JPH09239787A

JPH09239787A - モールド金型および半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH09239787A
Application number: JP4973096A
Authority: JP
Inventors: Norihiko Kasai; 紀彦葛西
Original assignee: Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Priority date: 1996-03-07
Filing date: 1996-03-07
Publication date: 1997-09-16

Abstract

(57)【要約】【課題】積層パッケージのモールド工程における生産
性を向上させる。【解決手段】モールド下金型３とモールド上金型２と
の間に、たとえば紙製の中間型１１とリードフレーム９
とを製品位置決めピン１４に挿通することによって積層
および位置決めし、モールド上金型２とモールド下金型
３の間で中間型１１およびリードフレーム９をクランプ
し、中間型１１の圧縮変形によって中間型１１とリード
フレーム９を均一に密着させてバリの発生を防ぐととも
に、リードフレーム９上の半導体ペレット８を囲繞する
積層パッケージ形成部１５を形成し、積層パッケージ形
成部１５に樹脂を充填して積層パッケージを形成するモ
ールド金型である。紙製の中間型１１は、モールド完了
後に積層パッケージと分離が可能なミシン目等の分断構
造を持ち、必要に応じて離型剤等が含浸され、清掃が不
要なように使い捨てされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、モールド金型およ
び半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体装置の製
造工程における積層パッケージの一括モールド工程等に
適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、日系ＢＰ社、１９９３年５月
３１日発行、「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技術
（下）」Ｐ３１〜Ｐ５３、等の文献にも記載されている
ように、従来の半導体装置の樹脂封止工程では、トラン
スファモールド方式が一般に使用されている。このトラ
ンスファモールド方式では、樹脂注入時にパッケージ成
形部からの樹脂の漏出を制限するため、樹脂漏れ防止領
域を上下金型にて加圧クランプすることが知られてい
る。

【０００３】一方、半導体装置の実装密度向上等に要求
に呼応して、複数のリードフレームを金型のキャビティ
内に厚さ方向に所定間隔で積層して固定し、この状態で
一括して封止して得られる積層パッケージを製造する一
括モールド技術が考えられる。この一括モールド技術で
は、一対の上下金型の他に、積層リードフレームの間
隔、または積層数によって変化する製品高さ等の調整用
に、中間金型を上下金型にクランプして用いることが考
えられる。この中間金型は、上下金型と同様に金属で製
作する場合には、クランプ方向に直交する方向に型分解
が可能なように、パッケージ部分を横断する位置で分割
可能な形状にされるとともに、高価であるため繰り返し
て使用される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の従来
技術によってモールド作業を遂行すると、金型表面の汚
れ取りや離型効果の向上等を目的として行われるモール
ド作業前の掃除用樹脂を使用した金型掃除の効果が、１
ショット毎に中間金型を取り外すために中間金型での持
続性がなく清掃頻度が高くなる、という技術的課題があ
る。すなわち、この金型清掃は、たとえば、離型剤を含
むダミーの掃除用樹脂を用いた成形作業を実行して金型
の内周面に離型剤を馴染ませる等の目的で行われるが、
上下端の金型では常時加熱されているため、離型剤の型
内での塗布効果は維持されるのに対して、中間金型は、
パッケージの取り出しのために、各ショット毎に分解さ
れて冷却されるために当該離型剤の塗布効果は失われこ
ととなり、前記金型清掃作業の実行頻度が高くなる。

【０００５】また、剛性の高い金属製の複数の中間金型
を使用する場合には、中間金型の厚さのばらつきによっ
て加圧クランプ力が金型の合わせ面内で均一化できず、
樹脂がパッケージ成形部（キャビティ）から樹脂漏れ防
止領域に漏れ出して中間金型やアウタリードの表面等に
バリを発生させ、反復使用のために中間金型のバリ取り
作業が必須になり、モールド工程が煩雑化するととも
に、アウタリードの表面に付着したバリは次工程で行う
アウタリードへのメッキ作業やリード成形工程等におい
て障害発生の一因となる、という他の技術的課題も懸念
される。

【０００６】さらに、金属製の中間金型の場合には、各
ショット毎に中間金型の分割面を精密に組み合わせてリ
ードフレームと積み重ねる必要があり、前述の高頻度の
清掃が必要なこととも併せて工程の自動化が困難である
とともに、中間金型の製作にも高い精度が要求されるこ
ととになり、金型全体の製造コストや成形工程の製造原
価は高くならざるを得ない。

【０００７】本発明の目的は、金型の製作費や清掃頻度
等の低減によって積層パッケージのモールド工程におけ
る製造原価を削減することが可能なモールド金型を提供
することにある。

【０００８】本発明の他の目的は、自動化によって積層
パッケージのモールド工程における生産性を向上させる
ことが可能なモールド金型を提供することにある。

【０００９】本発明のさらに他の目的は、積層パッケー
ジのモールド工程におけるバリの発生を防止して、製品
不良を低減させることが可能なモールド金型を提供する
ことにある。

【００１０】本発明のさらに他の目的は、金型の製作費
や清掃頻度等の低減によって積層パッケージのモールド
工程における製造原価を削減することが可能な半導体装
置の製造技術を提供することにある。

【００１１】本発明のさらに他の目的は、自動化によっ
て積層パッケージのモールド工程における生産性を向上
させることが可能な半導体装置の製造技術を提供するこ
とにある。

【００１２】本発明のさらに他の目的は、積層パッケー
ジのモールド工程におけるバリの発生を防止して、製品
不良を低減させることが可能な半導体装置の製造技術を
提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１５】すなわち、本発明のモールド金型は、第１
および第２の金型の間にリードフレームと中間型をクラ
ンプする構成において、中間型を第１および第２の金型
よりも低剛性の素材で構成し、モールドの加圧クランプ
時に中間型が必要な厚さに加圧圧縮される構成としたも
のである。

【００１６】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
第１および第２の金型の間にリードフレームと中間型を
クランプし、第１および第２の金型および中間型と、リ
ードフレームとで構成されるキャビティに樹脂を圧入し
てリードフレーム上の半導体ペレットを封止するパッケ
ージを構成するモールド成形において、中間型を第１お
よび第２の金型よりも低剛性の素材で構成し、モールド
の加圧クランプ時に中間型が必要な厚さに加圧圧縮され
る構成としたものである。

【００１７】中間型の素材としては、たとえば、発塵の
少ない紙等を用いることができ、使い捨てとする。また
必要に応じて離型剤を含浸させることができる。

【００１８】上述のような本発明の手段によれば、モー
ルド工程中に中間型をリードフレームと同等に取り扱う
ことができるため、自動化が容易であるとともに、中間
型が使い捨てのために清掃が不要であり、金型の清掃等
に要する工数を大幅に削減できる。また、中間型がクラ
ンプ時に加圧圧縮されることにより、リードフレームお
よび中間型の積層数を増加させても、各積層間における
型の合わせ面の全域でリードフレーム等に対する均一な
クランプ力が作用することとなり、キャビティからの樹
脂の漏れ出し等の不良を確実に回避でき、良好なパッケ
ージングを実現できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。

【００２０】図１の（ａ）および（ｂ）は、本発明の一
実施の形態である半導体装置の製造方法およびモールド
金型の作用の一例を工程順に示す断面図であり、図２の
（ａ）および（ｂ）は本実施の形態の半導体装置の製造
方法およびモールド金型におけるモールド対象となるリ
ードフレームの構成の一例を示す平面図および断面図、
図３は本実施の形態のモールド金型を構成する中間型の
構造の一例を示す平面図、図６は、本実施の形態のモー
ルド金型によって成形された半導体装置の構成の一例を
示す外観斜視図、図７は、本実施の形態のモールド金型
を備えたモールド装置の構成の一例を示す正面図であ
る。

【００２１】まず、図７によって、本実施の形態のモー
ルド装置１の構成を説明する。本実施の形態では、モー
ルド装置１は、樹脂封止すべきリードフレームが載置さ
れた型面にキャビティ３ａが刻設されたモールド下金型
３と、このモールド下金型３と密着してパッケージ形成
を行うキャビティ２ａが型面に刻設されたモールド上金
型２、ローダ部４、ゲートブレーク部５、アンローダ部
６、操作パネル７から構成されている。

【００２２】図２の（ａ）および（ｂ）に例示されるよ
うに、リードフレーム９には、そのインナリード９ａの
上に半導体ペレット８を搭載し、電極接続ワイヤ１０を
介して、当該インナリード９ａと半導体ペレット８上の
図示しない電極パッドとを電気的に接続した構成が、所
定のピッチでｎ個だけ反復して形成されている。また、
リードフレーム９のインナリード９ａは、タイバー９ｂ
にて幅方向に連ねられ、当該タイバー９ｂの外側のアウ
タリード９ｃと一体に連接され、アウタリード９ｃは、
フレーム９ｄに連接されている。リードフレーム９に
は、位置決め用のピンが挿通される位置決め孔９ｅが穿
設されている。

【００２３】図３は、本実施の形態における中間型の構
成の一例を示す平面図である。本実施の形態における中
間型１１は、リードフレーム９とほぼ同寸法の輪郭形状
を有しており、リードフレーム９における半導体ペレッ
ト８に対応する位置には、内法寸法が図２（ａ）におけ
る樹脂パッケージライン１２ａに一致するように設定さ
れた略矩形の複数の貫通孔１２が、半導体ペレット８の
数および配列ピッチに合わせて形成されている。また、
リードフレーム９における位置決め孔９ｅに対応する位
置には、位置決め孔１１ａが穿設されている。

【００２４】さらに、中間型１１は、貫通孔１２の配列
方向に、当該貫通孔１２の中央部を横断するように、型
分割用ミシン目１３が形成されており、図３の上下方向
に張力を与えることにより、当該型分割用ミシン目１３
の位置で容易に分断することが可能になっている。

【００２５】本実施の形態の場合、中間型１１は、たと
えば、モールド下金型３やモールド上金型２などの金属
よりも剛性のはるかに小さくかつ安価な、たとえば紙で
構成されており、毎ショット毎に新品に交換して用いら
れる。また、中間型１１の自然状態での厚さ寸法ｔ０
は、モールド下金型３とモールド上金型２の間でのクラ
ンプ時の圧縮代Δｔを見込んで、型締め完了時の設計厚
さ寸法ｔ１に、前記圧縮代Δｔを加えた値に設定され
る。

【００２６】中間型１１を構成する紙としては、たとえ
ば植物繊維をすいて平らに絡みあわせたものに限らず、
たとえばビスコースレーヨン、セルロースアセテート、
合成繊維、合成高分子等、任意の物質を用いたものを使
用することができる。なお、中間型１１は、貫通孔１２
の内周面が樹脂に接するので、発塵の少ない素材が望ま
しい。また、必要に応じて、中間型１１に離型剤等を含
浸させてもよい。

【００２７】図１の（ａ）および（ｂ）に、モールド下
金型３とモールド上金型２の間にリードフレーム９と中
間型１１を供給して型締めを行う動作を工程順に例示す
る。モールド下金型３は、外部から供給されるリードフ
レーム９の位置決め孔９ｅや中間型１１の位置決め孔１
１ａに嵌合することによって、当該リードフレーム９お
よび中間型１１のクランプ前の位置決めを行う、製品位
置決めピン１４が備えられている。

【００２８】本実施の形態の場合、中間型１１およびリ
ードフレーム９を、ローダ部４から、モールド下金型３
に交互に供給できるように、中間型１１を、前述のよう
にリードフレーム９の外形形状に合わせた紙を使用して
製作することで使い捨てとし、中間型１１をリードフレ
ーム９と同様に取り扱う。すなわち、従来の金属製の中
間金型の場合には、リードフレーム９と金型の組立等の
作業は、別の位置で別個に行う必要があったが、本実施
の形態の場合には、中間型１１はクランプ方向に交差す
る面内での分解や組立の必要がなく、中間型１１とリー
ドフレーム９を積層する操作は、モールド上金型２の位
置で、中間型１１の位置決め孔１１ａを製品位置決めピ
ン１４に挿通する操作およびリードフレーム９の位置決
め孔９ｅを製品位置決めピン１４に挿通する操作を所定
の順序で交互にロボットハンド等により自動的に簡単に
行うことができる。また、中間型１１は使い捨てである
ためモールド上金型２およびモールド下金型３の掃除に
おいて、一般的なモールド金型と同様の方法にて同様の
効果を持続させることが可能になる。

【００２９】次に、本実施の形態の中間型１１の作用に
ついて、樹脂注入時に樹脂漏れが発生しやすい、複数の
ｎ層に積層した場合を例に採って説明する。

【００３０】まず、図１（ａ）に示すように、モールド
下金型３に設けられた製品位置決めピン１４が、複数の
リードフレーム９−１〜９ｎと複数の中間型１１−〜１
１−ｎの各々の位置決め孔９ｅおよび位置決め孔１１ａ
に挿通されるようにローダ部４から複数のリードフレー
ム９および中間型１１を交互にセットする。この動作は
ロボットハンド等によって自動的に行わせることができ
る。

【００３１】次にモールド下金型３が上昇し、図１
（ｂ）のように、モールド上金型２との間で複数のリー
ドフレーム９−１〜９ｎと複数の中間型１１−１〜１１
−ｎを挟圧する加圧クランプ動作に入る。このとき、剛
性の低い複数の中間型１１−１〜１１−ｎは、リードフ
レーム９と重なり合う部分などで、各々が厚さ方向に圧
縮代Δｔだけ加圧収縮し、必要なパッケージ高さを得る
ための所定の設計値の厚さ寸法ｔ１になった状態で、モ
ールド下金型３およびモールド上金型２や、隣接するリ
ードフレーム９に密着し、積層パッケージ形成部（キャ
ビティ）の外部への樹脂の漏れが確実に防止される。

【００３２】この時、モールド下金型３とモールド上金
型２との間には、キャビティ３ａ、キャビティ２ａ、積
層された複数の中間型１１の貫通孔１２の内周面、リー
ドフレーム９のインナリード９ａおよびタイバー９ｂの
側面等で構成され、積層された複数のリードフレーム９
上の同一ピッチ位置に配置された積層方向の複数の半導
体ペレット８を一括して囲繞する密閉空間が、積層パッ
ケージ形成部１５として形成される。そして、モールド
上金型２に設けられた図示しない樹脂注入口から、この
積層パッケージ形成部１５に流動性の熱硬化性の樹脂を
圧入して充填し、たとえば図６に例示されるように、複
数の半導体ペレット８を封止した樹脂からなる所定の外
観形状の積層パッケージ１５ａを形成する。

【００３３】その後、モールド下金型３を下降させてク
ランプ状態を解除し、積層パッケージ１５ａによって積
層方向の半導体ペレット８が一括封止された複数のリー
ドフレーム９および中間型１１を、ゲートブレーク部５
の側に取り出し、複数の中間型１１を、型分割用ミシン
目１３を境に分断することによって積層パッケージ１５
ａから取り去る操作、さらには積層パッケージ１５ａに
連なる図示しないランナ等の樹脂の供給経路に充填され
た余分な樹脂等を取り去る操作等を行い、アンローダ部
６に搬出する。すなわち、本実施の形態では、中間型１
１は使い捨てである。

【００３４】アンローダ部６に搬出された、リードフレ
ーム９は、図示しないリード切断／成形工程において、
インナリード９ａとタイバー９ｂで囲まれる空間に突出
したバリの除去、タイバー９ｂの切除、アウタリード９
ｃのフレーム９ｄからの切り離し、アウタリード９ｃの
成形加工等を施されることによって、図６に例示される
ような半導体装置１６等の製品形状となる。

【００３５】図６に例示した半導体装置１６は、一例と
して上述のモールド工程において、リードフレーム９を
４枚積層して得られるものである。すなわち、積層パッ
ケージ１５ａの両側面からは、高さ方向に４列のアウタ
リード９ｃが突設され、積層パッケージ１５ａの一主面
の端部には、当該アウタリード９ｃの勝手方向を識別す
るため、凹マーク１５ｂが形成されている。この凹マー
ク１５ｂは、モールド下金型３またはモールド上金型２
のキャビティ３ａまたはキャビティ２ａの対応部位に図
示しない突起を設けておくことで形成される。

【００３６】以上の説明のように、本実施の形態のモー
ルド金型においては、中間型１１を低剛性かつ低価格の
紙等の素材で構成して使い捨てとすることにより、中間
型１１の反復使用のための清掃作業は全く不要となり金
型の清掃作業の頻度や工数を大幅に削減でき、モールド
金型やモールド工程の原価を大幅に削減できる。また、
中間型１１をリードフレーム９と同様に取り扱うことが
可能となり、たとえばモールド上金型２とモールド下金
型３との間にセッティングする際に、ロボットハンド等
を用いた中間型１１およびリードフレーム９のセッティ
ングの自動化が可能となる。この結果、積層パッケージ
のモールド工程における生産性を向上させることができ
る。

【００３７】また、中間型１１がクランプ時に圧縮変形
してリードフレーム９等に均一に密着するので、中間型
１１とリードフレーム９の積層部分からの樹脂の漏れ等
に起因するリードフレーム９表面のバリの発生が減少す
る。このため、モールド後のリードフレーム９の切断や
成形工程における加工不良の発生等が確実に減少し、半
導体装置１６のモールド工程やリード切断成形工程等に
おける歩留りが向上する。

【００３８】なお、上述の説明では、リードフレーム９
および中間型１１として、リードフレーム９が所定のピ
ッチで複数の複数の半導体ペレット８を搭載し、中間型
１１もこれに合わせたピッチで複数の貫通孔１２を備え
た場合を例に採って説明したが、たとえば、図４に例示
されるように、リードフレーム９が一個の半導体ペレッ
ト８を搭載し、これに合わせて、図５に例示されるよう
に、一つの貫通孔１２を備えた中間型１１を用いる場合
も同様の効果を得ることができる。この場合、たとえ
ば、型分割用ミシン目１３ａを、リードの配列位置を避
けて、当該リードの配列方向に平行に貫通孔１２を横断
する位置に配置することができる。

【００３９】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４０】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野である半導
体装置に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、たとえば、同様の封止構造を持つ
一般の電子部品等に広く適用することができる。

【００４１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００４２】本発明のモールド金型によれば、金型の製
作費や清掃頻度等の低減によって積層パッケージのモー
ルド工程における製造原価を削減することができる、と
いう効果が得られる。

【００４３】また、自動化によって積層パッケージのモ
ールド工程における生産性を向上させることができる、
という効果が得られる。

【００４４】また、積層パッケージのモールド工程にお
けるバリの発生を防止して、製品不良を低減させること
ができる、という効果が得られる。

【００４５】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
金型の製作費や清掃頻度等の低減によって積層パッケー
ジのモールド工程における製造原価を削減することがで
きる、という効果が得られる。

【００４６】また、自動化によって積層パッケージのモ
ールド工程における生産性を向上させることができる、
という効果が得られる。

【００４７】また、積層パッケージのモールド工程にお
けるバリの発生を防止して、製品不良を低減させること
ができる、という効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）および（ｂ）は、本発明の一実施の形態
である半導体装置の製造方法およびモールド金型の作用
の一例を工程順に示す断面図である。

【図２】（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施の形態で
ある半導体装置の製造方法およびモールド金型における
モールド対象となるリードフレームの構成の一例を示す
平面図および断面図である。

【図３】本発明の一実施の形態であるモールド金型を構
成する中間型の構造の一例を示す平面図である。

【図４】（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施の形態で
ある半導体装置の製造方法およびモールド金型における
モールド対象となるリードフレームの構成の変形例を示
す平面図および断面図である。

【図５】本発明の一実施の形態であるモールド金型を構
成する中間型の構造の変形例を示す平面図である。

【図６】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
方法およびモールド金型によって製造される半導体装置
の一例を示す外観斜視図である。

【図７】本発明の一実施の形態であるモールド金型を備
えたモールド装置の構成の一例を示す正面図である。

【符号の説明】

１モールド装置２モールド上金型（第１の金型）２ａキャビティ３モールド下金型（第２の金型）３ａキャビティ４ローダ部５ゲートブレーク部６アンローダ部７操作パネル８半導体ペレット９リードフレーム９ａインナリード９ｂタイバー９ｃアウタリード９ｄフレーム９ｅ位置決め孔１０電極接続ワイヤ１１中間型１１ａ位置決め孔１２貫通孔１２ａ樹脂パッケージライン１３（１３ａ）型分割用ミシン目（低剛性領域）１４製品位置決めピン１５積層パッケージ形成部１５ａ積層パッケージ１５ｂ凹マーク１６半導体装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｂ２９Ｌ 31:34

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向面の少なくとも一方にキャビティが
形成され、前記対向面の間に半導体ペレットを搭載した
リードフレームをクランプする第１および第２の金型
と、前記第１および第２の金型の間に前記リードフレー
ムとともにクランプされ、前記キャビティの一部を構成
する貫通孔を備えた中間型とからなり、前記中間型は、
前記第１および第２の金型よりも剛性の低い素材からな
ることを特徴とするモールド金型。
【請求項２】請求項１記載のモールド金型において、
複数の前記リードフレームおよび前記中間型を任意の順
序で積み重ねた状態で、前記第１および第２の金型の前
記対向面にクランプすることを特徴とするモールド金
型。
【請求項３】請求項１または２記載のモールド金型に
おいて、前記中間型の厚さ寸法は、所定の設計値に、前
記第１および第２の金型によるクランプ時の圧縮代を加
えた値に設定されることを特徴とするモールド金型。
【請求項４】請求項１，２または３記載のモールド金
型において、前記中間型には、前記貫通孔を横断する位
置に、ほぼ線状の低剛性領域が選択的に形成され、離型
と同時または離型後に、前記中間金型を前記低剛性領域
で破断して前記リードフレームを取り出すことを特徴と
するモールド金型。
【請求項５】請求項１，２，３または４記載のモール
ド金型において、前記中間型を構成する前記素材は紙で
あることを特徴とするモールド金型。
【請求項６】対向面の少なくとも一方にキャビティが
形成され、前記対向面の間に半導体ペレットを搭載した
リードフレームをクランプする第１および第２の金型
と、前記第１および第２の金型の間に前記リードフレー
ムとともにクランプされ、前記キャビティの一部を構成
する貫通孔を備えた中間型とを用いて前記半導体ペレッ
ト封止するパッケージを成形する半導体装置の製造方法
であって、前記中間型を、前記第１および第２の金型よりも剛性の
低い素材で構成することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
【請求項７】請求項６記載の半導体装置の製造方法に
おいて、複数の前記リードフレームおよび前記中間型を
任意の順序で積み重ねた状態で、前記第１および第２の
金型の前記対向面にクランプすることを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【請求項８】請求項６または７記載の半導体装置の製
造方法において、前記中間型の厚さ寸法は、所定の設計
値に、前記第１および第２の金型によるクランプ時の圧
縮代を加えた値に設定されることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
【請求項９】請求項６，７または８記載の半導体装置
の製造方法において、前記中間型の前記貫通孔を横断す
る位置に、ほぼ線状の低剛性領域を選択的に形成し、離
型と同時または離型後に、前記中間金型を前記低剛性領
域で破断して前記パッケージが形成された前記リードフ
レームを取り出すことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項１０】請求項６，７，８または９記載の半導
体装置の製造方法において、前記中間型を構成する前記
素材は紙であり、使い捨てによって毎ショット毎に新規
な前記中間型を使用することを特徴とする半導体装置の
製造方法。