JP2002261108A - 保護パッケージ形成方法および保護パッケージ成形用モールド - Google Patents
保護パッケージ形成方法および保護パッケージ成形用モールドInfo
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Abstract
ず、歩留まりが向上された電子デバイス用保護パッケー
ジを提供すること。 【解決手段】 保護パッケージを形成する方法は、モー
ルド10を使用するステップであって、モールドは、モ
ールドの内部に向かうラグを有するハーフ・モールド1
5を備え、ラグは、弾性変形可能であり、加圧接触によ
り電子回路13の少なくとも一部分に接触する要素17
を有する一端を備える、ステップと;樹脂をモールドに
注入して、保護パッケージが電子回路の少なくとも一部
分に位置合わせされた穴部を有するように樹脂をモール
ドに注入するステップと、を備えている。
Description
護パッケージの形成方法に関し、特に、光学式圧力セン
サーまた類似物の電子デバイス用保護パッケージ形成方
法に関する。
される電子回路用の、プラスチック材料からなる保護パ
ッケージを形成する方法であって、保護パッケージの外
部から少なくとも部分的に起動することができ、前記保
護パッケージにカプセル封止されることになる電子回路
を備える方法に関する。
から少なくとも部分的に起動することができる集積電子
回路を封止する、プラスチック製の前記保護パッケージ
を成形するためのモールドに関し、そのモールドは一方
が他方に重ね合わさるハーフ・モールドの対により形成
されており、集積回路を収める空間を作るものである。
子デバイスにアクセスするための窓部を有するタイプの
集積電子回路用の、プラスチック製の保護パッケージを
形成する方法に関するが、それに限定されるものではな
く、以下、説明を簡略化するためだけに、この技術分野
を参照して記述する。
ーを備えた半導体電子デバイスが益々重要になってお
り、そして使用されてきている。
デバイスの起動部分、すなわち、センサーを備える部分
へのアクセスを可能とする窓部を有するパッケージを形
成する必要がある。
第1の既知の方法によって形成されたパッケージ1の斜
視図を示す。たとえば、半導体材料からなる基板2から
始まり、半導体材料からなり、集積回路等の電子回路3
を備えるダイが形成される。かかるダイは、プラスチッ
ク材料からなるパッケージ4によってカプセル封止さ
れ、電子回路3の一部分が被覆されずに残される。たと
えば、オーバーモールド技術を用いて、基板2および被
覆させずに残す必要のある電子回路部分の周りに液体エ
ポキシ樹脂5が施されるようにパッケージ4を形成す
る。
が、欠点もいくつかある。実際、この方法では従来の成
形方法を用いて形成したものと同じ均整の取れた表面が
製造されない。さらに、完全にはこれらのパッケージの
寸法を点検することができず、また特に電子回路表面上
で、簡単には樹脂堆積プロセスを繰り返すことができな
い。
ッケージ断面図に示されているように、基板2上に載せ
るダム6を使用するものである。次いで、液体エポキシ
樹脂がダム、基板、電子回路周囲の間に施される。
欠点がいくつかある。実際、この場合でも製造サイクル
の間に電子回路上の樹脂の輪郭部を一定に維持すること
ができない。
するための、標準的なモールド技術を用いる方法が取り
入れられている。
・モールド7bとを備えたモールド7の断面図が示され
る。二つのハーフ・モールドは一方が他方に重ね合わさ
れており、電子デバイス3を収めるための空間7cが示
されている。この従来技術によると、上部ハーフ・モー
ルド7bは内部にばね付きクランプ8を備えており、そ
のばね付きクランプは、被覆されない電子回路部分にほ
ぼ対応する位置に置かれている。かかるばね付きクラン
プ8は、基本的に平行六面体であり、滑らせて上部ハー
フ・モールド7bの凹所に入れられる。ばね付きクラン
プ8が、ばねなどの弾性要素で押圧される。ハーフ・モ
ールド7bがハーフ・モールド7aに重ね合わされる
と、ばね付きクランプ8が上が空となっているデバイス
表面に接触する。次いで、高温の溶融エポキシ樹脂がモ
ールドに注入され、プラスチック製のパッケージを形成
する。
路操作に損傷を与えるという欠点もある。実際、注入時
に樹脂がモールドから溢れないようにするために、相互
連結時に二つのハーフ・モールドにかかる力を約10−
30トンとする。しかし、事実、電子回路3の損傷を避
けるためには、ばね付きクランプを電子回路に接触させ
る力を、100キロより強くする必要はない。
に、フローティング・クランプが電子回路に接する際に
用いる力を変化させることができる。それにもかかわら
ず、金属クランプを回路の能動面に直接接触させること
で、図4に示すように回路の機能に損害を与えることが
ある。
回路が傾いていると、さらなる欠点が生じる。実際、そ
の方法では、モールドへの注入ステップで、望まずして
樹脂が侵入し、支持材に対して完全には平行でない電子
回路表面が損傷される。
に電子回路を損傷する可能性を減少するため、図6に示
すように、モールドおよびばね付きクランプをフィルム
・テープ9で被覆することが提案されている。それで
も、この方法では電子回路のわずかな不規則性しか修正
することができない。またフィルム・テープ9は、新た
な製造ステップの度に取り替えなければならず、それに
より製造コストが上昇する。
テープを一様に被着させることが非常に重要である。
モールドでは、同時に複数のパッケージを形成するため
に、隣接するキャビティを有する複数のモールドの形を
呈している。
ね付きクランプをモールドに入れなければならない。こ
れらにすべて挿入することで、モールドへの注入ステッ
プに、樹脂の一部が可動部分どうし間の空間を充填する
可能性が増大し、それによってジャムが起こり、樹脂の
電子回路表面への堆積歩留まりが低下する。
術的課題は、先行技術による製造方法の欠点を克服する
ような特徴を呈する窓部付き保護パッケージの製造方法
を提供することである。
手段は、ラグを備えたモールドを用いて電子デバイスの
保護パッケージを形成することである。また、かかるラ
グは、モールドが閉鎖されると集積回路表面にフィット
する弾性膜を備えていることが好ましい。特に、加圧流
体によって、膜が回路の方に押圧されて回路に加圧接触
させられる。そのようにして、絶縁材の注入ステップ
で、膜によってパッケージ内に窓部が形成される。
れ、かつ、請求項1の特徴部分に開示されているタイプ
の方法、すなわち、モールド10を使用するステップで
あって、前記モールドは、前記モールドの内部に向かう
ラグを有するハーフ・モールド15を備え、前記ラグ
は、弾性変形可能であり、加圧接触により電子回路13
の少なくとも一部分に接触する要素17を有する一端を
備える、前記ステップと;樹脂をモールドに注入して、
前記保護パッケージが前記電子回路の前記少なくとも一
部分に位置合わせされた穴部を有するように樹脂を前記
モールドに注入するステップと;を備えることを特徴と
する保護パッケージ形成方法によって、技術的課題が解
決される。
分に開示されているタイプのモールド、すなわち、一方
が他方に重ね合わされて集積電子回路を収めるための空
間11を形成するハーフ・モールドの対14,15によ
って形成され、前記ハーフ・モールド15がほぼ前記集
積電子回路13の近傍に延出するラグを有し、前記ラグ
は、弾性変形可能でモールド成形中に前記集積電子回路
13の少なくとも一部分と加圧接触される要素17を備
えることを特徴とする保護パッケージ成形用モールドに
よって、技術的課題が解決される。
付の図面を参照して非限定的な実施の形態によって、形
成用のモールドについての以下の説明において明らかに
なる。
ッケージを得るための、本発明によって形成されたモー
ルドが参照番号10で示されている。モールド10に
は、樹脂などの絶縁材を注入するための、集積回路等の
電子回路13を含む空間11が示されている。
パッケージを同時に形成するために、モールドが複数の
隣接するキャビティを有しているとしても、これらの図
では、一つのキャビティだけを画定するモールド一つの
みの垂直方向断面が示されている。
ーム12、たとえば、金属リーフをプラスチック基板、
セラミック基板上に配置し、その上に、接触タイプある
いは、光学、圧力、指紋識別タイプ等の近接センサーを
備えた電子回路13が固定される。
に関するものである。保護パッケージにカプセル封止し
ても、本発明を、パッケージの外部と直接連通する表面
部分を備えなければならない全ての電子部品に適用する
ことができることは、明らかである。
部分、すなわち、ハーフ・モールドである下部ハーフシ
ェル14と、ハーフ・モールドである上部ハーフシェル
15、を備えており、それらが閉じたときに電子回路1
3を収納するための空間11が形成される。
はラグを有しており、そのラグが弾性変形可能な材料か
らなる要素17から形成されており、電子回路13に加
圧接触している。
・モールド15が、ハーフ・モールド15aと、弾性変
形可能な材料からなる要素17とでほぼ画定されるキャ
ビティ16を有している。
利である。かかる膜17がエラストマーからなることが
好ましい。
状であり、モールド成形などによって得られる。前記膜
17は円筒スカート部17aと底部17bとを備えてい
る。
分がキャビティ16の壁に対して維持されている。
部18を介してモールドの外部と連通している。
にクランプされた後、開口部18を介してキャビティ1
6に空気等の加圧流体が圧送注入される。そのようにし
て、膜の底部17bが回路13の表面に完全に当接し、
前記回路に加圧接触される。
11に注入して、保護パッケージを形成するステップが
実行される。
な熱力学的処理が行なわれる。
ラスチック製の保護パッケージの形成方法が示される。
で、ダイがマウントされている金属リード・フレームを
示す。かかるダイには電子回路13が形成されている。
ジの外部から起動されることが可能で、制御回路に接続
することができるセンサーを備える。電子回路は、外部
に電気接続するための薄い導体ワイヤー19を介してピ
ンに接続される。
ティの底部、特に、下部ハーフ・モールド14が作る中
空部に配置するとことが好ましい。
1の中間に配置することもできる。
ハーフ・モールド14に載せた後、次いで上部ハーフ・
モールド15を下部ハーフ・モールド14に重ね合わせ
ることで、図10に示すように、その二つのハーフ・モ
ールドどうし間に収納空間11が得られる。
を注入するときに、従来技術で述べられているように、
二つのハーフ・モールドが共にクランプされるように、
これらのモールドに対して圧力が印加される。
モールド14に固定された時、膜17は電子回路13に
接触しない。
るモールド10のキャビティ16が、所定値の加圧流体
で充填される。
る。特に、キャビティ16の内部における流体の加圧
は、プラスチック材料からなるパッケージ形成用のモー
ルドに樹脂が注入される際の圧力よりも高くする。その
ため、流体の圧力が60Mpaから70Mpaの範囲で
あるときに最良の結果が得られる。
印加によって、膜の底部17bが、露出させておかなけ
ればならない回路13の表面に加圧接触させられ、その
シールを樹脂の侵入から保護することができる。
圧されると、底部17bの他方の面が電子回路13に加
圧接触し、電子回路の縁全体が被覆されずに残る。その
ようにして、保護パッケージが回路13の縁を完全に覆
うようにする。
側面もまた、膜17で覆うことができる。このようにす
ると、本発明の保護パッケージは、膜17のかかってい
ない回路13の縁のみを被覆することになる。
実行される。
プラスチック材料が、注入開口部20および適切なチャ
ネル(図示せず)を介して、ハーフ・モールド間に作ら
れたキャビティに加圧注入される。
流れ込むことへのバリアとなっている。次いで、仕上げ
保護パッケージに、電子回路13に位置合わせされた窓
部や穴部が設けられる。
子回路13の起動部と直接接触することを避けるもので
ある。
とえば、弾力性のある膜の存在によって、基板または集
積回路表面の平面性が不完全であることなどにより電子
回路13の起こりうるミスアラインメントを克服するも
のである。
技術によって形成されるパッケージの数に比べて、より
多数のパッケージを形成することができ、許容範囲が改
善された製造プロセスを使用することができる。
機械パーツを全て取り除くことでモールドの形成を簡略
化することができる。
び方法を用いることによって、電子回路への加圧接触の
強度を、製造時の時々に合わせることができ、それによ
り流体の圧力を調整することができる。
概略斜視図である。
図である。
用モールドの断面図を示す図である。
具体例を示す図である。
ルドを示す断面図である。
モールドを示す断面図である。
示す断面図である。
ップのモールドを示す図である。
テップのモールドを示す図である。
テップのモールドを示す図である。
テップのモールドを示す図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 半導体に集積される電子デバイス用の、
プラスチック材料からなる保護パッケージを形成する方
法であって、 前記電子デバイスは、保護パッケージの外部から少なく
とも部分的に起動されることが可能で前記保護パッケー
ジ内にカプセル封止される電子回路を備え、 前記方法は、 モールドを使用するステップであって、前記モールド
は、前記モールドの内部に向かうラグを有するハーフ・
モールドを備え、前記ラグは、弾性変形可能であり、加
圧接触により前記電子回路の少なくとも一部分に接触す
る要素を有する一端を備えるステップと、 樹脂をモールドに注入して、前記保護パッケージが前記
電子回路の前記少なくとも一部分に位置合わせされた穴
部を有するように樹脂を前記モールドに注入するステッ
プと、 を含むことを特徴とする保護パッケージ形成方法。 - 【請求項2】 弾性変形可能な前記要素が前記電子回路
に加圧押圧されることを特徴とする請求項1に記載の方
法。 - 【請求項3】 弾性変形可能な前記要素を前記電子回路
の少なくとも縁部分に加圧接触させることを特徴とする
請求項2に記載の方法。 - 【請求項4】 弾性変形可能な前記要素を含むハーフ・
モールド内に前記電子回路を配置するステップと、 弾性変形可能な前記要素の一表面に力を作用させて、前
記要素の他方の面が前記電子回路の少なくとも一部分に
押圧されるステップと、 を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに
記載の方法。 - 【請求項5】 集積電子回路をカプセル封止するプラス
チック製の保護パッケージを成形するためのモールドで
あって、 前記集積電子回路は、前記保護パッケージの外部から少
なくとも部分的に起動可能であり、前記モールドは、一
方が他方に重ね合わされて前記集積電子回路を収めるた
めの空間を形成するハーフ・モールドの対によって形成
され、前記ハーフ・モールドがほぼ前記集積電子回路の
近傍に延出するラグを有し、前記ラグは、弾性変形可能
でモールド成形中に前記集積電子回路の少なくとも一部
分と加圧接触される要素を備えることを特徴とする保護
パッケージ成形用モールド。 - 【請求項6】 弾性変形可能な前記要素が膜であること
を特徴とする請求項5に記載の保護パッケージ成形用モ
ールド。 - 【請求項7】 第1の膜表面に沿った前記膜が前記集積
電子回路に加圧接触されており、流体が前記第1の膜表
面とは反対の面に作用して、前記集積電子回路に向かっ
て前記膜に応力を加えることを特徴とする請求項5に記
載の保護パッケージ成形用モールド。
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