JPH0135478Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、半導体チツプが支持板と共に樹脂モ
ールドされた樹脂封止形半導体装置に関連する。

従来の技術 樹脂封止形半導体装置では、半導体チツプを支
持する支持板を外部に対して電気的に絶縁するた
め、支持板とこれに接続された細条とを樹脂で封
止する技術が開発されたが、このような技術は、
例えば特開昭57−178352号公報及び特開昭57−
188858号公報に開示されている。上記の樹脂封止
を行う場合、支持板を含むいわゆるリードフレー
ムが金型内に装着され、金型のキヤビテイ内にエ
ポキシ樹脂等の融解樹脂が圧入される。このと
き、融解樹脂の注入圧力によつて金型内で移動し
ないように、リードフレームを所定の位置に保持
する必要がある。その１例として、支持板に連結
された細条を金型を構成する上型と下型で挾持す
る方法が採用された。この方法では、キヤビテイ
内に融解樹脂が圧入され固化したのち、リードフ
レームを金型から取出し、その後に、封止樹脂の
端面近傍で細条を切断する工程が行われる。最終
的に製造される半導体装置では、半導体チツプと
電気的に接続された細条の切断端部が封止樹脂の
表面に露出するので、他の素子、キヤビネツト又
は人体等を含む周囲との接触による短絡事故や外
部放熱体との間で絶縁不良が発生した。そこで、
前記特許公報に示される通り、封止樹脂に切欠部
又は凹所を形成し、切欠部又は凹所内で細条を切
断する技術が提案された。

考案が解決しようとする問題点 しかし、前記特許公報に示される技術では、切
欠部又は凹所の形状が単純であるため上記短絡事
故を十分に防止できない。更に細条の切断端部と
外部放熱体との距離が短く、上記絶縁不良に対し
ては特に対策が施されていなかつた。

そこで本考案は、短絡事故や絶縁不良を確実に
防止できる樹脂封止形半導体装置を提供すること
を目的とする。

問題点を解決するための手段 本考案による樹脂封止形半導体装置は、半導体
チツプを支持する支持板とこの支持板の互いに異
なる側に連結された外部リード及び細条とを有す
るリードフレームを使用して製作され、前記支持
板の両主面が実質的に露出しないように封止樹脂
が形成されておりかつ封止樹脂の端面に凹部が形
成されている。この凹部は支持板側に形成された
底面と、封止樹脂の背面側に形成された防護面と
を有する。凹部の底面に対向する面と防護面に対
向する面とは開放している。凹部の底面と防護面
との交差部において、細条の除去跡として凹部の
底面に開口する孔が封止樹脂に形成されており、
細条の切断端部は凹部の底面よりも孔の内側に位
置している。

作 用 細条の切断端部が封止樹脂に形成された凹部の
支持板側の壁面よりも支持板側の内部に位置する
とともに、凹部には封止樹脂の背面側の壁面が形
成されている。したがつて、細条の切断端部は、
外部放熱体に対し大きな沿面距離を確保し、かつ
外部との接触が起こり難い。

実施例 以下本考案の実施例を第１図〜第８図について
説明する。

本考案による樹脂封止形半導体装置は、第３図
に示すリードフレーム２０から作られる。リード
フレーム２０は、半導体チツプ（トランジスタチ
ツプ）１５を支持する支持板１６を有する。半導
体チツプ１５は、必要に応じて、保護コート１８
を形成するシリコン樹脂で被覆される。支持板１
６には、コレクタリード２４が一体成形される。
コレクタリード２４は、ベースリード２３とエミ
ツタリード２５と共に外部リードと総称され、タ
イバー２６及び共通細条２７により直角方向で互
いに連結される。ベースリード２３とエミツタリ
ード２５は、それぞれアルミニウム線１７ａと１
７ｂにより半導体チツプ１５の所定位置へ接続さ
れる。

一対の細条３０と３１は支持板１６に一体に成
形されかつコレクタリード２４に対し反対側へ伸
びる。各細条３０，３１の外端は、共通細条３２
により直角方向で互いに連結される。各細条３０
と３１には、孔３３と３４が穿設される。孔３３
と３４の形状は、丸又は矩形のほか任意形状に形
成でき、又、小幅寸法となる切欠きでもよい。な
お、支持板１６、外部リード及び細条３０，３１
等を有するリードフレーム２０は、第３図ではト
ランジスタ１個分のみを示しているが、実際に
は、多数の支持板、外部リード及び細条が、タイ
バー２６と共通細条２７，３２により平行に支持
された金属製フレームである。

リードフレーム２０は、第４図及び第５図に示
す金型４０内に装着される。第４図はコレクタリ
ード２４の中心線に沿う断面を示し、第５図は細
条３１の中心線に沿う断面を示す。金型４０は、
下型４１と上型４２で構成され、リードフレーム
２０を収容するキヤビテイ４３が形成される。

上述の通り、金型４０にリードフレーム２０が
装着された後、融解エポキシ樹脂（加熱されて粘
液状となつた熱硬化性エポキシ樹脂）が公知のト
ランスフアモールド法によりゲート（図示せず）
からキヤビテイ４３内に圧入され、リードフレー
ム２０の１部が樹脂２１により封止される。

樹脂２１が固化した後、リードフレーム２０が
金型４０から取出され、その時点での細条３１の
状態を第６図に示す。即ち支持板１６等を封止す
る樹脂２１の端面２８には、金型の突部４４によ
り凹部２９が形成される。

樹脂２１から突出する細条３０，３１は、引張
りにより孔３３と３４の中心で切断され、共通細
条３２と共に除去される。各外部リードを連結す
るタイバー２６と共通細条２７も公知のように製
造上の一工程で除去される。

このように製造された本考案の半導体装置の１
例を第１図、第２図及び第７図に示す。樹脂２１
の端面２８に形成された一対の凹部２９各々は、
底面５０と、左右側面５１，５２と、防護面５３
とで形成される。細条３０，３１の切断端部３０
ａ，３０ｂ，３１ａ，３１ｂは、底面５０のやや
内側に位置する。即ち、細条３０，３１の切断工
程において、底面５０のやや内側で細条３０，３
１が引きちぎられ、細条３０，３１の除去跡５６
が形成されている。このとき、細条３０，３１の
周囲に付着した樹脂が少し剥離することもある
が、実用上は剥離が少ないので問題はない。凹部
２９の一面である防護面５３は、細条３０，３１
と樹脂２１の背面５４との間において細条の切断
端部３０ａ，３０ｂ，３１ａ，３１ｂ、から外側
に伸びる防護突部５５で形成される。

上記実施例では、半導体装置としてトランジス
タを示したが、ダイオード、サイリスタ等他の半
導体装置にも応用できることは明らかである。

考案の効果 本考案の半導体装置を前述の通り構成したの
で、種々の利点を得ることができる。即ち従来の
半導体装置の部分的断面図を示す第９図から明ら
かなように、樹脂２１で封止された細条３１′の
切断端面３１′ａと外部放熱体６０とのいわゆる
沿面距離ｌはｌ＝l₀で短いため、絶縁不良が発生
し易かつた。これに対し、第８図に示す本考案の
半導体装置では、沿面距離ｌはｌ＝l₀＋l₁＋l₂と
長くなるため、外部放熱体６０との絶縁不良は事
実上発生しなくなつた。更に、細条３０，３１の
切断端部３０ａ，３０ｂ，３１ａ，３１ｂが防護
突部５５の内側かつ樹脂の表面から奥まつた位置
にあるため、周囲と接触し難くなり、短絡事故を
防止することができる。これは、細条３０，３１
の切断端部３０ａ，３０ｂ，３１ａ，３１ｂを樹
脂外部に露出しないことを望む業界の厳格な要求
に対し実用上充分に合致できるものである。

又、第５図に示す通り、細条３０と３１の上面
は、支持板１６の上面と同一平面であるため、リ
ードフレーム２０の寸法精度が高く、リードフレ
ーム２０の製造コストも安い。即ち、第９図の沿
面距離l₀を長くとるため、細条３０，３１を外部
リードと同様に支持板１６より上方に偏位させる
ことも考えられる。しかし、このように支持板１
６の両側で上面に上方が偏位したリードフレーム
を作成するのは、加工技術的に困難な面があり、
結果として寸法精度が悪くなり易いし、コストア
ツプにもなる。その点、本考案の半導体装置で
は、上記のように問題のあるリードフレームを使
用する必要はない。

更に、高耐圧半導体装置では、細条３０，３１
の切断端部３０ａ，３０ｂ，３１ａ，３１ｂが最
終的には露出しないように、トランスフアモール
ド法による成形後にこれらの露出部をシリコンラ
バー等の絶縁物で被覆することを要求されること
がある。本考案の半導体装置では、防護突部５５
によつて形成される凹部２９に液状のシリコンラ
バー等を注入して除去跡５６の凹部２９への開口
部を封じればよいので、絶縁の効果が確実である
とともに被覆作業が行い易い。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第８図は本考案の実施例を示し、第１
図は本考案による半導体装置の斜視図、第２図は
この端面図、第３図はリードフレームの平面図、
第４図はリードフレームを装着した金型の断面
図、第５図はこの金型の他の断面図、第６図は封
止樹脂に形成された凹部の部分的拡大斜視図、第
７図は凹部の部分的断面図、第８図は樹脂凹部の
部分的断面図、第９図は従来の半導体装置の部分
的断面図である。 １５……半導体チツプ、１６……支持板、２０
……リードフレーム、２９……凹部、３０，３１
……細条、３０ａ，３０ｂ，３１ａ，３１ｂ……
切断端部、５０……底面（凹部の支持板側の壁
面）、５３……防護面（凹部の封止樹脂背面側の
壁面）、５４……背面、５５……防護突部、５６
……細条の除去跡。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体チツプを支持する支持板と該支持板の互
   いに異なる側に連結された外部リード及び細条と
   を有するリードフレームを使用して製作され、前
   記支持板の両主面が実質的に露出しないように封
   止樹脂が形成されておりかつ該封止樹脂の端面に
   凹部が形成された樹脂封止形半導体装置におい
   て、 前記凹部は前記支持板側に形成された底面と、
   前記封止樹脂の背面側に形成された防護面とを有
   し、前記底面に対向する面と前記防護面に対向す
   る面とが開放しており、前記凹部の底面と防護面
   との交差部において、前記細条の除去跡として前
   記凹部の底面に開口する孔が前記封止樹脂に形成
   されており、前記細条の切断端部は前記凹部の底
   面よりも前記孔の内側に位置していることを特徴
   とする樹脂封止形半導体装置。