JPS59181024A - 半導体装置の樹脂封止装置 - Google Patents

半導体装置の樹脂封止装置

Info

Publication number
JPS59181024A
JPS59181024A JP5411683A JP5411683A JPS59181024A JP S59181024 A JPS59181024 A JP S59181024A JP 5411683 A JP5411683 A JP 5411683A JP 5411683 A JP5411683 A JP 5411683A JP S59181024 A JPS59181024 A JP S59181024A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
sealing
heat sink
semiconductor device
resin sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5411683A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaoru Toyoda
豊田　薫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP5411683A priority Critical patent/JPS59181024A/ja
Publication of JPS59181024A publication Critical patent/JPS59181024A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、放熱板が封止樹脂で被覆された絶縁型半導体
装置の樹脂封止方法、および封止装置の構造に関するも
のである。
半導体装置は、半導体ペレットがろう付けされた放熱板
自身が一つの電極となる場合があるため、放熱板と取付
フィンの間を電気的に絶縁する必要がある。更に半導体
ベレットで発生する熱を放熱板を通して外部放散させる
必要もある。従って絶縁型半導体装置は放熱板を封止樹
脂中に浮かせて、装置表面に金属部を露出させない構造
であシ、かかる絶縁型半導体装置の製造には放熱板裏面
の樹脂厚を精度良く制御する必要がある。
従来、この種の半導体素子は、放熱板裏面の樹脂厚を精
度良く一定にするだめに、放熱板に吊りピンを設け、リ
ード部および吊りピンを樹脂封止金型内に浮かせて保持
し、その状態で樹脂を充填し、完成後量シビンを切断除
去していた。
しかしながら、従来構造のものにおいては、樹脂封止後
量シピンを切断する工程において、樹脂ぐ・ クラックが生じ易すく耐湿性に欠けとか、墨りピン切断
個所が装置表面に露出するため、取付フィンと吊シビン
との間で空中放電が生じ易いなどの欠点があった。その
対策として吊りピン除去部に放電防止塗料を塗るなどし
ていたが塗料を塗る工数がかかるうえ、絶縁耐圧の信頼
性が良くないなどの欠点が残っていた。
従って、本発明の目的は前記問題点を解消しだ絶縁型半
導体装置を製造する樹脂封止装置を提供することにある
。
本発明によれば、リードフレームの放熱板およびリード
を上型と下型で保持し第１樹脂封止を行なりた後、金型
の一部を移動し、第１樹脂封止とは別にランチとゲート
より第２樹脂封止することによシ、放熱板裏面の樹脂厚
を精度良く制御出来、かつ放熱板裏面を完全に樹脂で覆
うことのできる絶縁型半導体装置の樹脂封止装置が得ら
れる。
以上、本発明の詳細な説明したが、次に図面を参照して
よシ詳細に説明する。
第１．２図は、本発明による樹脂封止金型の一実施例を
示す断面図で、第３図は第１樹脂封止後の半導体装置の
一部外観図、第４図は第２樹脂封止後の半導体装置の一
部外観図である。
まず第１図において、半導体ペレット２を載置したリー
ドフレーム１のリード部は、下型３および上型５′で保
持され、リードフレーム１の放熱板部は下型４と上型５
で保持されているため、放熱板の傾きもなく、確実に固
定でき、第１ランナ。
ゲート６よシ樹脂封止を行なう。この時、封止部の外観
は、第３図に示すように、放熱板の下型４で押えられて
いた部分８が封止樹脂１０から露出している。
次に第２図を参照すると、第１樹脂封止後、下型４が数
ミリ横方向に移動し、上型５′が放熱板裏面の樹脂厚分
だけ上方に移動する。その後、第２ランナ、ゲート７よ
シリードフレーム１の放熱板裏面および第１樹脂封止の
未充填個所に樹脂注入を行なう。
完成された半導体装置の封止樹脂部はその一部を第４図
に示すように、樹脂１０の突起部９が形成される。この
突起部９は、第１樹脂封止工程時にリードフレーム１の
放熱板を下型４で押えていた個所で、この下型４の形状
のためにできる。
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、樹
脂封止後の吊りビン切断工程が省略出来、この切断工程
に伴なう樹脂クラックも無く、外部導出リードを除いて
装置表面全て樹脂で覆われているため高耐圧、高信頼度
の半導体装置となる。
また、第１樹脂封止後、半導体装置を取シ出すこともな
く第２樹脂封止出来るため、工数的にも有利であシ、更
に非絶縁型半導体素子を絶縁型に変更する場合でも、従
来のリードフレームをそのまま使用出来るため、経済的
、開発期間的にも優ぐれているなど、その効果は大とな
る。
【図面の簡単な説明】
第１．２図は本発明による一実施例を示すもので、第１
図は第１樹脂封止工程時の封止金型の断面図で、第２図
は第２樹脂封止工程時の封止金型の断面図である。第３
図は第１樹脂封止工程後の半導体装置の一部を示す外観
図で、第４図は第２樹脂封止工程後の絶縁型半導体装置
の一部を示す外観図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・半導体
ヘレット、３・・・・・・下型、４・・・・・・下型（
移動可能）、５・・・・・・上型、５′上型（移動可能
）、６・・・・・・第１ゲート・ランナ部、７・・・・
・・第２ゲート・ランナ部、８・・・・・・第１樹脂封
止未充填個所、９・・・・・・樹脂突起部、１０・・・
・・・封止樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金型が分割、移動可能で、前記分割した金型にそれぞれ
    ランナおよびゲートを設け、前記それぞれのランナおよ
    びゲートよシ第１および第２樹脂封止が出来ることを特
    徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
JP5411683A 1983-03-30 1983-03-30 半導体装置の樹脂封止装置 Pending JPS59181024A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5411683A JPS59181024A (ja) 1983-03-30 1983-03-30 半導体装置の樹脂封止装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5411683A JPS59181024A (ja) 1983-03-30 1983-03-30 半導体装置の樹脂封止装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59181024A true JPS59181024A (ja) 1984-10-15

Family

ID=12961620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5411683A Pending JPS59181024A (ja) 1983-03-30 1983-03-30 半導体装置の樹脂封止装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59181024A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62114440U (ja) * 1986-01-09 1987-07-21
JPH07290513A (ja) * 1994-04-27 1995-11-07 Akita Nippon Denki Kk 半導体装置樹脂封止金型
US6682331B1 (en) * 2002-09-20 2004-01-27 Agilent Technologies, Inc. Molding apparatus for molding light emitting diode lamps

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62114440U (ja) * 1986-01-09 1987-07-21
JPH07290513A (ja) * 1994-04-27 1995-11-07 Akita Nippon Denki Kk 半導体装置樹脂封止金型
US6682331B1 (en) * 2002-09-20 2004-01-27 Agilent Technologies, Inc. Molding apparatus for molding light emitting diode lamps

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4637130A (en) Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor
US5935502A (en) Method for manufacturing plastic package for electronic device having a fully insulated dissipator
US5133921A (en) Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices
JPH07321139A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US4954307A (en) Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices
JP2972096B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0590319A (ja) 半導体デバイスを封止する方法および装置
JPS60130129A (ja) 絶縁型半導体素子の樹脂封止方法
US4916518A (en) Plastic encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2003007951A (ja) リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS59181024A (ja) 半導体装置の樹脂封止装置
JPH0637130A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000003923A (ja) 半導体装置の樹脂封止方法及びその樹脂封止装置
JP2755440B2 (ja) 樹脂モールド型半導体装置及び樹脂モールド装置
US6512286B1 (en) Semiconductor package with no void in encapsulant and method for fabricating the same
JPH10144853A (ja) 半導体装置
JPH10209194A (ja) 半導体装置、その製造方法およびそれに用いる樹脂モールド工程装置
JPH07221244A (ja) リードフレーム
JPH0135478Y2 (ja)
JPS5933838A (ja) 半導体樹脂封止用金型装置
JPH0415942A (ja) 半導体装置
JPH06244229A (ja) 半導体装置およびそのパッケージ成形方法並びにそれに使用される成形装置
JPH05267531A (ja) 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
JPH0629340A (ja) 樹脂封止型半導体装置用成形金型及びそれに用いた半導体チップの樹脂封止方法
KR200289924Y1 (ko) 리드프레임