JPH0563936B2 - - Google Patents
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- JPH0563936B2 JPH0563936B2 JP4237791A JP4237791A JPH0563936B2 JP H0563936 B2 JPH0563936 B2 JP H0563936B2 JP 4237791 A JP4237791 A JP 4237791A JP 4237791 A JP4237791 A JP 4237791A JP H0563936 B2 JPH0563936 B2 JP H0563936B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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-
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】 本発明は、樹脂封止形半
導体装置、特に短絡事故が少なくかつ製造が容易
な樹脂封止形半導体装置の製造方法に関連する。
導体装置、特に短絡事故が少なくかつ製造が容易
な樹脂封止形半導体装置の製造方法に関連する。
【0002】
【従来の技術】 従来、一般的な電力用樹脂封止
形半導体装置においては、半導体チツプが接着さ
れた支持板の裏面には封止用樹脂が形成されてい
ない。このため、この半導体装置を外部放熱体に
取付けるに際しては、外部放熱体との間に絶縁シ
ートを介在させる必要があり、作業が煩雑になつ
た。そこで、支持板の裏面にも封止用樹脂を形成
する方法が提案された。このような樹脂封止技術
は、例えば、特開昭57−178352号公報や特開昭58
−143538号公報で開示されている。すなわち、リ
ードフレームの一部を構成する支持板上に半導体
チツプを電気伝導可能に接着したのち、半導体チ
ツプは細線で外部リードと接続される。次に、リ
ードフレームは金型に装着され、キヤビテイ内に
融解樹脂が圧入される。このとき、キヤビテイ内
で支持板が移動しないように、支持板の各側部に
連結された外部リードと細条が金型で把持され
る。溶融樹脂が固化したのち、リードフレームが
金型から取外され、リードフレームの所定部分が
切断される。特開昭57−178352号では、細条を折
り曲げて切断するために、封止用樹脂の外面をま
たぐようにして細条に小断面部を形成している。
形半導体装置においては、半導体チツプが接着さ
れた支持板の裏面には封止用樹脂が形成されてい
ない。このため、この半導体装置を外部放熱体に
取付けるに際しては、外部放熱体との間に絶縁シ
ートを介在させる必要があり、作業が煩雑になつ
た。そこで、支持板の裏面にも封止用樹脂を形成
する方法が提案された。このような樹脂封止技術
は、例えば、特開昭57−178352号公報や特開昭58
−143538号公報で開示されている。すなわち、リ
ードフレームの一部を構成する支持板上に半導体
チツプを電気伝導可能に接着したのち、半導体チ
ツプは細線で外部リードと接続される。次に、リ
ードフレームは金型に装着され、キヤビテイ内に
融解樹脂が圧入される。このとき、キヤビテイ内
で支持板が移動しないように、支持板の各側部に
連結された外部リードと細条が金型で把持され
る。溶融樹脂が固化したのち、リードフレームが
金型から取外され、リードフレームの所定部分が
切断される。特開昭57−178352号では、細条を折
り曲げて切断するために、封止用樹脂の外面をま
たぐようにして細条に小断面部を形成している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】 しかし、細条
の切断面が封止用樹脂の外面に露出することには
変わりない。そこで、特開昭58−143538号では、
図９に示す通り、切断後の封止用樹脂の外面５０
から突出した細条端部を化学エツチング等の方法
により除去し、封止用樹脂の外面５０から窪む位
置５１に細条の先端を形成していた。しかしこの
方法は、細条の一部を除去する付加的工程が必要
となりコストアツプを招いた。しかも所望の化学
エツチング等を量産的に行うこと自体に新たな技
術を要するので、実用的とは言い難い。
の切断面が封止用樹脂の外面に露出することには
変わりない。そこで、特開昭58−143538号では、
図９に示す通り、切断後の封止用樹脂の外面５０
から突出した細条端部を化学エツチング等の方法
により除去し、封止用樹脂の外面５０から窪む位
置５１に細条の先端を形成していた。しかしこの
方法は、細条の一部を除去する付加的工程が必要
となりコストアツプを招いた。しかも所望の化学
エツチング等を量産的に行うこと自体に新たな技
術を要するので、実用的とは言い難い。
【0004】 そこで、本発明では上記問題を解決す
る樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
る樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】 本発明の樹脂封
止形半導体装置の製造方法によれば、支持板と、
支持板の一端に連結された外部リードと、支持板
の他端に連結された細条とを有し、支持板の他端
側から順番に細条には第１の小断面部と第２の小
断面部が形成され、支持板上に半導体チツプが載
置されたリードフレームを用意する工程と、細条
の第１の小断面部と第２の小断面部を成形用型の
キヤビテイ形成面から所定距離だけ内側に離間さ
せてリードフレームを成形用型に装着する工程
と、成形用型のキヤビテイ内に封止用樹脂を圧入
する工程と、細条にその導出方向への引張力を作
用させて、細条を第２の小断面部で破断する工程
とを含む。
止形半導体装置の製造方法によれば、支持板と、
支持板の一端に連結された外部リードと、支持板
の他端に連結された細条とを有し、支持板の他端
側から順番に細条には第１の小断面部と第２の小
断面部が形成され、支持板上に半導体チツプが載
置されたリードフレームを用意する工程と、細条
の第１の小断面部と第２の小断面部を成形用型の
キヤビテイ形成面から所定距離だけ内側に離間さ
せてリードフレームを成形用型に装着する工程
と、成形用型のキヤビテイ内に封止用樹脂を圧入
する工程と、細条にその導出方向への引張力を作
用させて、細条を第２の小断面部で破断する工程
とを含む。
【0006】
【作 用】 本発明によれば、封止用樹脂の内側
で細条を破断して、細条の破断部と外部放熱体と
の沿面距離を増加できるので、樹脂封止形半導体
装置の絶縁耐圧が向上し、接触事故を防止するこ
とができる。また、破断部となる第２の小断面部
と支持板との間に形成された第１の小断面部は、
細条の引張り破断時に細条を通じて半導体装置内
部に伝達される外力を減衰させて、支持板及び封
止用樹脂に生じる応力を有効に緩和する。
で細条を破断して、細条の破断部と外部放熱体と
の沿面距離を増加できるので、樹脂封止形半導体
装置の絶縁耐圧が向上し、接触事故を防止するこ
とができる。また、破断部となる第２の小断面部
と支持板との間に形成された第１の小断面部は、
細条の引張り破断時に細条を通じて半導体装置内
部に伝達される外力を減衰させて、支持板及び封
止用樹脂に生じる応力を有効に緩和する。
【0007】
【実施例】 以下図面について、本発明の実施例
を説明する。 本発明で製造される樹脂封止形半導体装置は、
図１に示すリードフレーム１から作られる。リー
ドフレーム１は支持板３を有し、支持板３の一方
の主面にトランジスタチツプ等の半導体チツプ２
が半田付けされる。半導体チツプ２は、必要に応
じて保護コート４を形成するシリコン樹脂で被覆
される。支持板３には、コレクタリード５が一体
形成される。コレクタリード５は、ベースリード
６とエミツタリード７と共に外部リードと総称さ
れ、タイバー８及び共通細条９により直角方向に
連結される。ベースリード６とエミツタリード７
は、それぞれアルミニウム線１０，１１により半
導体チツプ２の所定位置へ接続される。
を説明する。 本発明で製造される樹脂封止形半導体装置は、
図１に示すリードフレーム１から作られる。リー
ドフレーム１は支持板３を有し、支持板３の一方
の主面にトランジスタチツプ等の半導体チツプ２
が半田付けされる。半導体チツプ２は、必要に応
じて保護コート４を形成するシリコン樹脂で被覆
される。支持板３には、コレクタリード５が一体
形成される。コレクタリード５は、ベースリード
６とエミツタリード７と共に外部リードと総称さ
れ、タイバー８及び共通細条９により直角方向に
連結される。ベースリード６とエミツタリード７
は、それぞれアルミニウム線１０，１１により半
導体チツプ２の所定位置へ接続される。
【0008】 支持板３には、コレクタリード５に対
して反対側へ伸びる一体の細条１２，１３が一体
に成形される。外部リード及び細条１２，１３は
支持板３よりも肉薄に形成されている。また、細
条１２，１３の下面と支持板３の下面との間には
段差部２７が形成されている。各細条１２，１３
の外端は、共通細条１４により直角方向で互いに
連結される。後工程で形成される鎖線１５で示す
封止用樹脂の端面１６から所定距離だけ内側に離
れた位置の各細条１２，１３にはそれぞれ第１の
小断面部１７ａ，１８ａと第２の小断面部１７
ｂ，１８ｂが設けられる。小断面部１７ａ，１７
ｂ，１８ａ，１８ｂは、後述の通り、種々の形状
のものを選択できるが、本実施例では第１の小断
面部１７ａ，１８ａを線状の切込（溝）で形成
し、第２の小断面部１７ｂ，１８ｂを内側に先細
のテーパーで形成した。第２の小断面部１７ｂ，
１８ｂは第１の小断面部１７ａ，１８ａよりも支
持板３から離間した位置に配設されており、細条
の切断時に引張の応力が強く集中する部分とな
る。
して反対側へ伸びる一体の細条１２，１３が一体
に成形される。外部リード及び細条１２，１３は
支持板３よりも肉薄に形成されている。また、細
条１２，１３の下面と支持板３の下面との間には
段差部２７が形成されている。各細条１２，１３
の外端は、共通細条１４により直角方向で互いに
連結される。後工程で形成される鎖線１５で示す
封止用樹脂の端面１６から所定距離だけ内側に離
れた位置の各細条１２，１３にはそれぞれ第１の
小断面部１７ａ，１８ａと第２の小断面部１７
ｂ，１８ｂが設けられる。小断面部１７ａ，１７
ｂ，１８ａ，１８ｂは、後述の通り、種々の形状
のものを選択できるが、本実施例では第１の小断
面部１７ａ，１８ａを線状の切込（溝）で形成
し、第２の小断面部１７ｂ，１８ｂを内側に先細
のテーパーで形成した。第２の小断面部１７ｂ，
１８ｂは第１の小断面部１７ａ，１８ａよりも支
持板３から離間した位置に配設されており、細条
の切断時に引張の応力が強く集中する部分とな
る。
【0009】 なお、図１ではトランジスタ１個分の
支持板３、外部リード及び細条１２，１３を有す
るリードフレーム１を示すが、実際には、多数の
支持板、外部リード及び細条がタイバー８と共通
細条９，１４により並行に支持された金属製リー
ドフレームが使用される。
支持板３、外部リード及び細条１２，１３を有す
るリードフレーム１を示すが、実際には、多数の
支持板、外部リード及び細条がタイバー８と共通
細条９，１４により並行に支持された金属製リー
ドフレームが使用される。
【0010】 リードフレームは、図２及び図３に示
す金型１９内に装着される。図２はコレクタリー
ド５の中心線に沿う断面を示し、図３は細条１３
の中心線に沿う断面を示す。金型１９は下型２０
と上型２１とで構成され、リードフレーム１を収
容するキヤビテイ２２を形成する。第１及び第２
の小断面部１７ａ，１８ａ，１７ｂ，１８ｂは金
型のキヤビテイ形成面から内側に配置される。
す金型１９内に装着される。図２はコレクタリー
ド５の中心線に沿う断面を示し、図３は細条１３
の中心線に沿う断面を示す。金型１９は下型２０
と上型２１とで構成され、リードフレーム１を収
容するキヤビテイ２２を形成する。第１及び第２
の小断面部１７ａ，１８ａ，１７ｂ，１８ｂは金
型のキヤビテイ形成面から内側に配置される。
【0011】 上述の通り金型１９にリードフレーム
１を装着したのち、キヤビテイ２２内に熱硬化性
の融解エポキシ樹脂が公知のトランスフアモール
ド法によりゲート（図示せず）から圧入され、支
持板３を含むリードフレーム１の一部分が樹脂１
５により封止される。
１を装着したのち、キヤビテイ２２内に熱硬化性
の融解エポキシ樹脂が公知のトランスフアモール
ド法によりゲート（図示せず）から圧入され、支
持板３を含むリードフレーム１の一部分が樹脂１
５により封止される。
【0012】 樹脂１５が固化したのち、図４に示す
リードフレーム１を金型１９から取出す。次に、
樹脂１５から導出された細条１２，１３を導出方
向に引張ることにより、細条１２，１３を第２の
小断面部７２ｂ，１８ｂで切断し、共通細条１
２，１３の一部を除去する。その後、各外部リー
ドを連結するタイバー８と共通細条９もプレス切
断により除去する。このように製造した半導体装
置の１例を図５に示す。細条１２，１３が導出さ
れていた樹脂１５に孔２３，２４が形成される。
本出願人は本発明による製造方法で実際に樹脂封
止形半導体装置を製造したが、孔２３，２４の形
状は細条１２，１３が抜けた後にほぼ等しく形成
された。また、細条１２，１３は支持板３よりも
肉薄に形成されており、第２の小断面部１７ｂ，
１８ｂの断面積は十分に小さいから、細条１２，
１３は引張りによつて容易に破断することができ
る。また、引抜き破断時に第１の小断面部１７
ａ，１８ａがわずかではあるが伸びることによつ
て、引抜き破断時に支持板側に伝達される強い引
張応力を緩和することができる。このため、孔２
３，２４の周辺の樹脂１５に特性変動または外観
不良の点で実用上問題にすべきクラツク、そり等
の異常は全く発生せず、半導体チツプ２の特性低
下等も生じなかつた。
リードフレーム１を金型１９から取出す。次に、
樹脂１５から導出された細条１２，１３を導出方
向に引張ることにより、細条１２，１３を第２の
小断面部７２ｂ，１８ｂで切断し、共通細条１
２，１３の一部を除去する。その後、各外部リー
ドを連結するタイバー８と共通細条９もプレス切
断により除去する。このように製造した半導体装
置の１例を図５に示す。細条１２，１３が導出さ
れていた樹脂１５に孔２３，２４が形成される。
本出願人は本発明による製造方法で実際に樹脂封
止形半導体装置を製造したが、孔２３，２４の形
状は細条１２，１３が抜けた後にほぼ等しく形成
された。また、細条１２，１３は支持板３よりも
肉薄に形成されており、第２の小断面部１７ｂ，
１８ｂの断面積は十分に小さいから、細条１２，
１３は引張りによつて容易に破断することができ
る。また、引抜き破断時に第１の小断面部１７
ａ，１８ａがわずかではあるが伸びることによつ
て、引抜き破断時に支持板側に伝達される強い引
張応力を緩和することができる。このため、孔２
３，２４の周辺の樹脂１５に特性変動または外観
不良の点で実用上問題にすべきクラツク、そり等
の異常は全く発生せず、半導体チツプ２の特性低
下等も生じなかつた。
【0013】 図６に示すように、細条１３の端面２
５は、樹脂の端面１６より長さl1（キヤビテイ形
成面と第２の小断面部１７ｂ，１８ｂとの間隔に
相当）だけ内側に窪み、そこに孔２４が形成され
る。また、細条１２，１３は支持板３との間に段
差部２７が形成されて上方に偏位しているので、
支持板３の下面側の樹脂１５を図３に示すように
肉薄に形成しても細条１２，１３の外部放熱体か
らの高さl2を大きくとれる。結果として、細条１
２，１３から外部放熱体２６までの沿面距離l0は
l0＝l1＋l2と長くなり、絶縁不良が防止される。
更に、孔２３，２４が小さいため、他の素子、キ
ヤビネツト又は人体等を含む周囲と細条１２，１
３の接触による短絡事故も防止される。孔２３，
２４には、絶縁不良を完全に防止するため、樹脂
を充填してもよい。しかし、この樹脂を充填しな
くても実用上は問題はない。また、放熱性の点に
おいても、支持板３が細条１２，１３に比べて肉
厚に形成されているし、支持板３の下面側の樹脂
１５を肉薄に形成することができるから、支持板
３の下面が露出したタイプの半導体装置と同等の
放熱効果を期待できる。
５は、樹脂の端面１６より長さl1（キヤビテイ形
成面と第２の小断面部１７ｂ，１８ｂとの間隔に
相当）だけ内側に窪み、そこに孔２４が形成され
る。また、細条１２，１３は支持板３との間に段
差部２７が形成されて上方に偏位しているので、
支持板３の下面側の樹脂１５を図３に示すように
肉薄に形成しても細条１２，１３の外部放熱体か
らの高さl2を大きくとれる。結果として、細条１
２，１３から外部放熱体２６までの沿面距離l0は
l0＝l1＋l2と長くなり、絶縁不良が防止される。
更に、孔２３，２４が小さいため、他の素子、キ
ヤビネツト又は人体等を含む周囲と細条１２，１
３の接触による短絡事故も防止される。孔２３，
２４には、絶縁不良を完全に防止するため、樹脂
を充填してもよい。しかし、この樹脂を充填しな
くても実用上は問題はない。また、放熱性の点に
おいても、支持板３が細条１２，１３に比べて肉
厚に形成されているし、支持板３の下面側の樹脂
１５を肉薄に形成することができるから、支持板
３の下面が露出したタイプの半導体装置と同等の
放熱効果を期待できる。
【0014】 図７及び図８は細条の小断面部の変形
例の一例を示す。図７の例では、引張力に対向す
る肩部３１を第１の小断面部としている。
例の一例を示す。図７の例では、引張力に対向す
る肩部３１を第１の小断面部としている。
【0015】 図８は細条１３に加えられる引張力に
対向する力を更に強化するため、樹脂が充填され
る孔３５を第１の小断面部として形成している。
その他、第２の小断面部１７ｂ，１８ｂを形成す
るテーパの外側部分を樹脂の耐面１６よりも外側
まで伸ばしても良い。勿論、破断部となる第２の
小断面部１７ｂ，１８ｂを孔などで、形成するこ
ともできる。
対向する力を更に強化するため、樹脂が充填され
る孔３５を第１の小断面部として形成している。
その他、第２の小断面部１７ｂ，１８ｂを形成す
るテーパの外側部分を樹脂の耐面１６よりも外側
まで伸ばしても良い。勿論、破断部となる第２の
小断面部１７ｂ，１８ｂを孔などで、形成するこ
ともできる。
【0016】 なお、上記実施例ではトランジスタに
ついて説明したが、この説明はダイオード、サイ
リスタ等他の半導体装置にも応用できることは明
らかである。
ついて説明したが、この説明はダイオード、サイ
リスタ等他の半導体装置にも応用できることは明
らかである。
【0017】
【発明の効果】 上述のように、本発明の樹脂封
止形半導体装置の製造方法によれば、細条の破断
部が封止用樹脂の外周面よりも内側に位置する。
したがつて、細条の破断部と外部放熱体との沿面
距離を増加して、絶縁耐圧を向上すると共に、細
条の破断部の接触による短絡事故を防止すること
ができる。更に破断部となる第２の小断面部と支
持板との間に形成した第１の小断面部によつて細
条の引張時に生じる応力を有効に緩和し、樹脂の
割れやチツプの特性低下を抑制することができ
る。
止形半導体装置の製造方法によれば、細条の破断
部が封止用樹脂の外周面よりも内側に位置する。
したがつて、細条の破断部と外部放熱体との沿面
距離を増加して、絶縁耐圧を向上すると共に、細
条の破断部の接触による短絡事故を防止すること
ができる。更に破断部となる第２の小断面部と支
持板との間に形成した第１の小断面部によつて細
条の引張時に生じる応力を有効に緩和し、樹脂の
割れやチツプの特性低下を抑制することができ
る。
【図１】本発明による樹脂封止形半導体装置の製
造方法に使用するリードフレームの平面図
造方法に使用するリードフレームの平面図
【図２】リードフレームを金型に装着して樹脂封
止したときのコレクタリードの中心線に沿う断面
図
止したときのコレクタリードの中心線に沿う断面
図
【図３】リードフレームを金型に装着して樹脂封
止したときの細条の中心線に沿う断面図
止したときの細条の中心線に沿う断面図
【図４】金型から取出されたリードフレームの斜
視図
視図
【図５】本発明による樹脂封止形半導体装置の製
造方法で作られた半導体装置の斜視図
造方法で作られた半導体装置の斜視図
【図６】細条切断部の部分的拡大断面図
【図７】細条の小断面部に関する異なる形状を示
す断面図
す断面図
【図８】細条の小断面部に関する更に異なる形状
を示す断面図
を示す断面図
【図９】従来の樹脂封止形半導体装置の例を示す
破砕断面図
破砕断面図
１…リードフレーム、２…半導体チツプ、３…支
持板、５，６，７…外部リード、１２，１３…細
条、１５…封止用樹脂、１７ａ，１８ａ…第１の
小断面部、１７ｂ，１８ｂ…第２の小断面部、１
９…金型（成形用型）、２２…キヤビテイ。
持板、５，６，７…外部リード、１２，１３…細
条、１５…封止用樹脂、１７ａ，１８ａ…第１の
小断面部、１７ｂ，１８ｂ…第２の小断面部、１
９…金型（成形用型）、２２…キヤビテイ。
Claims (1)
- 【請求項１】 支持板と、該支持板の一端に連結
された外部リードと、前記支持板の他端に連結さ
れた細条とを有し、前記支持板の他端側から順番
に前記細条には第１の小断面部と第２の小断面部
が形成され、前記支持板上に半導体チツプが載置
されたリードフレームを用意する工程と、 前記細条の前記第１の小断面部と前記第２の小
断面部を成形用型のキヤビテイ形成面から所定距
離だけ内側に離間させて前記リードフレームを前
記成形用型に装着する工程と、 前記成形用型の前記キヤビテイ内に封止用樹脂
を圧入する工程と、 前記細条にその導出方向への引張力を作用させ
て、前記細条を前記第２の小断面部で破断する工
程と、 を含むことを特徴とする樹脂封止形半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4237791A JPH04211138A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4237791A JPH04211138A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086909A Division JPH01309338A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211138A JPH04211138A (ja) | 1992-08-03 |
| JPH0563936B2 true JPH0563936B2 (ja) | 1993-09-13 |
Family
ID=12634365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4237791A Granted JPH04211138A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04211138A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5091832B2 (ja) * | 2008-10-28 | 2012-12-05 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及び半導体装置 |
| CN107845575A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-27 | 浙江人和光伏科技有限公司 | 一种薄片二极管的生产方法 |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP4237791A patent/JPH04211138A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04211138A (ja) | 1992-08-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |