JP2597768Y2 - 電力半導体装置 - Google Patents
電力半導体装置Info
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- JP2597768Y2 JP2597768Y2 JP1992062393U JP6239392U JP2597768Y2 JP 2597768 Y2 JP2597768 Y2 JP 2597768Y2 JP 1992062393 U JP1992062393 U JP 1992062393U JP 6239392 U JP6239392 U JP 6239392U JP 2597768 Y2 JP2597768 Y2 JP 2597768Y2
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- power semiconductor
- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、リードフレーム上に搭
載した電力半導体素子を樹脂封止してなる電力半導体装
置の構造に関する。
載した電力半導体素子を樹脂封止してなる電力半導体装
置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術について図５乃至図８を参照
して説明する。図５及び図６は従来の電力半導体装置の
製造工程を示す図、図７は従来の電力半導体装置の完成
図、図８は従来の問題点を説明するための図であり、
（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、正面図及び側面
図及び平面図である。従来は、図５に示すように、複数
の素子搭載部１、リード部２、タイバー接続部３からな
るリードフレーム４上の各素子搭載部１の上に図示しな
い電力半導体素子を搭載し、その後図６に示すように、
樹脂７によってトランスファーモールド法によって樹脂
封止する。図中、５は上部タイバー、６は下部タイバー
である。その後、樹脂封止した各樹脂封止部７’をタイ
バーより個別切断し、さらに、図７に示すように樹脂封
止部７’に対し放熱板８を個別切断前のタイバー接続部
３方向に突出するように取り付けていた。図中、９はタ
イバー切断跡である。
して説明する。図５及び図６は従来の電力半導体装置の
製造工程を示す図、図７は従来の電力半導体装置の完成
図、図８は従来の問題点を説明するための図であり、
（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、正面図及び側面
図及び平面図である。従来は、図５に示すように、複数
の素子搭載部１、リード部２、タイバー接続部３からな
るリードフレーム４上の各素子搭載部１の上に図示しな
い電力半導体素子を搭載し、その後図６に示すように、
樹脂７によってトランスファーモールド法によって樹脂
封止する。図中、５は上部タイバー、６は下部タイバー
である。その後、樹脂封止した各樹脂封止部７’をタイ
バーより個別切断し、さらに、図７に示すように樹脂封
止部７’に対し放熱板８を個別切断前のタイバー接続部
３方向に突出するように取り付けていた。図中、９はタ
イバー切断跡である。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】ところで、図７に示す
ように、従来方法によって得られた電力半導体装置に外
付で放熱板８をとりつけた場合、（ｌ）部に示すように
電力半導体装置のタイバー切断跡９と放熱板８間の十分
な鉛面距離がとれないという問題点があった。そこで、
従来は、電力半導体装置のタイバー切断跡９と放熱板８
間に絶縁シートを設けるか、あるいは、図８に示すよう
にタイバー切断跡９を絶縁樹脂１０で覆う必要があり、
製造工程が増え複雑になるという問題点があった。そこ
で、本考案の目的は、電力半導体装置のタイバー切断跡
及び放熱板間の確実な絶縁を簡易な構造で実現でき、従
来に比べ、製造工程の低減及びコストダウンを図れる電
力半導体装置を提供することにある。
ように、従来方法によって得られた電力半導体装置に外
付で放熱板８をとりつけた場合、（ｌ）部に示すように
電力半導体装置のタイバー切断跡９と放熱板８間の十分
な鉛面距離がとれないという問題点があった。そこで、
従来は、電力半導体装置のタイバー切断跡９と放熱板８
間に絶縁シートを設けるか、あるいは、図８に示すよう
にタイバー切断跡９を絶縁樹脂１０で覆う必要があり、
製造工程が増え複雑になるという問題点があった。そこ
で、本考案の目的は、電力半導体装置のタイバー切断跡
及び放熱板間の確実な絶縁を簡易な構造で実現でき、従
来に比べ、製造工程の低減及びコストダウンを図れる電
力半導体装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本考案は、素子搭載部と、リード部と、タイバー接続
部とからなるリードフレームに電力半導体素子を搭載、
樹脂封止し、該樹脂封止部の端部近傍にて前記タイバー
接続部が切断され、前記該樹脂封止部に前記タイバー接
続部側に突出する金属放熱板を設けてなる電力半導体装
置において、前記タイバー接続部の切断跡の周囲の面が
露出して前記樹脂封止部の側面を略一直線的に沿って前
記金属放熱板に達する沿面が形成されており、かつ、前
記切断部が前記樹脂封止部の最も厚い部分での厚さ方向
の中間位置よりも前記金属放熱板から離間して配置され
十分な前記沿面の距離を確保するように、前記リードフ
レームが折り曲げられて前記タイバー接続部に段差が形
成されてなることを特徴とする。
に本考案は、素子搭載部と、リード部と、タイバー接続
部とからなるリードフレームに電力半導体素子を搭載、
樹脂封止し、該樹脂封止部の端部近傍にて前記タイバー
接続部が切断され、前記該樹脂封止部に前記タイバー接
続部側に突出する金属放熱板を設けてなる電力半導体装
置において、前記タイバー接続部の切断跡の周囲の面が
露出して前記樹脂封止部の側面を略一直線的に沿って前
記金属放熱板に達する沿面が形成されており、かつ、前
記切断部が前記樹脂封止部の最も厚い部分での厚さ方向
の中間位置よりも前記金属放熱板から離間して配置され
十分な前記沿面の距離を確保するように、前記リードフ
レームが折り曲げられて前記タイバー接続部に段差が形
成されてなることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本考案は、上記のように、タイバー切断跡が樹
脂封止部の最も厚い部分での厚さ方向の中間位置よりも
金属放熱板から離間して配置され十分な沿面距離を確保
するように、タイバー接続部に段差を設けているので、
樹脂封止後にタイバーから分離切断した後の電力半導体
装置のタイバー切断跡は、その周囲の面が露出して樹脂
封止部の側面を略一直線的に沿って金属放熱板に達する
沿面が形成されていても、金属放熱板から十分離れてい
るので、両者間は確実に絶縁できる。このように非常に
簡易な構造で絶縁を確保でき、従来のような絶縁シート
や絶縁用の樹脂は不要であり、コストダウンも図れる。
脂封止部の最も厚い部分での厚さ方向の中間位置よりも
金属放熱板から離間して配置され十分な沿面距離を確保
するように、タイバー接続部に段差を設けているので、
樹脂封止後にタイバーから分離切断した後の電力半導体
装置のタイバー切断跡は、その周囲の面が露出して樹脂
封止部の側面を略一直線的に沿って金属放熱板に達する
沿面が形成されていても、金属放熱板から十分離れてい
るので、両者間は確実に絶縁できる。このように非常に
簡易な構造で絶縁を確保でき、従来のような絶縁シート
や絶縁用の樹脂は不要であり、コストダウンも図れる。
【０００６】
【実施例】本考案の一実施例について、図１乃至図３を
参照して説明する。
参照して説明する。
【０００７】図１及び図２は、本実施例による電力半導
体装置の製造工程を示す図、図３は本実施例による電力
半導体装置の完成図である。ここで、（ａ），（ｂ）及
び（ｃ）はそれぞれ、正面図、平面図及び側面図であ
る。なお、図５乃至図８に示す従来例と同一機能部分に
は同一記号を付している。ここでは、主に従来例と異な
る点について説明する。
体装置の製造工程を示す図、図３は本実施例による電力
半導体装置の完成図である。ここで、（ａ），（ｂ）及
び（ｃ）はそれぞれ、正面図、平面図及び側面図であ
る。なお、図５乃至図８に示す従来例と同一機能部分に
は同一記号を付している。ここでは、主に従来例と異な
る点について説明する。
【０００８】図１に示すように、本実施例による電力半
導体装置のリードフレーム４’は、折れ曲がって上部タ
イバー５と素子搭載部１との間のタイバー接続部３’に
段差１１を形成している。この段差１１の距離は、図３
に示される上部タイバー５切断後のタイバー切断跡９か
ら放熱板８までの沿面距離を十分確保できるようにとっ
ている（電気用品取締法にて２．０ｍｍ以上）。さらに
この例では、リード２にも段差１２を形成し、リード２
側の放熱板８との絶縁性向上も同時に図っている。
導体装置のリードフレーム４’は、折れ曲がって上部タ
イバー５と素子搭載部１との間のタイバー接続部３’に
段差１１を形成している。この段差１１の距離は、図３
に示される上部タイバー５切断後のタイバー切断跡９か
ら放熱板８までの沿面距離を十分確保できるようにとっ
ている（電気用品取締法にて２．０ｍｍ以上）。さらに
この例では、リード２にも段差１２を形成し、リード２
側の放熱板８との絶縁性向上も同時に図っている。
【０００９】上記したリードフレーム４’に図示しない
電力半導体素子を搭載後、図２に示すように樹脂７を用
いてトランスファーモールド法により樹脂封止し、上部
タイバー５及び下部タイバー６を切断し、さらに樹脂封
止部７’に放熱板８を取り付けることにより、図３に示
すような本実施例による電力半導体装置を得る。このよ
うにして得られた電力半導体装置は上部タイバー切断跡
９と放熱板８間の距離が十分確保されているので、従来
の電力半導体装置のように両者の間に絶縁シートを設け
たり、上部タイバー切断跡９を絶縁用の樹脂で覆うとい
った工程が不要であり、製造工程の低減及びコストダウ
ンを図れる。
電力半導体素子を搭載後、図２に示すように樹脂７を用
いてトランスファーモールド法により樹脂封止し、上部
タイバー５及び下部タイバー６を切断し、さらに樹脂封
止部７’に放熱板８を取り付けることにより、図３に示
すような本実施例による電力半導体装置を得る。このよ
うにして得られた電力半導体装置は上部タイバー切断跡
９と放熱板８間の距離が十分確保されているので、従来
の電力半導体装置のように両者の間に絶縁シートを設け
たり、上部タイバー切断跡９を絶縁用の樹脂で覆うとい
った工程が不要であり、製造工程の低減及びコストダウ
ンを図れる。
【００１０】図４（ａ），（ｂ）は本考案の他の実施例
による電力半導体装置のリードフレームの正面図及び側
面図である。この例はタイバー接続部３’のみに段差１
１を設けた構造である。この構造によれば、リード２側
と放熱板８との絶縁性は、図１乃至図３に示した実施例
のようには得られないが、絶縁性上最も問題のあるタイ
バー接続跡９と放熱板８間は確実に絶縁できる。
による電力半導体装置のリードフレームの正面図及び側
面図である。この例はタイバー接続部３’のみに段差１
１を設けた構造である。この構造によれば、リード２側
と放熱板８との絶縁性は、図１乃至図３に示した実施例
のようには得られないが、絶縁性上最も問題のあるタイ
バー接続跡９と放熱板８間は確実に絶縁できる。
【００１１】
【考案の効果】以上説明したように本考案によれば、電
力半導体装置に金属放熱板を取り付ける場合に、電力半
導体装置本体及び金属放熱板間の絶縁を簡易な構造で確
実に実現でき、従来に比べ、製造工程の低減及びコスト
ダウンを図れる。
力半導体装置に金属放熱板を取り付ける場合に、電力半
導体装置本体及び金属放熱板間の絶縁を簡易な構造で確
実に実現でき、従来に比べ、製造工程の低減及びコスト
ダウンを図れる。
【図１】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本考案の一実施例
による電力半導体装置の製造工程を示す正面図及び側面
図である。
による電力半導体装置の製造工程を示す正面図及び側面
図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ本考案の
一実施例による電力半導体装置の製造工程を示す正面
図、側面図及び平面図である。
一実施例による電力半導体装置の製造工程を示す正面
図、側面図及び平面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本考案の一実施
例による電力半導体装置の正面図及び側面図である。
例による電力半導体装置の正面図及び側面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は本考案の他の実施例による
電力半導体装置のリードフレームの正面図及び側面図で
ある。
電力半導体装置のリードフレームの正面図及び側面図で
ある。
【図５】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ従来例による電力
半導体装置の製造工程を示す平面図及び断面図である。
半導体装置の製造工程を示す平面図及び断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、従来例
による電力半導体装置の製造工程を示す正面図、側面図
及び平面図である。
による電力半導体装置の製造工程を示す正面図、側面図
及び平面図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来例による電
力半導体装置の平面図及び側面図である。
力半導体装置の平面図及び側面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来例による電
力半導体装置の平面図及び側面図である。
力半導体装置の平面図及び側面図である。
１ 素子搭載部 ２ リード部 ３’ タイバー接続部 ４’ リードフレーム ７’ 樹脂封止部 ８ 放熱板 １１ 段差部
Claims (1)
- 【請求項１】 素子搭載部と、リード部と、タイバー接
続部とからなるリードフレームに電力半導体素子を搭
載、樹脂封止し、該樹脂封止部の端部近傍にて前記タイ
バー接続部が切断され、前記樹脂封止部に前記タイバー
接続部側に突出する金属放熱板を設けてなる電力半導体
装置において、 前記タイバー接続部の切断跡の周囲の面が露出して前記
樹脂封止部の側面を略一直線的に沿って前記金属放熱板
に達する沿面が形成されており、かつ、前記切断部が前
記樹脂封止部の最も厚い部分での厚さ方向の中間位置よ
りも前記金属放熱板から離間して配置され十分な前記沿
面の距離を確保するように、前記リードフレームが折り
曲げられて前記タイバー接続部に段差が形成されてなる
ことを特徴とする電力半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992062393U JP2597768Y2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 電力半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992062393U JP2597768Y2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 電力半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0626268U JPH0626268U (ja) | 1994-04-08 |
| JP2597768Y2 true JP2597768Y2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=13198848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992062393U Expired - Fee Related JP2597768Y2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 電力半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2597768Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7875962B2 (en) * | 2007-10-15 | 2011-01-25 | Power Integrations, Inc. | Package for a power semiconductor device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5977241U (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-25 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH01158756A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-21 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-09-04 JP JP1992062393U patent/JP2597768Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0626268U (ja) | 1994-04-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |