JP2712957B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JP2712957B2 JP2712957B2 JP3318296A JP31829691A JP2712957B2 JP 2712957 B2 JP2712957 B2 JP 2712957B2 JP 3318296 A JP3318296 A JP 3318296A JP 31829691 A JP31829691 A JP 31829691A JP 2712957 B2 JP2712957 B2 JP 2712957B2
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- Japan
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- resin
- leads
- lead frame
- semiconductor device
- insulating tape
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置用
リードフレームの構造及びそのリードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
リードフレームの構造及びそのリードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置は、図４の
平面図に示すようなリードフレームの素子搭載部１に半
導体素子を搭載し、素子とリード２の先端とを金属細線
で接続し、その後リードフレームを樹脂封止金型で型締
めし、型内に封止樹脂を注入することにより、素子搭載
部１に搭載された半導体素子，金属細線，内部リードな
どを樹脂封止して製造される。
平面図に示すようなリードフレームの素子搭載部１に半
導体素子を搭載し、素子とリード２の先端とを金属細線
で接続し、その後リードフレームを樹脂封止金型で型締
めし、型内に封止樹脂を注入することにより、素子搭載
部１に搭載された半導体素子，金属細線，内部リードな
どを樹脂封止して製造される。
【０００３】この場合、樹脂封止金型の上型と下型には
さまれて外部に導出した複数のリードにおいて隣り合う
リードのすきまに充填される樹脂は、型の周囲を所定の
間隔で取り囲むように配置され複数のリードを連結する
タイバー３によってせき止められるようにしているのが
一般的である。
さまれて外部に導出した複数のリードにおいて隣り合う
リードのすきまに充填される樹脂は、型の周囲を所定の
間隔で取り囲むように配置され複数のリードを連結する
タイバー３によってせき止められるようにしているのが
一般的である。
【０００４】その後、タイバーを切断除去し、外部リー
ドに半田めっき等の外装処理を行い、外部リードを所定
の形状に成形して半導体装置は完成する。
ドに半田めっき等の外装処理を行い、外部リードを所定
の形状に成形して半導体装置は完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術で
は、樹脂封止後に複数のリードを連結しているタイバー
を切断除去しなければならない。タイバーは通常、金型
により切断除去されるが、半導体装置の形状が異なるご
とに専用の金型の製作しなければならず、多大の費用が
かかるのと同時に、金型製作に長時間を要するという問
題がある。
は、樹脂封止後に複数のリードを連結しているタイバー
を切断除去しなければならない。タイバーは通常、金型
により切断除去されるが、半導体装置の形状が異なるご
とに専用の金型の製作しなければならず、多大の費用が
かかるのと同時に、金型製作に長時間を要するという問
題がある。
【０００６】また、外部リードのピッチが小さくなるに
つれて、金型の製造は難しくなり、種々の問題が生じて
きた。たとえば、外部リードのピッチが０．４ｍｍで、
外部リードの幅が０．２ｍｍの場合には、切断刃の先端
の厚さは最大でも０．４−０．２＝０．２ｍｍにしかな
らない。このように細い切断刃はかす詰まり等の負荷に
より刃先が容易に破損してしまうため、保守に手間がか
かるという問題がある。
つれて、金型の製造は難しくなり、種々の問題が生じて
きた。たとえば、外部リードのピッチが０．４ｍｍで、
外部リードの幅が０．２ｍｍの場合には、切断刃の先端
の厚さは最大でも０．４−０．２＝０．２ｍｍにしかな
らない。このように細い切断刃はかす詰まり等の負荷に
より刃先が容易に破損してしまうため、保守に手間がか
かるという問題がある。
【０００７】また、金型によりタイバーを切断除去する
ときのリードフレームの位置合せは、通常リードフレー
ムに設けられている位置決め穴に、金型に設けられてい
る位置決めピンを挿入することによってなされるが、リ
ードフレームおよび金型の製作時の誤差により多少の位
置ずれが生じる。外部リードピッチが小さい半導体装置
の場合は、たとえわずかの位置ずれであっても切断刃が
リードに食い込んでしまい、切断歩留りや品質を低下さ
せてしまうという問題がある。
ときのリードフレームの位置合せは、通常リードフレー
ムに設けられている位置決め穴に、金型に設けられてい
る位置決めピンを挿入することによってなされるが、リ
ードフレームおよび金型の製作時の誤差により多少の位
置ずれが生じる。外部リードピッチが小さい半導体装置
の場合は、たとえわずかの位置ずれであっても切断刃が
リードに食い込んでしまい、切断歩留りや品質を低下さ
せてしまうという問題がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、多数のリードを備えタイバーを有
しないリドフレームを形成する工程と、前記多数のリー
ドの配列方向に直行するように所定の幅を有する絶縁テ
ープを接着剤で張り付ける工程と、前記リードフレーム
を樹脂封止する前に前記絶縁テープ上の前記多数のリー
ドのすきまに液状の樹脂を滴下して略前記多数のリード
の厚さ分の樹脂で埋める工程と、その後前記リードフレ
ームを樹脂封止する工程とを有する。
体装置の製造方法は、多数のリードを備えタイバーを有
しないリドフレームを形成する工程と、前記多数のリー
ドの配列方向に直行するように所定の幅を有する絶縁テ
ープを接着剤で張り付ける工程と、前記リードフレーム
を樹脂封止する前に前記絶縁テープ上の前記多数のリー
ドのすきまに液状の樹脂を滴下して略前記多数のリード
の厚さ分の樹脂で埋める工程と、その後前記リードフレ
ームを樹脂封止する工程とを有する。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の実施例１のリードフレームの部分斜
視図である。図２は図１のリードフレームの使用方法を
説明するための部分断面図である。
る。図１は本発明の実施例１のリードフレームの部分斜
視図である。図２は図１のリードフレームの使用方法を
説明するための部分断面図である。
【００１０】実施例１のリードフレームはタイバーを有
しないリードフレームであり、図１に示すように、樹脂
封止される部分の外縁４を跨ぐようにリード２の裏面に
リードと直角に絶縁テープ５が接着されている。図１に
おいては、リード２の厚さが０．１５ｍｍ，幅が０．２
ｍｍ，隣り合うリード２のすきまが０．２ｍｍ，絶縁テ
ープ５の幅が１ｍｍとなっている。また、絶縁テープ５
の材質はポリイミドであり、絶縁テープ５とリード２の
接着にはアクリル系接着剤を使用している。次に、図１
のリードフレームを使用して樹脂封止型半導体装置を製
造する方法を説明する。まず図１のリードフレームの素
子搭載部（図示せず）に半導体素子を搭載し、素子とリ
ードの先端とを金属細線で接続し、次に図２に示すよう
に、隣り合う複数のリード２のすきまの絶縁テープ５上
に液状の熱硬化性樹脂６を滴下し、熱硬化させる。図２
の断面位置は、図１の樹脂封止される部分の外縁４に相
当する。図２においては、リード２の裏面に絶縁テープ
５が接着されており、リード２のすきまの絶縁テープ５
上に樹脂６が形成されている。
しないリードフレームであり、図１に示すように、樹脂
封止される部分の外縁４を跨ぐようにリード２の裏面に
リードと直角に絶縁テープ５が接着されている。図１に
おいては、リード２の厚さが０．１５ｍｍ，幅が０．２
ｍｍ，隣り合うリード２のすきまが０．２ｍｍ，絶縁テ
ープ５の幅が１ｍｍとなっている。また、絶縁テープ５
の材質はポリイミドであり、絶縁テープ５とリード２の
接着にはアクリル系接着剤を使用している。次に、図１
のリードフレームを使用して樹脂封止型半導体装置を製
造する方法を説明する。まず図１のリードフレームの素
子搭載部（図示せず）に半導体素子を搭載し、素子とリ
ードの先端とを金属細線で接続し、次に図２に示すよう
に、隣り合う複数のリード２のすきまの絶縁テープ５上
に液状の熱硬化性樹脂６を滴下し、熱硬化させる。図２
の断面位置は、図１の樹脂封止される部分の外縁４に相
当する。図２においては、リード２の裏面に絶縁テープ
５が接着されており、リード２のすきまの絶縁テープ５
上に樹脂６が形成されている。
【００１１】次にこのリードフレームを樹脂封止金型で
型締めし、型内に封止樹脂を注入することにより、樹脂
封止するのであるが、図２に示す隣り合う複数のリード
２のすきまにすでに形成されいる樹脂６により、封止樹
脂はせき止められる。従来技術では、樹脂封止後、タイ
バーを切断除去する必要があったが、本実施例ではその
必要がない。
型締めし、型内に封止樹脂を注入することにより、樹脂
封止するのであるが、図２に示す隣り合う複数のリード
２のすきまにすでに形成されいる樹脂６により、封止樹
脂はせき止められる。従来技術では、樹脂封止後、タイ
バーを切断除去する必要があったが、本実施例ではその
必要がない。
【００１２】次に、実施例２を説明する。図３は実施例
２のリードフレームの部分斜視図である。実施例２にお
いては、図３に示すように、実施例１と同様樹脂封止さ
れる部分の外縁４近傍に絶縁テープが接着されている
が、実施例１とは異なり、３種の絶縁テープが接着され
ている。ここで、第１の絶縁テープ７及び第２の絶縁テ
ープ８の幅は０．５ｍｍ，第３の絶縁テープ９の幅は２
ｍｍとなっている。実施例２では、第１の絶縁テープと
第２の絶縁テープ８の間に液状の熱硬化性樹脂を滴下さ
せて、隣り合う複数のリード２のすきまの第３の絶縁テ
ープ９上に樹脂を形成させる。
２のリードフレームの部分斜視図である。実施例２にお
いては、図３に示すように、実施例１と同様樹脂封止さ
れる部分の外縁４近傍に絶縁テープが接着されている
が、実施例１とは異なり、３種の絶縁テープが接着され
ている。ここで、第１の絶縁テープ７及び第２の絶縁テ
ープ８の幅は０．５ｍｍ，第３の絶縁テープ９の幅は２
ｍｍとなっている。実施例２では、第１の絶縁テープと
第２の絶縁テープ８の間に液状の熱硬化性樹脂を滴下さ
せて、隣り合う複数のリード２のすきまの第３の絶縁テ
ープ９上に樹脂を形成させる。
【００１３】このようにすると、滴下された液状の熱硬
化性樹脂が第１の絶縁テープ７と第２の絶縁テープ８に
支えられるため、複数のリードのすきまの樹脂形成を安
定して行うことができるという利点がある。
化性樹脂が第１の絶縁テープ７と第２の絶縁テープ８に
支えられるため、複数のリードのすきまの樹脂形成を安
定して行うことができるという利点がある。
【００１４】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明は、タイ
バーのないリードフレームの樹脂封止される部分の外縁
近傍に絶縁テープを設け、隣り合う複数のリードのすき
まの絶縁テープ上に樹脂等の絶縁物を形成させることに
より、従来技術においては半導体装置の形状が異なるご
とに製作する必要のあった高価なタイバー切断除去用プ
レス金型を不要にすることができるという効果がある。
また、従来技術では、リード間ピッチが小さくなるにつ
れて、タイバー切断ずれによる不良が増加する傾向にあ
ったが、本発明では、タイバー切断ずれによる不良を完
全になくすことができ、安定したリード形状を得ること
ができるという効果がある。また従来技術では、タイバ
ー切断除去時にプレスによる衝撃が生じたが、本発明で
は衝撃は全くなくなり、半導体装置の品質向上がはかれ
るという効果がある。
バーのないリードフレームの樹脂封止される部分の外縁
近傍に絶縁テープを設け、隣り合う複数のリードのすき
まの絶縁テープ上に樹脂等の絶縁物を形成させることに
より、従来技術においては半導体装置の形状が異なるご
とに製作する必要のあった高価なタイバー切断除去用プ
レス金型を不要にすることができるという効果がある。
また、従来技術では、リード間ピッチが小さくなるにつ
れて、タイバー切断ずれによる不良が増加する傾向にあ
ったが、本発明では、タイバー切断ずれによる不良を完
全になくすことができ、安定したリード形状を得ること
ができるという効果がある。また従来技術では、タイバ
ー切断除去時にプレスによる衝撃が生じたが、本発明で
は衝撃は全くなくなり、半導体装置の品質向上がはかれ
るという効果がある。
【図１】本発明の実施例１のリードフレームの部分斜視
図である。
図である。
【図２】図１のリードフレームの使用方法を説明するた
めの部分断面図である。
めの部分断面図である。
【図３】本発明の実施例２のリードフレームの部分斜視
図である。
図である。
【図４】従来のリードフレームの部分平面図である。
【符号の説明】 １ 素子搭載部 ２ リード ３ タイバー ４ 樹脂封止される部分の外縁 ５ 絶縁テープ ６ 樹脂 ７ 第１の絶縁テープ ８ 第２の絶縁テープ ９ 第３の絶縁テープ
Claims (1)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、多数のリードを備えタイバーを有しないリドフレー
ムを形成する工程と、前記多数のリードの配列方向に直
行するように所定の幅を有する絶縁テープを接着剤で張
り付ける工程と、前記リードフレームを樹脂封止する前
に前記絶縁テープ上の前記多数のリードのすきまに液状
の樹脂を滴下して硬化させ略前記多数のリードの厚さ分
の樹脂で埋める工程と、その後前記リードフレームを樹
脂封止する工程とを有することを特徴とする樹脂封止型
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318296A JP2712957B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318296A JP2712957B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347376A JPH05347376A (ja) | 1993-12-27 |
| JP2712957B2 true JP2712957B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=18097620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3318296A Expired - Lifetime JP2712957B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712957B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008282905A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59191598A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-10-30 | Nissan Motor Co Ltd | プレス型の清浄装置 |
| JPS61650A (ja) * | 1984-06-07 | 1986-01-06 | 数馬 国治 | ジヤカ−ド編機におけるジヤカ−ド筬のフランチン制御装置 |
| JPS6151933A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製法 |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP3318296A patent/JP2712957B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05347376A (ja) | 1993-12-27 |
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