JPS5921050A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5921050A JPS5921050A JP12956282A JP12956282A JPS5921050A JP S5921050 A JPS5921050 A JP S5921050A JP 12956282 A JP12956282 A JP 12956282A JP 12956282 A JP12956282 A JP 12956282A JP S5921050 A JPS5921050 A JP S5921050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- lead
- frame assembly
- outer frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造方法にかかり、特にリード
フレーム組立体に樹脂モールドを施して形成される樹脂
封止型半導体装置のリードフレームの改良に関する。
フレーム組立体に樹脂モールドを施して形成される樹脂
封止型半導体装置のリードフレームの改良に関する。
樹脂封止型の半導体装置でリードフレーム組立体を用い
て製造されるものが多い。その−例のリードフレーム組
立体は第１図に示すようｌこ、リードフレーム中央部の
素子ベッド（１）に素子チップ（２）がボンディングさ
れ、それらの電極が放射状のリード（３） 、 （３１
・・にワイヤボンディングされてリードフレーム組立体
（４）が形成される。なお、電極およびホンディングワ
イヤ、リードの一部を図示省略して示す。図中１点鎖線
で囲む内部番こ樹脂モールドを施したのちり一部ｌこカ
ッティング、フォーミングを施して第２図に示す一例の
ＩＣに形成される。
て製造されるものが多い。その−例のリードフレーム組
立体は第１図に示すようｌこ、リードフレーム中央部の
素子ベッド（１）に素子チップ（２）がボンディングさ
れ、それらの電極が放射状のリード（３） 、 （３１
・・にワイヤボンディングされてリードフレーム組立体
（４）が形成される。なお、電極およびホンディングワ
イヤ、リードの一部を図示省略して示す。図中１点鎖線
で囲む内部番こ樹脂モールドを施したのちり一部ｌこカ
ッティング、フォーミングを施して第２図に示す一例の
ＩＣに形成される。
上記樹脂モールドは第３図に示されるモールド装置の上
型ギャビテイφ守呼寸（５ａ ）と下型キャビティ内１
→＋（５ｂ）との間にリードフレーム組立体（４）を介
装させ、ランナー（６）、ゲート（７）を経てモールド
樹脂ヲキャビテイ（８）ｌこ圧入充填する。この古きキ
ャビティ内の空気はモールド樹脂の流入に伴なって排出
されないと残留空気がモールド樹脂に混入して巣または
気泡が残り、いわゆるピンホール不良船どなる。この対
策として千型キャビディ４甘呼呻、下型キャビティ≠ｔ
ケ寸の少くとも一方に排気溝（９）を設けて不良発生の
低減をはかつていた。
型ギャビテイφ守呼寸（５ａ ）と下型キャビティ内１
→＋（５ｂ）との間にリードフレーム組立体（４）を介
装させ、ランナー（６）、ゲート（７）を経てモールド
樹脂ヲキャビテイ（８）ｌこ圧入充填する。この古きキ
ャビティ内の空気はモールド樹脂の流入に伴なって排出
されないと残留空気がモールド樹脂に混入して巣または
気泡が残り、いわゆるピンホール不良船どなる。この対
策として千型キャビディ４甘呼呻、下型キャビティ≠ｔ
ケ寸の少くとも一方に排気溝（９）を設けて不良発生の
低減をはかつていた。
斜上の対策によると、モールド工程において排気溝中に
モールド樹脂が流入して固着する。排気溝中に固着した
モールド樹脂は第３図に示すように、排気溝幅をＡ、高
さをＢとするとき、排気溝とは１断面についてＡ＋２Ｂ
にて接し、対向するキャビティブロックの面とは１断面
につき人で接するので、結局排気溝内に残ることになる
。このため、除去に時間を要し生産性を低下させるとと
もに除去不充分のときは排気が良好に達成されないため
歩留が低下する。
モールド樹脂が流入して固着する。排気溝中に固着した
モールド樹脂は第３図に示すように、排気溝幅をＡ、高
さをＢとするとき、排気溝とは１断面についてＡ＋２Ｂ
にて接し、対向するキャビティブロックの面とは１断面
につき人で接するので、結局排気溝内に残ることになる
。このため、除去に時間を要し生産性を低下させるとと
もに除去不充分のときは排気が良好に達成されないため
歩留が低下する。
この発明は斜上の従来の問題点に鑑みてなされたもので
、リードフレーム組立体に樹脂モールドを施す際のモー
ルド樹脂に発生するピンホール不良を低減するとともに
排気溝のモールド樹脂除去を容易にする。
、リードフレーム組立体に樹脂モールドを施す際のモー
ルド樹脂に発生するピンホール不良を低減するとともに
排気溝のモールド樹脂除去を容易にする。
この発明はリードフレーム組立体に樹脂モールド封止を
施す半導体装置の製造方法において、リードフレームの
各リード間を橋絡するタイバー、またはタイバーを連接
する外枠の少くとも一方に主面を横切る凹溝を設ける工
程を含むことを特徴とする。
施す半導体装置の製造方法において、リードフレームの
各リード間を橋絡するタイバー、またはタイバーを連接
する外枠の少くとも一方に主面を横切る凹溝を設ける工
程を含むことを特徴とする。
次にこの発明を１実施例につき図面を参照して詳細に説
明する。第１図に準じて第６図に示すリードフレーム組
立体性）はその各リード間を橋絡支持するタイバー（４
ａ）、またはタイバーを連接支持する外枠（４ｂ）の少
くとも一方に各主面を横切る凹溝Ｑｌｌ、α２１（図に
はタイバーと外枠とに夫々設けられた場合を示す）を設
ける。この凹溝は一例として深さ０．０１〜０．０６關
でよく、このリードフレームをプレス抜き形成する際に
設けても、あるいはその設ける位置も精密を要しないの
で前記プレス工程以後に任意に設けてもよい。
明する。第１図に準じて第６図に示すリードフレーム組
立体性）はその各リード間を橋絡支持するタイバー（４
ａ）、またはタイバーを連接支持する外枠（４ｂ）の少
くとも一方に各主面を横切る凹溝Ｑｌｌ、α２１（図に
はタイバーと外枠とに夫々設けられた場合を示す）を設
ける。この凹溝は一例として深さ０．０１〜０．０６關
でよく、このリードフレームをプレス抜き形成する際に
設けても、あるいはその設ける位置も精密を要しないの
で前記プレス工程以後に任意に設けてもよい。
なお、リードフレームの中には外枠を有しないものもあ
るが、この場合にはタイバーにのみ設けられる。
るが、この場合にはタイバーにのみ設けられる。
この発明によればリードフレームのタイバー、外枠等に
凹溝を設けるので、樹脂モールドによって位１脂（第８
図に示される凹溝内樹脂（２１１、（２７Ｊ）が充填さ
れるがモールド後には切除される部位であるので除去す
る手間を要せず、かつ、リードフレームに対する加工も
簡単である。さらに、この発明によれば樹脂モールドの
金型に排気溝を穿設することを要しないので加工工数を
顕著に節減しつるとともに溝内に残留したモールド樹脂
によって樹脂モールド部に生ずるピンホール不良を低減
しろる。また５排気溝内に残留したモールド樹脂除去の
ため金型を損傷することがないなどの顕著な利点がある
。
凹溝を設けるので、樹脂モールドによって位１脂（第８
図に示される凹溝内樹脂（２１１、（２７Ｊ）が充填さ
れるがモールド後には切除される部位であるので除去す
る手間を要せず、かつ、リードフレームに対する加工も
簡単である。さらに、この発明によれば樹脂モールドの
金型に排気溝を穿設することを要しないので加工工数を
顕著に節減しつるとともに溝内に残留したモールド樹脂
によって樹脂モールド部に生ずるピンホール不良を低減
しろる。また５排気溝内に残留したモールド樹脂除去の
ため金型を損傷することがないなどの顕著な利点がある
。
第１図はリードフレーム組立体の正面図、第２図はＩＣ
の斜視図、第３図および第４図はキャビティ≠テ苧呼を
示す第３図は断面図、第４図は一部の側面図、第５図は
第４図をさらに説明するための側面図、第６図以降は本
発明の１実施例にかかり、第６図はリードフレーム組立
体の正面図、第７図は第６図の側面図、第８図は樹脂モ
ールド後のリードフレーム組立体の斜視図である。 ３ リードフレームのリード４、
リードフレーム組立体４ａ リードフレーム
のタイバー４ｈ リードフレームの外枠１１
．１２ リードフレームの凹溝 ２１
、２２ 凹溝に充填されたモールド樹脂代理人
弁理士 井 上 −男 第 ３ 図 ／８ 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 第 ８ 図
の斜視図、第３図および第４図はキャビティ≠テ苧呼を
示す第３図は断面図、第４図は一部の側面図、第５図は
第４図をさらに説明するための側面図、第６図以降は本
発明の１実施例にかかり、第６図はリードフレーム組立
体の正面図、第７図は第６図の側面図、第８図は樹脂モ
ールド後のリードフレーム組立体の斜視図である。 ３ リードフレームのリード４、
リードフレーム組立体４ａ リードフレーム
のタイバー４ｈ リードフレームの外枠１１
．１２ リードフレームの凹溝 ２１
、２２ 凹溝に充填されたモールド樹脂代理人
弁理士 井 上 −男 第 ３ 図 ／８ 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 第 ８ 図
Claims (1)
- リードフレームにマウントを施してリードフレーム組立
体を形成したのち樹脂モールド封止を施す半導体装置の
製造方法（こおいて、１１−ドフレームの各リード間を
橋絡するタイバー、またはタイバーを連接する外枠の少
くとも一方に主面を横切る凹溝を設ける工程を含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12956282A JPS5921050A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12956282A JPS5921050A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5921050A true JPS5921050A (ja) | 1984-02-02 |
Family
ID=15012554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12956282A Pending JPS5921050A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921050A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617045U (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路用リ−ドフレ−ム |
| JPS6259583A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-16 | 日建工学株式会社 | 修景用コンクリ−トブロツクの表面処理方法 |
| JP2015133363A (ja) * | 2014-01-09 | 2015-07-23 | 株式会社カネカ | 光半導体用リードフレーム、光半導体用樹脂成形体及びその製造方法、光半導体パッケージ並びに光半導体装置 |
| JP2015138943A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 株式会社カネカ | 光半導体用リードフレーム、光半導体用樹脂成形体及びその製造方法、光半導体パッケージ並びに光半導体装置 |
-
1982
- 1982-07-27 JP JP12956282A patent/JPS5921050A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617045U (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路用リ−ドフレ−ム |
| JPS6259583A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-16 | 日建工学株式会社 | 修景用コンクリ−トブロツクの表面処理方法 |
| JP2015133363A (ja) * | 2014-01-09 | 2015-07-23 | 株式会社カネカ | 光半導体用リードフレーム、光半導体用樹脂成形体及びその製造方法、光半導体パッケージ並びに光半導体装置 |
| JP2015138943A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 株式会社カネカ | 光半導体用リードフレーム、光半導体用樹脂成形体及びその製造方法、光半導体パッケージ並びに光半導体装置 |
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