JP3196005B2 - Ｉｃチップのパッケージ方法 - Google Patents
Ｉｃチップのパッケージ方法Info
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- JP3196005B2 JP3196005B2 JP10760795A JP10760795A JP3196005B2 JP 3196005 B2 JP3196005 B2 JP 3196005B2 JP 10760795 A JP10760795 A JP 10760795A JP 10760795 A JP10760795 A JP 10760795A JP 3196005 B2 JP3196005 B2 JP 3196005B2
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- Japan
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- chip
- cavity
- injection port
- resin
- lead frame
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＳＩＰ、ＤＩＰやフ
ラットパックタイプ等、リードフレームとの相互間にワ
イヤボンディングが施されたＩＣチップを樹脂モールド
するＩＣチップのパッケージ方法に関する。
ラットパックタイプ等、リードフレームとの相互間にワ
イヤボンディングが施されたＩＣチップを樹脂モールド
するＩＣチップのパッケージ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップのパッケージは、大別してセ
ラミック、メタル、ガラス、プラスチックの４タイプに
分類される。セラミック、メタル、ガラスの各タイプ
は、内部にＩＣチップを実装できるシェルを形成した
り、板状パッケージでサンドイッチ状に挟み込んで周囲
をシールしたりしなくてはならないので高価になるばか
りか、薄いパッケージとするには不利である。その点Ｉ
Ｃチップを熱可塑性樹脂で一体的にモールドするプラス
チックタイプは、材料が安価なばかりでなく、連続した
リードフレームを用いてボンデイングの自動化が図れる
ことや、モールド工程での大量バッジ処理が可能な点で
安価なパッケージが得られ、且つ薄型に形成しやすいの
で、今後ＩＣパッケージの主流になることは必至であ
る。
ラミック、メタル、ガラス、プラスチックの４タイプに
分類される。セラミック、メタル、ガラスの各タイプ
は、内部にＩＣチップを実装できるシェルを形成した
り、板状パッケージでサンドイッチ状に挟み込んで周囲
をシールしたりしなくてはならないので高価になるばか
りか、薄いパッケージとするには不利である。その点Ｉ
Ｃチップを熱可塑性樹脂で一体的にモールドするプラス
チックタイプは、材料が安価なばかりでなく、連続した
リードフレームを用いてボンデイングの自動化が図れる
ことや、モールド工程での大量バッジ処理が可能な点で
安価なパッケージが得られ、且つ薄型に形成しやすいの
で、今後ＩＣパッケージの主流になることは必至であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＩＣチップを樹脂モー
ルドするにあたっては、ＩＣチップを樹脂の注入圧から
保護しなくてはならない。ＩＣチップは通常パッケージ
の中央に位置するが、その位置においては溶融樹脂が流
動し、また昇圧を伴なうことから極細のワイヤやＩＣチ
ップ自体の破損が心配される。従って樹脂の注入圧を高
くすると、ＩＣチップを破損させてしまう虞れがあり、
逆に低くすれば充填不良を起こしてしまい、パッケージ
の信頼性を低下させる結果となる。注入口に加熱手段を
設けたランナーレス方式によって溶融樹脂に良好な流動
性をもたせることにより注入圧を幾分下げることは可能
ではあるが、末端での充填不良が心配される。
ルドするにあたっては、ＩＣチップを樹脂の注入圧から
保護しなくてはならない。ＩＣチップは通常パッケージ
の中央に位置するが、その位置においては溶融樹脂が流
動し、また昇圧を伴なうことから極細のワイヤやＩＣチ
ップ自体の破損が心配される。従って樹脂の注入圧を高
くすると、ＩＣチップを破損させてしまう虞れがあり、
逆に低くすれば充填不良を起こしてしまい、パッケージ
の信頼性を低下させる結果となる。注入口に加熱手段を
設けたランナーレス方式によって溶融樹脂に良好な流動
性をもたせることにより注入圧を幾分下げることは可能
ではあるが、末端での充填不良が心配される。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＩＣチップが
受ける樹脂圧の影響を少なくしたＩＣチップのパッケー
ジ方法であって、その構成は、表裏いずれかの面の略中
央に注入口を有し、その注入口と対抗する面の略中央
部、又は略中央部と周縁部とに押湯が設けられたＩＣパ
ッケージ形状のキャビティ内における前記注入口と押湯
との間へ、リードフレームを前記表裏いずれかの面と平
行で、ＩＣチップが注入口の反対側になるよう配置し、
そのリードフレームの注入口と反対側を、ワイヤボンデ
イグ部とともにＩＣチップの周囲を隔壁で覆った状態に
て、先ず注入口から溶融樹脂を注入し、その溶融樹脂が
キャビティ内全体に概略行き渡り、且つ押湯内にも充填
されたら注入口を閉じ、続いて押湯内の溶融樹脂をキャ
ビティ内へ押し戻し、それと同時期に前記隔壁をキャビ
ティ内から退去させることにある。そして前記押湯は、
隔壁で覆われたエリアの一部、又は全部と、隔壁の外に
あたる全域とに形成することが望ましい。
受ける樹脂圧の影響を少なくしたＩＣチップのパッケー
ジ方法であって、その構成は、表裏いずれかの面の略中
央に注入口を有し、その注入口と対抗する面の略中央
部、又は略中央部と周縁部とに押湯が設けられたＩＣパ
ッケージ形状のキャビティ内における前記注入口と押湯
との間へ、リードフレームを前記表裏いずれかの面と平
行で、ＩＣチップが注入口の反対側になるよう配置し、
そのリードフレームの注入口と反対側を、ワイヤボンデ
イグ部とともにＩＣチップの周囲を隔壁で覆った状態に
て、先ず注入口から溶融樹脂を注入し、その溶融樹脂が
キャビティ内全体に概略行き渡り、且つ押湯内にも充填
されたら注入口を閉じ、続いて押湯内の溶融樹脂をキャ
ビティ内へ押し戻し、それと同時期に前記隔壁をキャビ
ティ内から退去させることにある。そして前記押湯は、
隔壁で覆われたエリアの一部、又は全部と、隔壁の外に
あたる全域とに形成することが望ましい。
【０００５】
【作用】キャビティ内に注入された溶融樹脂は、リード
フレームの上部で放射方向へ広がると共に、リードフレ
ームの隙間を抜けて下側にも流入し、キャビティ内に行
き渡る。この際ＩＣチップは注入口の反対側に位置し、
その周辺が隔壁によって囲まれているため、樹脂圧が直
接加わったり、近傍を経由する樹脂流れが生ずることも
なく、樹脂がキャビティ内に完全充填されるまで樹脂圧
の影響が少ない。又リードフレームが隔壁により支持さ
れているので安定性も良い。注入口が閉じ、押湯内の溶
融樹脂が戻されると同時期に隔壁を退去させると、退去
によって生じたスペースには、押湯側から押し戻された
樹脂が充填され、キャビティ内の樹脂圧が上昇する。そ
して押湯は、隔壁の退去によって生じるスペースに近接
して形成されているので、ＩＣチップ等を損傷させるよ
うな樹脂流れなどを生じさせることなく充填密度を効果
的に高めることができる。特に押湯は中央部と周縁部と
に形成するのが好ましく、これによって樹脂の押し戻し
圧力はキャビティ内の全域へ均等に作用し、注入口から
離れた端部の充填密度が効果的に高められると共に、Ｉ
Ｃチップ近傍にＩＣチップ等を損傷させるような樹脂流
れ、過度の圧力上昇等も防止される。
フレームの上部で放射方向へ広がると共に、リードフレ
ームの隙間を抜けて下側にも流入し、キャビティ内に行
き渡る。この際ＩＣチップは注入口の反対側に位置し、
その周辺が隔壁によって囲まれているため、樹脂圧が直
接加わったり、近傍を経由する樹脂流れが生ずることも
なく、樹脂がキャビティ内に完全充填されるまで樹脂圧
の影響が少ない。又リードフレームが隔壁により支持さ
れているので安定性も良い。注入口が閉じ、押湯内の溶
融樹脂が戻されると同時期に隔壁を退去させると、退去
によって生じたスペースには、押湯側から押し戻された
樹脂が充填され、キャビティ内の樹脂圧が上昇する。そ
して押湯は、隔壁の退去によって生じるスペースに近接
して形成されているので、ＩＣチップ等を損傷させるよ
うな樹脂流れなどを生じさせることなく充填密度を効果
的に高めることができる。特に押湯は中央部と周縁部と
に形成するのが好ましく、これによって樹脂の押し戻し
圧力はキャビティ内の全域へ均等に作用し、注入口から
離れた端部の充填密度が効果的に高められると共に、Ｉ
Ｃチップ近傍にＩＣチップ等を損傷させるような樹脂流
れ、過度の圧力上昇等も防止される。
【０００６】
【実施例】本発明に係るＩＣチップのパッケージ方法を
図面に基づいて説明する。図１は、パッケージ形状のキ
ャビティ１を形成する金型２を示したもので、上型２ａ
と下型２ｂとで構成される。上型２ａのキャビティ１上
面中央には、注入口３が設けられ、その注入口３には、
ゲートを開閉するホットランナーバルブ３ａを備えたラ
ンナーレス方式が採用されている。又下型２ｂの前記注
入口３に対抗するキャビティ１下面には、後述するリー
ドフレームの中央にセットされたＩＣチップを取り囲み
可能な筒状の隔壁４が、キャビティ１の中央部の高さま
で出没可能に設けられており、又その隔壁で覆われた下
面エリアの中央部分と、隔壁の外にあたる全域には、押
湯５，６，６が凹設され、それら各押湯５，６，６内に
は、押湯の内容積を縮小させる押し上げピストン５ａ，
６ａ，６ａが装備されている。
図面に基づいて説明する。図１は、パッケージ形状のキ
ャビティ１を形成する金型２を示したもので、上型２ａ
と下型２ｂとで構成される。上型２ａのキャビティ１上
面中央には、注入口３が設けられ、その注入口３には、
ゲートを開閉するホットランナーバルブ３ａを備えたラ
ンナーレス方式が採用されている。又下型２ｂの前記注
入口３に対抗するキャビティ１下面には、後述するリー
ドフレームの中央にセットされたＩＣチップを取り囲み
可能な筒状の隔壁４が、キャビティ１の中央部の高さま
で出没可能に設けられており、又その隔壁で覆われた下
面エリアの中央部分と、隔壁の外にあたる全域には、押
湯５，６，６が凹設され、それら各押湯５，６，６内に
は、押湯の内容積を縮小させる押し上げピストン５ａ，
６ａ，６ａが装備されている。
【０００７】７は、放射方向に延びたリードフレーム８
の中央にセットされ、リードフレーム８との相互間がワ
イヤ９，９・・で電気的に接続された前述のＩＣチップ
であり、このＩＣチップ７を、下型２ｂの上に、ＩＣチ
ップ７を下側にし、リードフレーム８がキャビティ１の
上下面と平行になるよう配置する（図２）。金型２は、
押し上げピストン５ａ，６ａ，６ａを下降させて押湯の
容積を確保すると共に、隔壁４をキャビティ１の中央、
即ち、上縁がリードフレーム８に当接するまで上昇させ
てリードフレーム８を下側から支持すると共に、ＩＣチ
ップ６の周囲が、そのＩＣチップ６とリードフレーム７
との相互間をワイヤ９，９・・８で電気的に接続された
ワイヤボンディング部とともに隔壁で覆われた状態に保
ち、上型２ａの下降によってキャビティ１を閉塞する。
そしてホットランナーバルブ３ａを開いて熱可塑性の溶
融樹脂１０をキャビティ１内へ注入する（図３）。キャ
ビティ１及び押湯４内に溶融樹脂が概略行き渡ったらホ
ットランナーバルブ３ａを閉じる。ＩＣチップは、注入
口３から溶融樹脂１０が注入されると、溶融樹脂１０は
リードフレーム８の上側においてキャビティ１内で放射
方向へ広がると共に、リードフレーム７の隙間を抜けて
下側にも流れ込むが、キャビティ内に概略行き渡るまで
樹脂圧が高くならず、注入口に近い位置にであってもＩ
Ｃチップがセットされている面には直接樹脂圧が作用し
ないし、リードフレームのＩＣチップがセットされた部
分は隔壁により支持されていて、繞んだりもしない。
の中央にセットされ、リードフレーム８との相互間がワ
イヤ９，９・・で電気的に接続された前述のＩＣチップ
であり、このＩＣチップ７を、下型２ｂの上に、ＩＣチ
ップ７を下側にし、リードフレーム８がキャビティ１の
上下面と平行になるよう配置する（図２）。金型２は、
押し上げピストン５ａ，６ａ，６ａを下降させて押湯の
容積を確保すると共に、隔壁４をキャビティ１の中央、
即ち、上縁がリードフレーム８に当接するまで上昇させ
てリードフレーム８を下側から支持すると共に、ＩＣチ
ップ６の周囲が、そのＩＣチップ６とリードフレーム７
との相互間をワイヤ９，９・・８で電気的に接続された
ワイヤボンディング部とともに隔壁で覆われた状態に保
ち、上型２ａの下降によってキャビティ１を閉塞する。
そしてホットランナーバルブ３ａを開いて熱可塑性の溶
融樹脂１０をキャビティ１内へ注入する（図３）。キャ
ビティ１及び押湯４内に溶融樹脂が概略行き渡ったらホ
ットランナーバルブ３ａを閉じる。ＩＣチップは、注入
口３から溶融樹脂１０が注入されると、溶融樹脂１０は
リードフレーム８の上側においてキャビティ１内で放射
方向へ広がると共に、リードフレーム７の隙間を抜けて
下側にも流れ込むが、キャビティ内に概略行き渡るまで
樹脂圧が高くならず、注入口に近い位置にであってもＩ
Ｃチップがセットされている面には直接樹脂圧が作用し
ないし、リードフレームのＩＣチップがセットされた部
分は隔壁により支持されていて、繞んだりもしない。
【０００８】続いて押し上げピストン５ａ，６ａ，６ａ
を上昇させて各押湯５，６，６内の溶融樹脂１０をキャ
ビティ１内へ押し戻し、それと同時期に前記隔壁４をキ
ャビティ内から退去させる（図４）。このように押湯
５，６，６内の溶融樹脂１０がキャビティ１内へ押し戻
されることによって、隔壁４が退去したスペースに樹脂
が充填されると共に、キャビティ１内の樹脂圧が均一化
され、末端での充填不良を生ずることがないばかりか、
中央部における充填密度の上昇により、リードフレーム
と樹脂とが確実に密着される。この結果、キャビティ内
には樹脂が過不足なく充填され、ＩＣチップの破損も生
じない。
を上昇させて各押湯５，６，６内の溶融樹脂１０をキャ
ビティ１内へ押し戻し、それと同時期に前記隔壁４をキ
ャビティ内から退去させる（図４）。このように押湯
５，６，６内の溶融樹脂１０がキャビティ１内へ押し戻
されることによって、隔壁４が退去したスペースに樹脂
が充填されると共に、キャビティ１内の樹脂圧が均一化
され、末端での充填不良を生ずることがないばかりか、
中央部における充填密度の上昇により、リードフレーム
と樹脂とが確実に密着される。この結果、キャビティ内
には樹脂が過不足なく充填され、ＩＣチップの破損も生
じない。
【０００９】本実施例はいずれもＤＩＰタイプのＩＣチ
ップについて説明したが、ＳＩＰタイプやその他のタイ
プにも適用できる。又注入口は例示した如く、ホットラ
ンナーバルブ３ａを備えたランナーレス方式とすれば、
径を大きくして充填圧力をコントロースしやすくするに
は有利であるが、インシュレーテッド・ランナー方式、
或はエクステンションノズル方式やウエルタイプ方式等
に変更しても差し支えない。更に注入口や押湯の位置
等、金型の構造は適宜変更できる。
ップについて説明したが、ＳＩＰタイプやその他のタイ
プにも適用できる。又注入口は例示した如く、ホットラ
ンナーバルブ３ａを備えたランナーレス方式とすれば、
径を大きくして充填圧力をコントロースしやすくするに
は有利であるが、インシュレーテッド・ランナー方式、
或はエクステンションノズル方式やウエルタイプ方式等
に変更しても差し支えない。更に注入口や押湯の位置
等、金型の構造は適宜変更できる。
【００１０】本発明はＩＣチップのパッケージ方法であ
るが、モールドするに際して中央部に配置される部材を
保護する本発明の思想を更に発展させれば、ＩＣチップ
以外の分野において、樹脂モールド方法全般に応用され
ることが期待される。
るが、モールドするに際して中央部に配置される部材を
保護する本発明の思想を更に発展させれば、ＩＣチップ
以外の分野において、樹脂モールド方法全般に応用され
ることが期待される。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、ＩＣチップを樹脂モー
ルドする過程において、ＩＣチップに作用する樹脂圧の
影響を軽減し、且つ樹脂をキャビティ内に過不足なく均
一充填できるので、製品の信頼性が高くなり、又プラス
チックタイプの普及により、薄型パッケージの要求に対
して俄然有利となる。
ルドする過程において、ＩＣチップに作用する樹脂圧の
影響を軽減し、且つ樹脂をキャビティ内に過不足なく均
一充填できるので、製品の信頼性が高くなり、又プラス
チックタイプの普及により、薄型パッケージの要求に対
して俄然有利となる。
【図１】本発明に係るＩＣチップのパッケージ方法で使
用する金型の一例を示す説明図である。
用する金型の一例を示す説明図である。
【図２】キャビティに対するＩＣチップの配設説明図で
ある。
ある。
【図３】パッケージ方法の工程説明図である。
【図４】パッケージ方法の工程説明図である。
１・・キャビティ、２・・金型、２ａ・・上型、２ｂ・
・下型、３・・注入口、３ａ・・ホットランナーバル
ブ、４・・隔壁、５，６・・押湯、５ａ，６ａ・・押し
上げピストン、７・・ＩＣチップ、８・・リードフレー
ム、９・・ワイヤ、１０・・溶融樹脂。
・下型、３・・注入口、３ａ・・ホットランナーバル
ブ、４・・隔壁、５，６・・押湯、５ａ，６ａ・・押し
上げピストン、７・・ＩＣチップ、８・・リードフレー
ム、９・・ワイヤ、１０・・溶融樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56,23/28 B29C 45/02
Claims (2)
- 【請求項１】 表裏いずれかの面の略中央に注入口を有
し、その注入口と対抗する面の略中央部、又は略中央部
と周縁部とに押湯が設けられたＩＣパッケージ形状のキ
ャビティ内における前記注入口と押湯との間へ、リード
フレームを前記表裏いずれかの面と平行で、ＩＣチップ
が注入口の反対側になるよう配置し、そのリードフレー
ムの注入口と反対側を、ワイヤボンデイグ部とともにＩ
Ｃチップの周囲を隔壁で覆った状態にて、先ず注入口か
ら溶融樹脂を注入し、その溶融樹脂がキャビティ内全体
に概略行き渡り、且つ押湯内にも充填されたら注入口を
閉じ、続いて押湯内の溶融樹脂をキャビティ内へ押し戻
し、それと同時期に前記隔壁をキャビティ内から退去さ
せることを特徴とするＩＣチップのパッケージ方法。 - 【請求項２】 前記押湯が、隔壁で覆われたエリアの一
部、又は全部と、隔壁の外にあたる全域とに形成された
ＩＣチップのパッケージ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10760795A JP3196005B2 (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | Ｉｃチップのパッケージ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10760795A JP3196005B2 (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | Ｉｃチップのパッケージ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306718A JPH08306718A (ja) | 1996-11-22 |
| JP3196005B2 true JP3196005B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=14463466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10760795A Expired - Fee Related JP3196005B2 (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | Ｉｃチップのパッケージ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196005B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11348070A (ja) | 1998-06-09 | 1999-12-21 | Denso Corp | インサート成形方法及び装置 |
| JP3553544B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2004-08-11 | 日精樹脂工業株式会社 | 異材質樹脂の複合成形方法及び射出成形機 |
| KR100613973B1 (ko) * | 2005-07-12 | 2006-08-21 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 몰드의 탑 게이트 구조 |
-
1995
- 1995-05-01 JP JP10760795A patent/JP3196005B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08306718A (ja) | 1996-11-22 |
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