JPH01309338A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止形半導体装置の製造方法

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JPH01309338A
JPH01309338A JP1086909A JP8690989A JPH01309338A JP H01309338 A JPH01309338 A JP H01309338A JP 1086909 A JP1086909 A JP 1086909A JP 8690989 A JP8690989 A JP 8690989A JP H01309338 A JPH01309338 A JP H01309338A
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隆昭 横山
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上のセ 本発明は、樹脂封止形半導体装置、特に短絡事故が少な
くかつ製造が容易な樹脂封止形半導体装置の製造方法に
関連する。
史米立筑亙 従来、一般的な電力用樹脂封止形半導体装置においては
、半導体チップが接着された支持板の裏面には封止樹脂
が形成されていない。このため、この半導体装置を外部
放熱体に取付けるに際しては、外部放熱体との間に絶縁
シートを介在させなければならず、取付作業が煩雑にな
った。そこで。
支持板の裏面にも封止樹脂を形成する方法が提案された
。このような樹脂封止技術は、例えば、特開昭57−1
78352号公報や特開昭58−143538号公報で
開示されている。すなわち、リードフレームの一部を構
成する支持板上に半導体チップを電気伝導可能に接着し
たのち、半導体チップは細線で外部リードと接続される
。次に、リードフレームは金型に装着され、キャビティ
内に融解樹脂が圧入される。このとき、キャビティ内で
支持板が移動しないように、支持板の各側部に連結され
た外部リードと細条が金型で把持される。融解樹脂が固
化したのち、リードフレームが金型から取外され、リー
ドフレームの所定部分が切断される。特開昭57−17
8352号では、細条を折り曲げて切断するために、封
止樹脂の外面をまたぐようにして細条に小断面部を形成
している。
日が  しようと る しかし、細条の切断面が封止樹脂の外面に露出すること
には変わりない。そこで、特開昭58−143538号
では、第15図に示す通り、切断後の封止樹脂の外面5
0から突出した細条端部を化学エツチング等の方法によ
り除去し、封止樹脂の外面50から窪む位置51に細条
の先端を形成していた。しかしこの方法は、細条の一部
を除去する付加的工程が必要となりコストアップを招い
た。しかも所望の化学エツチング等を量産的に行うこと
自体に新たな技術を要するので、実用的とは言い難い。
そこで、本発明では上記問題を解決する樹脂封止形半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
課 を解゛するための 本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法によれば、支
持板と、支持板の一端に連結された外部リードと、支持
板の他端に連結された細条とを有し、外部リード及び細
条は支持板よりも肉薄に形成されており、支持板の下面
と細条の下面との間に、支持板の下面から離間する方向
に延びる段差部が形成され、細条の一部に小断面部が形
成されると共に、支持板上に半導体チップが電気的導通
可能に接着されたリードフレームを準備する工程と、細
条の小断面部が金型内のキャビティ形成面から実質的に
所定距離だけ内側に配置されるようにリードフレームを
金型に装着する工程と、金型のキャビティ内に融解樹脂
を圧入する工程と、融解樹脂の固化後、リードフレーム
を金型から取出す工程と、細条にその導出方向への引張
力を作用させて、細条の小断面部で細条を切断する工程
とを含む。
走−−里 細条は支持板よりも相対的に肉薄に形成され、細条を引
張りによって容易に切断することができる。また、細条
は支持板との間に段差部が形成されて上方に偏位してい
るので、支持板の下面側の樹脂を肉薄に形成しても細条
の外部放熱体からの高さを大きくとれる。結果として、
細条から外部放熱体までの沿面距離は長くなり、絶縁不
良が防止される。
実   施   例 以下図面について、本発明の詳細な説明する。
本発明で製造される樹脂封止形半導体装置は、第1図に
示すリードフレーム1から作られる。リードフレーム1
は、トランジスタチップ等の半導体チップ2がその一方
の主面に半田付けされた支持板3を有する。半導体チッ
プ2は、必要に応して保護コート4を形成するシリコン
樹脂で被覆される。支持板3には、コレクタリード5が
一体成形される。コレクタリード5は、ベースリード6
とエミッタリード7と共に外部リードと総称され、タイ
バー8及び共通細条9により直角方向で互いに連結され
る。ベースリード6とエミッタリード7は、それぞれア
ルミニウム線1o、11により半導体チップ2の所定位
置へ接続される。
支持板3には、コレクタリード5に対し反対側へ伸びる
一対の細条12.13が一体に成形される。外部リード
及び細条12.13は支持板3よりも肉薄に形成されて
いる。また、細条12.13の下面と支持板3の下面と
の間には段差部27が形成されている。各細条12.1
3の外端は、共通細条14により直角方向で互いに連結
される。
後工程で形成される鎖線15で示す封止樹脂の端面16
から所定距離だけ内側に離れた位置の各細条12.13
には小断面部17.18が設けられる。小断面部179
.18は、後述の通り、種々の形状のものを選択するこ
とができる。また、小断面部17.18には、細条の切
断時に引張応力が集中する最小断面部17a、18aが
形成される6なお、第1図ではトランジスタ1個分の支
持板3、外部リード及び細条12.13を有するリード
フレーム1を示すが、実際には、多数の支持板、外部リ
ード及び細条がタイバー8と共通細条9゜14により並
行に支持された金属製リードフレームが使用される。
リードフレーム1は、第2図及び第3図に示す金型19
内に装着される。第2図はコレクタリード5の中心線に
沿う断面を示し、第3図は細条13の中心線に沿う断面
を示す。金型19は下型2Oと上型21とで構成され、
リードフレーム1を収容するキャビティ22を形成する
。小断面部のうちの最小断面部17a、18aは金型の
キャビティ形成面からQだけ内側に配置される。
上述の通り金型19にリードフレーム1を装着したのち
、キャビティ22内に熱硬化性の融解エポキシ樹脂が公
知のトランスファモールド法によりゲート(図示せず)
から圧入され、支持板3を含むリードフレーム1の一部
分が樹脂15により封止される。
樹脂15が固化したのち、第4図に示すリードフレーム
1を金型19から取出す。次に、樹脂15から導出され
た細条12.13を導出方向に引張ることにより、小断
面部17.18の最小断面部17a、18aで切断し、
共通細条14と細条12.13の一部を除去する。その
後、各外部リードを連結するタイバー8と共通細条9も
プレス切断により除去する。このように製造した半導体
装置の1例を第5図に示す。細条12.13が導出され
ていた樹脂15に孔23.24が形成される。
本出願人は本発明による製造方法で実際に樹脂封止形半
導体装置を製造したが、孔23.24の形状は細条12
.13が抜けた後にほぼ等しく形成された。また、細条
12.13は支持板3よりも肉薄に形成されており、最
小断面部17a、18aの断面積は十分に小さいから、
細条12.13は引張りによって容易に破断することが
できる。孔23.24の周辺の樹脂15に特性変動また
は外観不良の点で実用上問題にすべきクラック、そり等
の異常は全く発生しなかった。
第6図に示すように、細条13の端面25は、樹脂の端
面16より長さQ工だけ内側に窪み、そこに孔24が形
成される。また、細条12′、13は支持板3との間に
段差部27が形成されて上方に偏位しているので、支持
板3の下面側の樹脂15を第3図に示すように肉薄に形
成しても細条12.13の外部放熱体からの高さ1lk
2を大きくとれる。結果として、細条12.13から外
部放熱体26までの沿面距離a。はQ。=a□+Q2と
長くなり、絶縁不良が防止される。更に、孔23,24
が小さいため、他の素子、キャビネット又は人体等を含
む周囲と細条12.13との接触による短絡事故も防止
される。孔23.24には、絶縁不良を完全に防止する
ため、樹脂を充填してもよい。しかし、この樹脂を充填
しなくても実用上は問題はない。また、放熱性の点にお
いても、支持板3が細条12.13に比べて肉厚に形成
されているし、支持板3の下面側の樹脂15を肉薄に形
成することができるから、支持板3の下面が露出したタ
イプの半導体装置と同等の放熱効果を期待できる。
第7図〜第14図は細条の小断面部の変形例を示す。第
7図の例では、内側に先細のテーパ部30を樹脂の端面
16まで細条13に形成しかつ引張力に対向する肩部3
1が設けられる。第8図は菱形の孔32を細°条13に
形成した例を示し、第9図は円形の孔33を形成した例
を示す。第10図はテーパ部30が樹脂外部まで伸びる
例を示す。
第11図は肩部が31と34で2段に形成された例を示
し、第12図は細条13の厚さを部分的に薄くして小断
面部18を形成する例を示す。第13図は細条13に加
えられる引張力に対向する力を更に強化するため、樹脂
が充填される孔35を小断面部分より支持板側の細条1
3に形成する例で、第14図は同様の理由で細条13に
コイニング即ち線状の切込36を形成した例を示す。
なお、上記実施例ではトランジスタについて説明したが
、この説明はダイオード、サイリスタ等地の半導体装置
にも応用できることは明らかである。
光泄Uυ弧呆 上述のように、本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方
法によれば、細条の破断部が封止樹脂の外周面よりも内
側に位置する。したがって、細条の破断部と外部放熱体
との沿面距離が大きくとれるので、絶縁耐圧が向上する
。また、細条の破断部の接触による短絡事故が起こり難
い。さらに支持板が細条よりも肉厚であるため、放熱性
が良好な樹脂封止形半導体装置を提供できる。また、細
条が肉薄であるから、細条の引張り破断が容易であるし
、細条が支持板の下面から離間するように上方に偏位し
ているので、絶縁耐圧向上の点で好都合である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法
に使用するリードフレームの平面図、第2図及び第3図
はこのリードフレームを金型に装着して樹脂封止したと
きのそれぞれコレクタリード及び細条の中心線に沿う断
面図、第4図は金型から取出されたリードフレームの斜
視図、第5図は本発明による樹脂封止形半導体装置の製
造方法で作られた半導体装置の斜視図、第6図は細条切
断部の部分的拡大断面図、第7図、第8図、第9図、第
1o図、第11図、第12図、第13図及び第14図は
細条の小断面部に関する種々の形状を示す断面図、第1
5図は従来の樹脂封止形半導体装置の例を示す破砕断面
図である。 18.リードフレーム、 20.半導体チップ。 39.支持板、 5.6.78.外部リード。 12.130.細条、 151.封止樹脂、 17.1
80.小断面部、 17a、18a、、小断面部のうち
の最小断面部、 190.金型、 22.。 キャビティ、 2711段差部 15      Φ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)支持板と、前記支持板の一端に連結された外部リ
    ードと、前記支持板の他端に連結された細条とを有し、
    前記外部リード及び前記細条は前記支持板よりも肉薄に
    形成されており、前記支持板の下面と前記細条の下面と
    の間に、前記支持板の下面から離間する方向に延びる段
    差部が形成され、前記細条の一部に小断面部が形成され
    ると共に、前記支持板上に半導体チップが電気的導通可
    能に接着されたリードフレームを準備する工程と、前記
    細条の小断面部が金型内のキャビティ形成面から実質的
    に所定距離だけ内側に配置されるように前記リードフレ
    ームを金型に装着する工程と、前記金型のキャビティ内
    に融解樹脂を圧入する工程と、 前記融解樹脂の固化後、前記リードフレームを前記金型
    から取出す工程と、 前記細条にその導出方向への引張力を作用させて、前記
    細条の小断面部で前記細条を切断する工程と、 を含むことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の製造方
    法。
  2. (2)前記細条の小断面部は前記金型内のキャビティ形
    成面から所定距離だけ内側の位置に置かれる最小断面部
    を有し、該最小断面部において前記細条が切断される特
    許請求の範囲第(1)項記載の樹脂封止形半導体装置の
    製造方法。
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