている。10は前記半導体チッ
プ9とリード1bとを電気的に接続するためのワイヤで
ある。そして、このリードフレーム8は、リード1bが
上下の金型3,4によって挟圧されてキャビティ5,6
内に装填されている。なお、このリードフレーム8をキ
ャビティ5,6内に装填すると、リードフレーム8の下
面と下金型3との間に下側樹脂導入路11が設けられ、
また、リードフレーム8の上面と上金型4との間に上側
樹脂導入路12が設けられるように構成されている。
ードフレームで、このリードフレーム8は銅材によって
薄板状に形成され、その上面には半導体チップ9が実装
されている。なお、前記リード1bはこのリードフレー
ム8に一体的に設けられている。10は前記半導体チッ
プ9とリード1bとを電気的に接続するためのワイヤで
ある。そして、このリードフレーム8は、リード1bが
上下の金型3,4によって挟圧されてキャビティ5,6
内に装填されている。なお、このリードフレーム8をキ
ャビティ5,6内に装填すると、リードフレーム8の下
面と下金型3との間に下側樹脂導入路11が設けられ、
また、リードフレーム8の上面と上金型4との間に上側
樹脂導入路12が設けられるように構成されている。
【0005】13は前記キャビティ5,6内に注入され
る封止用樹脂で、この樹脂としては例えばエポキシ樹脂
が使用される。
る封止用樹脂で、この樹脂としては例えばエポキシ樹脂
が使用される。
【0006】次に、従来のフルモールド型半導体装置1
を樹脂封止する方法について説明する。先ず、リードフ
レーム8上に半導体チップ9を実装して回路組立体14
を組み立て、この回路組立体14を下金型3のキャビテ
ィ5内に装填する。次に、成形プレスを作動させ、金型
温度165〜175°で上金型4を下降させて下金型3
に押し付ける。このようにして型締めした後、加熱溶融
されて加圧(加圧力150kg/cm2 )された封止
用樹脂13を注入口7からキャビティ5,6内へ注入す
る。このようにキャビティ5,6に注入(射出)された
樹脂13は、キャビティ5内の下側樹脂導入路11およ
びキャビティ6内の上側樹脂導入路12に分かれて流れ
る。そして、リードフレーム8の端子部8aおよび半導
体チップ9を上下から包み込むようにしてキャビティ5
,6内に充填される。樹脂13が硬化した後、上金型4
を上昇させ、樹脂封止された回路組立体14を取り出す
。次に、次工程のプレスにて回路組立体14を図4に示
すような単品に切り離すことによって、フルモールド型
半導体装置1が完成する。
を樹脂封止する方法について説明する。先ず、リードフ
レーム8上に半導体チップ9を実装して回路組立体14
を組み立て、この回路組立体14を下金型3のキャビテ
ィ5内に装填する。次に、成形プレスを作動させ、金型
温度165〜175°で上金型4を下降させて下金型3
に押し付ける。このようにして型締めした後、加熱溶融
されて加圧(加圧力150kg/cm2 )された封止
用樹脂13を注入口7からキャビティ5,6内へ注入す
る。このようにキャビティ5,6に注入(射出)された
樹脂13は、キャビティ5内の下側樹脂導入路11およ
びキャビティ6内の上側樹脂導入路12に分かれて流れ
る。そして、リードフレーム8の端子部8aおよび半導
体チップ9を上下から包み込むようにしてキャビティ5
,6内に充填される。樹脂13が硬化した後、上金型4
を上昇させ、樹脂封止された回路組立体14を取り出す
。次に、次工程のプレスにて回路組立体14を図4に示
すような単品に切り離すことによって、フルモールド型
半導体装置1が完成する。
【0007】このように樹脂封止されたフルモールド型
半導体装置は、実装時にはリード1bが基板の接続端子
(図示せず)に接続されると共に、樹脂封止部1aの接
続面1cが回路上絶縁された状態で放熱板に密接される
。そして、この接続面1cから半導体装置1の内部熱が
放熱されることになるが、図5に示すように、この絶縁
厚さAは、放熱性を高めるためにきわめて薄く設定され
ている。なお、その厚さAは、リードフレーム8の厚み
の約0.4〜0.5倍である。
半導体装置は、実装時にはリード1bが基板の接続端子
(図示せず)に接続されると共に、樹脂封止部1aの接
続面1cが回路上絶縁された状態で放熱板に密接される
。そして、この接続面1cから半導体装置1の内部熱が
放熱されることになるが、図5に示すように、この絶縁
厚さAは、放熱性を高めるためにきわめて薄く設定され
ている。なお、その厚さAは、リードフレーム8の厚み
の約0.4〜0.5倍である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述したように構成さ
れた従来の樹脂封止方法では、キャビティ6内の上側樹
脂導入路12に較べてキャビティ5内の下側樹脂導入路
11が狭いため、キャビティ5への樹脂13の回り込み
が不完全になり、未充填部分やピンホール等による絶縁
不良が生じるという問題があった。このような不具合を
解消するためには下側樹脂導入路11を広く、言い換え
れば寸法Aを大きくとればよい。ところがこのようにす
ると、リードフレーム8と放熱用伝熱面としての接続面
1cとが離れてしまい、放熱性が低下してしまう。
れた従来の樹脂封止方法では、キャビティ6内の上側樹
脂導入路12に較べてキャビティ5内の下側樹脂導入路
11が狭いため、キャビティ5への樹脂13の回り込み
が不完全になり、未充填部分やピンホール等による絶縁
不良が生じるという問題があった。このような不具合を
解消するためには下側樹脂導入路11を広く、言い換え
れば寸法Aを大きくとればよい。ところがこのようにす
ると、リードフレーム8と放熱用伝熱面としての接続面
1cとが離れてしまい、放熱性が低下してしまう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、モールド金型のキャビティ内にリードフレームを装
填した後、このリードフレームの半導体チップ実装面に
、キャビティ内に出入り自在な仕切板を押し付けること
によって、キャビティ内のリードフレームより上側の部
分をゲート側と半導体チップ側とに仕切り、次いで、前
記ゲートから封止用樹脂をキャビティ内に注入し、キャ
ビティ内のリードフレームより下側の部分に樹脂が流入
したことをセンサが検出したときに、前記仕切板を金型
に収納してキャビティにおけるリードフレームより上側
の部分に樹脂を流すものである。
は、モールド金型のキャビティ内にリードフレームを装
填した後、このリードフレームの半導体チップ実装面に
、キャビティ内に出入り自在な仕切板を押し付けること
によって、キャビティ内のリードフレームより上側の部
分をゲート側と半導体チップ側とに仕切り、次いで、前
記ゲートから封止用樹脂をキャビティ内に注入し、キャ
ビティ内のリードフレームより下側の部分に樹脂が流入
したことをセンサが検出したときに、前記仕切板を金型
に収納してキャビティにおけるリードフレームより上側
の部分に樹脂を流すものである。
【0010】
【作用】キャビティ内のリードフレームより下側の部分
に樹脂が強制的に注入される。
に樹脂が強制的に注入される。
【0011】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし図3に
よって詳細に説明する。図1は本発明に係る半導体装置
の樹脂封止方法を実施するに当たり使用するモールド金
型の断面図で、同図は樹脂注入開始直後の状態を示す。 図2はリードフレームより上側の部分に樹脂を注入して
いる状態のモールド金型の断面図、図3は樹脂注入後の
モールド金型の断面図である。これらの図において前記
図4および図5で説明したものと同一もしくは同等部材
については、同一符号を付し詳細な説明は省略する。こ
れらの図において、21は仕切板としての締切板で、こ
の締切板21は、上金型4のキャビティ6の上壁面6a
に開口する収納穴22に嵌挿され、上金型4に取付けら
れたアクチュエータ23に連結支持されてキャビティ6
に対して出入り自在とされている。前記収納穴22はキ
ャビティ6の上壁面6aとは直交する方向へ延設されて
いる関係から、締切板21の下端面は上下金型3,4に
型締めされたリードフレーム8に密接する。また、この
締切板21の設置位置は、キャビティ6内であって、注
入口7の近傍に位置づけられている。すなわち、締切板
21を下降させてその下端面をリードフレーム8に押し
付けると、キャビティ6内(リードフレーム8より上側
の空間)の上側樹脂導入路12が注入口7側と半導体チ
ップ9側とに仕切られることになる。
よって詳細に説明する。図1は本発明に係る半導体装置
の樹脂封止方法を実施するに当たり使用するモールド金
型の断面図で、同図は樹脂注入開始直後の状態を示す。 図2はリードフレームより上側の部分に樹脂を注入して
いる状態のモールド金型の断面図、図3は樹脂注入後の
モールド金型の断面図である。これらの図において前記
図4および図5で説明したものと同一もしくは同等部材
については、同一符号を付し詳細な説明は省略する。こ
れらの図において、21は仕切板としての締切板で、こ
の締切板21は、上金型4のキャビティ6の上壁面6a
に開口する収納穴22に嵌挿され、上金型4に取付けら
れたアクチュエータ23に連結支持されてキャビティ6
に対して出入り自在とされている。前記収納穴22はキ
ャビティ6の上壁面6aとは直交する方向へ延設されて
いる関係から、締切板21の下端面は上下金型3,4に
型締めされたリードフレーム8に密接する。また、この
締切板21の設置位置は、キャビティ6内であって、注
入口7の近傍に位置づけられている。すなわち、締切板
21を下降させてその下端面をリードフレーム8に押し
付けると、キャビティ6内(リードフレーム8より上側
の空間)の上側樹脂導入路12が注入口7側と半導体チ
ップ9側とに仕切られることになる。
【0012】24は下金型3の下側樹脂導入路11に樹
脂13が流れ込んだのを検出するセンサとしての検出器
で、この検出器24はキャビティ5の下壁面5aの中央
に位置づけられ、本実施例では下側樹脂導入路11に露
出している。そして、この検出器24は後述する制御部
25に接続されている。制御部25は締切板駆動用のア
クチュエータ23と前記検出器24とに接続され、検出
器24の出力信号に応じてアクチュエータ23を作動さ
せるように構成されている。
脂13が流れ込んだのを検出するセンサとしての検出器
で、この検出器24はキャビティ5の下壁面5aの中央
に位置づけられ、本実施例では下側樹脂導入路11に露
出している。そして、この検出器24は後述する制御部
25に接続されている。制御部25は締切板駆動用のア
クチュエータ23と前記検出器24とに接続され、検出
器24の出力信号に応じてアクチュエータ23を作動さ
せるように構成されている。
【0013】なお、本実施例で使用するモールド金型2
は、上側樹脂導入路12の寸法Bが下側樹脂導入路11
の寸法Aの約5倍に設定されている。
は、上側樹脂導入路12の寸法Bが下側樹脂導入路11
の寸法Aの約5倍に設定されている。
【0014】次に、本発明に係る半導体装置の樹脂封止
方法について説明する。なお、回路組立体14をモール
ド金型2に装填するまでは従来と同じであるため、ここ
での説明は省略する。先ず、モールド金型2に回路組立
体14を装填した後、図1に示すように締切板21を下
降させてリードフレーム8に密接させる。そして、その
状態で加熱溶融された樹脂13を100kg/cm2
の加圧力をもって注入口7からキャビティ5,6内に注
入(射出)する。この際、樹脂13は、図1に示すよう
に締切板21にあたって上側樹脂導入路12へは流れず
に、狭い方の下側樹脂導入路11に強制的に流れ込む。 そして、樹脂13は検出器24の上を通過してキャビテ
ィ5内に充填される。
方法について説明する。なお、回路組立体14をモール
ド金型2に装填するまでは従来と同じであるため、ここ
での説明は省略する。先ず、モールド金型2に回路組立
体14を装填した後、図1に示すように締切板21を下
降させてリードフレーム8に密接させる。そして、その
状態で加熱溶融された樹脂13を100kg/cm2
の加圧力をもって注入口7からキャビティ5,6内に注
入(射出)する。この際、樹脂13は、図1に示すよう
に締切板21にあたって上側樹脂導入路12へは流れず
に、狭い方の下側樹脂導入路11に強制的に流れ込む。 そして、樹脂13は検出器24の上を通過してキャビテ
ィ5内に充填される。
【0015】樹脂13の通過が検出器24で検出される
と、その信号が制御部25に送られる。制御部25は、
検出器24からの樹脂検出信号が入力されると、アクチ
ュエータ23を締切板21が徐々に上昇するように作動
させる。アクチュエータ23が徐々に上昇すると、図2
に示すようにキャビティ6内の上側樹脂導入路12へも
樹脂13が流れ込むようになる。そして、図3に示すよ
うに、締切板21が収納穴22内に全て収納されると、
樹脂13はキャビティ6内に均一に流れ込んで充填され
ることになる。樹脂13が硬化した後、上金型4を上昇
させて樹脂封止された回路組立体14を取り出し、この
回路組立体14を次工程のプレスにて分断することによ
ってフルモールド型半導体装置が完成する。
と、その信号が制御部25に送られる。制御部25は、
検出器24からの樹脂検出信号が入力されると、アクチ
ュエータ23を締切板21が徐々に上昇するように作動
させる。アクチュエータ23が徐々に上昇すると、図2
に示すようにキャビティ6内の上側樹脂導入路12へも
樹脂13が流れ込むようになる。そして、図3に示すよ
うに、締切板21が収納穴22内に全て収納されると、
樹脂13はキャビティ6内に均一に流れ込んで充填され
ることになる。樹脂13が硬化した後、上金型4を上昇
させて樹脂封止された回路組立体14を取り出し、この
回路組立体14を次工程のプレスにて分断することによ
ってフルモールド型半導体装置が完成する。
【0016】したがって、本発明によれば、比較的狭い
下側樹脂導入路11に強制的に樹脂13が送り込まれ、
その後、キャビティ6内の上側樹脂導入路12に樹脂が
注入されるから、リードフレーム8の上面側と下面側と
に均一に樹脂13が回り込むことになる。
下側樹脂導入路11に強制的に樹脂13が送り込まれ、
その後、キャビティ6内の上側樹脂導入路12に樹脂が
注入されるから、リードフレーム8の上面側と下面側と
に均一に樹脂13が回り込むことになる。
【0017】また、本実施例で示したように、検出器2
4をキャビティ5の下壁面5aの中央に配設すると、的
確なタイミングをもって上側樹脂導入路12へ樹脂13
をながすことができる。すなわち、樹脂13の流れが速
いときは検出後直ちに締切板21を開き、遅いときは検
出後時間を少しずらして締切板21を開ければ、樹脂1
3はキャビティ5内に充填された後にタイミングよく注
入される。
4をキャビティ5の下壁面5aの中央に配設すると、的
確なタイミングをもって上側樹脂導入路12へ樹脂13
をながすことができる。すなわち、樹脂13の流れが速
いときは検出後直ちに締切板21を開き、遅いときは検
出後時間を少しずらして締切板21を開ければ、樹脂1
3はキャビティ5内に充填された後にタイミングよく注
入される。
【0018】なお、本実施例では上側樹脂導入路12を
仕切る締切板21をキャビティ6の上壁面6aとは直交
する方向へ出入りさせたが、締切板21としては、斜め
に締切るような構成とすることもできる。
仕切る締切板21をキャビティ6の上壁面6aとは直交
する方向へ出入りさせたが、締切板21としては、斜め
に締切るような構成とすることもできる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
装置の樹脂封止方法は、モールド金型のキャビティ内に
リードフレームを装填した後、このリードフレームの半
導体チップ実装面に、キャビティ内に出入り自在な仕切
板を押し付けることによって、キャビティ内のリードフ
レームより上側の部分をゲート側と半導体チップ側とに
仕切り、次いで、前記ゲートから封止用樹脂をキャビテ
ィ内に注入し、キャビティ内のリードフレームより下側
の部分に樹脂が流入したことをセンサが検出したときに
、前記仕切板を金型に収納してキャビティにおけるリー
ドフレームより上側の部分に樹脂を流すため、キャビテ
ィ内のリードフレームより下側の部分に樹脂が強制的に
注入される。したがって、リードフレームの上側と下側
とに均一に封止用樹脂が回り込むことになるから、樹脂
の未充填や樹脂封止部のピンホール等に起因して絶縁不
良となるようなことがなくなり、品質を向上させること
ができる。
装置の樹脂封止方法は、モールド金型のキャビティ内に
リードフレームを装填した後、このリードフレームの半
導体チップ実装面に、キャビティ内に出入り自在な仕切
板を押し付けることによって、キャビティ内のリードフ
レームより上側の部分をゲート側と半導体チップ側とに
仕切り、次いで、前記ゲートから封止用樹脂をキャビテ
ィ内に注入し、キャビティ内のリードフレームより下側
の部分に樹脂が流入したことをセンサが検出したときに
、前記仕切板を金型に収納してキャビティにおけるリー
ドフレームより上側の部分に樹脂を流すため、キャビテ
ィ内のリードフレームより下側の部分に樹脂が強制的に
注入される。したがって、リードフレームの上側と下側
とに均一に封止用樹脂が回り込むことになるから、樹脂
の未充填や樹脂封止部のピンホール等に起因して絶縁不
良となるようなことがなくなり、品質を向上させること
ができる。
【図1】本発明に係る半導体装置の樹脂封止方法を実施
するに当たり使用するモールド金型の断面図である。
するに当たり使用するモールド金型の断面図である。
【図2】リードフレームより上側の部分に樹脂を注入し
ている状態のモールド金型の断面図である。
ている状態のモールド金型の断面図である。
【図3】樹脂注入後のモールド金型の断面図である。
【図4】従来のフルモールド型半導体装置を示す斜視図
である。
である。
【図5】従来のフルモールド型半導体装置をモールド金
型で樹脂封止している状態を示す断面図である。
型で樹脂封止している状態を示す断面図である。
2 モールド金型
3 下金型
4 上金型
5 キャビティ
6 キャビティ
7 注入口
8 リードフレーム
9 半導体チップ
11 下側樹脂導入路
12 上側樹脂導入路
13 樹脂
21 締切板
23 アクチュエータ
24 検出器
25 制御部
Claims (1)
- 【請求項1】 リードフレーム上に半導体チップが実
装されかつこのリードフレームの裏面と対応する外面に
放熱用伝熱面が形成される樹脂封止型半導体装置をモー
ルド金型によって成形する半導体装置の樹脂封止方法に
おいて、前記モールド金型のキャビティ内にリードフレ
ームを装填した後、このリードフレームの半導体チップ
実装面に、キャビティ内に出入り自在な仕切板を押し付
けることによって、キャビティ内のリードフレームより
上側の部分をゲート側と半導体チップ側とに仕切り、次
いで、前記ゲートから封止用樹脂をキャビティ内に注入
し、キャビティ内のリードフレームより下側の部分に樹
脂が流入したことをセンサが検出したときに、前記仕切
板を金型に収納してキャビティにおけるリードフレーム
より上側の部分に樹脂を流すことを特徴とする半導体装
置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10742591A JPH04336214A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10742591A JPH04336214A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04336214A true JPH04336214A (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=14458823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10742591A Pending JPH04336214A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04336214A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016099256A1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | Besi Netherlands B.V. | Mould, moulding apparatus and method for controlled overmoulding of a carrier with electronic components and moulded product |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP10742591A patent/JPH04336214A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016099256A1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | Besi Netherlands B.V. | Mould, moulding apparatus and method for controlled overmoulding of a carrier with electronic components and moulded product |
NL2013978B1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-10-11 | Besi Netherlands Bv | Device and method for controlled moulding and degating of a carrier with electronic components and moulded product. |
CN107000288A (zh) * | 2014-12-15 | 2017-08-01 | 贝斯荷兰有限公司 | 用于具有电子元件的载体的受控重叠注塑的模具,模制设备和方法以及模制产品 |
US20170355111A1 (en) * | 2014-12-15 | 2017-12-14 | Besi Netherlands B.V. | Mould, Moulding Apparatus and Method for Controlled Overmoulding of a Carrier with Electronic Components and Moulded Product |
US10913191B2 (en) | 2014-12-15 | 2021-02-09 | Besi Netherlands B.V. | Mould, moulding apparatus and method for controlled overmoulding of a carrier with electronic components and moulded product |
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