JPH0563937B2 - - Google Patents
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- JPH0563937B2 JPH0563937B2 JP18744991A JP18744991A JPH0563937B2 JP H0563937 B2 JPH0563937 B2 JP H0563937B2 JP 18744991 A JP18744991 A JP 18744991A JP 18744991 A JP18744991 A JP 18744991A JP H0563937 B2 JPH0563937 B2 JP H0563937B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】 本発明は、樹脂封止形半
導体装置、特に短絡事故が少なくかつ製造が容易
な樹脂封止形半導体装置の製造方法に関連する。
導体装置、特に短絡事故が少なくかつ製造が容易
な樹脂封止形半導体装置の製造方法に関連する。
【0002】
【従来の技術】 従来、一般的な電力用樹脂封止
形半導体装置においては、半導体チツプが接着さ
れた支持板の裏面には封止用樹脂が形成されてい
ない。このため、この半導体装置を外部放熱体に
取付けるに際しては、外部放熱体との間に絶縁シ
ートを介在させなければならず、取付作業が煩雑
になつた。そこで、支持板の裏面にも封止樹脂を
形成する方法が提案された。このような樹脂封止
技術は、例えば、特開昭57−178352号公報や特開
昭58−143538号公報で開示されている。すなわ
ち、リードフレームの一部を構成する支持板上に
半導体チツプを電気伝導可能に接着したのち、半
導体チツプは細線で外部リードと接続される。次
に、リードフレームは金型に装着され、キヤビテ
イ内に融解樹脂が圧入される。このとき、キヤビ
テイ内で支持板が移動しないように、支持板の各
側部に連結された外部リードと細条が金型で把持
される。融解樹脂が固化したのち、リードフレー
ムが金型から取外され、リードフレームの所定部
分が切断される。特開昭57−178352号では、細条
を折り曲げて切断するために、封止樹脂の外面を
またぐようにして細条に小断面部を形成してい
る。
形半導体装置においては、半導体チツプが接着さ
れた支持板の裏面には封止用樹脂が形成されてい
ない。このため、この半導体装置を外部放熱体に
取付けるに際しては、外部放熱体との間に絶縁シ
ートを介在させなければならず、取付作業が煩雑
になつた。そこで、支持板の裏面にも封止樹脂を
形成する方法が提案された。このような樹脂封止
技術は、例えば、特開昭57−178352号公報や特開
昭58−143538号公報で開示されている。すなわ
ち、リードフレームの一部を構成する支持板上に
半導体チツプを電気伝導可能に接着したのち、半
導体チツプは細線で外部リードと接続される。次
に、リードフレームは金型に装着され、キヤビテ
イ内に融解樹脂が圧入される。このとき、キヤビ
テイ内で支持板が移動しないように、支持板の各
側部に連結された外部リードと細条が金型で把持
される。融解樹脂が固化したのち、リードフレー
ムが金型から取外され、リードフレームの所定部
分が切断される。特開昭57−178352号では、細条
を折り曲げて切断するために、封止樹脂の外面を
またぐようにして細条に小断面部を形成してい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】 しかし、細条
の切断面が封止樹脂の外面に露出することには変
わりない。そこで、特開昭58−143538号では、図
8に示す通り、切断後の封止樹脂の外面50から
突出した細条端部を化学エツチング等の方法によ
り除去し、封止樹脂の外面50から窪む位置51
に細条の先端を形成していた。しかしこの方法
は、細条の一部を除去する付加的な工程が必要と
なりコストアツプを招いた。しかも所望の化学エ
ツチング等を量産的に行うこと自体に新たな技術
を要するので、実用的とは言い難い。
の切断面が封止樹脂の外面に露出することには変
わりない。そこで、特開昭58−143538号では、図
8に示す通り、切断後の封止樹脂の外面50から
突出した細条端部を化学エツチング等の方法によ
り除去し、封止樹脂の外面50から窪む位置51
に細条の先端を形成していた。しかしこの方法
は、細条の一部を除去する付加的な工程が必要と
なりコストアツプを招いた。しかも所望の化学エ
ツチング等を量産的に行うこと自体に新たな技術
を要するので、実用的とは言い難い。
【0004】 そこで、本発明では上記問題を解決す
る樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
る樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】 本発明の樹脂封
止形半導体装置の製造方法によれば、一方の主面
に半導体チツプが載置された支持板と、支持板の
一端に連結された外部リードと、支持板の他端に
連結された細条とを有し、細条の一方の主面は支
持板の一方の主面と略同一平面上にあり、細条破
断用の小断面部が細条に形成され、応力緩和用の
小断面部が細条破断用の小断面部と半導体チツプ
との間に形成されたリードフレームを用意する工
程と、細条破断用の小断面部を成形用型のキヤビ
テイ形成面から所定距離だけ内側に離間させてリ
ードフレームを成形用型に装着する工程と、成形
用型のキヤビテイ内に封止用樹脂を圧入する工程
と、封止用樹脂の固化後、リードフレームを成形
用型から取出す工程と、細条に引張力を加えて、
細条破断用の小断面部で細条を破断する工程とを
含む。
止形半導体装置の製造方法によれば、一方の主面
に半導体チツプが載置された支持板と、支持板の
一端に連結された外部リードと、支持板の他端に
連結された細条とを有し、細条の一方の主面は支
持板の一方の主面と略同一平面上にあり、細条破
断用の小断面部が細条に形成され、応力緩和用の
小断面部が細条破断用の小断面部と半導体チツプ
との間に形成されたリードフレームを用意する工
程と、細条破断用の小断面部を成形用型のキヤビ
テイ形成面から所定距離だけ内側に離間させてリ
ードフレームを成形用型に装着する工程と、成形
用型のキヤビテイ内に封止用樹脂を圧入する工程
と、封止用樹脂の固化後、リードフレームを成形
用型から取出す工程と、細条に引張力を加えて、
細条破断用の小断面部で細条を破断する工程とを
含む。
【0006】
【作 用】 最小断面部が支持板から離間した位
置に形成されているから、断面積の小さい最小断
面部に引張応力を集中的に加えて、細条の引張破
断を容易に行うことができる。また、引張破断の
際に応力緩和用の小断面部により支持板に伝達さ
れる変形力が緩和される。このため、半導体チツ
プに伝達される変形力が顕著に減殺される。
置に形成されているから、断面積の小さい最小断
面部に引張応力を集中的に加えて、細条の引張破
断を容易に行うことができる。また、引張破断の
際に応力緩和用の小断面部により支持板に伝達さ
れる変形力が緩和される。このため、半導体チツ
プに伝達される変形力が顕著に減殺される。
【0007】
【実施例】 以下図面について、本発明の実施例
を説明する。本発明で製造される樹脂封止形半導
体装置は、図1に示すリードフレーム1から作ら
れる。リードフレーム1はトランジスタチツプ等
の半導体チツプ2が一方の主面に半田付けされた
支持板3を有する。半導体チツプ2は、必要に応
じて保護コート4を形成するシリコン樹脂で被覆
される。支持板3には、コレクタリード5が一体
成形される。コレクタリード5は、ベースリード
6とエミツタリード7と共に外部リードと総称さ
れ、タイバー8及び共通細条9により直角方向で
互いに連結される。ベースリード6とエミツタリ
ード7は、それぞれアルミニウム線10,11に
より半導体チツプ2の所定位置へ接続される。
を説明する。本発明で製造される樹脂封止形半導
体装置は、図1に示すリードフレーム1から作ら
れる。リードフレーム1はトランジスタチツプ等
の半導体チツプ2が一方の主面に半田付けされた
支持板3を有する。半導体チツプ2は、必要に応
じて保護コート4を形成するシリコン樹脂で被覆
される。支持板3には、コレクタリード5が一体
成形される。コレクタリード5は、ベースリード
6とエミツタリード7と共に外部リードと総称さ
れ、タイバー8及び共通細条9により直角方向で
互いに連結される。ベースリード6とエミツタリ
ード7は、それぞれアルミニウム線10,11に
より半導体チツプ2の所定位置へ接続される。
【0008】 支持板3には、コレクタリード5に対
して反対側へ伸びる一対の細条12,13が一体
に成形される。外部リード及び細条12,13は
支持板3よりも肉薄に形成されている。また、細
条12,13はその一方の主面が支持板3の一方
の主面と略同一平面上に位置するように上方に偏
位している。各細条12,13の外端は、共通細
条14により直角方向で互いに連結される。後工
程で形成される鎖線15で示す封止用樹脂の端面
16から所定距離だけ内側に離れた位置の各細条
12,13には細条破断用の小断面部17,18
が設けられる。更に、応力緩和用の小断面部とし
て円形の孔27が小断面部17,18と半導体チ
ツプ2との間に形成されている。細条破断用の小
断面部17,18及び応力緩和用の小断面部は
種々の形状に形成することができる。また、小断
面部17,18には、細条の切断時に引張応力が
集中する最小断面部17a,18aが形成され
る。
して反対側へ伸びる一対の細条12,13が一体
に成形される。外部リード及び細条12,13は
支持板3よりも肉薄に形成されている。また、細
条12,13はその一方の主面が支持板3の一方
の主面と略同一平面上に位置するように上方に偏
位している。各細条12,13の外端は、共通細
条14により直角方向で互いに連結される。後工
程で形成される鎖線15で示す封止用樹脂の端面
16から所定距離だけ内側に離れた位置の各細条
12,13には細条破断用の小断面部17,18
が設けられる。更に、応力緩和用の小断面部とし
て円形の孔27が小断面部17,18と半導体チ
ツプ2との間に形成されている。細条破断用の小
断面部17,18及び応力緩和用の小断面部は
種々の形状に形成することができる。また、小断
面部17,18には、細条の切断時に引張応力が
集中する最小断面部17a,18aが形成され
る。
【0009】 なお、図1ではトランジスタ1個分の
支持板3、外部リード及び細条12,13を有す
るリードフレーム1を示すが、実際には、多数の
支持板、外部リード及び細条がタイバー8と共通
細条9,14により並行に支持された金属製リー
ドフレームが使用される。
支持板3、外部リード及び細条12,13を有す
るリードフレーム1を示すが、実際には、多数の
支持板、外部リード及び細条がタイバー8と共通
細条9,14により並行に支持された金属製リー
ドフレームが使用される。
【0010】 リードフレーム1は、図2及び図3に
示す金型(成形用型)19内に装着される。図2
はコレクタリード5の中心線に沿う断面を示し、
図3は細条13の中心線に沿う断面を示す。金型
19は、下型20と上型21とで構成され、リー
ドフレーム1を収容するキヤビテイ22を形成す
る。小断面部のうちの最小断面部17a,18a
は、金型19のキヤビテイ形成面から1だけ内側
に配置される。
示す金型(成形用型)19内に装着される。図2
はコレクタリード5の中心線に沿う断面を示し、
図3は細条13の中心線に沿う断面を示す。金型
19は、下型20と上型21とで構成され、リー
ドフレーム1を収容するキヤビテイ22を形成す
る。小断面部のうちの最小断面部17a,18a
は、金型19のキヤビテイ形成面から1だけ内側
に配置される。
【0011】 上述の通り金型19にリードフレーム
1を装着したのち、キヤビテイ22内に熱硬化性
の融解エポキシ樹脂を公知のトランスフアモール
ド法によりゲート(図示せず)から圧入し、支持
板3を含むリードフレーム1の一部分が樹脂15
により封止する。
1を装着したのち、キヤビテイ22内に熱硬化性
の融解エポキシ樹脂を公知のトランスフアモール
ド法によりゲート(図示せず)から圧入し、支持
板3を含むリードフレーム1の一部分が樹脂15
により封止する。
【0012】 樹脂15が固化したのち、図4に示す
リードフレーム1を金型19から取出す。次に、
樹脂15から導出された細条12,13を導出方
向に引張ることにより、小断面部17,18の最
小断面部17a,18aで切断し、共通細条14
と細条12,13の一部を除去する。このとき、
最小断面部17a,18aが支持板3から離間し
た位置に形成されているから、断面積の小さい最
小断面部17a,18aに引張応力を集中的に加
えて、細条12,13の引張破断を容易に行うこ
とができる。また、引張破断の際に応力緩和用の
孔27により支持板3に伝達される変形力が緩和
される。このため、半導体チツプ2に伝達される
変形力が顕著に減殺される。その後、各外部リー
ドを連結するタイバー8と共通細条9もプレス切
断により除去する。このように製造した半導体装
置の1例を図5に示す。細条12,13が導出さ
れていた樹脂15に孔23,24が形成される。
本出願人は本発明による製造方法で実際に樹脂封
止形半導体装置を製造したが、孔23,24の形
状は細条12,13が抜けた跡にほぼ等しく形成
された。また、細条12,13は支持板3よりも
肉薄に形成されており、最小断面部17a,18
aの断面積は十分に小さいから、引抜きによつて
容易に破断できた。更に、細条12,13はその
上面が支持板3の上面の延長上に位置するように
形成されており、コレクタリード5のように支持
板3の上方までは偏位していないので、細条1
2,13の引張破断時に細条12,13の周辺の
樹脂15に特性変動または外観不良の点で実用上
問題にすべきクラツク、それ等の異常は全く発生
しなかつた。
リードフレーム1を金型19から取出す。次に、
樹脂15から導出された細条12,13を導出方
向に引張ることにより、小断面部17,18の最
小断面部17a,18aで切断し、共通細条14
と細条12,13の一部を除去する。このとき、
最小断面部17a,18aが支持板3から離間し
た位置に形成されているから、断面積の小さい最
小断面部17a,18aに引張応力を集中的に加
えて、細条12,13の引張破断を容易に行うこ
とができる。また、引張破断の際に応力緩和用の
孔27により支持板3に伝達される変形力が緩和
される。このため、半導体チツプ2に伝達される
変形力が顕著に減殺される。その後、各外部リー
ドを連結するタイバー8と共通細条9もプレス切
断により除去する。このように製造した半導体装
置の1例を図5に示す。細条12,13が導出さ
れていた樹脂15に孔23,24が形成される。
本出願人は本発明による製造方法で実際に樹脂封
止形半導体装置を製造したが、孔23,24の形
状は細条12,13が抜けた跡にほぼ等しく形成
された。また、細条12,13は支持板3よりも
肉薄に形成されており、最小断面部17a,18
aの断面積は十分に小さいから、引抜きによつて
容易に破断できた。更に、細条12,13はその
上面が支持板3の上面の延長上に位置するように
形成されており、コレクタリード5のように支持
板3の上方までは偏位していないので、細条1
2,13の引張破断時に細条12,13の周辺の
樹脂15に特性変動または外観不良の点で実用上
問題にすべきクラツク、それ等の異常は全く発生
しなかつた。
【0013】 図6に示す通り、細条13の端面25
は、樹脂の端面16より長さl1だけ内側に窪み、
そこに孔24が形成される。また、細条12,1
3は上述のように支持板3の上面側に偏位してお
り、細条12,13の下面と支持板3の下面との
間に段差が形成されている。したがつて、支持板
3の下面側の樹脂15を肉薄に形成しても、細条
12,13の外部放熱体26からの高さl2を大き
くとることができる。結果として、細条12,1
3から外部放熱体26までの沿面距離l0はl0=l1
+l2と長くなり、絶縁不良が防止される。更に、
孔23,24が小さいため、他の素子、キヤビネ
ツトまたは人体等を含む周囲と細条12,13の
との接触による短絡事故も防止される。孔23,
24には、絶縁不良を完全に防止するため、樹脂
を充填してもよい。しかし、この樹脂を充填しな
くても実用上は問題はない。また、放熱性の点に
おいても、支持板3が肉厚に形成されているし、
支持板3の下面側の樹脂15を十分に肉薄にでき
るから、支持板3の下面側が露出したタイプの半
導体装置と同程度の放熱効果を期待できる。
は、樹脂の端面16より長さl1だけ内側に窪み、
そこに孔24が形成される。また、細条12,1
3は上述のように支持板3の上面側に偏位してお
り、細条12,13の下面と支持板3の下面との
間に段差が形成されている。したがつて、支持板
3の下面側の樹脂15を肉薄に形成しても、細条
12,13の外部放熱体26からの高さl2を大き
くとることができる。結果として、細条12,1
3から外部放熱体26までの沿面距離l0はl0=l1
+l2と長くなり、絶縁不良が防止される。更に、
孔23,24が小さいため、他の素子、キヤビネ
ツトまたは人体等を含む周囲と細条12,13の
との接触による短絡事故も防止される。孔23,
24には、絶縁不良を完全に防止するため、樹脂
を充填してもよい。しかし、この樹脂を充填しな
くても実用上は問題はない。また、放熱性の点に
おいても、支持板3が肉厚に形成されているし、
支持板3の下面側の樹脂15を十分に肉薄にでき
るから、支持板3の下面側が露出したタイプの半
導体装置と同程度の放熱効果を期待できる。
【0014】 また、本実施例では小断面部17,1
8が支持板3から離間した位置に形成される。こ
のため、細条12,13に後述の種々の形状の小
断面部を良好に形成することができる。最小断面
部17a,18aが支持板3から離間した位置に
形成されているから、引張応力を断面積の小さい
最小断面部17a,18aに集中的に加えること
ができる。したがつて、細条12,13の引張破
断を容易に行える。
8が支持板3から離間した位置に形成される。こ
のため、細条12,13に後述の種々の形状の小
断面部を良好に形成することができる。最小断面
部17a,18aが支持板3から離間した位置に
形成されているから、引張応力を断面積の小さい
最小断面部17a,18aに集中的に加えること
ができる。したがつて、細条12,13の引張破
断を容易に行える。
【0015】 本発明の実施態様は前記の実施例に限
定されず、更に変更が可能である。例えば、図7
に示すように応力緩和用の孔27の代わりに細条
13にコイニング即ち線状の切込28を形成した
例を示す。
定されず、更に変更が可能である。例えば、図7
に示すように応力緩和用の孔27の代わりに細条
13にコイニング即ち線状の切込28を形成した
例を示す。
【0016】 なお、上記実施例ではトランジスタに
ついて説明したが、この説明はダイオード、サイ
リスタ等他の半導体装置にも応用できることは明
らかである。
ついて説明したが、この説明はダイオード、サイ
リスタ等他の半導体装置にも応用できることは明
らかである。
【0017】
【発明の効果】 上述の通り、本発明は、封止樹
脂の内部に細条の小断面部が実質的に位置するよ
うにリードフレームを樹脂封止したのち、この小
断面部において細条を引張力によつて切断する工
程を採用した。このため、細条の切断後に更に細
条の端面を内側に窪ませる工程を必要とせず、細
条の切断のみで簡単に半導体装置の短絡事故や絶
縁不良を確実に防止できる優れた効果が得られ
た。また、細条の引張破断を容易にかつ樹脂及び
半導体チツプへのダメージを最小限に抑えて行う
ことができる。したがつて、半導体装置を大量生
産する場合、製造コストの低減や良品率の向上に
寄与するところ大である。
脂の内部に細条の小断面部が実質的に位置するよ
うにリードフレームを樹脂封止したのち、この小
断面部において細条を引張力によつて切断する工
程を採用した。このため、細条の切断後に更に細
条の端面を内側に窪ませる工程を必要とせず、細
条の切断のみで簡単に半導体装置の短絡事故や絶
縁不良を確実に防止できる優れた効果が得られ
た。また、細条の引張破断を容易にかつ樹脂及び
半導体チツプへのダメージを最小限に抑えて行う
ことができる。したがつて、半導体装置を大量生
産する場合、製造コストの低減や良品率の向上に
寄与するところ大である。
【図1】本発明による樹脂封止形半導体装置の製
造方法に使用するリードフレームの平面図
造方法に使用するリードフレームの平面図
【図2】リードフレームを金型に装着して樹脂封
止したときのコレクタリードの中心線に沿う断面
図
止したときのコレクタリードの中心線に沿う断面
図
【図3】リードフレームを金型に装着して樹脂封
止したときの細条の中心線に沿う断面図
止したときの細条の中心線に沿う断面図
【図4】金型から取出されたリードフレームの斜
視図
視図
【図5】本発明による樹脂封止形半導体装置の製
造方法で作られた半導体装置の斜視図
造方法で作られた半導体装置の斜視図
【図6】細条切断部の部分的拡大断面図
【図7】細条の応力緩和用の小断面部に関する変
形例を示す断面図
形例を示す断面図
【図8】従来の樹脂封止形半導体装置の例を示す
破砕断面図
破砕断面図
1……リードフレーム、2……半導体チツプ、3
……支持板、5,6,7……外部リード、12,
13……細条、 15……封止樹脂、17,18……小断面部、1
7a,18a……小断面部のうちの最小断面部、
19……金型、22……キヤビテイ、27……応
力緩和用の孔、28……応力緩和用の切込。
……支持板、5,6,7……外部リード、12,
13……細条、 15……封止樹脂、17,18……小断面部、1
7a,18a……小断面部のうちの最小断面部、
19……金型、22……キヤビテイ、27……応
力緩和用の孔、28……応力緩和用の切込。
Claims (1)
- 【請求項1】 一方の主面に半導体チツプが載置
された支持板と、該支持板の一端に連結された外
部リードと、前記支持板の他端に連結された細条
とを有し、該細条の一方の主面は前記支持板の一
方の主面と略同一平面上にあり、細条破断用の小
断面部が前記細条に形成され、応力緩和用の小断
面部が前記細条破断用の小断面部と前記半導体チ
ツプとの間に形成されたリードフレームを用意す
る工程と、前記細条破断用の小断面部を成形用型
のキヤビテイ形成面から所定距離だけ内側に離間
させて前記リードフレームを前記成形用型に装着
する工程と、 前記成形用型の前記キヤビテイ内に封止用樹脂
を圧入する工程と、 前記封止用樹脂の固化後、前記リードフレーム
を前記成形用型から取出す工程と、 前記細条に引張力を加えて、前記細条破断用の
小断面部で前記細条を破断する工程と、 を含むことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18744991A JPH04340237A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18744991A JPH04340237A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1086912A Division JPH0249445A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04340237A JPH04340237A (ja) | 1992-11-26 |
JPH0563937B2 true JPH0563937B2 (ja) | 1993-09-13 |
Family
ID=16206272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18744991A Granted JPH04340237A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04340237A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4953205B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2012-06-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5281797B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-09-04 | アスモ株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
JP5091832B2 (ja) * | 2008-10-28 | 2012-12-05 | 新電元工業株式会社 | リードフレーム及び半導体装置 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP18744991A patent/JPH04340237A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04340237A (ja) | 1992-11-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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