JPH04340237A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
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- JPH04340237A JPH04340237A JP18744991A JP18744991A JPH04340237A JP H04340237 A JPH04340237 A JP H04340237A JP 18744991 A JP18744991 A JP 18744991A JP 18744991 A JP18744991 A JP 18744991A JP H04340237 A JPH04340237 A JP H04340237A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止形半導体装置
、特に短絡事故が少なくかつ製造が容易な樹脂封止形半
導体装置の製造方法に関連する。
、特に短絡事故が少なくかつ製造が容易な樹脂封止形半
導体装置の製造方法に関連する。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般的な電力用樹脂封止形半導体
装置においては、半導体チップが接着された支持板の裏
面には封止樹脂が形成されていない。このため、この半
導体装置を外部放熱体に取付けるに際しては、外部放熱
体との間に絶縁シ−トを介在させなければならず、取付
作業が煩雑になった。そこで、支持板の裏面にも封止樹
脂を形成する方法が提案された。このような樹脂封止技
術は、例えば、特開昭５７−１７８３５２号公報や特開
昭５８−１４３５３８号公報で開示されている。すなわ
ち、リ−ドフレ−ムの一部を構成する支持板上に半導体
チップを電気伝導可能に接着したのち、半導体チップは
細線で外部リ−ドと接続される。次に、リ−ドフレ−ム
は金型に装着され、キャビティ内に融解樹脂が圧入され
る。このとき、キャビティ内で支持板が移動しないよう
に、支持板の各側部に連結された外部リ−ドと細条が金
型で把持される。融解樹脂が固化したのち、リ−ドフレ
−ムが金型から取外され、リ−ドフレ−ムの所定部分が
切断される。特開昭５７−１７８３５２号では、細条を
折り曲げて切断するために、封止樹脂の外面をまたぐよ
うにして細条に小断面部を形成している。
装置においては、半導体チップが接着された支持板の裏
面には封止樹脂が形成されていない。このため、この半
導体装置を外部放熱体に取付けるに際しては、外部放熱
体との間に絶縁シ−トを介在させなければならず、取付
作業が煩雑になった。そこで、支持板の裏面にも封止樹
脂を形成する方法が提案された。このような樹脂封止技
術は、例えば、特開昭５７−１７８３５２号公報や特開
昭５８−１４３５３８号公報で開示されている。すなわ
ち、リ−ドフレ−ムの一部を構成する支持板上に半導体
チップを電気伝導可能に接着したのち、半導体チップは
細線で外部リ−ドと接続される。次に、リ−ドフレ−ム
は金型に装着され、キャビティ内に融解樹脂が圧入され
る。このとき、キャビティ内で支持板が移動しないよう
に、支持板の各側部に連結された外部リ−ドと細条が金
型で把持される。融解樹脂が固化したのち、リ−ドフレ
−ムが金型から取外され、リ−ドフレ−ムの所定部分が
切断される。特開昭５７−１７８３５２号では、細条を
折り曲げて切断するために、封止樹脂の外面をまたぐよ
うにして細条に小断面部を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、細条の切断面
が封止樹脂の外面に露出することには変わりない。そこ
で、特開昭５８−１４３５３８号では、図８に示す通り
、切断後の封止樹脂の外面５０から突出した細条端部を
化学エッチング等の方法により除去し、封止樹脂の外面
５０から窪む位置５１に細条の先端を形成していた。 しかしこの方法は、細条の一部を除去する付加的な工程
が必要となりコストアップを招いた。しかも所望の化学
エッチング等を量産的に行うこと自体に新たな技術を要
するので、実用的とは言い難い。
が封止樹脂の外面に露出することには変わりない。そこ
で、特開昭５８−１４３５３８号では、図８に示す通り
、切断後の封止樹脂の外面５０から突出した細条端部を
化学エッチング等の方法により除去し、封止樹脂の外面
５０から窪む位置５１に細条の先端を形成していた。 しかしこの方法は、細条の一部を除去する付加的な工程
が必要となりコストアップを招いた。しかも所望の化学
エッチング等を量産的に行うこと自体に新たな技術を要
するので、実用的とは言い難い。
【０００４】そこで、本発明では上記問題を解決する樹
脂封止形半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
脂封止形半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止形半導
体装置の製造方法によれば、一方の主面に半導体チップ
が載置された支持板と、支持板の一端に連結された外部
リードと、支持板の他端に連結された細条とを有し、細
条の一方の主面は支持板の一方の主面と略同一平面上に
あり、細条破断用の小断面部が細条に形成され、応力緩
和用の小断面部が細条破断用の小断面部と半導体チップ
との間に形成されたリードフレームを用意する工程と、
細条破断用の小断面部を成形用型のキャビティ形成面か
ら所定距離だけ内側に離間させてリードフレームを成形
用型に装着する工程と、成形用型のキャビティ内に封止
用樹脂を圧入する工程と、封止用樹脂の固化後、リ−ド
フレ−ムを成形用型から取出す工程と、細条に引張力を
加えて、細条破断用の小断面部で細条を破断する工程と
を含む。
体装置の製造方法によれば、一方の主面に半導体チップ
が載置された支持板と、支持板の一端に連結された外部
リードと、支持板の他端に連結された細条とを有し、細
条の一方の主面は支持板の一方の主面と略同一平面上に
あり、細条破断用の小断面部が細条に形成され、応力緩
和用の小断面部が細条破断用の小断面部と半導体チップ
との間に形成されたリードフレームを用意する工程と、
細条破断用の小断面部を成形用型のキャビティ形成面か
ら所定距離だけ内側に離間させてリードフレームを成形
用型に装着する工程と、成形用型のキャビティ内に封止
用樹脂を圧入する工程と、封止用樹脂の固化後、リ−ド
フレ−ムを成形用型から取出す工程と、細条に引張力を
加えて、細条破断用の小断面部で細条を破断する工程と
を含む。
【０００６】
【作用】最小断面部が支持板から離間した位置に形成さ
れているから、断面積の小さい最小断面部に引張応力を
集中的に加えて、細条の引張破断を容易に行うことがで
きる。また、引張破断の際に応力緩和用の小断面部によ
り支持板に伝達される変形力が緩和される。このため、
半導体チップに伝達される変形力が顕著に減殺される。
れているから、断面積の小さい最小断面部に引張応力を
集中的に加えて、細条の引張破断を容易に行うことがで
きる。また、引張破断の際に応力緩和用の小断面部によ
り支持板に伝達される変形力が緩和される。このため、
半導体チップに伝達される変形力が顕著に減殺される。
【０００７】
【実施例】以下図面について、本発明の実施例を説明す
る。本発明で製造される樹脂封止形半導体装置は、図１
に示すリ−ドフレ−ム１から作られる。リ−ドフレ−ム
１は、トランジスタチップ等の半導体チップ２が一方の
主面に半田付けされた支持板３を有する。半導体チップ
２は、必要に応じて保護コ−ト４を形成するシリコン樹
脂で被覆される。支持板３には、コレクタリ−ド５が一
体成形される。コレクタリ−ド５は、ベ−スリ−ド６と
エミッタリ−ド７と共に外部リ−ドと総称され、タイバ
−８及び共通細条９により直角方向で互いに連結される
。ベ−スリ−ド６とエミッタリ−ド７は、それぞれアル
ミニウム線１０、１１により半導体チップ２の所定位置
へ接続される。
る。本発明で製造される樹脂封止形半導体装置は、図１
に示すリ−ドフレ−ム１から作られる。リ−ドフレ−ム
１は、トランジスタチップ等の半導体チップ２が一方の
主面に半田付けされた支持板３を有する。半導体チップ
２は、必要に応じて保護コ−ト４を形成するシリコン樹
脂で被覆される。支持板３には、コレクタリ−ド５が一
体成形される。コレクタリ−ド５は、ベ−スリ−ド６と
エミッタリ−ド７と共に外部リ−ドと総称され、タイバ
−８及び共通細条９により直角方向で互いに連結される
。ベ−スリ−ド６とエミッタリ−ド７は、それぞれアル
ミニウム線１０、１１により半導体チップ２の所定位置
へ接続される。
【０００８】支持板３には、コレクタリ−ド５に対し反
対側へ伸びる一対の細条１２、１３が一体に成形される
。外部リ−ド及び細条１２、１３は支持板３よりも肉薄
に形成されている。また、細条１２、１３はその一方の
主面が支持板３の一方の主面と略同一平面上に位置する
ように上方に偏位している。各細条１２、１３の外端は
、共通細条１４により直角方向で互いに連結される。 後工程で形成される鎖線１５で示す封止樹脂の端面１６
から所定距離だけ内側に離れた位置の各細条１２、１３
には細条破断用の小断面部１７、１８が設けられる。更
に、応力緩和用の小断面部として円形の孔２７が小断面
部１７、１８と半導体チップ２との間に形成されている
。細条破断用の小断面部１７、１８及び応力緩和用の小
断面部は種々の形状に形成することができる。また、小
断面部１７、１８には、細条の切断時に引張応力が集中
する最小断面部１７ａ、１８ａが形成される。
対側へ伸びる一対の細条１２、１３が一体に成形される
。外部リ−ド及び細条１２、１３は支持板３よりも肉薄
に形成されている。また、細条１２、１３はその一方の
主面が支持板３の一方の主面と略同一平面上に位置する
ように上方に偏位している。各細条１２、１３の外端は
、共通細条１４により直角方向で互いに連結される。 後工程で形成される鎖線１５で示す封止樹脂の端面１６
から所定距離だけ内側に離れた位置の各細条１２、１３
には細条破断用の小断面部１７、１８が設けられる。更
に、応力緩和用の小断面部として円形の孔２７が小断面
部１７、１８と半導体チップ２との間に形成されている
。細条破断用の小断面部１７、１８及び応力緩和用の小
断面部は種々の形状に形成することができる。また、小
断面部１７、１８には、細条の切断時に引張応力が集中
する最小断面部１７ａ、１８ａが形成される。
【０００９】なお、図１ではトランジスタ１個分の支持
板３、外部リ−ド及び細条１２、１３を有するリ−ドフ
レ−ム１を示すが、実際には、多数の支持板、外部リ−
ド及び細条がタイバ−８と共通細条９、１４により並行
に支持された金属製リ−ドフレ−ムが使用される。
板３、外部リ−ド及び細条１２、１３を有するリ−ドフ
レ−ム１を示すが、実際には、多数の支持板、外部リ−
ド及び細条がタイバ−８と共通細条９、１４により並行
に支持された金属製リ−ドフレ−ムが使用される。
【００１０】リ−ドフレ−ム１は、図２及び図３に示す
金型（成形用型）１９内に装着される。図２はコレクタ
リ−ド５の中心線に沿う断面を示し、図３は細条１３の
中心線に沿う断面を示す。金型１９は、下型２０と上型
２１とで構成され、リ−ドフレ−ム１を収容するキャビ
ティ２２を形成する。小断面部のうちの最小断面部１７
ａ、１８ａは、金型１９のキャビティ形成面からｌだけ
内側に配置される。
金型（成形用型）１９内に装着される。図２はコレクタ
リ−ド５の中心線に沿う断面を示し、図３は細条１３の
中心線に沿う断面を示す。金型１９は、下型２０と上型
２１とで構成され、リ−ドフレ−ム１を収容するキャビ
ティ２２を形成する。小断面部のうちの最小断面部１７
ａ、１８ａは、金型１９のキャビティ形成面からｌだけ
内側に配置される。
【００１１】上述の通り金型１９にリ−ドフレ−ム１を
装着したのち、キャビティ２２内に熱硬化性の融解エポ
キシ樹脂を公知のトランスファモ−ルド法によりゲ−ト
（図示せず）から圧入し、支持板３を含むリ−ドフレ−
ム１の一部分を樹脂１５により封止する。
装着したのち、キャビティ２２内に熱硬化性の融解エポ
キシ樹脂を公知のトランスファモ−ルド法によりゲ−ト
（図示せず）から圧入し、支持板３を含むリ−ドフレ−
ム１の一部分を樹脂１５により封止する。
【００１２】樹脂１５が固化したのち、図４に示すリ−
ドフレ−ム１を金型１９から取出す。次に、樹脂１５か
ら導出された細条１２、１３を導出方向に引張ることに
より、小断面部１７、１８の最小断面部１７ａ、１８ａ
で切断し、共通細条１４と細条１２、１３の一部を除去
する。このとき、最小断面部１７ａ、１８ａが支持板３
から離間した位置に形成されているから、断面積の小さ
い最小断面部１７ａ、１８ａに引張応力を集中的に加え
て、細条１２、１３の引張破断を容易に行うことができ
る。また、引張破断の際に応力緩和用の孔２７により支
持板３に伝達される変形力が緩和される。このため、半
導体チップ２に伝達される変形力が顕著に減殺される。 その後、各外部リ−ドを連結するタイバ−８と共通細条
９もプレス切断により除去する。このように製造した半
導体装置の１例を図５に示す。細条１２、１３が導出さ
れていた樹脂１５に孔２３、２４が形成される。本出願
人は本発明による製造方法で実際に樹脂封止形半導体装
置を製造したが、孔２３、２４の形状は細条１２、１３
が抜けた跡にほぼ等しく形成された。また、細条１２、
１３は支持板３よりも肉薄に形成されており、最小断面
部１７ａ、１８ａの断面積は十分に小さいから、引抜き
によって容易に破断できた。更に、細条１２、１３はそ
の上面が支持板３の上面の延長上に位置するように形成
されており、コレクタリ−ド５のように支持板３の上方
までは偏位していないので、細条１２、１３の引張破断
時に細条１２、１３の周辺の樹脂１５に特性変動または
外観不良の点で実用上問題にすべきクラック、そり等の
異常は全く発生しなかった。
ドフレ−ム１を金型１９から取出す。次に、樹脂１５か
ら導出された細条１２、１３を導出方向に引張ることに
より、小断面部１７、１８の最小断面部１７ａ、１８ａ
で切断し、共通細条１４と細条１２、１３の一部を除去
する。このとき、最小断面部１７ａ、１８ａが支持板３
から離間した位置に形成されているから、断面積の小さ
い最小断面部１７ａ、１８ａに引張応力を集中的に加え
て、細条１２、１３の引張破断を容易に行うことができ
る。また、引張破断の際に応力緩和用の孔２７により支
持板３に伝達される変形力が緩和される。このため、半
導体チップ２に伝達される変形力が顕著に減殺される。 その後、各外部リ−ドを連結するタイバ−８と共通細条
９もプレス切断により除去する。このように製造した半
導体装置の１例を図５に示す。細条１２、１３が導出さ
れていた樹脂１５に孔２３、２４が形成される。本出願
人は本発明による製造方法で実際に樹脂封止形半導体装
置を製造したが、孔２３、２４の形状は細条１２、１３
が抜けた跡にほぼ等しく形成された。また、細条１２、
１３は支持板３よりも肉薄に形成されており、最小断面
部１７ａ、１８ａの断面積は十分に小さいから、引抜き
によって容易に破断できた。更に、細条１２、１３はそ
の上面が支持板３の上面の延長上に位置するように形成
されており、コレクタリ−ド５のように支持板３の上方
までは偏位していないので、細条１２、１３の引張破断
時に細条１２、１３の周辺の樹脂１５に特性変動または
外観不良の点で実用上問題にすべきクラック、そり等の
異常は全く発生しなかった。
【００１３】図６に示す通り、細条１３の端面２５は、
樹脂の端面１６より長さｌ１だけ内側に窪み、そこに孔
２４が形成される。また、細条１２、１３は上述のよう
に支持板３の上面側に偏位しており、細条１２、１３の
下面と支持板３の下面との間に段差が形成されている。 したがって、支持板３の下面側の樹脂１５を肉薄に形成
しても、細条１２、１３の外部放熱体２６からの高さｌ
２を大きくとることができる。結果として、細条１２、
１３から外部放熱体２６までの沿面距離ｌ０はｌ０＝ｌ
１＋ｌ２と長くなり、絶縁不良が防止される。更に、孔
２３、２４が小さいため、他の素子、キャビネットまた
は人体等を含む周囲と細条１２、１３との接触による短
絡事故も防止される。孔２３、２４には、絶縁不良を完
全に防止するため、樹脂を充填してもよい。しかし、こ
の樹脂を充填しなくても実用上は問題はない。また、放
熱性の点においても、支持板３が肉厚に形成されている
し、支持板３の下面側の樹脂１５を十分に肉薄にできる
から、支持板３の下面側が露出したタイプの半導体装置
と同程度の放熱効果を期待できる。
樹脂の端面１６より長さｌ１だけ内側に窪み、そこに孔
２４が形成される。また、細条１２、１３は上述のよう
に支持板３の上面側に偏位しており、細条１２、１３の
下面と支持板３の下面との間に段差が形成されている。 したがって、支持板３の下面側の樹脂１５を肉薄に形成
しても、細条１２、１３の外部放熱体２６からの高さｌ
２を大きくとることができる。結果として、細条１２、
１３から外部放熱体２６までの沿面距離ｌ０はｌ０＝ｌ
１＋ｌ２と長くなり、絶縁不良が防止される。更に、孔
２３、２４が小さいため、他の素子、キャビネットまた
は人体等を含む周囲と細条１２、１３との接触による短
絡事故も防止される。孔２３、２４には、絶縁不良を完
全に防止するため、樹脂を充填してもよい。しかし、こ
の樹脂を充填しなくても実用上は問題はない。また、放
熱性の点においても、支持板３が肉厚に形成されている
し、支持板３の下面側の樹脂１５を十分に肉薄にできる
から、支持板３の下面側が露出したタイプの半導体装置
と同程度の放熱効果を期待できる。
【００１４】また、本実施例では小断面部１７、１８が
支持板３から離間した位置に形成される。このため、細
条１２、１３に後述の種々の形状の小断面部を良好に形
成することができる。最小断面部１７ａ、１８ａが支持
板３から離間した位置に形成されているから、引張応力
を断面積の小さい最小断面部１７ａ、１８ａに集中的に
加えることができる。したがって、細条１２、１３の引
張破断を容易に行える。
支持板３から離間した位置に形成される。このため、細
条１２、１３に後述の種々の形状の小断面部を良好に形
成することができる。最小断面部１７ａ、１８ａが支持
板３から離間した位置に形成されているから、引張応力
を断面積の小さい最小断面部１７ａ、１８ａに集中的に
加えることができる。したがって、細条１２、１３の引
張破断を容易に行える。
【００１５】本発明の実施態様は前記の実施例に限定さ
れず、更に変更が可能である。例えば、図７に示すよう
に応力緩和用の孔２７の代わりに細条１３にコイニング
即ち線状の切込２８を形成した例を示す。
れず、更に変更が可能である。例えば、図７に示すよう
に応力緩和用の孔２７の代わりに細条１３にコイニング
即ち線状の切込２８を形成した例を示す。
【００１６】なお、上記実施例ではトランジスタについ
て説明したが、この説明はダイオ−ド、サイリスタ等他
の半導体装置にも応用できることは明らかである。
て説明したが、この説明はダイオ−ド、サイリスタ等他
の半導体装置にも応用できることは明らかである。
【００１７】
【発明の効果】上述の通り、本発明は、封止樹脂の内部
に細条の小断面部が実質的に位置するようにリ−ドフレ
−ムを樹脂封止したのち、この小断面部において細条を
引張力によって切断する工程を採用した。このため、細
条の切断後に更に細条の端面を内側に窪ませる工程を必
要とせず、細条の切断のみで簡単に半導体装置の短絡事
故や絶縁不良を確実に防止できる優れた効果が得られる
。また、細条の引張破断を容易にかつ樹脂及び半導体チ
ップへのダメ−ジを最小限に抑えて行うことができる。 したがって、半導体装置を大量生産する場合、製造コス
トの低減や良品率の向上に寄与するところ大である。
に細条の小断面部が実質的に位置するようにリ−ドフレ
−ムを樹脂封止したのち、この小断面部において細条を
引張力によって切断する工程を採用した。このため、細
条の切断後に更に細条の端面を内側に窪ませる工程を必
要とせず、細条の切断のみで簡単に半導体装置の短絡事
故や絶縁不良を確実に防止できる優れた効果が得られる
。また、細条の引張破断を容易にかつ樹脂及び半導体チ
ップへのダメ−ジを最小限に抑えて行うことができる。 したがって、半導体装置を大量生産する場合、製造コス
トの低減や良品率の向上に寄与するところ大である。
【図１】本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法
に使用するリ−ドフレ−ムの平面図
に使用するリ−ドフレ−ムの平面図
【図２】リ−ドフレ−ムを金型に装着して樹脂封止した
ときのコレクタリ−ドの中心線に沿う断面図
ときのコレクタリ−ドの中心線に沿う断面図
【図３】リ
−ドフレ−ムを金型に装着して樹脂封止したときの細条
の中心線に沿う断面図
−ドフレ−ムを金型に装着して樹脂封止したときの細条
の中心線に沿う断面図
【図４】金型から取出されたリ−ドフレ−ムの斜視図
【
図５】本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法で
作られた半導体装置の斜視図
図５】本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法で
作られた半導体装置の斜視図
【図６】細条切断部の部分的拡大断面図
【図７】細条の
応力緩和用の小断面部に関する変形例を示す断面図
応力緩和用の小断面部に関する変形例を示す断面図
【図８】従来の樹脂封止形半導体装置の例を示す破砕断
面図
面図
１．．リ−ドフレ−ム、 ２．．半導体チップ、 ３．
．支持板、 ５、６、７．．外部リ−ド、 １２、１３
．．細条、 １５．．封止樹脂、 １７、１８．．小断
面部、 １７ａ、１８ａ．．小断面部のうちの最小断面
部、 １９．．金型、２２．．キャビティ、２７．．応
力緩和用の孔、２８．．応力緩和用の切込、
．支持板、 ５、６、７．．外部リ−ド、 １２、１３
．．細条、 １５．．封止樹脂、 １７、１８．．小断
面部、 １７ａ、１８ａ．．小断面部のうちの最小断面
部、 １９．．金型、２２．．キャビティ、２７．．応
力緩和用の孔、２８．．応力緩和用の切込、
Claims (1)
- 【請求項１】 一方の主面に半導体チップが載置され
た支持板と、該支持板の一端に連結された外部リードと
、前記支持板の他端に連結された細条とを有し、該細条
の一方の主面は前記支持板の一方の主面と略同一平面上
にあり、細条破断用の小断面部が前記細条に形成され、
応力緩和用の小断面部が前記細条破断用の小断面部と前
記半導体チップとの間に形成されたリードフレームを用
意する工程と、 前記細条破断用の小断面部を成形用
型のキャビティ形成面から所定距離だけ内側に離間させ
て前記リードフレームを前記成形用型に装着する工程と
、前記成形用型の前記キャビティ内に封止用樹脂を圧入
する工程と、前記封止用樹脂の固化後、前記リ−ドフレ
−ムを前記成形用型から取出す工程と、前記細条に引張
力を加えて、前記細条破断用の小断面部で前記細条を破
断する工程と、を含むことを特徴とする樹脂封止形半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18744991A JPH04340237A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18744991A JPH04340237A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086912A Division JPH0249445A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340237A true JPH04340237A (ja) | 1992-11-26 |
| JPH0563937B2 JPH0563937B2 (ja) | 1993-09-13 |
Family
ID=16206272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18744991A Granted JPH04340237A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04340237A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277630A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2009176825A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Asmo Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2010108954A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP18744991A patent/JPH04340237A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277630A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2009176825A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Asmo Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2010108954A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0563937B2 (ja) | 1993-09-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |