JPH0464256A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0464256A JPH0464256A JP17910990A JP17910990A JPH0464256A JP H0464256 A JPH0464256 A JP H0464256A JP 17910990 A JP17910990 A JP 17910990A JP 17910990 A JP17910990 A JP 17910990A JP H0464256 A JPH0464256 A JP H0464256A
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- semiconductor device
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 241000272168 Laridae Species 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は外部リードをパンチおよびダイによって切断す
る半導体装置の製造方法に関するものである。
る半導体装置の製造方法に関するものである。
従来、リードフレームを使用して半導体装1を組立てる
には、バフケージをモールド成形した後に外部リードを
リードフレームから切断し、この外部リードを切断後に
所定形状に曲げ加工していた。外部リードを切断するに
あたってはリード切断パンチおよびダイか用いられ、外
部リードはその下面側(実装面側)がダイに支持され、
上面側からリード切断パンチによって切断されていた。
には、バフケージをモールド成形した後に外部リードを
リードフレームから切断し、この外部リードを切断後に
所定形状に曲げ加工していた。外部リードを切断するに
あたってはリード切断パンチおよびダイか用いられ、外
部リードはその下面側(実装面側)がダイに支持され、
上面側からリード切断パンチによって切断されていた。
この種の半導体装置の製造方法を第3図ないし第5図に
よって説明する。
よって説明する。
第3図は従来の半導体装置の製造方法によって製造され
た半導体装置の外部リード部を示す断面図、第4図(a
) 、 (b)は従来の外部リード切断方法を説明する
ための図で、同図(a)は切断機に半導体装置を装着し
た状態を示す断面図、同図(b)は外部リード切断後の
半導体装置を示す断面図である。第5図は従来の外部リ
ード切断方法によって切断された外部リードの切断端を
拡大して示す断面図である。なお、第3図ではQFP
(クワッドフラットパッケージ)、SOP (スモール
アウトラインパッケージ)等のガルウィングタイプの半
導体装置を示す。これらの図において、1はモールドパ
ッケージ、2は外部リードである。この外部リード2は
前記モールドパッケージ1の側部に幅方向に沿って複数
本並設され、各外部リード2はモールドパッケージ1の
側部から側方へ向かって突出されている。そして、この
外部リード2の先端部には、先端側を曲げ加工して先端
をモールドパッケージ1の底面側(実装面側)へ偏位さ
せることよって半田付は部2aが形成されている。
た半導体装置の外部リード部を示す断面図、第4図(a
) 、 (b)は従来の外部リード切断方法を説明する
ための図で、同図(a)は切断機に半導体装置を装着し
た状態を示す断面図、同図(b)は外部リード切断後の
半導体装置を示す断面図である。第5図は従来の外部リ
ード切断方法によって切断された外部リードの切断端を
拡大して示す断面図である。なお、第3図ではQFP
(クワッドフラットパッケージ)、SOP (スモール
アウトラインパッケージ)等のガルウィングタイプの半
導体装置を示す。これらの図において、1はモールドパ
ッケージ、2は外部リードである。この外部リード2は
前記モールドパッケージ1の側部に幅方向に沿って複数
本並設され、各外部リード2はモールドパッケージ1の
側部から側方へ向かって突出されている。そして、この
外部リード2の先端部には、先端側を曲げ加工して先端
をモールドパッケージ1の底面側(実装面側)へ偏位さ
せることよって半田付は部2aが形成されている。
なお、この半田付は部2aはモールドパンケージ1の底
面と略平行に形成されている。
面と略平行に形成されている。
3はリードフレーム(図示せず)等から外部リードを切
断する際に使用するリード切断機で、このリード切断機
3は、外部リード2の実装面A側を支承するダイ4と、
このダイ4に外部リード2を押付けて挟圧保持するスト
リッパー5と、外部リード2を切断するリード切断パン
チ6等とから構成されている。なお、前記リード切断パ
ンチ6の切断方向は第4図(a)中矢印で示したように
下向きとされている。
断する際に使用するリード切断機で、このリード切断機
3は、外部リード2の実装面A側を支承するダイ4と、
このダイ4に外部リード2を押付けて挟圧保持するスト
リッパー5と、外部リード2を切断するリード切断パン
チ6等とから構成されている。なお、前記リード切断パ
ンチ6の切断方向は第4図(a)中矢印で示したように
下向きとされている。
次に、従来の半導体装置の製造方法について説明する。
リードフレームを使用して半導体装置を製造するには、
先ず、リードフレームに半導体素子(図示せず)等を搭
載し、この半導体素子を封止するためにモールドパッケ
ージ1をモールド成形する。そして、モールドパッケー
ジ1が設けられたリードフレームを第4図(a)に示す
ようにリード切断機3に装着させ、リード切断バンチ6
によって外部リード2を所定長さに切断する。切断後の
状態を第4図(b)に示す。この際、リード切断パンチ
6によって外部リード2を上側から切断すると、外部リ
ード2の切断端には下側(実装面A側)へ突出するかえ
りが生じる。このかえりを第3図ないし第5図中に符号
7で示す。なお、第5図において8は剪断面、9は破断
面を示す。次に、この切断後の外部リード2をリード曲
げ加工機(図示せず)によって第3図に示すようにガル
ウィング状に曲げる。このようにして半導体装置が製造
される。
先ず、リードフレームに半導体素子(図示せず)等を搭
載し、この半導体素子を封止するためにモールドパッケ
ージ1をモールド成形する。そして、モールドパッケー
ジ1が設けられたリードフレームを第4図(a)に示す
ようにリード切断機3に装着させ、リード切断バンチ6
によって外部リード2を所定長さに切断する。切断後の
状態を第4図(b)に示す。この際、リード切断パンチ
6によって外部リード2を上側から切断すると、外部リ
ード2の切断端には下側(実装面A側)へ突出するかえ
りが生じる。このかえりを第3図ないし第5図中に符号
7で示す。なお、第5図において8は剪断面、9は破断
面を示す。次に、この切断後の外部リード2をリード曲
げ加工機(図示せず)によって第3図に示すようにガル
ウィング状に曲げる。このようにして半導体装置が製造
される。
しかるに、従来の半導体装置の製造方法によって切断さ
れた外部リード2は、その切断端に実装面A側へ突出す
るかえり7が生じる関係から、半田付は部2aが平坦で
なくなってしまう。このかえり7の突出寸法が大きくな
ると、実装基板(図示せず)に実装した時に半田付は部
2aが実装基板から浮いてしまい半田付けできなくなる
という問題があった。かえり量を少なく抑えて上述した
ような不具合を解消するには、リード切断機の部品であ
るリード切断バンチ6やダイ4の管理を厳格に行ない、
リード切断パンチ6、ダイ4が摩耗したら速やかに交換
すればよい。ところが、このようにするとコスト高にな
ってしまう。
れた外部リード2は、その切断端に実装面A側へ突出す
るかえり7が生じる関係から、半田付は部2aが平坦で
なくなってしまう。このかえり7の突出寸法が大きくな
ると、実装基板(図示せず)に実装した時に半田付は部
2aが実装基板から浮いてしまい半田付けできなくなる
という問題があった。かえり量を少なく抑えて上述した
ような不具合を解消するには、リード切断機の部品であ
るリード切断バンチ6やダイ4の管理を厳格に行ない、
リード切断パンチ6、ダイ4が摩耗したら速やかに交換
すればよい。ところが、このようにするとコスト高にな
ってしまう。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、外部リードを、
外部リードの実装面側からその反対側へ向かう方向を切
断方向としたパンチによって切断するものである。
外部リードの実装面側からその反対側へ向かう方向を切
断方向としたパンチによって切断するものである。
外部リードを切断する時に生じるかえりは、実装面とは
反対側へ突出することになる。
反対側へ突出することになる。
以下、本発明の一実施例を第1図(a)、 (b)およ
び第2図によって詳細に説明する。
び第2図によって詳細に説明する。
第1図(a)、 (b)は本発明の半導体装置の製造方
法を説明するための図で、同図(a)は切断機に半導体
装置を装着した状態を示す断面図、同図(b)は外部リ
ード切断後の半導体装置を示す断面図である。第2図は
本発明の半導体装置の製造方法によって製造された半導
体装置の外部リード部を示す断面図である。これらの図
において前記第3図ないし第5図で説明したものと同一
もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細な説
明は省略する。これらの図において、11は本発明を実
施する際に使用するリード切断機である。このリード切
断機11は、外部リード2の非実装面B側を支持するダ
イ12と、このダイ12に外部リード2を押付けて挟圧
保持するストリッパー13と、外部リード2を切断する
リード切断パンチ14等とから構成されている。このリ
ード切断パンチ14は、第1図(a)中に矢印で示した
ように、外部リード2の実装面A側からその反対側(非
実装面B側)へ向かう方向が切断方向とされている。
法を説明するための図で、同図(a)は切断機に半導体
装置を装着した状態を示す断面図、同図(b)は外部リ
ード切断後の半導体装置を示す断面図である。第2図は
本発明の半導体装置の製造方法によって製造された半導
体装置の外部リード部を示す断面図である。これらの図
において前記第3図ないし第5図で説明したものと同一
もしくは同等部材については、同一符号を付し詳細な説
明は省略する。これらの図において、11は本発明を実
施する際に使用するリード切断機である。このリード切
断機11は、外部リード2の非実装面B側を支持するダ
イ12と、このダイ12に外部リード2を押付けて挟圧
保持するストリッパー13と、外部リード2を切断する
リード切断パンチ14等とから構成されている。このリ
ード切断パンチ14は、第1図(a)中に矢印で示した
ように、外部リード2の実装面A側からその反対側(非
実装面B側)へ向かう方向が切断方向とされている。
次に、本発明の半導体装置の製造方法について説明する
。先ず、従来と同様にしてリードフレームにモールドパ
ッケージ1を設け、このリードフレームをリード切断機
11に装着する。リード切断機11では外部リード2は
ストリッパー13によってダイ12に押付けられて挟圧
保持される。
。先ず、従来と同様にしてリードフレームにモールドパ
ッケージ1を設け、このリードフレームをリード切断機
11に装着する。リード切断機11では外部リード2は
ストリッパー13によってダイ12に押付けられて挟圧
保持される。
そして、この状態でリード切断パンチ14によって外部
リード2を切断する。この際、外部リード2は実装面A
側から切断されることになり、切断端に生じるかえり7
は非実装面B側へ突出することになる。しかる後、従来
と同様にして外部リード2を所定形状に曲げることによ
って、第2図に示すように半導体装置が完成することに
なる。
リード2を切断する。この際、外部リード2は実装面A
側から切断されることになり、切断端に生じるかえり7
は非実装面B側へ突出することになる。しかる後、従来
と同様にして外部リード2を所定形状に曲げることによ
って、第2図に示すように半導体装置が完成することに
なる。
したがって、本発明の半導体装置の製造方法によれば、
外部リード2を切断する時に生じるかえり7は、実装面
Aとは反対側へ突出することになる。このため、各外部
リード2の半田付は面2aがかえり7の影響を受けずに
平坦になり、全リードの平坦性を高めることができる。
外部リード2を切断する時に生じるかえり7は、実装面
Aとは反対側へ突出することになる。このため、各外部
リード2の半田付は面2aがかえり7の影響を受けずに
平坦になり、全リードの平坦性を高めることができる。
なお、本実施例ではリード切断パンチ14を下方から上
方へ移動させて外部リード2を切断する例を示したが、
半導体装置を上下逆となるように反転させれば、リード
切断バンチ14の切断方向を上方から下方へ向かう方向
とすることができる。
方へ移動させて外部リード2を切断する例を示したが、
半導体装置を上下逆となるように反転させれば、リード
切断バンチ14の切断方向を上方から下方へ向かう方向
とすることができる。
また、本実施例ではモールドパッケージ型半導体装置に
ついて説明したが、本発明はセラミ・7クバソケ一ジ型
半導体装置等、ガルウィングリードを採用する全ての半
導体装置に適用することができる。
ついて説明したが、本発明はセラミ・7クバソケ一ジ型
半導体装置等、ガルウィングリードを採用する全ての半
導体装置に適用することができる。
以上説明したように本発明に係る半導体装置の製造方法
は、外部リードを、外部リードの実装面側からその反対
側へ向かう方向を切断方向としたパンチによって切断す
るため、外部リードを切断する時に生じるかえりは、実
装面とは反対側へ突出することになる。したがって、外
部リードの半田付は部が平坦になるから、リード平坦性
を高めることができ、基板実装時の半田付は性が向上す
るという効果がある。
は、外部リードを、外部リードの実装面側からその反対
側へ向かう方向を切断方向としたパンチによって切断す
るため、外部リードを切断する時に生じるかえりは、実
装面とは反対側へ突出することになる。したがって、外
部リードの半田付は部が平坦になるから、リード平坦性
を高めることができ、基板実装時の半田付は性が向上す
るという効果がある。
第1図(a)、 (b)は本発明の半導体装置の製造方
法を説明するための図で、同図(a)は切断機に半導体
装置を装着した状態を示す断面図、同図(b)は外部リ
ード切断後の半導体装置を示す断面図である。第2図は
本発明の半導体装置の製造方法によって製造された半導
体装置の外部リード部を示す断面図である。第3図は従
来の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装
置の外部リード部を示す断面図、第4図(a)、 (b
)は従来の外部リード切断方法を説明するための図で、
同図(a)は切断機に半導体装置を装着した状態を示す
断面図、同図(b)は外部リード切断後の半導体装置を
示す断面図である。第5図は従来の外部リード切断方法
によって切断された外部リードの切断端を拡大して示す
断面図である。 2・・・・外部リード、2a・・・・半田付は部、7・
・・・かえり、11・・・・リード切断機、12・・・
・ダイ、14・・・・リード切断パンチ。 第4図 (b)
法を説明するための図で、同図(a)は切断機に半導体
装置を装着した状態を示す断面図、同図(b)は外部リ
ード切断後の半導体装置を示す断面図である。第2図は
本発明の半導体装置の製造方法によって製造された半導
体装置の外部リード部を示す断面図である。第3図は従
来の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装
置の外部リード部を示す断面図、第4図(a)、 (b
)は従来の外部リード切断方法を説明するための図で、
同図(a)は切断機に半導体装置を装着した状態を示す
断面図、同図(b)は外部リード切断後の半導体装置を
示す断面図である。第5図は従来の外部リード切断方法
によって切断された外部リードの切断端を拡大して示す
断面図である。 2・・・・外部リード、2a・・・・半田付は部、7・
・・・かえり、11・・・・リード切断機、12・・・
・ダイ、14・・・・リード切断パンチ。 第4図 (b)
Claims (1)
- 外部リードをパンチおよびダイによって切断する半導
体装置の製造方法において、前記外部リードを、外部リ
ードの実装面側からその反対側へ向かう方向を切断方向
としたパンチによって切断することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17910990A JPH0464256A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17910990A JPH0464256A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0464256A true JPH0464256A (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=16060177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17910990A Pending JPH0464256A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0464256A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04219961A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-08-11 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
DE10063041A1 (de) * | 2000-12-18 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01216564A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Fujitsu Ltd | リードフレーム及びそれを用いた電子部品の製造方法 |
JPH0294548A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 電子部品のリード成形方法 |
JPH02129954A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH02133948A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 切断装置 |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP17910990A patent/JPH0464256A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01216564A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Fujitsu Ltd | リードフレーム及びそれを用いた電子部品の製造方法 |
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JPH02129954A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH02133948A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 切断装置 |
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---|---|---|---|---|
JPH04219961A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-08-11 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造装置 |
DE10063041A1 (de) * | 2000-12-18 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung |
US6649450B2 (en) | 2000-12-18 | 2003-11-18 | Infineon Technologies Ag | Method of producing an integrated circuit and an integrated circuit |
DE10063041B4 (de) * | 2000-12-18 | 2012-12-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Leadless-Gehäuse-Schaltung und integrierte Leadless-Gehäuse-Schaltung |
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