JPH05226569A - 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム - Google Patents

樹脂封止型半導体装置用リードフレーム

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Publication number
JPH05226569A
JPH05226569A JP4001129A JP112992A JPH05226569A JP H05226569 A JPH05226569 A JP H05226569A JP 4001129 A JP4001129 A JP 4001129A JP 112992 A JP112992 A JP 112992A JP H05226569 A JPH05226569 A JP H05226569A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
leads
semiconductor device
lead frame
sealed
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4001129A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyuki Nishikawa
秀幸 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH05226569A publication Critical patent/JPH05226569A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】内部リード2にガラエポ基板4が接着されてお
り、ガラエポ基板4の周辺部においては、隣り合う複数
のリード5のすきまにソルダーレジスト6が塗布されて
いる。ソルダーレジスト6は、樹脂封止される部分の外
縁7をまたぐように形成されているため、樹脂封止時に
封止樹脂をせきとめることができる。 【効果】高価なタイバー切断除去用プレス金型が不要に
なり、タイバー切断ずれによる不良を完全になくすこと
ができる。また、タイバー切断除去時のプレスによる衝
撃がなくなり、半導体装置の品質が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置用
リードフレームの構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来樹脂封止型半導体装置は、図3に示
すようなリードフレームの素子搭載部1に半導体素子を
搭載し、半導体素子と内部リード2の先端とを金属細線
で接続し、その後リードフレームを樹脂封止金型で型締
めし、型内に封止樹脂を注入することにより、素子搭載
部に搭載された半導体素子,金属細線,内部リードなど
を樹脂封止して製造される。
【0003】この場合、樹脂封止金型の上型と下型に形
成された型の周辺部において、隣り合う複数のリードの
すきまに充填される樹脂は、型の周囲を所定の間隔で取
り囲んで、複数のリードを連結するタイバー3によって
せき止められるようにしているのが一般的である。
【0004】その後、タイバーを切断除去し、外部リー
ドに半田めっき等の外装処理を行い、外部リードを所定
の形状に成形して、半導体装置は完成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術で
は、樹脂封止後に複数のリードを連結しているタイバー
を切断除去しなければならない。タイバーは通常,金型
により切断除去されるが、半導体装置の形状が異なるご
とに、専用の金型を製作しなければならず、多大の費用
がかかるのと同時に、金型製作に長時間を要するという
問題がある。
【0006】また、外部リードのピッチが小さくなるに
つれて、金型の製造は難しくなり、種々の問題が生じて
きた。たとえば、外部リードのピッチが0.4mmで、
外部リードの幅が0.2mmの場合には、切断刃の先端
の厚さは最大でも0.4−0.2=0.2mmにしかな
らない。このように細い切断刃はかすづまり等の負荷に
より刃先が容易に破損してしまうため、保守に手間がか
かるという問題がある。
【0007】また、金型によりタイバーを切断除去する
ときのリードフレームの位置合わせは、通常リードフレ
ームに設けられている位置決め穴に、金型に設けられて
いる位置決めピンをそう入することによってなされる
が、リードフレームおよび金型の製作時の誤差により多
少の位置ずれが生じる。外部リードピッチが小さい半導
体装置の場合には、たとえわずかの位置ずれであって
も、切断刃がリードにくいこんでしまい、歩留りを低下
させてしまうという問題がある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置用リードフレームは、絶縁基板が内部リードに接
着され、絶縁基板の周辺部においては、隣り合う複数の
リードのすきまに絶縁物が形成されている。
【0009】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は実施例1のリードフレームの部分平面図であ
る。
【0010】実施例1においては、図1に示すように内
部リード2にガラスエポキシ基板4が接着されており、
ガラスエポキシ基板4の周辺部においては、隣り合う複
数のリード5のすきまにソルダーレジスト6が塗布され
ている。ソルダーレジスト6は樹脂封止される部分の外
縁7をまたぐように形成されている。図1においては、
リード5の厚さが0.15mm,リード5の幅が0.2
mm,隣り合うリード5のすきまが0.2mm,ガラス
エポキシ基板4の厚さは0.3mmである。また、ソル
ダーレジスト6の厚さはリード5の厚さと同様0.15
mmである。
【0011】このようなリードフレームを用いて樹脂封
止型半導体装置を製造すると、樹脂封止の際に、封止樹
脂は、隣り合う複数のリード5のすきまに形成されてい
るソルダーレジスト6によってせきとめられる。従来技
術では樹脂封止後、金型によりタイバーを切断除去する
必要があったが、本実施例ではその必要がない。
【0012】次に実施例2を説明する。図2は実施例2
のリードフレームの部分平面図である。実施例2におい
ては、実施例1と同様、図2に示すように内部リード2
にガラスエポキシ基板4が接着されており、ガラスエポ
キシ基板4の周辺部においては、隣り合う複数のリード
5のすきまにソルダーレジスト6が塗布されているが、
実施例1とは異なり、つりリードがなく、ガラスエポキ
シ基板4そのものが素子搭載部になっている。また、樹
脂封止の際に封止樹脂の流れを良くするために、ガラス
エポキシ基板4には穴8が設けられている。このように
すると、つりリードを不要にした分だけ、内部リードの
数を増やせたり、また内部リードを太くできたりする利
点がある。
【0013】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明はリー
ドフレームの内部リードに絶縁基板を接着し、絶縁基板
の周辺部において隣り合う複数のリードのすきまに絶縁
物を形成することにより、従来技術において半導体装置
の形状が異なるごとに製作する必要のあった高価なタイ
バー切断除去用プレス金型を不要にすることができると
いう効果がある。また、従来技術では、リード間ピッチ
が小さくなるにつれて、タイバー切断ずれによる不良が
増加する傾向にあったが、本発明では、タイバー切断ず
れによる不良を完全になくすことができ、安定したリー
ド形状を得ることができるという効果がある。また従来
技術では、タイバー切断除去時にプレスによる衝撃が生
じたが、本発明では衝撃は全くなくなり、半導体装置の
品質向上がはかれるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1のリードフレームの部分平面図。
【図2】実施例2のリードフレームの部分平面図。
【図3】従来のリードフレームの部分平面図。
【符号の説明】
1 素子搭載部 2 内部リード 3 タイバー 4 ガラエポ基板 5 リード 6 ソルダーレジスト 7 樹脂封止される部分の外縁 8 穴

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
    において、絶縁基板が内部リードに接着され、かつ絶縁
    基板の周辺部においては、隣り合う複数のリードのすき
    まに絶縁物質が形成されていることを特徴とする樹脂封
    止型半導体装置用リードフレーム。
JP4001129A 1992-01-08 1992-01-08 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム Withdrawn JPH05226569A (ja)

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JP4001129A JPH05226569A (ja) 1992-01-08 1992-01-08 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム

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JP4001129A JPH05226569A (ja) 1992-01-08 1992-01-08 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム

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JPH05226569A true JPH05226569A (ja) 1993-09-03

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JP4001129A Withdrawn JPH05226569A (ja) 1992-01-08 1992-01-08 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム

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Cited By (1)

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EP1798767A2 (en) 2001-01-11 2007-06-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit board and production method therefor

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Effective date: 19990408