JPS59181024A - 半導体装置の樹脂封止装置 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止装置Info
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- JPS59181024A JPS59181024A JP5411683A JP5411683A JPS59181024A JP S59181024 A JPS59181024 A JP S59181024A JP 5411683 A JP5411683 A JP 5411683A JP 5411683 A JP5411683 A JP 5411683A JP S59181024 A JPS59181024 A JP S59181024A
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- Japan
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- resin
- sealing
- heat sink
- semiconductor device
- resin sealing
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 49
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、放熱板が封止樹脂で被覆された絶縁型半導体
装置の樹脂封止方法、および封止装置の構造に関するも
のである。
装置の樹脂封止方法、および封止装置の構造に関するも
のである。
半導体装置は、半導体ペレットがろう付けされた放熱板
自身が一つの電極となる場合があるため、放熱板と取付
フィンの間を電気的に絶縁する必要がある。更に半導体
ベレットで発生する熱を放熱板を通して外部放散させる
必要もある。従って絶縁型半導体装置は放熱板を封止樹
脂中に浮かせて、装置表面に金属部を露出させない構造
であシ、かかる絶縁型半導体装置の製造には放熱板裏面
の樹脂厚を精度良く制御する必要がある。
自身が一つの電極となる場合があるため、放熱板と取付
フィンの間を電気的に絶縁する必要がある。更に半導体
ベレットで発生する熱を放熱板を通して外部放散させる
必要もある。従って絶縁型半導体装置は放熱板を封止樹
脂中に浮かせて、装置表面に金属部を露出させない構造
であシ、かかる絶縁型半導体装置の製造には放熱板裏面
の樹脂厚を精度良く制御する必要がある。
従来、この種の半導体素子は、放熱板裏面の樹脂厚を精
度良く一定にするだめに、放熱板に吊りピンを設け、リ
ード部および吊りピンを樹脂封止金型内に浮かせて保持
し、その状態で樹脂を充填し、完成後量シビンを切断除
去していた。
度良く一定にするだめに、放熱板に吊りピンを設け、リ
ード部および吊りピンを樹脂封止金型内に浮かせて保持
し、その状態で樹脂を充填し、完成後量シビンを切断除
去していた。
しかしながら、従来構造のものにおいては、樹脂封止後
量シピンを切断する工程において、樹脂ぐ・ クラックが生じ易すく耐湿性に欠けとか、墨りピン切断
個所が装置表面に露出するため、取付フィンと吊シビン
との間で空中放電が生じ易いなどの欠点があった。その
対策として吊りピン除去部に放電防止塗料を塗るなどし
ていたが塗料を塗る工数がかかるうえ、絶縁耐圧の信頼
性が良くないなどの欠点が残っていた。
量シピンを切断する工程において、樹脂ぐ・ クラックが生じ易すく耐湿性に欠けとか、墨りピン切断
個所が装置表面に露出するため、取付フィンと吊シビン
との間で空中放電が生じ易いなどの欠点があった。その
対策として吊りピン除去部に放電防止塗料を塗るなどし
ていたが塗料を塗る工数がかかるうえ、絶縁耐圧の信頼
性が良くないなどの欠点が残っていた。
従って、本発明の目的は前記問題点を解消しだ絶縁型半
導体装置を製造する樹脂封止装置を提供することにある
。
導体装置を製造する樹脂封止装置を提供することにある
。
本発明によれば、リードフレームの放熱板およびリード
を上型と下型で保持し第1樹脂封止を行なりた後、金型
の一部を移動し、第1樹脂封止とは別にランチとゲート
より第2樹脂封止することによシ、放熱板裏面の樹脂厚
を精度良く制御出来、かつ放熱板裏面を完全に樹脂で覆
うことのできる絶縁型半導体装置の樹脂封止装置が得ら
れる。
を上型と下型で保持し第1樹脂封止を行なりた後、金型
の一部を移動し、第1樹脂封止とは別にランチとゲート
より第2樹脂封止することによシ、放熱板裏面の樹脂厚
を精度良く制御出来、かつ放熱板裏面を完全に樹脂で覆
うことのできる絶縁型半導体装置の樹脂封止装置が得ら
れる。
以上、本発明の詳細な説明したが、次に図面を参照して
よシ詳細に説明する。
よシ詳細に説明する。
第1.2図は、本発明による樹脂封止金型の一実施例を
示す断面図で、第3図は第1樹脂封止後の半導体装置の
一部外観図、第4図は第2樹脂封止後の半導体装置の一
部外観図である。
示す断面図で、第3図は第1樹脂封止後の半導体装置の
一部外観図、第4図は第2樹脂封止後の半導体装置の一
部外観図である。
まず第1図において、半導体ペレット2を載置したリー
ドフレーム1のリード部は、下型3および上型5′で保
持され、リードフレーム1の放熱板部は下型4と上型5
で保持されているため、放熱板の傾きもなく、確実に固
定でき、第1ランナ。
ドフレーム1のリード部は、下型3および上型5′で保
持され、リードフレーム1の放熱板部は下型4と上型5
で保持されているため、放熱板の傾きもなく、確実に固
定でき、第1ランナ。
ゲート6よシ樹脂封止を行なう。この時、封止部の外観
は、第3図に示すように、放熱板の下型4で押えられて
いた部分8が封止樹脂10から露出している。
は、第3図に示すように、放熱板の下型4で押えられて
いた部分8が封止樹脂10から露出している。
次に第2図を参照すると、第1樹脂封止後、下型4が数
ミリ横方向に移動し、上型5′が放熱板裏面の樹脂厚分
だけ上方に移動する。その後、第2ランナ、ゲート7よ
シリードフレーム1の放熱板裏面および第1樹脂封止の
未充填個所に樹脂注入を行なう。
ミリ横方向に移動し、上型5′が放熱板裏面の樹脂厚分
だけ上方に移動する。その後、第2ランナ、ゲート7よ
シリードフレーム1の放熱板裏面および第1樹脂封止の
未充填個所に樹脂注入を行なう。
完成された半導体装置の封止樹脂部はその一部を第4図
に示すように、樹脂10の突起部9が形成される。この
突起部9は、第1樹脂封止工程時にリードフレーム1の
放熱板を下型4で押えていた個所で、この下型4の形状
のためにできる。
に示すように、樹脂10の突起部9が形成される。この
突起部9は、第1樹脂封止工程時にリードフレーム1の
放熱板を下型4で押えていた個所で、この下型4の形状
のためにできる。
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、樹
脂封止後の吊りビン切断工程が省略出来、この切断工程
に伴なう樹脂クラックも無く、外部導出リードを除いて
装置表面全て樹脂で覆われているため高耐圧、高信頼度
の半導体装置となる。
脂封止後の吊りビン切断工程が省略出来、この切断工程
に伴なう樹脂クラックも無く、外部導出リードを除いて
装置表面全て樹脂で覆われているため高耐圧、高信頼度
の半導体装置となる。
また、第1樹脂封止後、半導体装置を取シ出すこともな
く第2樹脂封止出来るため、工数的にも有利であシ、更
に非絶縁型半導体素子を絶縁型に変更する場合でも、従
来のリードフレームをそのまま使用出来るため、経済的
、開発期間的にも優ぐれているなど、その効果は大とな
る。
く第2樹脂封止出来るため、工数的にも有利であシ、更
に非絶縁型半導体素子を絶縁型に変更する場合でも、従
来のリードフレームをそのまま使用出来るため、経済的
、開発期間的にも優ぐれているなど、その効果は大とな
る。
第1.2図は本発明による一実施例を示すもので、第1
図は第1樹脂封止工程時の封止金型の断面図で、第2図
は第2樹脂封止工程時の封止金型の断面図である。第3
図は第1樹脂封止工程後の半導体装置の一部を示す外観
図で、第4図は第2樹脂封止工程後の絶縁型半導体装置
の一部を示す外観図である。 1・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・半導体
ヘレット、3・・・・・・下型、4・・・・・・下型(
移動可能)、5・・・・・・上型、5′上型(移動可能
)、6・・・・・・第1ゲート・ランナ部、7・・・・
・・第2ゲート・ランナ部、8・・・・・・第1樹脂封
止未充填個所、9・・・・・・樹脂突起部、10・・・
・・・封止樹脂。
図は第1樹脂封止工程時の封止金型の断面図で、第2図
は第2樹脂封止工程時の封止金型の断面図である。第3
図は第1樹脂封止工程後の半導体装置の一部を示す外観
図で、第4図は第2樹脂封止工程後の絶縁型半導体装置
の一部を示す外観図である。 1・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・半導体
ヘレット、3・・・・・・下型、4・・・・・・下型(
移動可能)、5・・・・・・上型、5′上型(移動可能
)、6・・・・・・第1ゲート・ランナ部、7・・・・
・・第2ゲート・ランナ部、8・・・・・・第1樹脂封
止未充填個所、9・・・・・・樹脂突起部、10・・・
・・・封止樹脂。
Claims (1)
- 金型が分割、移動可能で、前記分割した金型にそれぞれ
ランナおよびゲートを設け、前記それぞれのランナおよ
びゲートよシ第1および第2樹脂封止が出来ることを特
徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5411683A JPS59181024A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5411683A JPS59181024A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59181024A true JPS59181024A (ja) | 1984-10-15 |
Family
ID=12961620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5411683A Pending JPS59181024A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59181024A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62114440U (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-21 | ||
JPH07290513A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-07 | Akita Nippon Denki Kk | 半導体装置樹脂封止金型 |
US6682331B1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-01-27 | Agilent Technologies, Inc. | Molding apparatus for molding light emitting diode lamps |
-
1983
- 1983-03-30 JP JP5411683A patent/JPS59181024A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62114440U (ja) * | 1986-01-09 | 1987-07-21 | ||
JPH07290513A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-07 | Akita Nippon Denki Kk | 半導体装置樹脂封止金型 |
US6682331B1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-01-27 | Agilent Technologies, Inc. | Molding apparatus for molding light emitting diode lamps |
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