JP2927660B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法に関し、特に、樹脂封止時におけるリードフ
レームの固定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電力用樹脂封止型半導体装置
（以下、単に「半導体装置」と称する）においては、半
導体チップが実装された支持板の表面のみが樹脂封止さ
れており、上記支持板の裏面は樹脂封止されていなかっ
た。このため、上記半導体装置を外部放熱体に取り付け
る際には、半導体装置の裏面側と外部放熱体との間に絶
縁シートを介在しなければならず、取り付け作業が煩雑
となった。
【０００３】そこで、前記支持板の裏面にも封止樹脂を
形成する方法が提案された。
【０００４】この樹脂封止技術では、図１１に示すよう
に、上面モールド金型４１と下面モールド金型４２とを
用いて半導体チップの樹脂封止が行われる。すなわち、
この方法では、まず、図１２に示すように、リードフレ
ーム４３の一部を構成する支持板４４上に半導体チップ
４５を電気伝導可能に接着し、この半導体チップ４５を
ボンディングワイヤ４９にて外部リード端子４３ａと接
続する。
【０００５】そして、図１１に示すように、この支持板
４４を上記モールド金型４１・４２内に配置し、樹脂注
入孔（図示せず）からキャビティ４６内に封止樹脂（例
えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）４７を圧入させ
る。このとき、キャビティ４６内で上記支持板４４が移
動しないように、支持板４４の各側端部に連結された外
部リード端子４３ａと細条４８とが、前記両モールド金
型４１・４２でそれぞれ挟持される。上記封止樹脂４７
の硬化後、両モールド金型４１・４２から、図１３に示
すように、樹脂封止されたリードフレーム４３を取り出
す。さらに、前記細条８及びタイバー４３ｂ等のリード
フレーム４３の不要部分を切断することより、図１４に
示すような樹脂封止型の半導体装置が得られる。
【０００６】しかしながら、このような方法では、樹脂
注入中に支持板４４が移動しないように、両モールド金
型４１・４２にてリードフレーム４３における外部リー
ド端子４３ａと細条４８とを把持する構成なので、樹脂
封止後、前記細条４８は樹脂部より突出する。この細条
４８は、上述のように、両モールド金型４１・４２から
リードフレーム４３を取り出した後、切断されるが、そ
の切断部５０が硬化した封止樹脂４７の表面に露出す
る。
【０００７】この切断部５０は、例えば化学エッチング
を行うことにより除去する必要があるが、このようなエ
ッチング工程は、付加工程となり、製造コストの上昇を
招来するものとなる。また、所望の化学エッチングを量
産的に行うこと自体、実用的とは言い難く、半導体装置
の量産性を低下させる原因となっていた。
【０００８】これに対し、金型内で支持板の一部を位置
決めピンで支持固定することにより、上記のようなエッ
チング工程を不要とする方法が提案されている。この方
法では、図１５（ａ）（ｂ）に示すような上面モールド
金型５１及び下面モールド金型５２が用いられる。
【０００９】上記上面及び下面モールド金型５１・５２
は、キャビティ５６内へ突出可能な可動位置決めピン５
９・５９を有している。また、上記両モールド金型５１
・５２の接触部における一部には、樹脂注入孔６０が形
成されている。この方法では、上記可動位置決めピン５
９・５９を用いてリードフレーム５３を固定するので、
前述のようにリードフレームに細条を設ける必要がな
く、外部リード端子５３ａ以外は、完全樹脂封止するも
のである。
【００１０】すなわち、図１６に示すように、リードフ
レーム５３の一部を構成する支持板５４上に半導体チッ
プ５５を電気的に接着し、さらにボンディングワイヤ５
８にて半導体チップ５５と外部リード端子５３ａとを電
気的に接続する。次に、図１５（ａ）（ｂ）に示すよう
に、このリードフレーム５３を上記モールド金型５１・
５２間に配置し、上記外部リード端子５３ａを両モール
ド金型５１・５２間にて挟持する。さらに両モールド金
型５１・５２よりキャビティ５６内に突出した可動位置
決めピン５９・５９で前記支持板５４の一端部を支持、
固定し、樹脂注入孔６０からキャビティ５６内に封止樹
脂５７を圧入する。
【００１１】その後、図１７（ａ）（ｂ）に示すよう
に、上記封止樹脂５７の硬化前に上記キャビティ５６内
から可動位置決めピン５９・５９を成形品の表面（モー
ルド金型５１・５２の内面）まで引き抜き、この可動位
置決めピン５９・５９が挿通されていた領域に上記封止
樹脂５７を再充填する。そして、上記封止樹脂５７の硬
化後、モールド金型５１・５２からリードフレーム５３
を取り出し、タイバー５３ｂ等を切断して、図１８に示
すような半導体装置を得る。
【００１２】この方法では、封止樹脂５７の硬化前に可
動位置決めピン５９・５９を引き抜くことにより、半硬
化状態の封止樹脂５７の流動を利用して、図１９に示す
支持板５４表面における可動位置決めピン５９・５９の
当接部５４ａを封止樹脂５７で覆うことができる。した
がって、支持板５４の露出部を無くし、半導体装置の製
品状態における絶縁性を確保できる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
にモールド金型５１・５２内でリードフレーム５３を支
持・固定するために用いられる可動位置決めピン５９・
５９の先端部は、封止樹脂５７の含有フィラ（電力用の
封止樹脂は、高放熱が要求されるため、熱伝導の高いフ
ィラが樹脂中に高充填されている）により磨耗されると
いう問題がある。
【００１４】可動位置決めピン５９・５９の先端部が、
上記の磨耗により、図中破線で示す形状から実線で示す
形状まで細くなると、封止樹脂５７の半硬化状態におい
て、可動位置決めピン５９を成形品の表面まで持ち上げ
たとき、図２０に示すように、上面モールド金型５１と
可動位置決めピン５９との間にできた隙間に封止樹脂５
７が流れ込むため、これが成形品表面に形成されるタテ
バリの原因となる。さらに、このようなタテバリは、成
形品の外観を損ねる他、成形品の上下金型の離型の悪化
を招き、金型自体のライフタイムを短縮する原因ともな
っている。よって位置決めピンは磨耗すると直ちに新品
に交換する必要があった。
【００１５】これに対し、可動位置決めピン５９・５９
の抜き去りを樹脂硬化後に行えば、仮に位置決めピンが
磨耗していても、樹脂１３の流れ込みによるタテバリ１
４は防止できる。しかしながら、半硬化状態で可動位置
決めピン５９を抜き取ることにより得られる上述したよ
うな支持板５４の露出防止効果がなくなり、支持板５４
における可動位置決めピン５９の当接部５４ａが、その
まま露出することになるため、製品としての絶縁性が低
下するという問題がある。
【００１６】そこで、本発明の目的は、位置決めピンの
ライフタイムを長くするとともに、タテバリの発生が無
く金型離型性を向上出来、かつ優れた絶縁性を有する半
導体装置が得られる樹脂封止型半導体装置の製造方法を
提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る樹
脂封止型半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決す
るために、上面金型と下面金型との間に半導体チップを
実装したリードフレームを配置し、このリードフレーム
の一部を上面金型と下面金型とで挟持すると共に、金型
内に挿通させた位置決めピンで上記リードフレームを位
置決めしながら、金型内に樹脂を注入し、上記リードフ
レームを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法
において、上記位置決めピンは、先端部に向かって断面
積が次第に狭くなるよう形成されており、この位置決め
ピンを上記上面金型および下面金 型のそれぞれから金型
内に挿通した状態で上記樹脂を硬化させ、硬化後に位置
決めピンを抜取ることを特徴としている。
【００１８】また、請求項２の発明に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、
請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、上記位置決めピンの先端部が尖鋭状に形成されてい
ることを特徴としている。
【００１９】また、請求項３の発明に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、
請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、上記位置決めピンの先端部が半球状に形成されてい
ることを特徴としている。
【００２０】また、請求項４の発明に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、
上面金型と下面金型との間に半導体チップを実装したリ
ードフレームを配置し、このリードフレームの一部を上
面金型と下面金型とで挟持すると共に、金型内に挿通さ
せた位置決めピンで上記リードフレームを位置決めしな
がら、金型内に樹脂を注入し、上記リードフレームを樹
脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
上記リードフレームの表面側および裏面側の何れか一方
を上面金型および下面金型の何れか一方から挿通される
位置決めピンにて保持し、何れか他方を樹脂注入口から
上記位置決めピン方向へ射出される樹脂の射出圧にて保
持することにより、上記リードフレームを金型内で位置
決めすることを特徴としている。
【００２１】また、請求項５の発明に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、
請求項１、または４記載の樹脂封止型半導体装置の製造
方法において、上記位置決めピンとリードフレームとの
間に微小の隙間を設けることを特徴としている。
【００２２】
【作用】請求項１の方法によれば、金型内でリードフレ
ームを位置決めする位置決めピンは、先端部に向かって
その断面積が次第に狭くなるように、先端部が、例えば
請求項２記載のように尖鋭状、あるいは請求項３記載の
ように半球状等に形成されており、位置決めピンを上面
金型および下面金型のそれぞれから金型内に挿通させた
ままの状態で樹脂を硬化させ、硬化後に位置決めピンを
抜取るので、位置決めピンに磨耗が生じている場合で
も、樹脂硬化後の成形品表面にバリ等が生じる虞れはな
く、製品の外観を損ねたり、金型離型が悪化するという
問題を回避できる。また、磨耗が生じた位置決めピンで
も使用が可能になるため、位置決めピンのライフタイム
を延長できる。
【００２３】さらに、このような位置決めピンを利用し
てリードフレームの位置決めを行うことにより、成形後
のエッチング工程等の付加工程が不要になり、コスト削
減が実現できると共に、位置決めピンの先端部の形状が
上述のように形成されていることで、硬化した樹脂から
の位置決めピンの抜き取りも容易となる。
【００２４】ここで、位置決めピンの先端部とリードフ
レームが当接した状態で樹脂硬化した場合には、リード
フレームの表面における位置決めピンの先端接触部が樹
脂で覆われず露出することになるが、ピン先端部は、上
述のような形状に形成されているので、従来使用されて
いた位置決めピンと比較して、リードフレームの露出面
積を減少できる。したがって、位置決めピンとリードフ
レームを当接させたままで樹脂硬化を行っても、半導体
装置の絶縁性を確保できる。
【００２５】また、請求項４の方法によれば、上面金型
および下面金型の何れか一方から挿通された位置決めピ
ンにてリードフレームの表面側および裏面側の何れか一
方が保持され、何れか他方が樹脂注入口からこの位置決
めピンに向かって射出された樹脂の射出圧にて保持され
ることによって、金型内のリードフレームが位置決めさ
れる。したがって、請求項１と同様に、エッチング等の
付加工程が不要になり、コスト削減が実現できると共
に、位置決めピンは、一方の金型からのみ挿通されるの
で、位置決めピンが挿通されなかった金型に対向するリ
ードフレームの面は、その全体が樹脂により覆われるこ
とになり、絶縁性を確保できると共に、バリ等の発生を
防ぐことも可能になる。
【００２６】このため、例えば上面金型から位置決めピ
ンが挿通されている場合には、下面金型に対向するリー
ドフレームの裏面側が完全に樹脂封止されるため、この
裏面側を外部放熱対等に取り付ける場合には、従来の完
全樹脂封止型の半導体装置と同等の絶縁性を確保するこ
とが可能になる。
【００２７】また、請求項５の方法では、金型内に挿通
される位置決めピンとリードフレームの間に微小な隙間
が設けられるので、リードフレーム表面は完全に樹脂に
より覆われることになり、より良好な絶縁性を確保でき
る。
【００２８】
【実施例】
〔実施例１〕 本発明の一実施例について図１ないし図６に基づいて説
明すれば、以下の通りである。
【００２９】本実施例の製造方法により、電力用樹脂封
止型半導体装置（以下、単に半導体装置と称する）を作
製する際には、まず、図２に示すようなリードフレーム
８に半導体チップ１が搭載される。このリードフレーム
８は、半導体チップ１が載置される支持板２および半導
体チップ１と電気的に接続される外部リード端子３を有
している。外部リード端子３は、タイバー５および横枠
６により連結されている。また、支持板２には、完成し
た半導体装置の取り付け作業を行う際に使用するビス穴
７が形成されている。
【００３０】以下、半導体装置の製造工程を順をおって
説明する。
【００３１】半導体チップ１を上記支持板２上に電気伝
導可能に接着し、さらに、半導体チップ１をボンディン
グワイヤ４にて外部リード端子３に接続する。半導体チ
ップ１が実装されたリードフレーム８を、図１（ａ）
（ｂ）に示すような下面モールド金型９にセットし、上
面モールド金型１０と下面モールド金型９にて各外部リ
ード端子３を挟持する。次に、各モールド金型９・１０
内に外部から位置決めピン２０をそれぞれ挿通し、支持
板２の一端部を固定する。
【００３２】この位置決めピン２０の先端部は、図３
（ａ）に示すように、尖鋭状に形成されている。また、
位置決めピン２０の各先端部と支持板２表面との間に
は、図３（ｂ）に示すように例えば0.０５〜0.１ｍｍの
クリアランスが設けられている。したがって、位置決め
ピン２０と支持板２とは、上記モールド金型９・１０内
では接触していない。
【００３３】尚、上記位置決めピン２０の先端部の形状
は、上記尖鋭状に限定されるものではなく、先端部に向
かって断面積が次第に狭くなっていくような形状であれ
ばよい。具体的には、上記先端部が、例えば図４（ａ）
（ｂ）に示すように半球状に形成された位置決めピン２
１でもよい。この先端部が半球状に位置決めピン２１
は、後述する封止樹脂１１からの抜き取り易さを考慮し
て、Ｒ＝0.５〜0.６ｍｍとなるように形成されている。
また、この位置決めピン２１を用いた場合でも、位置決
めピン２１の先端部と支持板２の表面との間には、0.０
５〜0.１ｍｍのクリアランスが設けられる。
【００３４】この後、図１に示すように、トランスファ
ーモールド法により、両モールド金型９・１０間に形成
されるキャビティ１３に、例えばエポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂等の封止樹脂１１を注入し、射出成形を行う。
このとき、上記支持板２と位置決めピン２０との間に
は、上記のクリアランスが設けられているので、封止樹
脂１１の射出圧により、支持板２は上下何れかの方向に
クリアランス分移動することになる。しかしながら、樹
脂注入完了後の状態においても、封止樹脂１１のゲル化
は開始されていないので、リードフレーム８のスプリン
グバックにより、支持板２は水平位置に戻り、上記クリ
アランスには、上記封止樹脂１１が流れ込む。この後、
上記封止樹脂１１が完全に硬化する。
【００３５】上記封止樹脂１１の硬化後、図５（ａ）
（ｂ）に示すように、位置決めピン２０・２０を上記モ
ールド金型９・１０から引き抜く。次に、成形品をモー
ルド金型９・１０から取り出し、前記したタイバー５お
よび横枠６等、リードフレーム８の不要な部分を切断す
ることにより、図６に示すような半導体装置を得る。
尚、このようにして形成された半導体装置には、上記位
置決めピン２０が樹脂硬化後まで挿通されていたため、
硬化した封止樹脂１１表面に、孔２２が形成されてい
る。
【００３６】上記のような半導体装置の製造方法では、
位置決めピン２０をモールド金型９・１０内に挿通して
リードフレーム８の位置決めを行っているので、外部リ
ード端子３以外は、完全に樹脂封止された半導体装置を
得ることができる。したがって、前記した従来で必要で
あった露出したリードフレームの一部をエッチング処理
等により除去する工程が不要になる。また、モールド金
型９・１０内に挿通されている上記位置決めピン２０・
２０と支持板２との間には所定のクリアランスが設けら
れているので、封止樹脂１１は、このクリアランスにも
流れ込む。したがって、封止樹脂１１の硬化後にこの位
置決めピン２０・２０を抜き取った場合でも、支持板２
が露出することはなく、半導体装置の絶縁性を確保でき
る。
【００３７】さらに、半硬化状態で位置決めピン２０・
２０を抜き取る場合には、バリ発生の虞れがあるので、
先端部が磨耗した位置決めピン２０・２０を使用するこ
とは不可能であったが、本実施例の製造方法では、封止
樹脂１１の硬化後に位置決めピン２０・２０の抜き取り
を行うので、位置決めピン２０・２０の先端部が磨耗し
ている場合でも、バリが発生することはない。したがっ
て、製品としての外観の悪化及び両モールド金型９・１
０との離型性の悪化を防止できると共に、位置決めピン
２０・２０のライフタイムを長くできる。
【００３８】尚、本実施例では、位置決めピンと支持板
との間にクリアランスを設ける場合について説明した
が、請求項１に係る発明のみを適用した場合、すなわ
ち、位置決めピンと支持板との間にクリアランスを設け
ずに、尖鋭状、あるいは半球状等に形成した位置決めピ
ンの先端部を支持板に接触させた状態で、上記射出成形
を行う場合にも、上記と同様に、磨耗した位置決めピン
を使用してもバリが発生することはなく、位置決めピン
のライフタイムを延長できる。また、このように、支持
板と位置決めピンとを接触させた状態で樹脂硬化を行う
と、支持板表面における位置決めピン先端部が当接して
いる部分が、封止樹脂には覆われず、樹脂硬化後に行わ
れる位置決めピンの抜き取りにより、露出することにな
るが、上述のように、位置決めピンの先端部は、尖鋭
状、あるいは半球状等に形成されているので、露出面積
を極小に制限できる。したがって、実用上問題を生じな
い程度の絶縁性を確保した半導体装置を作製することが
可能になる。
【００３９】 〔実施例２〕 次に、本発明の他の実施例を、図６ないし図１０に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。尚、説明の便宜
上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略す
る。
【００４０】本実施例の製造方法は、図７に示すよう
に、上面モールド金型３１および下面モールド金型３２
の何れか一方に挿通される位置決めピン２０と、上記モ
ールド金型３１・３２間に形成されるキャビティ３３に
注入される封止樹脂１１の射出圧により、モールド金型
３１・３２内での支持板３４の位置決めを行うものであ
る。
【００４１】まず、図８（ａ）に示すリードフレーム３
８の一部を構成する支持板３４上に半導体チップ１を搭
載し、所望の外部リード端子３とボンディングワイヤ４
により接続する。このリードフレーム３８は、下方から
の射出圧を効率的に受けられるよう、図８（ｂ）に示す
ように、支持板３４の先端部に折り曲げ加工３４ａがな
されている。
【００４２】次に、図７に示すように、半導体チップ１
を実装したこのリードフレーム３８を下面モールド金型
３２にセットし、上面モールド金型３１と下面モールド
金型３２とで、上記外部リード端子３を挟持する。そし
て、両モールド金型３１・３２間に形成されたキャビテ
ィ３３に、上記上面モールド金型３１の表面から位置決
めピン２０を挿通する。この位置決めピン２０により、
キャビティ３３内において、支持板３４の上方への移動
が規制される。この位置決めピン２０は、前記実施例１
と同様に、その先端部が尖鋭状に形成されていると共
に、キャビティ３３内において、位置決めピン２０と支
持板３４との間には所定のクリアランスが設けられてい
る。
【００４３】上記キャビティ３３内に封止樹脂１１を注
入するための樹脂注入口３５は、上記両モールド金型３
１・３２の接合面に隣接し、かつ外部リード端子３を挟
持する側とは相対向する部分に設けられている。下面モ
ールド金型３２における上記樹脂注入口３５が設けられ
る部分は、封止樹脂１１を上方に向かって、すなわち、
位置決めピン２０の方向に射出できるよう傾斜状に形成
されている。
【００４４】次に、上記樹脂注入口３５からキャビティ
３３にトランスファーモールド法にて封止樹脂１１を注
入すると、上記位置決めピン２０方向に封止樹脂１１が
射出されることになり、上記位置決めピン２０と封止樹
脂１１の射出圧により、上記支持板３４が位置決めされ
る。また、このとき、封止樹脂１１の射出圧により、支
持板３４の先端部が、所定の位置から上記クリアランス
分、上方に移動して位置決めピン２０に当接する。しか
しながら、前記実施例１と同様に、樹脂注入完了時にお
いても、封止樹脂１１のゲル化は始まっておらず、リー
ドフレーム３８のスプリングバックにより支持板３４は
水平状態に戻り、位置決めピン２０と支持板３４との間
にも、封止樹脂１１が流れ込む。
【００４５】上記封止樹脂１１の硬化後、位置決めピン
２０を抜き取り、成形品をモールド金型３１・３２から
取り出す。そして、タイバー５および横枠６等のリード
フレーム３８の不要部を切断することにより、図６に示
すような半導体装置が得られる。
【００４６】以上のように、本実施例の製造方法では、
上面モールド金型３１から挿通させた位置決めピン２０
と、封止樹脂１１の射出圧によりキャビティ３３内での
支持板３４の位置決めを行っている。したがって、前記
実施例１と同様に、エッチング等の付加工程が不要にな
り、コスト削減を図ることができる。また、樹脂硬化後
に位置決めピン２０を移動させるため、バリ発生を防ぐ
ことが可能になり、外観の悪化及びモールド金型３１・
３２からの離型性の悪化を防ぐことができると共に、位
置決めピン２０の先端部が磨耗しても使用可能なことか
ら、位置決めピン２０の延命化を図ることも可能にな
る。
【００４７】さらに、本実施例では、下面モールド金型
３２からは、位置決めピンを挿通していないので、支持
板３４の裏面側は、完全に樹脂封止されている。それゆ
え、半導体装置を図示しない外部放熱板に取り付ける際
には、支持板３４から外部放熱板までの沿面距離が長く
なり、絶縁不良等が確実に防止されることになる。
【００４８】尚、本実施例では、キャビティ３３内に挿
通させる位置決めピン２０の先端形状が尖鋭状のものを
使用した場合を例に挙げて説明したが、前記実施例と同
様に、位置決めピンの先端部が半球状のものを使用した
場合においても、上記と同様の効果を得ることが可能で
ある。また、このような尖鋭状、あるいは半球状の先端
部を有する位置決めピンを使用した場合においては、キ
ャビティ内において、支持板と位置決めピン先端部とを
当接させた場合においても、半導体装置完成後、支持板
が露出する面積は、極小に制限されるので、実用上問題
とはならない程度の絶縁性を確保することができる。
【００４９】また、図９に示すように、先端部が上記の
ように尖鋭状、あるいは半球状に形成されていない位置
決めピン３６を用いた場合でも、支持板３４と位置決め
ピン３６との間にクリアランスが設けてあれば、支持板
３４が露出することはないので、十分な絶縁性を確保す
ることが可能になる。
【００５０】さらに、図１０に示すように、位置決めピ
ン２０を下面モールド金型３２から挿通させ、封止樹脂
１１を支持板３７の上方から注入するよう構成すること
も可能である。この場合には、支持板３７に上方から封
止樹脂１１の射出圧が加えられるため、支持板３７に
は、上記の実施例で行われたような折り曲げ加工は施さ
れていない。このような構成において、キャビティ３３
内に封止樹脂１１を注入すると、位置決めピン２０と射
出圧により、支持板３７が適正な位置に保持され、注入
された樹脂が硬化することにより、半導体装置が作製さ
れる。
【００５１】このように作製された半導体装置において
も、エッチング工程等の付加工程が不要でありコスト削
減が実現されると共に、絶縁性の確保、バリ発生の防止
による外観の向上や、成形品と金型の離型性の向上、位
置決めピンの延命化等を実現できる。
【００５２】
【発明の効果】請求項１の発明に係る樹脂封止型半導体
装置の製造方法は、以上のように、位置決めピンが、先
端部に向かって断面積が次第に狭くなるよう形成されて
おり、この位置決めピンを上面金型および下面金型のそ
れぞれから金型内に挿通した状態で上記樹脂を硬化さ
せ、硬化後に位置決めピンを抜取るものである。
【００５３】また、請求項２の発明に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法は、以上のように、上記位置決めピ
ンの先端部が尖鋭状に形成されているものである。
【００５４】また、請求項３の発明に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法は、以上のように、上記位置決めピ
ンの先端部が半球状に形成されているものである。
【００５５】それゆえ、上記位置決めピンは、先端部に
向かってその断面積が次第に狭くなるように、その先端
部が、例えば請求項２記載のように尖鋭状、あるいは請
求項３記載のように半球状等に形成されており、位置決
めピンを金型内に挿通させたままの状態で樹脂を硬化さ
せるので、位置決めピンに磨耗が生じている場合でも、
樹脂硬化後の成形品表面にバリ等が生じる虞れはなく、
製品の外観を損ねたり、金型離型が悪化するという問題
を回避できると共に、磨耗が生じた位置決めピンでも使
用が可能になるため、位置決めピンのライフタイムを延
長でき、さらに、リードフレームと位置決めピン先端部
が当接した状態にある場合でも、位置決めピン抜き取り
後にリードフレームが露出する面積を減少することがで
きるため、絶縁性も確保できるという効果を奏する。
【００５６】また、上記のような形状に先端部が形成さ
れていることにより、硬化した樹脂から位置決めピンを
抜き取る作業が容易になると共に、金型内では、位置決
めピンによりリードフレームの位置決めが行われるの
で、エッチング等の付加工程を成形後に行う必要がなく
なり、コスト削減を実現できるという効果を併せて奏す
る。
【００５７】また、請求項４の発明に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法は、以上のように、リードフレーム
の表面側および裏面側の何れか一方を上面金型および下
面金型の何れか一方から挿通される位置決めピンにて保
持し、何れか他方を樹脂注入口から上記位置決めピン方
向へ射出される樹脂の射出圧にて保持することにより、
上記リードフレームを金型内で位置決めするものであ
る。
【００５８】それゆえ、位置決めピンは、一方の金型か
らのみ挿通されるので、位置決めピンが挿通されなかっ
た金型に対向するリードフレームの面は、その全体が樹
脂により覆われることになり、絶縁性の確保及びバリ発
生の防止等が実現できると共に、請求項１と同様にエッ
チング等の付加工程が不要になり、コスト削減が実現で
きるという効果を奏する。
【００５９】さらに、例えば上面金型から位置決めピン
が挿通された場合には、下面金型に対向するリードフレ
ームの裏面側が完全に樹脂封止されるため、この裏面側
を外部放熱対等に取り付ける場合には、従来の完全樹脂
封止型の半導体装置と同等の絶縁性を確保することが可
能になるという効果を併せて奏する。
【００６０】また、請求項５の発明に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法は、以上のように、上記位置決めピ
ンとリードフレームとの間に微小の隙間を設けるもので
ある。
【００６１】それゆえ、リードフレーム表面は完全に樹
脂により覆われることになり、より良好な絶縁性を確保
できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る製造方法において、半
導体チップが実装されたリードフレームがモールド金型
内にセットされ、封止樹脂が注入された状態を示す
（ａ）は縦断面図、（ｂ）は横断面図である。
【図２】上記リードフレームの平面図である。
【図３】上記位置決めピンの先端部が尖鋭状に形成され
ている場合において、位置決めピンと支持板との位置関
係を示す要部拡大図である。
【図４】上記位置決めピンの先端部が半球状に形成され
ている場合において、位置決めピンと支持板との位置関
係を示す要部拡大図である。
【図５】上記モールド金型から位置決めピンを抜き取る
状態を示す（ａ）は縦断面図、（ｂ）は横断面図であ
る。
【図６】本発明の一実施例に係る製造方法により作製さ
れた半導体装置の斜視図である。
【図７】本発明の他の実施例に係る製造方法において、
半導体チップを実装したリードフレームがセットされた
モールド金型を示す断面図である。
【図８】図７に示すリードフレームの（ａ）は平面図、
（ｂ）は縦断面図である。
【図９】上記リードフレームの支持板と位置決めピンと
の位置関係を示す要部拡大図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施例に係る製造方法に
おいて、半導体チップを実装したリードフレームがセッ
トされたモールド金型を示す断面図である。
【図１１】従来の製造方法において、半導体チップを実
装したリードフレームがセットされたモールド金型を示
す断面図である。
【図１２】従来の製造方法において使用されているリー
ドフレームの平面図である。
【図１３】従来の製造方法により、金型から取り出され
た樹脂封止後のリードフレームを示す斜視図である。
【図１４】図１３に示すリードフレームから不要部分を
切断して作製した半導体装置を示す斜視図である。
【図１５】従来の他の製造方法において、半導体チップ
を実装したリードフレームをモールド金型内にセットし
た状態を示す（ａ）は縦断面図、（ｂ）は横断面図であ
る。
【図１６】図１５（ａ）（ｂ）に示すリードフレームの
平面図である。
【図１７】図１５（ａ）（ｂ）に示すモールド金型から
位置決めピンを引き上げた状態を示す（ａ）は縦断面
図、（ｂ）は横断面図である。
【図１８】図１７（ａ）（ｂ）に示すモールド金型から
取り出された半導体装置を示す斜視図である。
【図１９】図１５（ａ）のＡ部拡大図である。
【図２０】図１７（ａ）のＢ部拡大図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ 支持板 ８ リードフレーム ９ 下面モールド金型 １０ 上面モールド金型 １１ 封止樹脂 ２０・２１ 位置決めピン ３１ 上面モールド金型 ３２ 下面モールド金型 ３４ 支持板 ３６ 位置決めピン ３７ 支持板 ３８ リードフレーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−9538（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−63735（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/56 H01L 23/28 H01L 23/48

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】上面金型と下面金型との間に半導体チップ
    を実装したリードフレームを配置し、このリードフレー
    ムの一部を上面金型と下面金型とで挟持すると共に、金
    型内に挿通させた位置決めピンで上記リードフレームを
    位置決めしながら、金型内に樹脂を注入し、上記リード
    フレームを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方
    法において、 上記位置決めピンは、先端部に向かって断面積が次第に
    狭くなるよう形成されており、この位置決めピンを上記
    上面金型および下面金型のそれぞれから金型内に挿通し
    た状態で上記樹脂を硬化させ、硬化後に位置決めピンを
    抜取ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  2. 【請求項２】上記位置決めピンの先端部が尖鋭状に形成
    されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型
    半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】上記位置決めピンの先端部が半球状に形成
    されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型
    半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】上面金型と下面金型との間に半導体チップ
    を実装したリードフレームを配置し、このリードフレー
    ムの一部を上面金型と下面金型とで挟持すると共に、金
    型内に挿通させた位置決めピンで上記リードフレームを
    位置決めしながら、金型内に樹脂を注入し、上記リード
    フレームを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方
    法において、 上記リードフレームの表面側および裏面側の何れか一方
    を上面金型および下面金型の何れか一方から挿通される
    位置決めピンにて保持し、何れか他方を樹脂注入口から
    上記位置決めピン方向へ射出される樹脂の射出圧にて保
    持することにより、上記リードフレームを金型内で位置
    決めすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
    方法。
  5. 【請求項５】上記位置決めピンとリードフレームとの間
    に微小の隙間を設けることを特徴とする請求項１、また
    は４記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3057130B2 (ja) * 1993-02-18 2000-06-26 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体パッケージおよびその製造方法
JP3389775B2 (ja) * 1995-05-19 2003-03-24 株式会社デンソー インサート品成形方法およびインサート品成形装置
SG46955A1 (en) * 1995-10-28 1998-03-20 Inst Of Microelectronics Ic packaging lead frame for reducing chip stress and deformation
DE69625623T2 (de) * 1996-01-31 2003-11-06 Sumitomo Bakelite Co Verfahren zur Herstellung von in Epoxyharz eingekapselter Halbleitervorrichtung
DE19625228C2 (de) * 1996-06-24 1998-05-14 Siemens Ag Systemträger für die Montage einer integrierten Schaltung in einem Spritzgußgehäuse
DE69627643D1 (de) 1996-06-28 2003-05-28 St Microelectronics Srl Verfahren zur Herstellung einer Plastikpackung für eine elektronische Anordnung mit vollständig isolierter Wärmesenke
US6001672A (en) * 1997-02-25 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink
EP1075022A1 (en) * 1999-08-04 2001-02-07 STMicroelectronics S.r.l. Offset edges mold for plastic packaging of integrated semiconductor devices
US6365434B1 (en) 2000-06-28 2002-04-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for reduced flash encapsulation of microelectronic devices
US7220615B2 (en) * 2001-06-11 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Alternative method used to package multimedia card by transfer molding
DE10242947B8 (de) * 2002-09-16 2009-06-18 Odelo Led Gmbh Verfahren zum Herstellen von LED-Körpern mit Hilfe einer Querschnittsverengung und Vorrichtung zur Durchführung des Herstellungsverfahrens
US20040113240A1 (en) 2002-10-11 2004-06-17 Wolfgang Hauser An electronic component with a leadframe
DE10247610A1 (de) * 2002-10-11 2004-04-29 Micronas Gmbh Elektronisches Bauelement mit einem Systemträger
DE102004009949B4 (de) * 2004-03-01 2006-03-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zum Ermitteln eines Schätzwertes
JP4385329B2 (ja) * 2004-10-08 2009-12-16 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2006156606A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置の製造方法
WO2007110680A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Infineon Technologies Ag Lead frame with non-conductive connective bar
US7839004B2 (en) * 2008-07-30 2010-11-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor module, method for manufacturing semiconductor device, and lead frame
JP5180722B2 (ja) * 2008-07-30 2013-04-10 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置の製造方法
US8324025B2 (en) * 2010-04-22 2012-12-04 Team Pacific Corporation Power semiconductor device packaging
JP5441956B2 (ja) * 2011-05-26 2014-03-12 三菱電機株式会社 樹脂封止形電子制御装置及びその製造方法
JP6136498B2 (ja) * 2013-04-12 2017-05-31 株式会社リコー 定着装置及び画像形成装置
JP6233260B2 (ja) * 2014-09-22 2017-11-22 株式会社デンソー 電子装置の製造方法、及び電子装置
JP6803814B2 (ja) * 2017-07-20 2020-12-23 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体装置、それを用いた電力変換装置及びパワー半導体装置の製造方法
JP7117885B2 (ja) * 2018-04-10 2022-08-15 株式会社日立ハイテク 半導体装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4451973A (en) * 1981-04-28 1984-06-05 Matsushita Electronics Corporation Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor
JPS59130449A (ja) * 1983-01-17 1984-07-27 Nec Corp 絶縁型半導体素子用リードフレーム
JPS59135753A (ja) * 1983-01-25 1984-08-04 Toshiba Corp 半導体装置とその製造方法
EP0257681A3 (en) * 1986-08-27 1990-02-07 STMicroelectronics S.r.l. Method for manufacturing plastic encapsulated semiconductor devices and devices obtained thereby
JPH02306639A (ja) * 1989-05-22 1990-12-20 Toshiba Corp 半導体装置の樹脂封入方法
KR950003337B1 (ko) * 1990-08-23 1995-04-10 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 내연기관용 점화장치의 제조방법

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