JP2601033B2 - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置お
よびその製造方法に関し、特に半導体チップを搭載した
金属製放熱板の形状と樹脂封止方法に関する。
よびその製造方法に関し、特に半導体チップを搭載した
金属製放熱板の形状と樹脂封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来許容損失の大きいパワートランジス
タ等の半導体チップを搭載する樹脂封止型半導体装置で
は、半導体チップの発熱を逃すため、１〜２ｍｍの厚さ
を持つ金属製の放熱板上の半導体チップを搭載してい
る。近年、この放熱板を高熱伝導タイプのエポキシ樹脂
でフルモールドした製品が考案されている。しかしこの
金属製の放熱板は銅等で構成されているため、質量が大
きく、自重により外部に導出したリード位置に対して変
形等が発生し、樹脂封止時の成形金形内（キャビティ）
で不安定となり、モールド内の位置精度が確保でないと
いう問題があった。
タ等の半導体チップを搭載する樹脂封止型半導体装置で
は、半導体チップの発熱を逃すため、１〜２ｍｍの厚さ
を持つ金属製の放熱板上の半導体チップを搭載してい
る。近年、この放熱板を高熱伝導タイプのエポキシ樹脂
でフルモールドした製品が考案されている。しかしこの
金属製の放熱板は銅等で構成されているため、質量が大
きく、自重により外部に導出したリード位置に対して変
形等が発生し、樹脂封止時の成形金形内（キャビティ）
で不安定となり、モールド内の位置精度が確保でないと
いう問題があった。
【０００３】次に従来の樹脂封止型半導体装置の一例を
図８（ａ），（ｂ）を用いて説明する。パワーデバイス
を構成する半導体チップ１を搭載した銅等からなる金属
性の矩形状の放熱板２が、エポキシ樹脂３により封止さ
れ、樹脂の一端面から電極となる外部リード４が出てお
り、外部リード４はワイヤ６により半導体チップ１に接
続されている。この放熱板２の表裏を全て樹脂で被覆す
るためには、樹脂封止工程で成形金型内の放熱板２を浮
かせた状態で固定する。その方法の一つとして、例えば
特開昭６０−１８０１２７号公報に示されているよう
に、リード４の導出方向と反対の放熱板先端を成形金型
内に形成された挟持体で挟み込む方法が用いられる。
図８（ａ），（ｂ）を用いて説明する。パワーデバイス
を構成する半導体チップ１を搭載した銅等からなる金属
性の矩形状の放熱板２が、エポキシ樹脂３により封止さ
れ、樹脂の一端面から電極となる外部リード４が出てお
り、外部リード４はワイヤ６により半導体チップ１に接
続されている。この放熱板２の表裏を全て樹脂で被覆す
るためには、樹脂封止工程で成形金型内の放熱板２を浮
かせた状態で固定する。その方法の一つとして、例えば
特開昭６０−１８０１２７号公報に示されているよう
に、リード４の導出方向と反対の放熱板先端を成形金型
内に形成された挟持体で挟み込む方法が用いられる。
【０００４】以下その方法について図９（ａ），（ｂ）
を用いて説明する。まず、図９（ａ）に示すように、成
形金型を開いた状態で突起状の挟持体８Ａを有する上金
型７Ａと、下金型７Ｂの内部に半導体チップを搭載した
放熱板２及び外部リード４を置く。次に図９（ｂ）に示
す通り、上金型７Ａと下金型７Ｂを閉じ、放熱板２の先
端とリード４を固定する。その後、上記金型内にエポキ
シ樹脂等を加圧注入し、加熱硬化したのち取り出す。
を用いて説明する。まず、図９（ａ）に示すように、成
形金型を開いた状態で突起状の挟持体８Ａを有する上金
型７Ａと、下金型７Ｂの内部に半導体チップを搭載した
放熱板２及び外部リード４を置く。次に図９（ｂ）に示
す通り、上金型７Ａと下金型７Ｂを閉じ、放熱板２の先
端とリード４を固定する。その後、上記金型内にエポキ
シ樹脂等を加圧注入し、加熱硬化したのち取り出す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置の製造方法では、放熱板２を成形金型内に形
成された挟持体８Ａにより上下から固定するため、成形
金型内での放熱板の上下方向の位置精度は良好で安定す
るが、放熱板２に前工程（マウント，ボンディング工程
等）やハンドリング時、横方向にずれやねじれが生じた
場合その状態で成形金型内に固定されるため放熱板側面
の樹脂厚が減少し、絶縁耐圧の低下を招くという問題点
があった。
半導体装置の製造方法では、放熱板２を成形金型内に形
成された挟持体８Ａにより上下から固定するため、成形
金型内での放熱板の上下方向の位置精度は良好で安定す
るが、放熱板２に前工程（マウント，ボンディング工程
等）やハンドリング時、横方向にずれやねじれが生じた
場合その状態で成形金型内に固定されるため放熱板側面
の樹脂厚が減少し、絶縁耐圧の低下を招くという問題点
があった。
【０００６】また、ずれが大きい場合は、上下金型を閉
じた時に、放熱板のカジリ等が発生し、製造工程内での
トラブルや歩留の低下を招く恐れがあった。
じた時に、放熱板のカジリ等が発生し、製造工程内での
トラブルや歩留の低下を招く恐れがあった。
【０００７】更に、樹脂側面と放熱板側面の距離に、放
熱板の横方向ずれを考慮した余分なクリアランスを持た
せると、樹脂注入時に、放熱板裏面に流入した樹脂が放
熱板の表面に回り込み、裏面の充填性を損うため、裏面
の樹脂厚を薄くすることが困難になるという問題点もあ
った。
熱板の横方向ずれを考慮した余分なクリアランスを持た
せると、樹脂注入時に、放熱板裏面に流入した樹脂が放
熱板の表面に回り込み、裏面の充填性を損うため、裏面
の樹脂厚を薄くすることが困難になるという問題点もあ
った。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明の樹脂封止型
半導体装置は、矩形状の放熱板と、この放熱板上に固着
された半導体チップと、前記放熱板の周辺部に設けられ
前記半導体チップとワイヤにより接続された外部リード
と、前記放熱板と前記半導体チップと前記外部リードの
一部を封止する樹脂とを有する樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記外部リードの導出方向を除く前記放熱板の
少くとも一端面に、樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防
止するための溝を設けたものである。
半導体装置は、矩形状の放熱板と、この放熱板上に固着
された半導体チップと、前記放熱板の周辺部に設けられ
前記半導体チップとワイヤにより接続された外部リード
と、前記放熱板と前記半導体チップと前記外部リードの
一部を封止する樹脂とを有する樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記外部リードの導出方向を除く前記放熱板の
少くとも一端面に、樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防
止するための溝を設けたものである。
【０００９】第２の発明の樹脂封止型半導体装置は、矩
形状の放熱板と、この放熱板上に固着された半導体チッ
プと、前記放熱板の周辺部に設けられ前記半導体チップ
とワイヤにより接続された外部リードと、前記放熱板と
前記半導体チップと前記外部リードの一部を封止する樹
脂とを有する樹脂封止型半導体装置において、前記外部
リードの導出方向を除く前記放熱板のコーナー部に樹脂
封止時の放熱板の位置ずれを防止するための切り欠き部
を設けたものである。
形状の放熱板と、この放熱板上に固着された半導体チッ
プと、前記放熱板の周辺部に設けられ前記半導体チップ
とワイヤにより接続された外部リードと、前記放熱板と
前記半導体チップと前記外部リードの一部を封止する樹
脂とを有する樹脂封止型半導体装置において、前記外部
リードの導出方向を除く前記放熱板のコーナー部に樹脂
封止時の放熱板の位置ずれを防止するための切り欠き部
を設けたものである。
【００１０】第３の発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、矩形状の放熱板の一端の２つのコーナー部に切
り欠き部を設け、この放熱板上に半導体チップを搭載
し、放熱板の他端部に一体的に形成された外部リードと
前記半導体チップとをワイヤーにより接続し、矩形状の
くぼみの２隅の内側に放熱板の位置決め用の傾斜稜を有
する固定ブロックが設けられた下金型内に前記放熱板の
切り欠き部が傾斜稜に接するように置き、矩形状のくぼ
み内に先端が円錐状の複数の固定ピンを有する上金型を
この放熱板上に置き、これら金型内に樹脂を注入するも
のである。
方法は、矩形状の放熱板の一端の２つのコーナー部に切
り欠き部を設け、この放熱板上に半導体チップを搭載
し、放熱板の他端部に一体的に形成された外部リードと
前記半導体チップとをワイヤーにより接続し、矩形状の
くぼみの２隅の内側に放熱板の位置決め用の傾斜稜を有
する固定ブロックが設けられた下金型内に前記放熱板の
切り欠き部が傾斜稜に接するように置き、矩形状のくぼ
み内に先端が円錐状の複数の固定ピンを有する上金型を
この放熱板上に置き、これら金型内に樹脂を注入するも
のである。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面
図及びＡ−Ａ線断面図である。
る。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面
図及びＡ−Ａ線断面図である。
【００１２】図１（ａ），（ｂ）において、銅等からな
る矩形状の放熱板２上には半導体チップ１が固着されて
おり、この半導体チップ１は放熱板２の周辺部に設けら
れた外部リード４とワイヤ６により接続されている。そ
して特に放熱板２の外部リード４と反対側の端部には、
樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止するための約３０
°の角度を有するＶ字形溝９が２ケ所に設けてある。エ
ポキシ樹脂３はこの放熱板２と半導体チップ１と外部リ
ード４の一部を封止している。尚図１（ａ），（ｂ）に
おいて５は樹脂封止時における金型に設けられた挟持体
跡であり、放熱板面に対して４５°の角度を有してい
る。
る矩形状の放熱板２上には半導体チップ１が固着されて
おり、この半導体チップ１は放熱板２の周辺部に設けら
れた外部リード４とワイヤ６により接続されている。そ
して特に放熱板２の外部リード４と反対側の端部には、
樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止するための約３０
°の角度を有するＶ字形溝９が２ケ所に設けてある。エ
ポキシ樹脂３はこの放熱板２と半導体チップ１と外部リ
ード４の一部を封止している。尚図１（ａ），（ｂ）に
おいて５は樹脂封止時における金型に設けられた挟持体
跡であり、放熱板面に対して４５°の角度を有してい
る。
【００１３】次に図２（ａ），（ｂ）を用い実施例の樹
脂封止方法を説明する。図２（ａ）は成形金型を開いた
状態であり、上・下金型７Ａ，７Ｂには図３に示すよう
に、放熱板を挟む部分が４５°に形成された突起状の挟
持体８が設けられている。これらの金型内に、半導体チ
ップ１を搭載し先端部にＶ字形溝９を有する放熱板２及
びリード４を置く。次に図２（ｂ）に示す通り、上金型
７Ａと下金型７Ｂを閉じて固定する。その後金型内にエ
ポキシ樹脂を加工注入し加熱硬化したのち取り出す。
脂封止方法を説明する。図２（ａ）は成形金型を開いた
状態であり、上・下金型７Ａ，７Ｂには図３に示すよう
に、放熱板を挟む部分が４５°に形成された突起状の挟
持体８が設けられている。これらの金型内に、半導体チ
ップ１を搭載し先端部にＶ字形溝９を有する放熱板２及
びリード４を置く。次に図２（ｂ）に示す通り、上金型
７Ａと下金型７Ｂを閉じて固定する。その後金型内にエ
ポキシ樹脂を加工注入し加熱硬化したのち取り出す。
【００１４】このように第１の実施例によれば、樹脂封
止時に挟持体８によりＶ字形溝９を使って放熱板２の位
置ずれやねじれを補正することができるので、エポキシ
樹脂３を放熱板の表面に均一に固着することができる。
止時に挟持体８によりＶ字形溝９を使って放熱板２の位
置ずれやねじれを補正することができるので、エポキシ
樹脂３を放熱板の表面に均一に固着することができる。
【００１５】図４は本発明の第２の実施例の平面図であ
る。半導体チップ１を搭載した金属製の放熱板２の外部
リード４の導出方向を除いた３方向の端面に３ｍｍ幅の
Ｕ字形溝１０を設け、外部リード４の一部を除きエポキ
シ樹脂５で被覆する。放熱板のＵ字形溝１０と対応する
樹脂部には、２ｍｍ幅で且つ放熱板面に対して４５°の
角度を有するＵ字形状の挟持体跡５Ａを有している。製
造方法は第１の実施例と同様である。本第２の実施例で
はＵ字形溝１０を放熱板２の３方向の端部に設けてある
ため、放熱板の位置ずれをより少くすることができる。
る。半導体チップ１を搭載した金属製の放熱板２の外部
リード４の導出方向を除いた３方向の端面に３ｍｍ幅の
Ｕ字形溝１０を設け、外部リード４の一部を除きエポキ
シ樹脂５で被覆する。放熱板のＵ字形溝１０と対応する
樹脂部には、２ｍｍ幅で且つ放熱板面に対して４５°の
角度を有するＵ字形状の挟持体跡５Ａを有している。製
造方法は第１の実施例と同様である。本第２の実施例で
はＵ字形溝１０を放熱板２の３方向の端部に設けてある
ため、放熱板の位置ずれをより少くすることができる。
【００１６】図５（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施
例を説明するための半導体チップを搭載したリードフレ
ームの平面図と上金型及び下金型の斜視図であり、図６
は上記リードフレームと成形金型により形成された樹脂
封止型半導体装置のモールド内の透視図である。
例を説明するための半導体チップを搭載したリードフレ
ームの平面図と上金型及び下金型の斜視図であり、図６
は上記リードフレームと成形金型により形成された樹脂
封止型半導体装置のモールド内の透視図である。
【００１７】まず図５（ａ）に示すようにリードフレー
ムは、金属製の放熱板２上に半導体チップ１が半田等で
接着され、放熱板２から外部電極となる外部リード４Ａ
が導出されている。そして外部リード４Ａと並行に形成
された外部リード４は半導体チップ１の表面電極とアル
ミのワイヤ６で接続されている。又、外部リード４及び
４Ａは共通細条１２により接続されている。更に外部リ
ード４の導出方向と反対側の放熱板２の２つのコーナー
部には、それぞれ６０°の切り欠き部６が設けられてい
る。通常、放熱板２は共通細条１２により複数個接続さ
れている。
ムは、金属製の放熱板２上に半導体チップ１が半田等で
接着され、放熱板２から外部電極となる外部リード４Ａ
が導出されている。そして外部リード４Ａと並行に形成
された外部リード４は半導体チップ１の表面電極とアル
ミのワイヤ６で接続されている。又、外部リード４及び
４Ａは共通細条１２により接続されている。更に外部リ
ード４の導出方向と反対側の放熱板２の２つのコーナー
部には、それぞれ６０°の切り欠き部６が設けられてい
る。通常、放熱板２は共通細条１２により複数個接続さ
れている。
【００１８】成形金型は図５（ｂ），（ｃ）に示すよう
に、上金型１７Ａと下金型１７Ｂとに分かれている。上
金型１７Ａの矩形状のくぼみ１３Ａ内には、先端部が円
錐状の２本の固定ピン１４が設けられており、一方下金
型１７Ｂでは矩形状のくぼみ１３Ｂの２隅に放熱板２の
切り欠き部１１に対向する位置に傾斜稜１６を持つ四角
錐状の固定ブロック１５が設けられている。
に、上金型１７Ａと下金型１７Ｂとに分かれている。上
金型１７Ａの矩形状のくぼみ１３Ａ内には、先端部が円
錐状の２本の固定ピン１４が設けられており、一方下金
型１７Ｂでは矩形状のくぼみ１３Ｂの２隅に放熱板２の
切り欠き部１１に対向する位置に傾斜稜１６を持つ四角
錐状の固定ブロック１５が設けられている。
【００１９】この下金型１７Ｂ内に、放熱板２の切り欠
き部１１が傾斜稜１６に接するように置く。次で放熱板
２の表面上に上金型１７Ａを下金型１７Ｂに合わせて閉
じる。この時、放熱板２に横ずれ等があった場合でも下
金型１７Ｂの固定ブロック１５によって、放熱板２はず
れと反対方向に矯正され、キャビティ内の所定の位置に
精度よく固定される。最後に熱硬化性のエポキシ樹脂を
キャビティ内に注入し成形を完了する。
き部１１が傾斜稜１６に接するように置く。次で放熱板
２の表面上に上金型１７Ａを下金型１７Ｂに合わせて閉
じる。この時、放熱板２に横ずれ等があった場合でも下
金型１７Ｂの固定ブロック１５によって、放熱板２はず
れと反対方向に矯正され、キャビティ内の所定の位置に
精度よく固定される。最後に熱硬化性のエポキシ樹脂を
キャビティ内に注入し成形を完了する。
【００２０】このようにして製造された樹脂封止型半導
体装置は、図６に示したようにエポキシ樹脂３の表面に
は固定ピンの跡１８および固定ブロックの跡１９が形成
されている。本第３の実施例では固定ピン１４と固定ブ
ロック１５が放熱板２を点で支持しているため、放熱板
２の露出部が少くなり耐湿性を向上させることができ
る。
体装置は、図６に示したようにエポキシ樹脂３の表面に
は固定ピンの跡１８および固定ブロックの跡１９が形成
されている。本第３の実施例では固定ピン１４と固定ブ
ロック１５が放熱板２を点で支持しているため、放熱板
２の露出部が少くなり耐湿性を向上させることができ
る。
【００２１】図７（ａ），（ｂ）は本発明の第４の実施
例を説明するための上金型及び下金型の斜視図である。
上金型１７Ａにはバネにより支持され、パーティングラ
インより飛び出した先端部が円錐状の２本の固定ピン１
４Ａを有し、且つ金型端面に下金型とかみ合う傾斜凸部
１８が設けられている。上金型１７Ｂの矩形状のくぼみ
１３Ｂ内には、放熱板２の切り欠き部１１と対向する位
置に、金型のパーティングライン上まで傾斜稜１６Ａを
持つ四角錐状の固定ブロック１５Ａを有し且つ上金型１
７Ａの傾斜凸部１８に合致する形状を有している。
例を説明するための上金型及び下金型の斜視図である。
上金型１７Ａにはバネにより支持され、パーティングラ
インより飛び出した先端部が円錐状の２本の固定ピン１
４Ａを有し、且つ金型端面に下金型とかみ合う傾斜凸部
１８が設けられている。上金型１７Ｂの矩形状のくぼみ
１３Ｂ内には、放熱板２の切り欠き部１１と対向する位
置に、金型のパーティングライン上まで傾斜稜１６Ａを
持つ四角錐状の固定ブロック１５Ａを有し且つ上金型１
７Ａの傾斜凸部１８に合致する形状を有している。
【００２２】これらの成形金型を用いて樹脂封止する場
合は、まず下金型１７Ｂ内に図５（ａ）に示した放熱板
２の裏面を合わせて載置し、次に上金型１７Ａを閉じ
る。この時、放熱板２に横ずれ等があった場合でもバネ
支持の固定ピン１４Ａにより放熱板２は、下金型１７Ｂ
の固定ブロック１５Ａの傾斜稜１６Ａに沿って矯正さ
れ、金型が完全に閉じられた時にはキャビティ内の所定
の位置に固定される。
合は、まず下金型１７Ｂ内に図５（ａ）に示した放熱板
２の裏面を合わせて載置し、次に上金型１７Ａを閉じ
る。この時、放熱板２に横ずれ等があった場合でもバネ
支持の固定ピン１４Ａにより放熱板２は、下金型１７Ｂ
の固定ブロック１５Ａの傾斜稜１６Ａに沿って矯正さ
れ、金型が完全に閉じられた時にはキャビティ内の所定
の位置に固定される。
【００２３】この第４の実施例では固定ブロック１５Ａ
の傾斜稜１６Ａがパーティングライン上にまで形成され
ているため、放熱板２の横ずれが大きい場合でも、放熱
板２は金型にはさまれることなく矯正されるため第３の
実施例に比べ作業性が改善される。
の傾斜稜１６Ａがパーティングライン上にまで形成され
ているため、放熱板２の横ずれが大きい場合でも、放熱
板２は金型にはさまれることなく矯正されるため第３の
実施例に比べ作業性が改善される。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、放熱板の
少くとも一端に、樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止
するための溝または切り欠き部を設けることにより、樹
脂封止工程で成形金型内へ載置する放熱板の横方向の位
置ずれやねじれを金型に設けた挟持体または固定ブロッ
クにより修正できるため、樹脂中の放熱板の位置精度を
向上させることができる。従って放熱板の成形金型によ
るカジリや成形後の製品の放熱板側面の樹脂厚減少によ
る絶縁耐圧の低下を防止できる。又、樹脂側面と放熱板
側面のクリアランスを減少させ、裏面樹脂厚を薄くした
樹脂封止型半導体装置が得られるという効果もある。
少くとも一端に、樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止
するための溝または切り欠き部を設けることにより、樹
脂封止工程で成形金型内へ載置する放熱板の横方向の位
置ずれやねじれを金型に設けた挟持体または固定ブロッ
クにより修正できるため、樹脂中の放熱板の位置精度を
向上させることができる。従って放熱板の成形金型によ
るカジリや成形後の製品の放熱板側面の樹脂厚減少によ
る絶縁耐圧の低下を防止できる。又、樹脂側面と放熱板
側面のクリアランスを減少させ、裏面樹脂厚を薄くした
樹脂封止型半導体装置が得られるという効果もある。
【図１】本発明の第１の実施例の平面図及びＡ−Ａ線断
面図である。
面図である。
【図２】第１の実施例の樹脂封止工程を説明するための
金型の断面図である。
金型の断面図である。
【図３】金型内に形成した挟持体の斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施例の平面図である。
【図５】本発明の第３の実施例を説明するためのリード
フレームの平面図、上金型及び下金型の斜視図である。
フレームの平面図、上金型及び下金型の斜視図である。
【図６】第３の実施例により形成された樹脂封止型半導
体装置の透視図である。
体装置の透視図である。
【図７】本発明の第４の実施例を説明するための上金型
及び下金型の斜視図である。
及び下金型の斜視図である。
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置の平面図及びＢ−
Ｂ線断面図である。
Ｂ線断面図である。
【図９】従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程を
説明するための金型の断面図である。
説明するための金型の断面図である。
１ 半導体チップ ２ 放熱板 ３ エポキシ樹脂 ４ 外部リード ５ 挟持体跡 ６ ワイヤ ７Ａ，１７Ａ 上金型 ７Ｂ，１７Ｂ 下金型 ８ 挟持体 ９ Ｖ字形溝 １０ Ｕ字形溝 １１ 切り欠き部 １２ 共通細条 １３Ａ，１３Ｂ くぼみ １４，１４Ａ 固定ピン １５，１５Ａ 固定ブロック １６ 傾斜稜 １８ 傾斜凸部
Claims (3)
- 【請求項１】矩形状の放熱板と、この放熱板上に固着さ
れた半導体チップと、前記放熱板の周辺部に設けられ前
記半導体チップとワイヤにより接続された外部リード
と、前記放熱板と前記半導体チップと前記外部リードの
一部を封止する樹脂とを有する樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記外部リードの導出方向を除く前記放熱板の
少くとも一端面に、樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防
止するための溝を設けたことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項２】矩形状の放熱板と、この放熱板上に固着さ
れた半導体チップと、前記放熱板の周辺部に設けられ前
記半導体チップとワイヤにより接続された外部リード
と、前記放熱板と前記半導体チップと前記外部リードの
一部を封止する樹脂とを有する樹脂封止型半導体装置に
おいて、前記外部リードの導出方向を除く前記放熱板の
コーナー部に樹脂封止時の放熱板の位置ずれを防止する
ための切り欠き部を設けたことを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項３】矩形状の放熱板の一端の２つのコーナー部
に切り欠き部を設け、この放熱板上に半導体チップを搭
載し、放熱板の他端部に一体的に形成された外部リード
と前記半導体チップとをワイヤーにより接続し、矩形状
のくぼみの２隅の内側に放熱板の位置決め用の傾斜稜を
有する固定ブロックが設けられた下金型内に前記放熱板
の切り欠き部が傾斜稜に接するように置き、矩形状のく
ぼみ内に先端が円錐状の複数の固定ピンを有する上金型
をこの放熱板上に置き、これら金型内に樹脂を注入する
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2400418A JP2601033B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-12-05 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11269490 | 1990-10-26 | ||
| JP2-112694 | 1990-10-26 | ||
| JP2400418A JP2601033B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-12-05 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162550A JPH04162550A (ja) | 1992-06-08 |
| JP2601033B2 true JP2601033B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=26451799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2400418A Expired - Fee Related JP2601033B2 (ja) | 1990-10-26 | 1990-12-05 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2601033B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101649328B1 (ko) * | 2015-06-11 | 2016-08-18 | 김효성 | 암벽 굴착기와 이를 이용한 굴착방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6263944U (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | ||
| JPH0739241Y2 (ja) * | 1987-09-08 | 1995-09-06 | サンケン電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム |
| JPS6472546A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Kansai Nippon Electric | Semiconductor device |
| JPH01120344U (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | ||
| JPH0241446U (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-22 | ||
| JPH02152260A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止半導体装置およびそれの製造に用いる金型 |
| JPH02146449U (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-12 |
-
1990
- 1990-12-05 JP JP2400418A patent/JP2601033B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101649328B1 (ko) * | 2015-06-11 | 2016-08-18 | 김효성 | 암벽 굴착기와 이를 이용한 굴착방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04162550A (ja) | 1992-06-08 |
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