JPH01315147A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止形半導体装置の製造方法

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JPH01315147A
JPH01315147A JP8691089A JP8691089A JPH01315147A JP H01315147 A JPH01315147 A JP H01315147A JP 8691089 A JP8691089 A JP 8691089A JP 8691089 A JP8691089 A JP 8691089A JP H01315147 A JPH01315147 A JP H01315147A
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隆昭 横山
Yoshiharu Tada
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 彦1」舒11肝分1− 本発明は、樹脂封止形半導体装置、特に短絡事故が少な
くかつ製造が容易な樹脂封止形半導体装置の製造方法に
関連する。
灸米立伎宜 従来、−船釣な電力用樹脂封止形半導体装置においては
、半導体チップが接着された支持板の裏面には封止樹脂
が形成されていない、このため、この半導体装置を外部
放熱体に取付けるに際しては、外部放熱体との間に絶縁
シートを介在させなければならず、取付作業が煩雑にな
った。そこで、支持板の裏面にも封止樹脂を形成する方
法が提案された。このような樹脂封止技術は、例えば、
特開昭57−178352号公報や特開昭58−143
538号公報で開示されている。すなわち、リードフレ
ームの一部を構成する支持板上に半導体チップを電気伝
導可能に接着したのち、半導体チップは細線で外部リー
ドと接続される1次に。
リードフレームは金型に装着され、キャビティ内に融解
樹脂が圧入される。このとき、キャビティ内で支持板が
移動しないように、支持板の各側部に連結された外部リ
ードと細条が金型で把持される。融解樹脂が固化したの
ち、リードフレームが金型から取外され、リードフレー
ムの所定部分が切断される。特開昭57−178352
号では。
細条を折り曲げて切断するために、封止樹脂の外面をま
たぐようにして細条に小断面部を形成している。
Iが  しよ と る しかし、細条の切断面が封止樹脂の外面に露出すること
には変わりない。そこで、特開昭58−143538号
では、第8図に示す通り、切断後の封止樹脂の外面50
から突出した細条端部を化学エツチング等の方法により
除去し、封止樹脂の外面5oから窪む位it!51に細
条の先端を形成していた。しかしこの方法は、細条の一
部を除去する付加的な工程が必要となりコストアップを
招いた。しかも所望の化学エツチング等を量産的に行う
こと自体に新たな技術を要するので、実用的とは言い難
い。
そこで、本発明は上記問題を解決する樹脂封止形半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
を ゛する二めの 本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法によれば、支
持板と、支持板の一端に連結された外部リードと、支持
板の他端に連結されかつ厚さ方向に貫通する孔が形成さ
れた細条とを有し、孔の両側部分に最小断面部を含む小
断面部が設けられていると共に支持板に半導体チップが
電気的導通可能に固着されているリードフレームを準備
する工程と、細条の最小断面部が金型内のキャビティ形
成面から実質的に所定距離だけ内側に配置されるように
リードフレームを金型に装着する工程と、金型のキャビ
ティ内に融解樹脂を圧入する工程と、融解樹脂の固化後
、リードフレームを金型から取出す工程と、細条にその
導出方向への引張力を作用させて、細条の小断面部で細
条を切断する工程とを含む。
生−一部 細条を引張り破断するので、細条の破断部を封止樹脂の
内側に形成することができる。したがって、細条の破断
部と外部放熱体との沿面距離を長くとれる。また、細条
にその厚さ方向に貫通した孔で形成された小断面部が設
けられているので、細条を引張りによって容易に破断す
ることができる。
スー1−二匹 以下図面について、本発明の詳細な説明する。
本発明で製造される樹脂封止形半導体装置は、第1図に
示すリードフレーム1から作られる。リードフレーム1
は、トランジスタチップ等の半導体チップ2が一方の主
面に半田イ寸けされた支持板3を有する。半導体チップ
2は、必要に応じて保護コート4を形成するシリコン樹
脂で被覆される。
支持板3には、コレクタリード5が一体成形される。コ
レクタリード5は、ベースリード6とエミッタリード7
と共に外部リードと総称され、タイバー8及び共通細条
9により直角方向で互いに連結される。ベースリード6
とエミッタリード7は、それぞれアルミニウムAl10
.11により半導体チップ2の所定位置へ接続される。
支持板3には、コレクタリード5に対し反対側へ伸びる
一対の細条12.13が一体に成形される。外部リード
及び細条12.13は支持板3よりも肉薄に形成されて
いる。また、細条12.13はその一方の主面が支持板
3の一方の主面と同一の平面上に位置するように上方に
偏位している。
各細条12.13の外端は、共通細条14により直角方
向で互いに連結される。後工程で形成される鎖線15で
示す封止樹脂の端面16から所定距離だけ内側に離れた
位置の各細条12.13には小断面部17.18が設け
られる。また、小断面部17.18には、細条12.1
3の厚さ方向に貫通する孔17b、18bが設けられ、
細条の切断時に引張応力が集中する最小断面部17a、
18aが形成される。
なお、第1図ではトランジスタ1個分の支持板3、外部
リード及び細条12.13を有するリードフレーム1を
示すが、実際には、多数の支持板、外部リード及び細条
がタイバー8と共通細条9.14により並行に支持され
た金属製リードフレームが使用される。
リードフレーム1は、第2図及び第3図に示す金型19
内に装着される。第2図はコレクタリード5の中心線に
沿う断面を示し、第3図は細条13の中心線に沿う断面
を示す。金型19は、下型20と上型21とで構成さ−
れ、リードフレーム1を収容するキャビティ22を形成
する。小断面部のうちの最小断面部17a、18aは、
金型のキャビティ形成面からQだけ内側に配置される。
上述の通り金型19にリードフレーム1を装着したのち
、キャビティ22内に熱硬化性の融解エポキシ樹脂を公
知のトランスファモールド法によりゲート(図示せず)
から圧入し、支持板3を含むリードフレーム1の一部分
を樹脂15により封止する。
樹脂15が固化したのち、第4図に示すリードフレーム
1を金型19から取出す。次に、樹脂15から導出され
た細条12.13を導出方向に引張ることにより、小断
面部17.18の最小断面部17a、18aで切断し、
共通細条14と細条12.13の一部を除去する。その
後、各外部リードを連結するタイバー8と共通細条9も
プレス切断により除去する。このように製造した半導体
装置の1例を第5図に示す。細条12.13が導出され
ていた樹脂15に孔23.24が形成される。
溶解樹脂をキャビティ22内に圧入したときに、細条1
2.13に形成された孔17b、18b内に溶解樹脂が
侵入しかつ固化する。したがって、細条12.13の孔
17b、18b内で固化した樹脂は細条12.13の引
張破断時に細条12.13を固定する作用がある1本出
願人は本発明による製造方法で実際に樹脂封止形半導体
装置を製造したが、孔23.24の形状は細条12.1
3が抜けた跡にほぼ等しく形成された。
また、細条12.13は支持板3よりも肉薄に形成され
ており、最小断面部17a、18aの断面積は十分に小
さいから、引抜きによって容易に破断できた。更に、細
条12.13はその上面が支持板3の上面の延長上に位
置するように形成されており、コレクタリード5のよう
に支持板3の上方までは偏位していないので、周辺の樹
脂15に特性変動及び外観不良の点で実用上問題にすべ
きクラック、そり等の異常は全く発生しなかった。
第6図に示す通り、細条13の端面25は、樹脂の端面
16より長さa8だけ内側に窪み、そこに孔24が形成
される。また、細条12.13は上述のように支持板3
の上面側に偏位しており、細条12.13の下面と支持
板3の下面との間に段差が形成されている。したがって
、支持板3の下面側の樹脂15を肉薄に形成しても、細
条12.13の外部放熱体26からの高さQ2を大きく
とることができる。結果として、細条12.13から外
部放熱体26までの沿面距離Ω。はΩ。=Q。
+Q2と長くなり、絶縁不良が確実に防止される。
更に、孔23.24が小さいため、他の素子、キャビネ
ットまたは人体等を含む周囲と細条12.13との接触
による短絡事故も防止される。孔23.24には、$1
!縁不良を完全に防止するため。
樹脂を充填してもよい。しかし、この樹脂を充填しなく
ても実用上は問題はない。また、放熱性の点においても
、支持板3が肉厚に形成されているし、支持板3の下面
側の樹脂15も十分に肉薄に形成できるから、支持板3
の下面側が露出したタイプの半導体装置と同程度の放熱
効果が期待できる。
また、本実施例では、本発明に基づいて小断面部17.
18が細条12,13を貫通する孔17b、18bによ
って形成されている。このため、細条12.13の引張
り破断を容易に行える。つまり、最小断面部17a、1
8aの断面積は小断面部17.18の形状にかかわらず
細条12.13の強度保持のため所定の大きさの断面積
を必要とする。したがって、切欠きゃ溝によって小断面
部を形成した場合には、細条の引張り破断を容易に行え
ない0本実施例に置ける小断面部17.18によれば最
小断面部17a、18aが貫通孔の両側に分割して形成
され5個々の最小断面部17a、18aの断面積が十分
に小さく形成されるので、引張り破断によって容易に破
断することができる。
なお、上記実施例ではトランジスタについて説明したが
、この説明はダイオード、サイリスタ等信の半導体装置
にも応用できることは明らかである。また、細条に形成
する孔は円形に限られない。
第7図は菱形の孔32で小断面部を形成した例を示す。
l匪立羞来 上述の通り1本発明は、封止樹脂の内部に細条の最小断
面部が実質的に位置するようにリードフレームを樹脂封
止したのち、最小断面部において細条を引張力によって
切断する工程を採用した。
このため、細条の切断後に更に細条の端面を内側に窪ま
せる工程を必要とせず、細条の切断のみで簡単に半導体
装置の短絡事故や絶縁不良を確実に防止できる優れた効
果が得られる。また、細条を貫通する孔によって小断面
部を形成したので、細条の引張り破断を容易に行うこと
ができる。したがって、半導体装置を大量生産する場合
、製造コストの低減や良品率の向上に寄与するところ大
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による樹脂封止形半導体装置の製造方法
に使用するリードフレームの平面図、第2図及び第3図
はこのリードフレームを金型に装着して樹脂封止したと
きのそれぞれコレクタリード及び細条の中心線に沿う断
面図、第4図は金型から取出されたリードフレームの斜
視図、第5図は本発明による樹脂封止形半導体装置の製
造方法で作られた半導体装置の斜視図、第6図は細条切
断部の部分的拡大断面図、第7図は細条の小断面部に関
する形状の変形例を示す断面図、第8図は従来の樹脂封
止形半導体装置の例を示す破砕断面図である。 16.リードフレーム、 26.半導体チップ、30.
支持板、 5.6.70.外部リード、12.130.
細条、15.、封止樹脂、 17.181.小断面部、
 17a、18a、、小断面部のうちの最小断面部、 
17b、18b、、孔、 199.金型、22.、キャ
ビティ、 特許出願人 サンケン電気株式会社 、′、、:

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)支持板と、該支持板の一端に連結された外部リー
    ドと、前記支持板の他端に連結されかつ厚さ方向に貫通
    する孔が形成された細条とを有し、前記孔の両側部分に
    最小断面部を含む小断面部が設けられていると共に前記
    支持板に半導体チップが電気的導通可能に固着されてい
    るリードフレームを準備する工程と、 前記細条の最小断面部が金型内のキャビティ形成面から
    実質的に所定距離だけ内側に配置されるように前記リー
    ドフレームを金型に装着する工程と、 前記金型のキャビティ内に融解樹脂を圧入する工程と、 前記融解樹脂の固化後、前記リードフレームを前記金型
    から取出す工程と、 前記細条にその導出方向への引張力を作用させて、前記
    細条の小断面部で前記細条を切断する工程と、 を含むことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の製造方
    法。
  2. (2)前記細条の小断面部は前記金型内のキャビティ形
    成面から所定距離だけ内側の位置に置かれる最小断面部
    を有し、該最小断面部において前記細条が切断される特
    許請求の範囲第(1)項記載の樹脂封止形半導体装置の
    製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0545487A3 (en) * 1991-12-05 1994-06-08 Cons Ric Microelettronica Semiconductor device encapsulated in resin and electrically insulated having improved insulation characteristics and related manufacturing process

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0545487A3 (en) * 1991-12-05 1994-06-08 Cons Ric Microelettronica Semiconductor device encapsulated in resin and electrically insulated having improved insulation characteristics and related manufacturing process
US5766985A (en) * 1991-12-05 1998-06-16 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno Process for encapsulating a semiconductor device having a heat sink

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