DE10063041A1 - Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung - Google Patents

Abstract

Die Erfindung stellt eine Schaltung bereit, die ein von einem Kunststoffgehäuse (6) umgebenes Halbleiterbauteil aufweist, das über Leiterbahnen (7) kontaktierbar ist. Zwischen je einer Trennfläche (10) der Leiterbahnen (7) und einem Bereich des die betreffende Trennfläche (10) umgebenden Kunststoffgehäuses (6) ist in Draufsicht auf die Trennfläche (10) gesehen ein Abstand (d) vorgesehen.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer in­ tegrierten Schaltung sowie eine integrierte Schaltung an sich.

Im Stand der Technik sind Integrierte Schaltungen bekannt, bei denen ein Halbleiterbauteil auf einem Leadframe-Abschnitt an­ gebracht ist. Das Halbleiterbauteil und der Leadframe- Abschnitt sind von einem Kunststoffgehäuse umgeben. Der Lead­ frame-Abschnitt weist Leiterbahnen auf, die die äußere Ober­ fläche des Kunststoffgehäuse durchdringen. Diese Leiterbahnen werden nach dem Aufbringen des Kunststoffgehäuses auf den Leadframe-Abschnitt und auf das Halbleiterbauteil abgetrennt, so daß diese im wesentlichen plan mit der äußeren Oberfläche des Kunststoffgehäuses abschließen.

Der Schritt des Abtrennens der Leiterbahnen im Bereich der äu­ ßeren Oberfläche des Kunststoffgehäuses wird auch als "Singu­ lieren" bezeichnet. Hierfür werden Stanzwerkzeuge verwendet, die so ausgebildet sind, daß die Leiterbahnen sehr nahe oder unmittelbar an der äußeren Oberfläche des Kunststoffgehäuses abgetrennt werden können. Bei einigen Verfahren des Standes der Technik wird sogar absichtlich durch Bereiche des Kunst­ stoffgehäuses hindurch geschnitten, um die betreffende inte­ grierte Schaltungen zu Singulieren. Bei den im Stand der Tech­ nik bekannten Verfahren ist von Nachteil, daß die hierfür ver­ wendeten Schneidwerkzeuge in Form eines Schneidstempels und einer Schneidmatrize einem starken Verschleiß unterliegen. Au­ ßerdem können an dem Kunststoffgehäuse Ausbrüche aufgrund von "Chipping" sowie Mikrorisse oder Mikrospalte auftreten. Durch solche Unregelmäßigkeiten kann Feuchtigkeit in die Innenseite des Kunststoffgehäuses eindringen, was zu unerwünschten Aus­ fällen gerade im Betrieb von Leadless-Gehäuse-Schaltungen füh­ ren kann. Außerdem ist gerade bei den mit bekannten Verfahren hergestellten Leadless-Gehäuse-Schaltungen von Nachteil, daß diese häufig im Betrieb ausfallen, weil unzuverlässige Löt­ stellen an den Leiterbahnabschnitten vorliegen können.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Herstel­ len einer integrierten Leadless-Gehäuse-Schaltung anzugeben, bei dem sich die bekannten Fehler vermeiden lassen. Außerdem ist es Aufgabe der Erfindung, eine verbesserte Leadless- Gehäuse-Schaltung bereitzustellen.

Diese Aufgabe wird durch die unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen.

Gemäß der Erfindung ist vor dem Schritt des Durchtrennens der Leiterbahnen zum Singulieren der integrierten Leadless- Gehäuse-Schaltung ein Schritt des Beaufschlagens wenigstens eines Übergangsbereichs zwischen Kunststoffgehäuse und Leiter­ bahnen mit energiereicher Strahlung vorgesehen. Dieser Schritt wird so vorgenommen, daß im Übergangsbereich zwischen Kunst­ stoffgehäuse und Leiterbahnen Teile des Kunststoffgehäuses entfernt werden.

Durch die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird eine Leadless-Gehäuse-Schaltung bereitgestellt, die sich besonders vorteilhaft einsetzen läßt. Die Leadless-Gehäuse-Schaltung weist ein von einem Kunststoffgehäuse umgebenes Halbleiterbau­ teil auf, das über Leiterbahnen kontaktierbar ist. Die Leiter­ bahnen durchdringen dabei die äußere Oberfläche des Kunst­ stoffgehäuses. Die Leiterbahnen haben je eine nach dem Anfer­ tigen des Kunststoffgehäuses durch einen Trennprozeß angefer­ tigte Trennfläche, wobei zwischen jeder Trennfläche und einem Bereich des die betreffende Trennfläche umgebenden Kunststoff­ gehäuses in der Draufsicht auf die Trennfläche gesehen ein vorbestimmter bzw. definierter Abstand vorgesehen ist. Unter der Bezeichnung "definiert" ist dabei zu verstehen, daß der Abstand zwischen jeder Trennfläche und einem Bereich des die betreffende Trennfläche umgebenden Kunststoffgehäuses nicht zufällig beispielsweise durch Ausbrechen hergestellt ist, son­ dern durch bewußte Einflußnahme. Eine solche bewußte Einfluß­ nahme läßt sich beispielsweise dadurch erkennen, daß im Be­ reich jeder Trennfläche der integrierten Schaltung ein Abstand zwischen der Trennfläche und des Bereichs des die betreffende Trennfläche umgebenden Kunststoffgehäuses vorgesehen ist, wenn die betreffende Trennfläche für eine spätere Kontaktierung vorgesehen ist.

Die Größe des betreffenden Abstands zwischen der Trennfläche und des Bereichs des die betreffende Trennfläche umgebenden Kunststoffgehäuses richtet sich nach der Genauigkeit, mit der ein Schneidwerkzeug im Bereich der oberen Oberfläche des Kunststoffgehäuses geführt werden kann. Derzeit lassen sich sinnvolle Abstände in der Größenordnung von 1 µm bis 5 µm er­ zeugen. Für bestimmte Anwendungen von integrierten Schaltungen kann es auch von Vorteil sein, größere Abstände vorzusehen, beispielsweise in der Größenordnung von 5 µm bis 50 µm.

Die erfindungsgemäße Leadless-Gehäuse-Schaltung gewährleistet eine verschleißarme Fertigung mit geringem Ausschuß.

Gemäß einem der Erfindung zugrunde liegenden Gedanken lassen sich die Nachteile in den im Stand der Technik bekannten Ver­ fahren besonders dann vermeiden, wenn die mit einem Kunst­ stoffgehäuse versehenen Leadframe-Abschnitte unmittelbar an­ schließend in einem Übergangsbereich zwischen den Leiterbahnen des jeweiligen Leadframe-Abschnitts und dem Kunststoffgehäuse mit energiereicher Strahlung beaufschlagt werden. Dabei werden Teile des Kunststoffgehäuses entfernt. Die dabei entfernten Teile sind bei den bekannten Verfahren in einem nachfolgenden Schritt des Durchtrennens der Leiterbahnen mit den Trennwerk­ zeugen in Kontakt gekommen. Dies war besonders von Nachteil, weil die in der Preßmasse zum Herstellen des Kunststoffgehäuses enthaltenen Füllstoffe den Verschleiß der Trennwerkzeuge fördern. Dies ist besonders dann der Fall, wenn beim Anferti­ gen des Kunststoffgehäuses Preßmasse im Bereich zwischen zwei nebeneinander liegenden Leiterbahnen gehalten wird. Diese Preßmasse steht systembedingt über die eigentliche äußere Oberfläche des Kunststoffgehäuses vor und erstreckt sich gera­ de bei Leadless-Gehäuse-Schaltungen in demjenigen Bereich, in dem das spätere Abtrennen der Leiterbahnen erfolgt. Durch das erfindungsgemäße Beaufschlagen desjenigen Übergangsbereichs zwischen Kunststoffgehäuse und Leiterbahnen, der sich zwischen zwei nebeneinander liegenden Leiterbahnen befindet, werden diese unerwünscht überstehenden Teile des Kunststoffgehäuses entfernt, so daß diese beim späteren Vereinzeln des Leadframe- Abschnitts nicht mehr mit den Trennwerkzeugen in Kontakt kom­ men. Dadurch wird deren Verschleiß vermindert.

Ein weiterer der Erfindung zugrunde liegender Gedanke beruht auf der Erkenntnis, daß die bei dem bekannten Verfahren auf­ tretenden Ausbrüche an den Gehäusekanten und Mikrorisse oder Mikrospalten an den Gehäuseübergängen auf mechanische Bean­ spruchungen der Leiterbahnen im Zusammenhang mit dem Auftren­ nen der Leiterbahnen zurückgehen. Es hat sich gezeigt, daß durch das Entfernen von Teilen des Kunststoffgehäuses im Über­ gangsbereich zwischen Leiterbahn und Kunststoffgehäuse diese mechanischen Beanspruchungen verringert werden können, so daß sich eine Verbesserung der Haltbarkeit des Kunststoffgehäuses bei der erfindungsgemäßen Leadless-Gehäuse-Schaltung erreichen läßt. Bei einer besonders vorteilhaften Ausführung des erfin­ dungsgemäßen Verfahrens wird nämlich der Schneidstempel beim Durchtrennen je einer Leiterbahn so geführt, daß er daß Kunst­ stoffgehäuse nicht berührt. Dadurch wird einem Verschleiß des Schneidstempels vorgebeugt.

Bei der erfindungsgemäßen integrierten Schaltung ist in Drauf­ sicht auf die Trennfläche an jeder Leiterbahn zwischen der Trennfläche und einem Bereich des die betreffende Trennfläche umgebenen Kunststoffgehäuses in Draufsicht auf die Trennfläche gesehen ein Abstand von wenigstens 1 µm vorgesehen. In weite­ ren Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Leadless-Gehäuse- Schaltung beträgt dieser Abstand wenigstens 5 µm bis 50 µm. Bei dieser Ausgestaltung können die mechanischen Beanspruchun­ gen des Kunststoffgehäuses beim Auftrennen der Leiterbahnen noch weiter verringert werden. Besonders bei Leadless-Gehäuse- Schaltungen, bei denen der Abstand zwischen der Trennfläche und dem die betreffende Trennfläche umgebene Kunststoffgehäuse in Draufsicht auf die Trennfläche gesehen im Bereich von ca. 1 bis ca. 5 µm liegt, ergibt sich eine besonders einfache und zuverlässige Verwendung in späteren Kontaktierprozessen. Es hat sich herausgestellt, daß gerade bei solchen Leadless- Gehäuse-Schaltungen besonders wenig unerwünschte Kunststoff- und Füllstoffpartikel auf dem zum Löten vorgesehenen Funkti­ onsflächen auftreten. Dadurch ergeben sich besonders zuverläs­ sige Lötungen.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung werden das Spektrum und die Intensität der energiereichen Strahlung zum Beaufschlagen des Übergangsbereichs zwischen Kunststoffgehäuse und Leiter­ bahnen so gewählt, daß dabei im Wesentlichen nur Teile des Kunststoffgehäuses entfernt werden, während die Leiterbahnen durch die energiereiche Strahlung im Wesentlichen nicht abge­ tragen werden. Dadurch wird vermieden, daß die Leiterbahnen geschwächt werden. Außerdem wird so vermieden, daß Material der Leiterbahn verdampft und sich im Bereich des Kunststoffge­ häuses niederschlägt. Durch solches niedergeschlagenes Leiter­ bahnmaterial könnten Kurzschlüsse entstehen.

In einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung weist das Spektrum der energiereichen Strahlung ein Maximum im Bereich von ca. 1000 nm auf. Dies kann insbesondere durch ei­ nen roten Laser erzeugt werden, der typischerweise eine Wel­ lenlänge von 1064 nm aufweist. Bei einem roten Laser ergibt sich der Vorteil, daß bei einer richtigen Einstellung der Intensität die metallischen Leiterbahnen des Leadframe- Abschnitts nicht angegriffen werden.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ergeben sich zahlreiche Vorteile. Im Stand der Technik werden die gattungsgemäßen Bau­ teile mittels optischer Kontrolleinrichtungen überprüft. Dies kann beispielsweise nach dem Singulieren oder vor dem Verpac­ ken erfolgen. Fehlerhafte wie beispielsweise ausgebrochene oder mit Partikeln behaftete Bauteile werden aussortiert.

Es wurde daran gedacht, einen zusätzlichen Waschprozeß zwi­ schen einem zweistufigen Singulierprozeß einzuführen. Bei die­ sem Waschprozeß sollten die hergestellten Bauteile von losen Partikeln und Ausbrüchen befreit werden. Beim sogenannten Leadlength-Cutting werden die Bauteile vorgeschnitten, so daß sie noch im Leadframe verbleiben. Erst anschließend werden sie einem Waschprozeß bzw. Deflash-Prozeß unterworfen. Danach wer­ den die Bauteile beim endgültigen Singulierprozeß fertig sin­ guliert. Die vorgeschnittenen Leadframe können nicht galva­ nisch verzinnt werden, so daß dieser Prozeßablauf nur mit so­ genannten Preplated-Leadframes erfolgen können. Daraus ergeben sich hohe Materialkosten sowie eine schlechte Haftung der zum Herstellen des Kunststoffgehäuses verwendeten Preßmasse. Wei­ terhin sind die Bauteile einem sehr hohen Streß beim Stanzen ausgesetzt.

Zum Vermeiden der der Aufgabe zugrunde liegenden Nachteile wurden aufwendige und kostenintensive Fertigungsverfahren wie zum Beispiel BCC oder MAP-Molding mit Vereinzelung der Bautei­ le durch Sägen vorgeschlagen. Diese Verfahren bringen jedoch eigene Probleme mit sich, die bei der Erfindung ebenfalls ver­ mieden werden.

Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß die Qualität und Zuverlässigkeit des Singulierprozesses erhöht wird. Gerade beim Stanzen, wie es häufig zum Singulieren von integrierten Leadless-Gehäuse-Schaltungen angewendet wird, ist die Vermei­ dung von Abrasion an den Schneidmessern und der Schneidplatte der Stanzwerkzeuge von großer Bedeutung. Außerdem werden durch die Erfindung die am Kunststoffgehäuse über die Verbiegung der Leiterbahnen ausgeübten Schneidkräfte vermindert. Dabei wird gerade die Standzeit bzw. der Verschleiß der Schneidmesser und der Schnittplatte in hohem Maße erhöht. Auch die Qualität der Gehäusekante, die häufig durch Schneiden des metallischen Leadframes und dem aus Preßmasse bestehenden Gehäuse herge­ stellt wird, wird verbessert, denn die Güte der durch die Er­ findung nicht mehr so stark beanspruchten Schneidmesser bleibt über einen langen Zeitraum erhalten. Schließlich wird auch das Auftreten von Mikrorissen und Ausbrüchen wie Chipping an den Kanten des Kunststoffgehäuses vermindert, denn diese werden durch die entstehenden Schneidkräfte verursacht, die wiederum mit abnehmender Güte der Schneidmesser größer werden. Außerdem werden durch die Erfindung nur wenige Partikel erzeugt, so daß die Qualität der hergestellten Lötverbindungen erhöht wird.

Die Erfindung sieht im Einzelnen ein Entfernen der Preßmasse in dem Bereich der vorgesehenen Schnittlinie vor. Dies erfolgt mit einem Schneidlaser. Dabei wird die Preßmasse des Kunst­ stoffgehäuses vorzugsweise dort entfernt, wo später das Ab­ trennen mit den Schneidwerkzeugen erfolgen soll. Die Stanz­ stempel schneiden beim Beschneiden der Gehäusekante des Kunst­ stoffgehäuses somit im Wesentlichen nur noch die metallischen Anschlußkontakte. Durch den so erzeugten Freischnitt sind die Schneidkräfte, die auf das Kunstharz des Kunststoffgehäuses wirken, soweit reduziert, daß keine Mikrorisse an den Über­ gangsbereichen zwischen Kunststoffgehäuse und Leiterbahnen mehr auftreten.

Die Wellenlänge des hierfür bevorzugt verwendeten Lasers ist entscheidend für die Qualität des Freischnitts. Vorzugsweise wird nur das Kunstharz des Kunststoffgehäuses beschnitten und nicht die metallischen Leiterbahnen des Leadframes. Gerade rote Laser haben die Eigenschaft, daß sie bei richtigen Einstel­ lungen das metallische Leadframe nicht beeinträchtigen.

Die erfindungsgemäßen Verfahrensschritte werden vorzugsweise unmittelbar nach dem Molding des Kunststoffgehäuses und vor einem Deflashing angewendet.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß nach dem Laserfreischneiden die Bauteile galvanischen Prozessen zum De­ flashing und Verzinnen unterworfen werden. Dabei werden beim Deflashing die Bauteile vorteilhafterweise gleich von Laserab­ rand und losen Bestandteilen befreit, so daß in nachfolgenden Verfahrensschritten keine losen Partikel mehr auf dem herge­ stellten Leadless-Gehäuse-Bauelement vorhanden sind. Dadurch ergibt sich der Vorteil, daß zur Herstellung kostengünstige Kupfer-Leadframes verwendet werden können, bei denen das De­ flashing und die Anwendung von galvanischen Prozessen vor dem Leadlength-Cutting und Separieren stattfinden kann.

Der zum Schneiden des Kunststoffgehäuses verwendete Laser kann in das Transfer-Moldequipment integriert werden. Die für das Ausführen der Erfindung benötigten Handlingeinrichtungen sind dann bereits vorhanden. Es ist auch ein "stand alone" Equip­ ment mit eigenem Leadframehandling denkbar.

Die Erfindung ist in der Zeichnung anhand eines Ausführungs­ beispiels näher veranschaulicht.

Fig. 1 zeigt einen Abschnitt eines Leadframe-Rahmens,

Fig. 2 zeigt einen Leadframe-Abschnitt des Leadframe-Rahmens aus Fig. 1,

Fig. 3 zeigt eine Einzelheit des Kunststoffgehäuses aus Fig. 2,

Fig. 4 zeigt eine weitere Einzelheit des Kunststoffgehäuses aus Fig. 2 nach einem Singulierschritt und

Fig. 5 zeigt eine Einzelheit eines weiteren Kunststoffgehäu­ ses nach einem Singulierschritt.

Fig. 1 zeigt eine Draufsicht. auf einen Abschnitt eines Lead­ frame-Rahmens 1, der eine Vielzahl von Leadframe-Abschnitten aufweist, von denen in dieser Ansicht nur ein erster Leadfra­ me-Abschnitt 2, ein zweiter Leadframe-Abschnitt 3, ein dritter Leadframe-Abschnitt 4 sowie ein vierter Leadframe-Abschnitt 5 zu sehen sind. Die Leadframe-Abschnitt 2, 3, 4 und 5 sind mit je einem in dieser nicht gezeigten Halbleiterbauteil sowie mit je einem Kunststoffgehäuse 6 versehen.

Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf einen vergrößerten Aus­ schnitt von Fig. 1 im Bereich des dritten Leadframe- Abschnitt 4. In dieser Ansicht ist besonders gut zu erkennen, daß der dritte Leadframe-Abschnitt 4 eine Vielzahl von Leiter­ bahnen aufweist, von denen in dieser Ansicht der besseren Übersicht halber nur die obenstehende Reihe mit der Bezugszif­ fer 7 bezeichnet ist. In der in Fig. 2 gezeigten Darstellung blickt man von oben auf den dritten Leadframe-Abschnitt 4. Auf der Oberseite ist ein in dieser Ansicht nicht gezeigtes Halb­ leiterbauelement vorgesehen, das von einem Kunststoffgehäuse 6 umgeben ist. Im Bereich des Kunststoffgehäuses 6 sind diejeni­ gen Bereiche der Leiterbahnen 7, die sich im Inneren des Kunststoffgehäuses 6 befinden und die in dieser Ansicht nicht in der Draufsicht sichtbar sind, mit einer Kreuzschraffur ver­ sehen. Das Kunststoffgehäuse 6 umfaßt dabei die Leiterbahnen 7 so, daß diese auf der Unterseite des dritten Leadframe- Abschnitts 4 noch eine sichtbare Oberfläche aufweisen. Im üb­ rigen sind die Leiterbahnen 7 so von dem Material des Kunst­ stoffgehäuses 6 umschlossen, daß diese fest miteinander ver­ bunden sind.

In Fig. 2 ist weiterhin eine Laserspur 8 gezeigt. Die Laser­ spur 8 veranschaulicht, wie nach dem Aufbringen des Kunst­ stoffgehäuses 6 auf den Leadframe-Rahmen 1 mit einem roten Laser mit geeigneter Intensität die Konturen des Kunststoffge­ häuses 6 nachbearbeitet werden. Dazu ist es möglich, sowohl von unten als auch vor, oben auf den dritten Leadframe- Abschnitt 4 einzuwirken. Durch die Nachbearbeitung mit einem Laser entlang der Laserspur 8 wird die Kontur des Kunststoff­ gehäuses 6 nachbearbeitet, wobei dessen Oberfläche geglättet wird. Außerdem werden Kunststoffreste, die von der Herstellung des Kunststoffgehäuses 6 her rühren im Bereich der Leiterbah­ nen 7 entfernt. Solche Kunststoffreste können sich insbesonde­ re im Zwischenraum zwischen zwei nebeneinander liegenden Lei­ terbahnen 7 festsetzen.

Fig. 3 veranschaulicht die Wirkungsweise des auf der Laser­ spur 8 arbeitenden und in dieser Ansicht nicht gezeigten La­ sers. Fig. 3 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Ab­ schnitts des Kunststoffgehäuses 6 in Übergangsbereichen zwi­ schen dem Kunststoffgehäuse 6 und den Leiterbahnen 7. Wie man in dieser Ansicht besonders gut sieht, bildet sich bei der Herstellung des Kunststoffgehäuses 6 zwischen den Leiterbah­ nen 7 ein Kunststoffrand 9. Dieser Kunststoffrand 9 rührt da­ von her, daß Kunststoffmasse bei einem Moldprozeß in den Be­ reich zwischen die Leiterbahnen 7 gedrückt wird. Diese Kunst­ stoffmasse wandert unter dem Rand der Gußform für das Kunst­ stoffgehäuse 6 entlang der Leiterbahnen 7 weiter, bis die Kunststoffmasse aushärtet.

Die Laserspur 8 verläuft so, daß der Laser den Kunststoff­ rand 9 wegbrennt, so daß insbesondere im Bereich der Leiter­ bahnen 7 eine glatte Seitenfläche des Kunststoffgehäuses 6 entsteht.

Fig. 4 zeigt einen Bereich des Kunststoffgehäuses 6 nach dem Singulieren. Hierzu sind die Leiterbahnen 7 in der Nähe der Seitenkante des Kunststoffgehäuses 6 abgetrennt worden. Da­ durch ergeben sich an den Leiterbahnen 7 Trennflächen 10, die in nachfolgenden Schritten zum Kontaktieren der Leiterbahnen 7 dienen können.

Durch die vorhergehenden Bearbeitungsschritte mit einem Laser ist gewährleistet, daß in der Draufsicht auf die Trennflä­ chen 10 ein Abstand zwischen der Trennfläche 10 und einem Be­ reich des die Trennfläche umgebenden Kunststoffgehäuses ein Abstand d von wenigstens 1 µm bis 5 µm vorgesehen ist.

Fig. 5 zeigt eine Einzelheit eines weiteren Kunststoffgehäu­ ses 11 nach einem Singulierschritt, der mit einem erfindungs­ gemäßen Verfahren durchgeführt worden ist.

Daß Kunststoffgehäuses 11 gliedert sich in eine Gehäuseober­ teil 12, daß auf einem Gehäusesockel 13 angeordnet ist. Der Gehäusesockel 13 ist dabei so ausgebildet, daß er an der Un­ terseite des Kunststoffgehäuses 11 entlang der äußeren Ober­ fläche des Gehäuseoberteil 12 verläuft. Auf diese Weise wird an der Unterseite des Kunststoffgehäuses 11 eine stufenartige Verbreiterung ausgeführt, innerhalb der Leiterbahnen 14 ange­ ordnet sind. In dieser Ansicht sind von den Leiterbahnen 14 nur zwei Leiterbahnen 14 zu sehen. Zwischen den Leiterbahnen 14 befindet sich jeweils ein Kunststoffrand 15, dessen seitli­ che Oberfläche mit Hilfe eines Lasers hergestellt worden ist. Die Abstand d zwischen der durch Abtrennen mit einem Schneid­ werkzeuge hergestellten Oberfläche je einer Leiterbahnen 14 und der seitlichen Oberfläche je eines daneben liegenden Kunststoffrand 15 beträgt ca. 1 µm bis 5 µm

Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 5 ergibt sich eine beson­ ders vorteilhafte Ausgestaltung einer integrierten Schaltung. Durch das Vorsehen eines Gehäusesockels 13, der über das Ge­ häuseoberteil 12 hinaus ragt, ist nämlich gewährleistet, daß ein zum Ausführen der hier nicht gezeigten Laserspur verwende­ ter Laser nur wenig Gehäusematerial abtragen muß.

Bezugszeichenliste

1

Leadframe-Rahmen

2

erster Leadframe-Abschnitt

3

zweiter Leadframe-Abschnitt

4

dritter Leadframe-Abschnitt

5

vierter Leadframe-Abschnitt

6

Kunststoffgehäuse

7

Leiterbahn

8

Laserspur

9

Kunststoffrand

10

Trennfläche

11

Kunststoffgehäuses

12

Gehäuseoberteil

13

Gehäusesockels

14

Leiterbahn

15

Kunststoffrand

Claims (7)

1. Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung, insbesondere einer Leadless-Gehäuse-Schaltung, das den folgenden Schritt aufweist:

• - Bereitstellen eines Leadframe-Rahmens (1) mit wenig­ stens einem Leadframe-Abschnitt (2, 3, 4, 5), der mit einem von einem Kunststoffgehäuse (6) umgebenen Halb­ leiterbauteil versehen ist, wobei als Leiterbahnen (7) ausgebildete Bereiche des Leadframe-Abschnitts (2, 3, 4, 5) die äußere Oberfläche des Kunststoffgehäuses (6) durchdringen,

wobei vor einem Schritt des Durchtrennens der Leiterbahnen (7) insbesondere zum Singulieren der integrierten Schal­ tung der folgende Schritt vorgesehen ist:

• - Beaufschlagen wenigstens eines Übergangsbereichs zwi­ schen Kunststoffgehäuse (6) und Leiterbahnen (7) mit energiereicher Strahlung, und zwar derart, daß im Über­ gangsbereich Teile des Kunststoffgehäuses (6) entfernt werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Spektrum und die Intensität der energiereichen Strah­ lung so gewählt werden, daß beim Beaufschlagen eines Über­ gangsbereichs zwischen Kunststoffgehäuse (6) und Leiter­ bahnen (7) mit energiereicher Strahlung im wesentlichen Teile des Kunststoffgehäuses (6) entfernt werden, während die Leiterbahnen (7) durch die energiereiche Strahlung im wesentlichen nicht abgetragen werden.

3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Spektrum der energiereichen Strahlung ein Maximum im Bereich von ca. 1000 nm aufweist.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die energiereiche Strahlung durch einen roten Laser er­ zeugt wird.

5. Integrierte Schaltung, die die folgenden Merkmale auf­ weist:
wenigstens ein von einem Kunststoffgehäuse (6) umgebe­ nes Halbleiterbauteil, das über Leiterbahnen (7) kon­ taktierbar ist, wobei die Leiterbahnen (7) die äußere Oberfläche des Kunststoffgehäuses (6) durchdringen,
die Leiterbahnen (7) je eine nach dem Anfertigen des Kunststoffgehäuses (6) angefertigte Trennfläche (10) auf,
zwischen jeder Trennfläche (10) und einem Bereich des die betreffende Trennfläche (10) umgebenden Kunststoff­ gehäuses (6) ist in Draufsicht auf die Trennfläche (10) gesehen ein vorbestimmter oder defininierter Abstand (d) von insbesondere wenigstens 1 µm vorgesehen.

6. Integrierte Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen jeder Trennfläche und einem Bereich des die be­ treffende Trennfläche umgebenden Kunststoffgehäuses ist in Draufsicht auf die Trennfläche gesehen ein Abstand von we­ nigstens 1 µm bis 5 µm vorgesehen.

7. Integrierte Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen jeder Trennfläche und einem Bereich des die be­ treffende Trennfläche umgebenden Kunststoffgehäuse ist in Draufsicht auf die Trennfläche gesehen ein Abstand von we­ nigstens 5 µm bis 250 µm vorgesehen.