JPH0739241Y2 - 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム - Google Patents

樹脂封止型半導体装置用リードフレーム

Info

Publication number
JPH0739241Y2
JPH0739241Y2 JP1987136177U JP13617787U JPH0739241Y2 JP H0739241 Y2 JPH0739241 Y2 JP H0739241Y2 JP 1987136177 U JP1987136177 U JP 1987136177U JP 13617787 U JP13617787 U JP 13617787U JP H0739241 Y2 JPH0739241 Y2 JP H0739241Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
resin
positioning
positioning lead
support plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1987136177U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6441145U (ja
Inventor
定雄 吉田
晃 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanken Electric Co Ltd filed Critical Sanken Electric Co Ltd
Priority to JP1987136177U priority Critical patent/JPH0739241Y2/ja
Publication of JPS6441145U publication Critical patent/JPS6441145U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0739241Y2 publication Critical patent/JPH0739241Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、樹脂封止型パワートランジスタ等の樹脂封止
型半導体装置用のリードフレームに関する。
従来例 支持板の裏面側に薄い樹脂層を形成して支持板全体を封
止樹脂で被覆した構造の樹脂封止型半導体装置が公知と
なっている。この種の半導体装置では、支持板の裏面側
の樹脂層を薄くかつ均一に形成する必要がある。従来の
樹脂封止型半導体装置は、例えば、第5図及び第6図に
示すように、支持板1と、支持板1の一端に形成された
連結外部リード2と、支持板1の他端に連結された位置
決めリード3と、非連結外部リード4と、複数の並行な
連結外部リード2及び非連結外部リード4を並行に連結
するタイバー5及び連結細条6と、複数の位置決めリー
ド3を並行に連結する連結細条7とを有するリードフレ
ーム8を使用して製造される。
リードフレーム8は、肉厚部分と肉薄部分とから成る板
状の銅材を打ち抜き加工する一連のプレス成形工程によ
り一体的に形成される。支持板1は他の部分より肉厚と
なっており放熱板を兼ねている。但し、第6図に示すよ
うに、位置決めリード3が連結される側の端部は肉薄部
1bとなっており、支持板1の裏面、即ち半導体チップ9
が固着される主面1aと反対側の面には段差部10が形成さ
れている。また、支持板1にはネジ挿入用貫通孔11が形
成される。連結外部リード2及び非連結外部リード4は
それぞれ支持板1側が幅広、先端部が幅狭となってい
る。なお、幅広部に設けられたボンディングパッド12に
は図示の如くリード細線13が接続される。
位置決めリード3は、支持板1の連結外部リード2と反
対側の端部において肉薄部1bに連結されており、肉薄部
1bと同一の肉厚となっている。また、位置決めリード3
の支持板1の近傍部分には小断面積部14が形成されてい
る。位置決めリード3の一方の主面3aは半導体チップ9
を固着した支持板1の主面1aと同一の平面上にある。実
際のリードフレーム8は複数個の支持板1が並行に連結
された多素子取りのリードフレームであるが、第5図で
はその1素子分のみを示す。
リードフレーム8は、周知のトランファモールド法によ
り点線で示す樹脂封止体15が形成される。支持板1は、
連結外部リード2と位置決めリード3を一対の成形金型
で挟持することにより、上型と下型との間に所定の間隙
を形成した状態で支持される。ここで、支持板1と下型
との間の間隙は1mm以下で、支持板1と上型との間の間
隙に比べて十分に小さい。この状態で、溶融樹脂を成形
金型の成形空所内に圧入し樹脂封止体15を形成する。溶
融樹脂の注入の際、支持板1の裏面と成形金型との間の
間隙に融解樹脂が充填され、支持板の裏面側に薄い樹脂
層を良好に形成できる。
樹脂封止体15の固化後、熱処理等の所定の工程を経て、
位置決めリード3は引張力を導出方向に加えることによ
り最小断面積部14にて破断される。即ち、位置決めリー
ド3の最小断面積部14と支持板1の間を残して、位置決
めリード3の大部分が連結細条7と共に除去される。そ
の後で、タイバー5及び連結細条6がプレス加工によ
り、切断除去される。引張力によって破断された位置決
めリード3の破断面は、樹脂封止体15の内部に位置する
ので、優れた絶縁耐圧の樹脂封止型半導体装置が得られ
る。
考案が解決すべき問題点 また、従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレームで
は、位置決めリード3の破断を容易に行うため、第5図
に示すように、切欠部16を設けて小断面積部14を形成し
ている。ところが、切欠部16を単に設けた形状では、破
断に予想以上に大きな引張り力を必要として位置決めリ
ード3から半導体チップ9側へ伝達される衝撃力が大き
くなってしまうことがある。このため、樹脂封止体15が
位置決めード3の残部近傍から剥離したり、位置決めリ
ード3を引抜いた付近で樹脂封止体15にクラックが生じ
ることがある。この場合、封止効果が損なわれて耐湿性
等が低下し、信頼性の低い半導体装置となる。また、位
置決めリード3の破断部にバリが発生しやすいし、破断
部の位置ずれも起こりやすいという欠点があった。位置
決めリード3の破断部にバリや位置ずれが発生すると、
破断位置が正確に定まらないことになり、所望の絶縁耐
圧が得られないことがある。そこで、これらの欠点を解
消するため、小断面積部14の断面積を更に小さくするこ
とが考えられる。しかし、小断面積部14の幅を単純に細
くし過ぎると、成形金型内で位置決めリード3が支持板
1を支持する力が低下したり、搬送時に僅かな外力が加
わったとき、小断面積部14で位置決めリード3が折れ曲
ることがあり、後工程に支障を来した。
特開昭61-56420号公報には、位置決めリードに孔を設け
て小断面積部を形成した構造が開示されている。しか
し、この構造でも、上述のように、信頼性低下が生じや
すく、絶縁耐圧低下の問題に対しても十分な解決策とは
ならない。また、前記公報には位置決めリードの厚み方
向に溝を設けた小断面積部形状が開示されている。しか
し、この小断面積部形状も上記と同様の欠陥が生じた。
そこで、本考案は上記問題を解決した樹脂封止型半導体
装置用リードフレームを提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 本考案による樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
は、放熱板を兼ねる複数の支持板と、支持板の各々の一
端から導出された外部リードと、支持板の他端から導出
された位置決めリードとを備えている。位置決めリード
には引張による破断が可能な小断面積部が形成される。
この樹脂封止型半導体装置用リードフレームの小断面積
部は、位置決めリードの対向する両縁部に設けられた一
対のくさび形状の切欠部と、一対の切欠部が対向する領
域において対向する切欠部の頂点を結ぶ線分にその直径
が合致するように位置決めリードの厚さ方向に形成され
た貫通孔と、一対の切欠部と貫通孔とを結ぶように前記
線分に沿って位置決めリードの少なくとも一方の主面に
形成された溝とを備えている。位置決めリードの端部を
包囲する円弧状の溝が支持板の主面に形成されている。
作用 くさび形状の切欠部は位置決めリードの周辺に形成され
た樹脂封止体でのクラックの発生を防止して、位置決め
リードの引張破断を可能にする。孔は対向する切欠部と
の間に等しい幅を有する一対の小断面部を形成する。こ
のため、位置決めリードの支持板を保持する作用を損な
わずに引張破断の可能な小断面積部が形成される。ま
た、切欠部が形成されないと、大きな径の孔を必要とし
て、位置決めリードの支持板を保持する作用が損なわ
れ、破断部が位置決めリードの長さ方向にずれ易い。更
に、孔と両端切欠部の間に形成される溝により、小断面
積部に引張破断力が良好に伝達され、切欠部の作用と相
俟って破断部にバリが生じることを防止する。このよう
に、位置決めリードの小断面積部の形状は位置決めリー
ドの幅、厚み及び長さの三方向から決定され、破断力を
集中させるのに最適な小断面積部を形成する。
また、位置決めリードの端部を包囲する円弧状の溝が支
持板の主面に形成されるので、引張破断力の半導体チッ
プへの影響を緩和するとともに、支持板と樹脂封止体と
の密着力を向上すると共に、小断面積部とともに樹脂封
止体の剥離及びクラックの発生を防止することができ
る。
実施例 以下、本考案の実施例を第1図〜第4図について説明す
る。これらの図面では、第5図及び第6図に示す箇所と
同一の部分については同一の符号を付し、説明を省略す
る。
まず、第2図及び第3図は本考案の一実施例の樹脂封止
型半導体装置用リードフレーム20を示す。
本実施例のリードフレーム20の従来例と異なる点は、位
置決めリード3の小断面積部21の形状にある。即ち、本
実施例のリードフレーム20の小断面積部21は、第1図に
拡大して示すように、位置決めリード3の対向する両縁
部3b、3cに設けられた一対の切欠部22、23と、一対の切
欠部22、23が対面する領域において、位置決めリード3
の厚さ方向に貫通する孔24と、位置決めリード3の一方
の主面3a側と反対側の主面において、切欠部22、23が対
面する領域に形成された溝25により形成される。切欠部
22、23は、位置決めリード3の支持板1の近傍部分にお
いて略左右対称のくさび形状で形成される。
位置決めリード3の厚さ方向に貫通する孔24は、その中
心部が両端の切欠部22、23の先端部分を結んだ線と位置
決めリード3の導出方向の中心線との交点に位置するよ
うに設けられる。従って、孔24は、位置決めリード3の
最小断面積部21を更に減少すると共に、最小断面積部21
を左右に分割する。溝25は、60°〜90°の角度で形成さ
れたV字状の断面形状を有し、縁部3b側の孔24の端部と
切欠部22の先端を結ぶ線上と、縁部3c側の孔24の端部と
切欠部23の先端を結んだ線上に設けられている。即ち、
溝25は孔24により左右に分割された最小断面積部21に設
けられている。なお、溝25の延在する方向は位置決めリ
ード3が導出される方向と垂直な方向となっている。
切欠部22、23、孔24及び溝25はリードフレーム20を形成
するための一連のプレス成形工程内で形成されるが、孔
24は位置決めリード3の形成前に設けるとよい。これ
は、位置決めリード3の形成後に孔24を形成すると、孔
24の形成により位置決めリード3に変形が生ずるからで
ある。
本実施例のリードフレーム20は、支持板1に半導体チッ
プ9が半田(図示せず)にて固着され、周知のワイヤボ
ンディング工程等を経た後、従来例と同様に成形用型で
連結外部リード2と位置決めリード3を挟持しつつトラ
ンスファモールドを行う。第4図は本実施例のリードフ
レーム20を使用した樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体
15を形成した後の状態を示す。樹脂封止体15は半導体チ
ップ9を含む支持板1の全面と、連結外部リード2、位
置決めリード3及び非連結外部リード4の端部を被覆し
ており、小断面積部21は樹脂封止体15の内部に位置して
いる。なお、15aはネジ挿入用孔である。
個々の樹脂封止型半導体装置は、位置決めリード3を連
結細条7とともに破断により除去し、更にタイバー5及
び連結細条6をプレス加工により切断除去してリードフ
レーム20から分離される。
本実施例の小断面積部21は、切欠部22、23、孔24及び溝
25により位置決めリード3の幅・厚み・長さの三方向全
てで正確に破断位置が決定されるように設けられてい
る。従って、破断部が同じ断面積であっても、切欠部、
貫通する孔、溝を単独で又は2個を組合せて設けた場合
よりも破断力が小断面積部21に集中的にかつ効果的に加
わるので、従来のように破断によって位置決めリード3
の破断部に問題視される程のバリや位置ずれが生じるこ
とはなかった。樹脂封止体15の剥離及びクラックの発生
による特性劣化、信頼性低下及び外観不良も認められな
かった。本実施例では、溝25が位置決めリード3の一方
の主面3a側と反対側の主面に形成されているので、絶縁
耐圧が更に増加した樹脂封止型半導体装置を提供でき
る。例えば、樹脂封止体15に外部放熱体を装着した場
合、外部放熱体と位置決めリード3の破断面との沿面距
離(樹脂封止体15に沿っての最短距離)が樹脂封止型半
導体装置と外部放熱体との絶縁耐圧を決定する一つの大
きな要因となる。したがって、位置決めリード3の破断
面は樹脂封止体15のなるべく内側に位置させるのが望ま
しい。しかし、破断面を内側にするにも設計上限度があ
る。そこで本実施例のように、溝25を位置決めリード3
の反対側の主面(外部放熱体側の主面)に設けた場合、
破断位置を変えることなく沿面距離を増加することが可
能である。なお、孔24の内部及び溝25には樹脂封止体15
の一部が充足されている。また、本実施例においては支
持板1の位置決めリード3側の端部に、位置決めリード
3の導出する方向と略直交する成分を有する円弧状の溝
26が主面1aに形成されている。溝26は支持板1と位置決
めリード3の境界部を略包囲するように設けられてい
る。溝26は位置決めリード3の引き抜き応力の半導体チ
ップ9への影響を緩和するとともに、支持板1と樹脂封
止体15との密着性を高め、上記の小断面積部21に加えて
より効果的に樹脂封止体15の剥離及びクラックの発生を
防止する。
変形例 上記実施例では、溝25は位置決めリード3の主面3aと反
対側の主面に設けた例を示したが、位置決めリード3の
主面3a側又は両主面側に設けてもよい。小断面積部21は
位置決めリード3と支持板1の境界部に設けることも可
能である。更に、孔24の形状は円形に限られず、三角
形、菱形等種々の形状に形成することができる。
また、実施例においては位置決めリード3を引張りによ
って破断した例を示したが、位置決めリードを折り曲げ
と引張りとを併用して破断する場合にも本考案は有効で
ある。溝26は、支持板1の位置決めリード3側の端部に
沿って連結細条7と平行するように形成された直線状の
ものであってもよい。
考案の効果 本考案は樹脂封止型半導体装置用リードフレームは、上
述のように位置決めリードの引き抜きによる破断を行っ
た場合、残部側の位置決めリードにバリが生じたり、破
断位置がずれたり、樹脂封止体の剥離が生じたり、樹脂
封止体にクラックが生じたりすることがない。従って、
信頼性及び絶縁耐圧に優れた樹脂封止型半導体装置を提
供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案による樹脂封止型半導体装置用リードフ
レームの位置決めリードの裏面を拡大して示す部分的斜
視図、第2図はこのリードフレームの平面図、第3図は
第2図のI−I線に沿う断面図、第4図はこのリードフ
レームに封止樹脂体を形成した状態を示す斜視図、第5
図は従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレームの平
面図で、第6図は第5図のII-II線に沿う断面図であ
る。 1……支持板、1a…主面,2、4……外部リード、3……
位置決めリード、20……リードフレーム、21……小断面
積部、3a……主面、3b、3c……縁部、22、23……切欠
部、24……孔、25……溝、26……溝

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】放熱板を兼ねる複数の支持板と、該支持板
    の各々の一端から導出された外部リードと、前記支持板
    の他端から導出された位置決めリードとを備え、前記位
    置決めリードには引張による破断が可能な小断面積部が
    形成された樹脂封止型半導体装置用リードフレームにお
    いて、 前記小断面積部は、前記位置決めリードの対向する両縁
    部に設けられた一対のくさび形状の切欠き部と、該一対
    の切欠部が対向する領域において前記対向する切欠部の
    頂点を結ぶ線分にその直径が合致するように前記位置決
    めリードの厚さ方向に形成された貫通孔と、前記一対の
    切欠部と前記貫通孔とを結ぶように前記線分に沿って前
    記位置決めリードの少なくとも一方の主面に形成された
    溝とを備え、 前記位置決めリードの端部を包囲する円弧状の溝が前記
    支持板の主面に形成されていることを特徴とする樹脂封
    止型半導体装置用リードフレーム。
JP1987136177U 1987-09-08 1987-09-08 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム Expired - Lifetime JPH0739241Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987136177U JPH0739241Y2 (ja) 1987-09-08 1987-09-08 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987136177U JPH0739241Y2 (ja) 1987-09-08 1987-09-08 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6441145U JPS6441145U (ja) 1989-03-13
JPH0739241Y2 true JPH0739241Y2 (ja) 1995-09-06

Family

ID=31396440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1987136177U Expired - Lifetime JPH0739241Y2 (ja) 1987-09-08 1987-09-08 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0739241Y2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2538407B2 (ja) * 1990-09-25 1996-09-25 三洋電機株式会社 表面実装型半導体装置
JP2601033B2 (ja) * 1990-10-26 1997-04-16 日本電気株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP5824876B2 (ja) 2011-05-30 2015-12-02 セイコーエプソン株式会社 物理量検出器の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5653556U (ja) * 1979-10-01 1981-05-11
JPS6156420A (ja) * 1984-07-31 1986-03-22 Sanken Electric Co Ltd 樹脂封止形半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6441145U (ja) 1989-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10490486B2 (en) Semiconductor device
US7408251B2 (en) Semiconductor packaging device comprising a semiconductor chip including a MOSFET
JPH0774195A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2000294715A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JPH0739241Y2 (ja) 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
JP4413054B2 (ja) 混成集積回路装置の製造方法
JPH0254665B2 (ja)
JPH0617249U (ja) 半導体装置
JP2001217371A (ja) 樹脂パッケージ型半導体装置
JPH0563937B2 (ja)
JPH0563936B2 (ja)
JPS6237955A (ja) リ−ドフレ−ム
JPS61267333A (ja) 半導体装置
JPH01315147A (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
JPH11186447A (ja) 樹脂封止半導体装置、その製造方法及びその製造装置
JPH0741165Y2 (ja) 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
JPH0194629A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS58124256A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0528778Y2 (ja)
JPH0249445A (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
JPH0249444A (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
JPH0451974B2 (ja)
JPH0824156B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH0744194B2 (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
JPS60128645A (ja) 絶縁型パワートランジスタの製造方法