JPH04211138A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
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- JPH04211138A JPH04211138A JP4237791A JP4237791A JPH04211138A JP H04211138 A JPH04211138 A JP H04211138A JP 4237791 A JP4237791 A JP 4237791A JP 4237791 A JP4237791 A JP 4237791A JP H04211138 A JPH04211138 A JP H04211138A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止形半導体装置
、特に短絡事故が少なくかつ製造が容易な樹脂封止形半
導体装置の製造方法に関連する。 ［０００２］
、特に短絡事故が少なくかつ製造が容易な樹脂封止形半
導体装置の製造方法に関連する。 ［０００２］
【従来の技術】従来、一般的な電力用樹脂封止形半導体
装置においては、半導体チップが接着された支持板の裏
面には封止用樹脂が形成されていない。このため、この
半導体装置を外部放熱体に取付けるに際しては、外部放
熱体との間に絶縁シートを介在させる必要があり、作業
が煩雑になった。そこで、支持板の裏面にも封止用樹脂
を形成する方法が提案された。このような樹脂封止技術
は、例えば、特開昭５７−１７８３５２号公報や特開昭
５８−１４３５３８号公報で開示されている。すなわち
、リードフレームの一部を構成する支持板上に半導体チ
ップを電気伝導可能に接着したのち、半導体チップは細
線で外部リードと接続される。次に、リードフレームは
金型に装着され、キャビティ内に融解樹脂が圧入される
。このとき、キャビティ内で支持板が移動しないように
、支持板の各側部に連結された外部リードと細条が金型
で把持される。融解樹脂が固化したのち、リードフレム
が金型から取外され、リードフレームの所定部分が切断
される。特開昭５７−１７８３５２号では、細条を折り
曲げて切断するために、封止用樹脂の外面をまたぐよう
にして細条に小断面部を形成している。 ［０００３］
装置においては、半導体チップが接着された支持板の裏
面には封止用樹脂が形成されていない。このため、この
半導体装置を外部放熱体に取付けるに際しては、外部放
熱体との間に絶縁シートを介在させる必要があり、作業
が煩雑になった。そこで、支持板の裏面にも封止用樹脂
を形成する方法が提案された。このような樹脂封止技術
は、例えば、特開昭５７−１７８３５２号公報や特開昭
５８−１４３５３８号公報で開示されている。すなわち
、リードフレームの一部を構成する支持板上に半導体チ
ップを電気伝導可能に接着したのち、半導体チップは細
線で外部リードと接続される。次に、リードフレームは
金型に装着され、キャビティ内に融解樹脂が圧入される
。このとき、キャビティ内で支持板が移動しないように
、支持板の各側部に連結された外部リードと細条が金型
で把持される。融解樹脂が固化したのち、リードフレム
が金型から取外され、リードフレームの所定部分が切断
される。特開昭５７−１７８３５２号では、細条を折り
曲げて切断するために、封止用樹脂の外面をまたぐよう
にして細条に小断面部を形成している。 ［０００３］
【発明が解決しようとする課題】しかし、細条の切断面
が封止用樹脂の外面に露出することには変わりない。そ
こで、特開昭５８−１４３５３８号では、図９に示す通
り、切断後の封止用樹脂の外面５０から突出した細条端
部を化学エツチング等の方法により除去し、封止用樹脂
の外面５０から窪む位置５１に細条の先端を形成してい
た。しかしこの方法は、細条の一部を除去する付加的工
程が必要となりコストアップを招いた。しかも所望の化
学エツチング等を量産的に行うこと自体に新たな技術を
要するので、実用的とは言い難い。
が封止用樹脂の外面に露出することには変わりない。そ
こで、特開昭５８−１４３５３８号では、図９に示す通
り、切断後の封止用樹脂の外面５０から突出した細条端
部を化学エツチング等の方法により除去し、封止用樹脂
の外面５０から窪む位置５１に細条の先端を形成してい
た。しかしこの方法は、細条の一部を除去する付加的工
程が必要となりコストアップを招いた。しかも所望の化
学エツチング等を量産的に行うこと自体に新たな技術を
要するので、実用的とは言い難い。
【０００４】そこで、本発明では上記問題を解決する樹
脂封止形半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。 ［０００５］
脂封止形半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。 ［０００５］
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止形半導
体装置の製造方法によれば、支持板と、支持板の一端に
連結された外部リードと、支持板の他端に連結された細
条とを有し、支持板の他端側から順番に細条には第１の
小断面部と第２の小断面部が形成され、支持板上に半導
体チップが載置されたリードフレームを用意する工程と
、細条の第１の小断面部と第２の小断面部を成形用型の
キャビティ形成面から所定距離だけ内側に離間させてリ
ードフレームを成形用型に装着する工程と、成形用型の
キャビティ内に封止用樹脂を圧入する工程と、細条にそ
の導出方向への引張力を作用させて、細条を第２の小断
面部で破断する工程とを含む。 ［０００６］
体装置の製造方法によれば、支持板と、支持板の一端に
連結された外部リードと、支持板の他端に連結された細
条とを有し、支持板の他端側から順番に細条には第１の
小断面部と第２の小断面部が形成され、支持板上に半導
体チップが載置されたリードフレームを用意する工程と
、細条の第１の小断面部と第２の小断面部を成形用型の
キャビティ形成面から所定距離だけ内側に離間させてリ
ードフレームを成形用型に装着する工程と、成形用型の
キャビティ内に封止用樹脂を圧入する工程と、細条にそ
の導出方向への引張力を作用させて、細条を第２の小断
面部で破断する工程とを含む。 ［０００６］
【作用】本発明によれば、封止用樹脂の内側で細条を破
断して、細条の破断部と外部放熱体との沿面距離を増加
できるので、樹脂封止形半導体装置の絶縁耐圧が向上し
、接触事故を防止することができる。また、破断部とな
る第２の小断面部と支持板との間に形成された第１の小
断面部は、細条の引張り破断時に細条を通じて半導体装
置の内部に伝達される外力を減衰させて、支持板及び封
止用樹脂に生じる応力を有効に緩和する。 ［０００７］
断して、細条の破断部と外部放熱体との沿面距離を増加
できるので、樹脂封止形半導体装置の絶縁耐圧が向上し
、接触事故を防止することができる。また、破断部とな
る第２の小断面部と支持板との間に形成された第１の小
断面部は、細条の引張り破断時に細条を通じて半導体装
置の内部に伝達される外力を減衰させて、支持板及び封
止用樹脂に生じる応力を有効に緩和する。 ［０００７］
【実施例】以下図面について、本発明の詳細な説明する
。 本発明で製造される樹脂封止形半導体装置は、図１に示
すリードフレーム１から作られる。リードフレーム１は
支持板３を有し、支持板３の一方の主面にトランジスタ
チップ等の半導体チップ２が半田付けされる。半導体チ
ップ２は、必要に応じて保護コート４を形成するシリコ
ン樹脂で被覆される。支持板３には、コレクタリード５
が一体形成される。コレクタリード５は、ベースリード
６とエミッタリード７と共に外部リードと総称され、タ
イバー８及び共通細条９により直角方向に連結される。 ベースリード６とエミッタリード７は、それぞれアルミ
ニウム線１０．１１により半導体チップ２の所定位置へ
接続される。 ［０００８］支持板３には、コレクタリード５に対して
反対側へ伸びる一体の細条１２．１３が一体に成形され
る。外部リード及び細条１２．１３は支持板３よりも肉
薄に形成されている。また、細条１２．１３の下面と支
持板３の下面との間には段差部２７が形成されている。 各細条１２．１３の外端は、共通細条１４により直角方
向で互いに連結される。後工程で形成される鎖線１５で
示す封止用樹脂の端面１６から所定距離だけ内側に離れ
た位置の各細条１２．１３にはそれぞれ第１の小断面部
１７ａ、１８ａと第２の小断面部１７ｂ、１８ｂが設け
られる。小断面部１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂは、
後述の通り、種々の形状のものを選択できるが、本実施
例では第１の小断面部１７ａ、１８ａを線状の切込（溝
）で形成し、第２の小断面部１７ｂ、１８ｂを内側に先
細のテーパで形成した。第２の小断面部１７ｂ、１８ｂ
は第１の小断面部１７ａ、１８ａよりも支持板３から離
間した位置に配設されており、細条の切断時に引張の応
力が強く集中する部分となる。 ［０００９］なお、図１ではトランジスタ１個分の支持
板３、外部リード及び細条１２．１３を有するリードフ
レーム１を示すが、実際には、多数の支持板、外部リド
及び細条がタイバー８と共通細条９．１４により並行に
支持された金属製リードフレームが使用される。 ［００１０１リードフレームは、図２及び図３に示す金
型１９内に装着される。図２はコレクタリード５の中心
線に沿う断面を示し、図３は細条１３の中心線に沿う断
面を示す。金型１９は下型２０と上型２１とで構成され
、リードフレーム１を収容するキャビティ２２を形成す
る。第１及び第２の小断面部１７ａ、１８ａ、１７ｂ、
１８ｂは金型のキャビティ形成面から内側に配置される
。 ［００１１１上述の通り金型１９にリードフレーム１を
装着したのち、キャビティ２２内に熱硬化性の融解エポ
キシ樹脂が公知のトランスファモールド法によりゲート
（図示せず）から圧入され、支持板３を含むリードフレ
ム１の一部分が樹脂１５により封止される。 ［００１２］樹脂１５が固化したのち、図４に示すリド
フレーム１を金型１９から取出す。次に、樹脂１５から
導出された細条１２．１３を導出方向に引張ることによ
り、細条１２．１３を第２の小断面部１７ｂ、１８ｂで
切断し、共通細条１２．１３の一部を除去する。その後
、各外部リードを連結するタイバー８と共通細条９もプ
レス切断により除去する。このように製造した半導体装
置の１例を図５に示す。細条１２．１３が導出されてい
た樹脂１５に孔２３．２４が形成される。本出願人は本
発明による製造方法で実際に樹脂封止形半導体装置を製
造したが、孔２３．２４の形状は細条１２．１３が抜け
た後にほぼ等しく形成された。また、細条１２．１３は
支持板３よりも肉薄に形成されており、第２の小断面部
１７ｂ、１８ｂの断面積は十分に小さいから、細条１２
．１３は引張りによって容易に破断することができる。 また、引抜き破断時に第１の断面部１７ａ、１８ａがわ
ずかではあるが伸びることによって、引抜き破断時に支
持板側に伝達される強い引張応力を緩和することができ
る。このため、孔２３．２４の周辺の樹脂１５に特性変
動または外観不良の点で実用上問題にすべきクラック、
そり等の異常は全く発生せず、半導体チップ２の特性低
下等も生じなかった。 ［００１３］図６に示すように、細条１３の端面２５は
、樹脂の端面１６より長さ１１（キャビティ形成面と第
２の小断面部１７ｂ、１８ｂとの間隔に相当）だけ内側
に窪み、そこに孔２４が形成される。また、細条１２．
１３は支持板３との間に段差部２７が形成されて上方に
偏位しているので、支持板３の下面側の樹脂１５を図３
に示すように肉薄に形成しても細条１２．１３の外部放
熱体からの高さ１２を大きくとれる。結果として、細条
１２．１３から外部放熱体２６までの沿面距離１ｏはｌ
。 −１１＋１２と長くなり、絶縁不良が防止される。更に
、孔２３．２４が小さいため、他の素子、キャビネット
又は人体等を含む周囲と細条１２．１３の接触による短
絡事故も防止される。孔２３．２４には、絶縁不良を完
全に防止するため、樹脂を充填してもよい。しかし、こ
の樹脂を充填しなくても実用上は問題はない。また、放
熱性の点においても、支持板３が細条１２．１３に比べ
て肉厚に形成されているし、支持板３の下面側の樹脂１
５を肉薄に形成することができるから、支持板３の下面
が露出したタイプの半導体装置と同等の放熱効果を期待
できる。 ［００１４１図７及び図８は細条の小断面部の変形例の
一例を示す。図７の例では、引張力に対向する肩部３１
を第１の小断面部としている。 ［００１５１図８は細条１３に加えられる引張力に対向
する力を更に強化するため、樹脂が充填される孔３５を
第１の小断面部として形成している。その他、第２の小
断面部１７ｂ、１８ｂを形成するテーパの外側部分を樹
脂の耐面１６よりも外側まで伸ばしても良い。勿論、破
断部となる第２の小断面部１７ｂ、１８ｂを孔などで、
形成することもできる。 ［００１６］なお、上記実施例ではトランジスタについ
て説明したが、この説明はダイオード、サイリスタ等信
の半導体装置にも応用できることは明らかである。 ［００１７］
。 本発明で製造される樹脂封止形半導体装置は、図１に示
すリードフレーム１から作られる。リードフレーム１は
支持板３を有し、支持板３の一方の主面にトランジスタ
チップ等の半導体チップ２が半田付けされる。半導体チ
ップ２は、必要に応じて保護コート４を形成するシリコ
ン樹脂で被覆される。支持板３には、コレクタリード５
が一体形成される。コレクタリード５は、ベースリード
６とエミッタリード７と共に外部リードと総称され、タ
イバー８及び共通細条９により直角方向に連結される。 ベースリード６とエミッタリード７は、それぞれアルミ
ニウム線１０．１１により半導体チップ２の所定位置へ
接続される。 ［０００８］支持板３には、コレクタリード５に対して
反対側へ伸びる一体の細条１２．１３が一体に成形され
る。外部リード及び細条１２．１３は支持板３よりも肉
薄に形成されている。また、細条１２．１３の下面と支
持板３の下面との間には段差部２７が形成されている。 各細条１２．１３の外端は、共通細条１４により直角方
向で互いに連結される。後工程で形成される鎖線１５で
示す封止用樹脂の端面１６から所定距離だけ内側に離れ
た位置の各細条１２．１３にはそれぞれ第１の小断面部
１７ａ、１８ａと第２の小断面部１７ｂ、１８ｂが設け
られる。小断面部１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂは、
後述の通り、種々の形状のものを選択できるが、本実施
例では第１の小断面部１７ａ、１８ａを線状の切込（溝
）で形成し、第２の小断面部１７ｂ、１８ｂを内側に先
細のテーパで形成した。第２の小断面部１７ｂ、１８ｂ
は第１の小断面部１７ａ、１８ａよりも支持板３から離
間した位置に配設されており、細条の切断時に引張の応
力が強く集中する部分となる。 ［０００９］なお、図１ではトランジスタ１個分の支持
板３、外部リード及び細条１２．１３を有するリードフ
レーム１を示すが、実際には、多数の支持板、外部リド
及び細条がタイバー８と共通細条９．１４により並行に
支持された金属製リードフレームが使用される。 ［００１０１リードフレームは、図２及び図３に示す金
型１９内に装着される。図２はコレクタリード５の中心
線に沿う断面を示し、図３は細条１３の中心線に沿う断
面を示す。金型１９は下型２０と上型２１とで構成され
、リードフレーム１を収容するキャビティ２２を形成す
る。第１及び第２の小断面部１７ａ、１８ａ、１７ｂ、
１８ｂは金型のキャビティ形成面から内側に配置される
。 ［００１１１上述の通り金型１９にリードフレーム１を
装着したのち、キャビティ２２内に熱硬化性の融解エポ
キシ樹脂が公知のトランスファモールド法によりゲート
（図示せず）から圧入され、支持板３を含むリードフレ
ム１の一部分が樹脂１５により封止される。 ［００１２］樹脂１５が固化したのち、図４に示すリド
フレーム１を金型１９から取出す。次に、樹脂１５から
導出された細条１２．１３を導出方向に引張ることによ
り、細条１２．１３を第２の小断面部１７ｂ、１８ｂで
切断し、共通細条１２．１３の一部を除去する。その後
、各外部リードを連結するタイバー８と共通細条９もプ
レス切断により除去する。このように製造した半導体装
置の１例を図５に示す。細条１２．１３が導出されてい
た樹脂１５に孔２３．２４が形成される。本出願人は本
発明による製造方法で実際に樹脂封止形半導体装置を製
造したが、孔２３．２４の形状は細条１２．１３が抜け
た後にほぼ等しく形成された。また、細条１２．１３は
支持板３よりも肉薄に形成されており、第２の小断面部
１７ｂ、１８ｂの断面積は十分に小さいから、細条１２
．１３は引張りによって容易に破断することができる。 また、引抜き破断時に第１の断面部１７ａ、１８ａがわ
ずかではあるが伸びることによって、引抜き破断時に支
持板側に伝達される強い引張応力を緩和することができ
る。このため、孔２３．２４の周辺の樹脂１５に特性変
動または外観不良の点で実用上問題にすべきクラック、
そり等の異常は全く発生せず、半導体チップ２の特性低
下等も生じなかった。 ［００１３］図６に示すように、細条１３の端面２５は
、樹脂の端面１６より長さ１１（キャビティ形成面と第
２の小断面部１７ｂ、１８ｂとの間隔に相当）だけ内側
に窪み、そこに孔２４が形成される。また、細条１２．
１３は支持板３との間に段差部２７が形成されて上方に
偏位しているので、支持板３の下面側の樹脂１５を図３
に示すように肉薄に形成しても細条１２．１３の外部放
熱体からの高さ１２を大きくとれる。結果として、細条
１２．１３から外部放熱体２６までの沿面距離１ｏはｌ
。 −１１＋１２と長くなり、絶縁不良が防止される。更に
、孔２３．２４が小さいため、他の素子、キャビネット
又は人体等を含む周囲と細条１２．１３の接触による短
絡事故も防止される。孔２３．２４には、絶縁不良を完
全に防止するため、樹脂を充填してもよい。しかし、こ
の樹脂を充填しなくても実用上は問題はない。また、放
熱性の点においても、支持板３が細条１２．１３に比べ
て肉厚に形成されているし、支持板３の下面側の樹脂１
５を肉薄に形成することができるから、支持板３の下面
が露出したタイプの半導体装置と同等の放熱効果を期待
できる。 ［００１４１図７及び図８は細条の小断面部の変形例の
一例を示す。図７の例では、引張力に対向する肩部３１
を第１の小断面部としている。 ［００１５１図８は細条１３に加えられる引張力に対向
する力を更に強化するため、樹脂が充填される孔３５を
第１の小断面部として形成している。その他、第２の小
断面部１７ｂ、１８ｂを形成するテーパの外側部分を樹
脂の耐面１６よりも外側まで伸ばしても良い。勿論、破
断部となる第２の小断面部１７ｂ、１８ｂを孔などで、
形成することもできる。 ［００１６］なお、上記実施例ではトランジスタについ
て説明したが、この説明はダイオード、サイリスタ等信
の半導体装置にも応用できることは明らかである。 ［００１７］
【発明の効果】上述のように、本発明の樹脂封止形半導
体装置の製造方法によれば、細条の破断部が封止用樹脂
の外周面よりも内側に位置する。したがって、細条の破
断部と外部放熱体との沿面距離を増加して、絶縁耐圧を
向上すると共に、細条の破断部の接触による短絡事故を
防止することができる。更に破断部となる第２の小断面
部と支持板との間に形成した第１の小断面部によって細
条の引張時に生じる応力を有効に緩和し、樹脂の割れや
チップの特性低下を抑制することができる。
体装置の製造方法によれば、細条の破断部が封止用樹脂
の外周面よりも内側に位置する。したがって、細条の破
断部と外部放熱体との沿面距離を増加して、絶縁耐圧を
向上すると共に、細条の破断部の接触による短絡事故を
防止することができる。更に破断部となる第２の小断面
部と支持板との間に形成した第１の小断面部によって細
条の引張時に生じる応力を有効に緩和し、樹脂の割れや
チップの特性低下を抑制することができる。
【図１】本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法
に使用するリードフレームの平面図
に使用するリードフレームの平面図
【図２】リードフレームを金型に装着して樹脂封止した
ときのコレクタリードの中心線に沿う断面図
ときのコレクタリードの中心線に沿う断面図
【図３】リ
ードフレームを金型に装着して樹脂封止したときの細条
の中心線に沿う断面図
ードフレームを金型に装着して樹脂封止したときの細条
の中心線に沿う断面図
【図４】金型から取出されたリードフレームの斜視図
【
図５】本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法で
作られた半導体装置の斜視図
図５】本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法で
作られた半導体装置の斜視図
【図６】細条切断部の部分的拡大断面図
【図７】細条の
小断面部に関する異なる形状を示す断面図
小断面部に関する異なる形状を示す断面図
【図８】細条の小断面部に関する更に異なる形状を示す
断面図
断面図
【図９】従来の樹脂封止形半導体装置の例を示す破砕断
面図
面図
１１．リードフレーム、 ２１．半導体チップ、 ３．
。 支持板、 ５．６．７０．外部リード、 １２．１３．
。 細条、 １５１．封止用樹脂、 １７ａ、 １８ａ、
、第１の小断面部、 １７ｂ、１８ｂ、、第２の小断面
部、 １９１．金型（成形用型）、 ２２０．キャビテ
ィ、
。 支持板、 ５．６．７０．外部リード、 １２．１３．
。 細条、 １５１．封止用樹脂、 １７ａ、 １８ａ、
、第１の小断面部、 １７ｂ、１８ｂ、、第２の小断面
部、 １９１．金型（成形用型）、 ２２０．キャビテ
ィ、
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図７】
【図６】
【図８】
【図９】
Claims (1)
- 【請求項１】 支持板と、該支持板の一端に連結された
外部リードと、前記支持板の他端に連結された細条とを
有し、前記支持板の他端側から順番に前記細条には第１
の小断面部と第２の小断面部が形成され、前記支持板上
に半導体チップが載置されたリードフレームを用意する
工程と、 前記細条の前記第１の小断面部と前記第２の小断面部を
成形用型のキャビティ形成面から所定距離だけ内側に離
間させて前記リードフレームを前記成形用型に装着する
工程と、 前記成形用型の前記キャビティ内に封止用樹脂を圧入す
る工程と、 前記細条にその導出方向への引張力を作用させて、前記
細条を前記第２の小断面部で破断する工程と、を含むこ
とを特徴とする樹脂封止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4237791A JPH04211138A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4237791A JPH04211138A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086909A Division JPH01309338A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211138A true JPH04211138A (ja) | 1992-08-03 |
| JPH0563936B2 JPH0563936B2 (ja) | 1993-09-13 |
Family
ID=12634365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4237791A Granted JPH04211138A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04211138A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010108954A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
| CN107845575A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-27 | 浙江人和光伏科技有限公司 | 一种薄片二极管的生产方法 |
-
1991
- 1991-02-15 JP JP4237791A patent/JPH04211138A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010108954A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | リードフレーム及び半導体装置 |
| CN107845575A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-27 | 浙江人和光伏科技有限公司 | 一种薄片二极管的生产方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0563936B2 (ja) | 1993-09-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |