JPH0563937B2 - - Google Patents
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- JPH0563937B2 JPH0563937B2 JP18744991A JP18744991A JPH0563937B2 JP H0563937 B2 JPH0563937 B2 JP H0563937B2 JP 18744991 A JP18744991 A JP 18744991A JP 18744991 A JP18744991 A JP 18744991A JP H0563937 B2 JPH0563937 B2 JP H0563937B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】 本発明は、樹脂封止形半
導体装置、特に短絡事故が少なくかつ製造が容易
な樹脂封止形半導体装置の製造方法に関連する。
導体装置、特に短絡事故が少なくかつ製造が容易
な樹脂封止形半導体装置の製造方法に関連する。
【0002】
【従来の技術】 従来、一般的な電力用樹脂封止
形半導体装置においては、半導体チツプが接着さ
れた支持板の裏面には封止用樹脂が形成されてい
ない。このため、この半導体装置を外部放熱体に
取付けるに際しては、外部放熱体との間に絶縁シ
ートを介在させなければならず、取付作業が煩雑
になつた。そこで、支持板の裏面にも封止樹脂を
形成する方法が提案された。このような樹脂封止
技術は、例えば、特開昭57−178352号公報や特開
昭58−143538号公報で開示されている。すなわ
ち、リードフレームの一部を構成する支持板上に
半導体チツプを電気伝導可能に接着したのち、半
導体チツプは細線で外部リードと接続される。次
に、リードフレームは金型に装着され、キヤビテ
イ内に融解樹脂が圧入される。このとき、キヤビ
テイ内で支持板が移動しないように、支持板の各
側部に連結された外部リードと細条が金型で把持
される。融解樹脂が固化したのち、リードフレー
ムが金型から取外され、リードフレームの所定部
分が切断される。特開昭57−178352号では、細条
を折り曲げて切断するために、封止樹脂の外面を
またぐようにして細条に小断面部を形成してい
る。
形半導体装置においては、半導体チツプが接着さ
れた支持板の裏面には封止用樹脂が形成されてい
ない。このため、この半導体装置を外部放熱体に
取付けるに際しては、外部放熱体との間に絶縁シ
ートを介在させなければならず、取付作業が煩雑
になつた。そこで、支持板の裏面にも封止樹脂を
形成する方法が提案された。このような樹脂封止
技術は、例えば、特開昭57−178352号公報や特開
昭58−143538号公報で開示されている。すなわ
ち、リードフレームの一部を構成する支持板上に
半導体チツプを電気伝導可能に接着したのち、半
導体チツプは細線で外部リードと接続される。次
に、リードフレームは金型に装着され、キヤビテ
イ内に融解樹脂が圧入される。このとき、キヤビ
テイ内で支持板が移動しないように、支持板の各
側部に連結された外部リードと細条が金型で把持
される。融解樹脂が固化したのち、リードフレー
ムが金型から取外され、リードフレームの所定部
分が切断される。特開昭57−178352号では、細条
を折り曲げて切断するために、封止樹脂の外面を
またぐようにして細条に小断面部を形成してい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】 しかし、細条
の切断面が封止樹脂の外面に露出することには変
わりない。そこで、特開昭58−143538号では、図
８に示す通り、切断後の封止樹脂の外面５０から
突出した細条端部を化学エツチング等の方法によ
り除去し、封止樹脂の外面５０から窪む位置５１
に細条の先端を形成していた。しかしこの方法
は、細条の一部を除去する付加的な工程が必要と
なりコストアツプを招いた。しかも所望の化学エ
ツチング等を量産的に行うこと自体に新たな技術
を要するので、実用的とは言い難い。
の切断面が封止樹脂の外面に露出することには変
わりない。そこで、特開昭58−143538号では、図
８に示す通り、切断後の封止樹脂の外面５０から
突出した細条端部を化学エツチング等の方法によ
り除去し、封止樹脂の外面５０から窪む位置５１
に細条の先端を形成していた。しかしこの方法
は、細条の一部を除去する付加的な工程が必要と
なりコストアツプを招いた。しかも所望の化学エ
ツチング等を量産的に行うこと自体に新たな技術
を要するので、実用的とは言い難い。
【0004】 そこで、本発明では上記問題を解決す
る樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
る樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】 本発明の樹脂封
止形半導体装置の製造方法によれば、一方の主面
に半導体チツプが載置された支持板と、支持板の
一端に連結された外部リードと、支持板の他端に
連結された細条とを有し、細条の一方の主面は支
持板の一方の主面と略同一平面上にあり、細条破
断用の小断面部が細条に形成され、応力緩和用の
小断面部が細条破断用の小断面部と半導体チツプ
との間に形成されたリードフレームを用意する工
程と、細条破断用の小断面部を成形用型のキヤビ
テイ形成面から所定距離だけ内側に離間させてリ
ードフレームを成形用型に装着する工程と、成形
用型のキヤビテイ内に封止用樹脂を圧入する工程
と、封止用樹脂の固化後、リードフレームを成形
用型から取出す工程と、細条に引張力を加えて、
細条破断用の小断面部で細条を破断する工程とを
含む。
止形半導体装置の製造方法によれば、一方の主面
に半導体チツプが載置された支持板と、支持板の
一端に連結された外部リードと、支持板の他端に
連結された細条とを有し、細条の一方の主面は支
持板の一方の主面と略同一平面上にあり、細条破
断用の小断面部が細条に形成され、応力緩和用の
小断面部が細条破断用の小断面部と半導体チツプ
との間に形成されたリードフレームを用意する工
程と、細条破断用の小断面部を成形用型のキヤビ
テイ形成面から所定距離だけ内側に離間させてリ
ードフレームを成形用型に装着する工程と、成形
用型のキヤビテイ内に封止用樹脂を圧入する工程
と、封止用樹脂の固化後、リードフレームを成形
用型から取出す工程と、細条に引張力を加えて、
細条破断用の小断面部で細条を破断する工程とを
含む。
【0006】
【作 用】 最小断面部が支持板から離間した位
置に形成されているから、断面積の小さい最小断
面部に引張応力を集中的に加えて、細条の引張破
断を容易に行うことができる。また、引張破断の
際に応力緩和用の小断面部により支持板に伝達さ
れる変形力が緩和される。このため、半導体チツ
プに伝達される変形力が顕著に減殺される。
置に形成されているから、断面積の小さい最小断
面部に引張応力を集中的に加えて、細条の引張破
断を容易に行うことができる。また、引張破断の
際に応力緩和用の小断面部により支持板に伝達さ
れる変形力が緩和される。このため、半導体チツ
プに伝達される変形力が顕著に減殺される。
【0007】
【実施例】 以下図面について、本発明の実施例
を説明する。本発明で製造される樹脂封止形半導
体装置は、図１に示すリードフレーム１から作ら
れる。リードフレーム１はトランジスタチツプ等
の半導体チツプ２が一方の主面に半田付けされた
支持板３を有する。半導体チツプ２は、必要に応
じて保護コート４を形成するシリコン樹脂で被覆
される。支持板３には、コレクタリード５が一体
成形される。コレクタリード５は、ベースリード
６とエミツタリード７と共に外部リードと総称さ
れ、タイバー８及び共通細条９により直角方向で
互いに連結される。ベースリード６とエミツタリ
ード７は、それぞれアルミニウム線１０，１１に
より半導体チツプ２の所定位置へ接続される。
を説明する。本発明で製造される樹脂封止形半導
体装置は、図１に示すリードフレーム１から作ら
れる。リードフレーム１はトランジスタチツプ等
の半導体チツプ２が一方の主面に半田付けされた
支持板３を有する。半導体チツプ２は、必要に応
じて保護コート４を形成するシリコン樹脂で被覆
される。支持板３には、コレクタリード５が一体
成形される。コレクタリード５は、ベースリード
６とエミツタリード７と共に外部リードと総称さ
れ、タイバー８及び共通細条９により直角方向で
互いに連結される。ベースリード６とエミツタリ
ード７は、それぞれアルミニウム線１０，１１に
より半導体チツプ２の所定位置へ接続される。
【0008】 支持板３には、コレクタリード５に対
して反対側へ伸びる一対の細条１２，１３が一体
に成形される。外部リード及び細条１２，１３は
支持板３よりも肉薄に形成されている。また、細
条１２，１３はその一方の主面が支持板３の一方
の主面と略同一平面上に位置するように上方に偏
位している。各細条１２，１３の外端は、共通細
条１４により直角方向で互いに連結される。後工
程で形成される鎖線１５で示す封止用樹脂の端面
１６から所定距離だけ内側に離れた位置の各細条
１２，１３には細条破断用の小断面部１７，１８
が設けられる。更に、応力緩和用の小断面部とし
て円形の孔２７が小断面部１７，１８と半導体チ
ツプ２との間に形成されている。細条破断用の小
断面部１７，１８及び応力緩和用の小断面部は
種々の形状に形成することができる。また、小断
面部１７，１８には、細条の切断時に引張応力が
集中する最小断面部１７ａ，１８ａが形成され
る。
して反対側へ伸びる一対の細条１２，１３が一体
に成形される。外部リード及び細条１２，１３は
支持板３よりも肉薄に形成されている。また、細
条１２，１３はその一方の主面が支持板３の一方
の主面と略同一平面上に位置するように上方に偏
位している。各細条１２，１３の外端は、共通細
条１４により直角方向で互いに連結される。後工
程で形成される鎖線１５で示す封止用樹脂の端面
１６から所定距離だけ内側に離れた位置の各細条
１２，１３には細条破断用の小断面部１７，１８
が設けられる。更に、応力緩和用の小断面部とし
て円形の孔２７が小断面部１７，１８と半導体チ
ツプ２との間に形成されている。細条破断用の小
断面部１７，１８及び応力緩和用の小断面部は
種々の形状に形成することができる。また、小断
面部１７，１８には、細条の切断時に引張応力が
集中する最小断面部１７ａ，１８ａが形成され
る。
【0009】 なお、図１ではトランジスタ１個分の
支持板３、外部リード及び細条１２，１３を有す
るリードフレーム１を示すが、実際には、多数の
支持板、外部リード及び細条がタイバー８と共通
細条９，１４により並行に支持された金属製リー
ドフレームが使用される。
支持板３、外部リード及び細条１２，１３を有す
るリードフレーム１を示すが、実際には、多数の
支持板、外部リード及び細条がタイバー８と共通
細条９，１４により並行に支持された金属製リー
ドフレームが使用される。
【0010】 リードフレーム１は、図２及び図３に
示す金型（成形用型）１９内に装着される。図２
はコレクタリード５の中心線に沿う断面を示し、
図３は細条１３の中心線に沿う断面を示す。金型
１９は、下型２０と上型２１とで構成され、リー
ドフレーム１を収容するキヤビテイ２２を形成す
る。小断面部のうちの最小断面部１７ａ，１８ａ
は、金型１９のキヤビテイ形成面から１だけ内側
に配置される。
示す金型（成形用型）１９内に装着される。図２
はコレクタリード５の中心線に沿う断面を示し、
図３は細条１３の中心線に沿う断面を示す。金型
１９は、下型２０と上型２１とで構成され、リー
ドフレーム１を収容するキヤビテイ２２を形成す
る。小断面部のうちの最小断面部１７ａ，１８ａ
は、金型１９のキヤビテイ形成面から１だけ内側
に配置される。
【0011】 上述の通り金型１９にリードフレーム
１を装着したのち、キヤビテイ２２内に熱硬化性
の融解エポキシ樹脂を公知のトランスフアモール
ド法によりゲート（図示せず）から圧入し、支持
板３を含むリードフレーム１の一部分が樹脂１５
により封止する。
１を装着したのち、キヤビテイ２２内に熱硬化性
の融解エポキシ樹脂を公知のトランスフアモール
ド法によりゲート（図示せず）から圧入し、支持
板３を含むリードフレーム１の一部分が樹脂１５
により封止する。
【0012】 樹脂１５が固化したのち、図４に示す
リードフレーム１を金型１９から取出す。次に、
樹脂１５から導出された細条１２，１３を導出方
向に引張ることにより、小断面部１７，１８の最
小断面部１７ａ，１８ａで切断し、共通細条１４
と細条１２，１３の一部を除去する。このとき、
最小断面部１７ａ，１８ａが支持板３から離間し
た位置に形成されているから、断面積の小さい最
小断面部１７ａ，１８ａに引張応力を集中的に加
えて、細条１２，１３の引張破断を容易に行うこ
とができる。また、引張破断の際に応力緩和用の
孔２７により支持板３に伝達される変形力が緩和
される。このため、半導体チツプ２に伝達される
変形力が顕著に減殺される。その後、各外部リー
ドを連結するタイバー８と共通細条９もプレス切
断により除去する。このように製造した半導体装
置の１例を図５に示す。細条１２，１３が導出さ
れていた樹脂１５に孔２３，２４が形成される。
本出願人は本発明による製造方法で実際に樹脂封
止形半導体装置を製造したが、孔２３，２４の形
状は細条１２，１３が抜けた跡にほぼ等しく形成
された。また、細条１２，１３は支持板３よりも
肉薄に形成されており、最小断面部１７ａ，１８
ａの断面積は十分に小さいから、引抜きによつて
容易に破断できた。更に、細条１２，１３はその
上面が支持板３の上面の延長上に位置するように
形成されており、コレクタリード５のように支持
板３の上方までは偏位していないので、細条１
２，１３の引張破断時に細条１２，１３の周辺の
樹脂１５に特性変動または外観不良の点で実用上
問題にすべきクラツク、それ等の異常は全く発生
しなかつた。
リードフレーム１を金型１９から取出す。次に、
樹脂１５から導出された細条１２，１３を導出方
向に引張ることにより、小断面部１７，１８の最
小断面部１７ａ，１８ａで切断し、共通細条１４
と細条１２，１３の一部を除去する。このとき、
最小断面部１７ａ，１８ａが支持板３から離間し
た位置に形成されているから、断面積の小さい最
小断面部１７ａ，１８ａに引張応力を集中的に加
えて、細条１２，１３の引張破断を容易に行うこ
とができる。また、引張破断の際に応力緩和用の
孔２７により支持板３に伝達される変形力が緩和
される。このため、半導体チツプ２に伝達される
変形力が顕著に減殺される。その後、各外部リー
ドを連結するタイバー８と共通細条９もプレス切
断により除去する。このように製造した半導体装
置の１例を図５に示す。細条１２，１３が導出さ
れていた樹脂１５に孔２３，２４が形成される。
本出願人は本発明による製造方法で実際に樹脂封
止形半導体装置を製造したが、孔２３，２４の形
状は細条１２，１３が抜けた跡にほぼ等しく形成
された。また、細条１２，１３は支持板３よりも
肉薄に形成されており、最小断面部１７ａ，１８
ａの断面積は十分に小さいから、引抜きによつて
容易に破断できた。更に、細条１２，１３はその
上面が支持板３の上面の延長上に位置するように
形成されており、コレクタリード５のように支持
板３の上方までは偏位していないので、細条１
２，１３の引張破断時に細条１２，１３の周辺の
樹脂１５に特性変動または外観不良の点で実用上
問題にすべきクラツク、それ等の異常は全く発生
しなかつた。
【0013】 図６に示す通り、細条１３の端面２５
は、樹脂の端面１６より長さl1だけ内側に窪み、
そこに孔２４が形成される。また、細条１２，１
３は上述のように支持板３の上面側に偏位してお
り、細条１２，１３の下面と支持板３の下面との
間に段差が形成されている。したがつて、支持板
３の下面側の樹脂１５を肉薄に形成しても、細条
１２，１３の外部放熱体２６からの高さl2を大き
くとることができる。結果として、細条１２，１
３から外部放熱体２６までの沿面距離l0はl0＝l1
＋l2と長くなり、絶縁不良が防止される。更に、
孔２３，２４が小さいため、他の素子、キヤビネ
ツトまたは人体等を含む周囲と細条１２，１３の
との接触による短絡事故も防止される。孔２３，
２４には、絶縁不良を完全に防止するため、樹脂
を充填してもよい。しかし、この樹脂を充填しな
くても実用上は問題はない。また、放熱性の点に
おいても、支持板３が肉厚に形成されているし、
支持板３の下面側の樹脂１５を十分に肉薄にでき
るから、支持板３の下面側が露出したタイプの半
導体装置と同程度の放熱効果を期待できる。
は、樹脂の端面１６より長さl1だけ内側に窪み、
そこに孔２４が形成される。また、細条１２，１
３は上述のように支持板３の上面側に偏位してお
り、細条１２，１３の下面と支持板３の下面との
間に段差が形成されている。したがつて、支持板
３の下面側の樹脂１５を肉薄に形成しても、細条
１２，１３の外部放熱体２６からの高さl2を大き
くとることができる。結果として、細条１２，１
３から外部放熱体２６までの沿面距離l0はl0＝l1
＋l2と長くなり、絶縁不良が防止される。更に、
孔２３，２４が小さいため、他の素子、キヤビネ
ツトまたは人体等を含む周囲と細条１２，１３の
との接触による短絡事故も防止される。孔２３，
２４には、絶縁不良を完全に防止するため、樹脂
を充填してもよい。しかし、この樹脂を充填しな
くても実用上は問題はない。また、放熱性の点に
おいても、支持板３が肉厚に形成されているし、
支持板３の下面側の樹脂１５を十分に肉薄にでき
るから、支持板３の下面側が露出したタイプの半
導体装置と同程度の放熱効果を期待できる。
【0014】 また、本実施例では小断面部１７，１
８が支持板３から離間した位置に形成される。こ
のため、細条１２，１３に後述の種々の形状の小
断面部を良好に形成することができる。最小断面
部１７ａ，１８ａが支持板３から離間した位置に
形成されているから、引張応力を断面積の小さい
最小断面部１７ａ，１８ａに集中的に加えること
ができる。したがつて、細条１２，１３の引張破
断を容易に行える。
８が支持板３から離間した位置に形成される。こ
のため、細条１２，１３に後述の種々の形状の小
断面部を良好に形成することができる。最小断面
部１７ａ，１８ａが支持板３から離間した位置に
形成されているから、引張応力を断面積の小さい
最小断面部１７ａ，１８ａに集中的に加えること
ができる。したがつて、細条１２，１３の引張破
断を容易に行える。
【0015】 本発明の実施態様は前記の実施例に限
定されず、更に変更が可能である。例えば、図７
に示すように応力緩和用の孔２７の代わりに細条
１３にコイニング即ち線状の切込２８を形成した
例を示す。
定されず、更に変更が可能である。例えば、図７
に示すように応力緩和用の孔２７の代わりに細条
１３にコイニング即ち線状の切込２８を形成した
例を示す。
【0016】 なお、上記実施例ではトランジスタに
ついて説明したが、この説明はダイオード、サイ
リスタ等他の半導体装置にも応用できることは明
らかである。
ついて説明したが、この説明はダイオード、サイ
リスタ等他の半導体装置にも応用できることは明
らかである。
【0017】
【発明の効果】 上述の通り、本発明は、封止樹
脂の内部に細条の小断面部が実質的に位置するよ
うにリードフレームを樹脂封止したのち、この小
断面部において細条を引張力によつて切断する工
程を採用した。このため、細条の切断後に更に細
条の端面を内側に窪ませる工程を必要とせず、細
条の切断のみで簡単に半導体装置の短絡事故や絶
縁不良を確実に防止できる優れた効果が得られ
た。また、細条の引張破断を容易にかつ樹脂及び
半導体チツプへのダメージを最小限に抑えて行う
ことができる。したがつて、半導体装置を大量生
産する場合、製造コストの低減や良品率の向上に
寄与するところ大である。
脂の内部に細条の小断面部が実質的に位置するよ
うにリードフレームを樹脂封止したのち、この小
断面部において細条を引張力によつて切断する工
程を採用した。このため、細条の切断後に更に細
条の端面を内側に窪ませる工程を必要とせず、細
条の切断のみで簡単に半導体装置の短絡事故や絶
縁不良を確実に防止できる優れた効果が得られ
た。また、細条の引張破断を容易にかつ樹脂及び
半導体チツプへのダメージを最小限に抑えて行う
ことができる。したがつて、半導体装置を大量生
産する場合、製造コストの低減や良品率の向上に
寄与するところ大である。
【図１】本発明による樹脂封止形半導体装置の製
造方法に使用するリードフレームの平面図
造方法に使用するリードフレームの平面図
【図２】リードフレームを金型に装着して樹脂封
止したときのコレクタリードの中心線に沿う断面
図
止したときのコレクタリードの中心線に沿う断面
図
【図３】リードフレームを金型に装着して樹脂封
止したときの細条の中心線に沿う断面図
止したときの細条の中心線に沿う断面図
【図４】金型から取出されたリードフレームの斜
視図
視図
【図５】本発明による樹脂封止形半導体装置の製
造方法で作られた半導体装置の斜視図
造方法で作られた半導体装置の斜視図
【図６】細条切断部の部分的拡大断面図
【図７】細条の応力緩和用の小断面部に関する変
形例を示す断面図
形例を示す断面図
【図８】従来の樹脂封止形半導体装置の例を示す
破砕断面図
破砕断面図
１……リードフレーム、２……半導体チツプ、３
……支持板、５，６，７……外部リード、１２，
１３……細条、 １５……封止樹脂、１７，１８……小断面部、１
７ａ，１８ａ……小断面部のうちの最小断面部、
１９……金型、２２……キヤビテイ、２７……応
力緩和用の孔、２８……応力緩和用の切込。
……支持板、５，６，７……外部リード、１２，
１３……細条、 １５……封止樹脂、１７，１８……小断面部、１
７ａ，１８ａ……小断面部のうちの最小断面部、
１９……金型、２２……キヤビテイ、２７……応
力緩和用の孔、２８……応力緩和用の切込。
Claims (1)
- 【請求項１】 一方の主面に半導体チツプが載置
された支持板と、該支持板の一端に連結された外
部リードと、前記支持板の他端に連結された細条
とを有し、該細条の一方の主面は前記支持板の一
方の主面と略同一平面上にあり、細条破断用の小
断面部が前記細条に形成され、応力緩和用の小断
面部が前記細条破断用の小断面部と前記半導体チ
ツプとの間に形成されたリードフレームを用意す
る工程と、前記細条破断用の小断面部を成形用型
のキヤビテイ形成面から所定距離だけ内側に離間
させて前記リードフレームを前記成形用型に装着
する工程と、 前記成形用型の前記キヤビテイ内に封止用樹脂
を圧入する工程と、 前記封止用樹脂の固化後、前記リードフレーム
を前記成形用型から取出す工程と、 前記細条に引張力を加えて、前記細条破断用の
小断面部で前記細条を破断する工程と、 を含むことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18744991A JPH04340237A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18744991A JPH04340237A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086912A Division JPH0249445A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340237A JPH04340237A (ja) | 1992-11-26 |
| JPH0563937B2 true JPH0563937B2 (ja) | 1993-09-13 |
Family
ID=16206272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18744991A Granted JPH04340237A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04340237A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4953205B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2012-06-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP5281797B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-09-04 | アスモ株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP5091832B2 (ja) * | 2008-10-28 | 2012-12-05 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及び半導体装置 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP18744991A patent/JPH04340237A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04340237A (ja) | 1992-11-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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