DE102007049160B4 - Verfahren zum Vereinzeln von zu einer Gruppe zusammengefassten, einen Kunststoffvergusskörper aufweisenden Chipgehäusen - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
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- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- B23K2103/42—Plastics
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L2924/01029—Copper [Cu]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
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- H01L2924/01079—Gold [Au]
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
Verfahren zum Vereinzeln von zu einer Gruppe zusammengefassten Chipgehäusen (100), einen in einen Kunststoff Vergusskörper (104) eingebetteten Anschlussrahmen (107) mit einer Vielzahl von Kontakten (102) umfassend, wobei die Kontakte (102) einander bezüglich eines zwischen den Chipgehäusen (100) verlaufenden Solltrennbereiches (S) gegenüberliegender Chipgehäuse (100) über gemeinsame, sich entlang einer Trennlinie (T) erstreckende Stege (301) elektrisch und mechanisch miteinander verbunden sind, so dass in dem Solltrennbereich (S) neben einer aus dem Material des Vergusskörpers (104) gebildeten Kunststoffschicht eine von zumindest den Stegen (301) gebildete metallische Schicht (106) zu durchtrennen ist, die folgenden Schritte umfassend:
a) Einbringen einer Nut in den Solltrennbereich der Chipgehäuse (100) durch Lasergravieren, wobei die in dem Solltrennbereich (S) vorhandenen und sich entlang der Trennlinie (T) erstreckenden Stege (301) durch die Lasergravur entfernt werden, und
b) anschließendes vollständiges Trennen der Chipgehäuse (100) durch einen mechanischen Sägeschnitt entlang des Solltrennbereiches (S).
a) Einbringen einer Nut in den Solltrennbereich der Chipgehäuse (100) durch Lasergravieren, wobei die in dem Solltrennbereich (S) vorhandenen und sich entlang der Trennlinie (T) erstreckenden Stege (301) durch die Lasergravur entfernt werden, und
b) anschließendes vollständiges Trennen der Chipgehäuse (100) durch einen mechanischen Sägeschnitt entlang des Solltrennbereiches (S).
Description
- Verfahren zum Vereinzeln von zu einer Gruppe zusammengefassten, einen Kunststoffvergusskörper aufweisenden Chipgehäusen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Vereinzeln von Chipgehäusen entlang eines zwischen diesen verlaufenden Solltrennbereiches. In dem Solltrennbereich liegt neben einer aus dem Material des Vergusskörpers gebildeten Kunststoffschicht eine sich zumindest über eine Teillänge des Solltrennbereiches erstreckende metallischen Schicht vor.
- Bevor ein Halbleiterchip (die) in einer Schaltung verbaut wird, wird er mit einem Gehäuse versehen. Das Gehäuse dient primär dazu, den Halbleiterchip gegen Beschädigungen und Umwelteinflüsse zu schützen. Innerhalb des Gehäuses ist der Halbleiterchip, typischerweise mit feinen Golddrähten, mit den Kontakten des Anschlussrahmens elektrisch verbunden. Die einzelnen Kontakte des Anschlussrahmens entstehen durch Ausstanzen aus einem Kupferblech, bzw. einer Kupferfolie mit einer Dicke von in etwa 100 μm. Zur Herstellung eines montierfertigen Chips wird der mit dem Anschlussrahmen kontaktierte Halbleiterchip beispielsweise in einem Spritzgussverfahren in den Vergusskörper eingebettet.
- Grundsätzlich unterscheidet man bei Chipgehäusen zwischen „durchsteckmontierbaren” (Through Hole Technology – THT) und „oberflächenmontierbaren” (Surface Mounted Devices – SMD) Gehäusen. Eine spezielle oberflächenmontierbare Gehäuseart ist das QFN-Gehäuse (Quad flat no-Lead). Ein QFN-Gehäuse weist keine über den Gehäuserand hinausragenden Kontakte auf, wie sie von anderen Gehäuseformen als typische „Beinchen” bekannt sind. Ein QFN-Gehäuse wird auf der Unterseite des Gehäuses verlötet, und ist aufgrund seiner Kompaktheit besonders für mobile Endgeräte, wie beispielsweise Mobiltelefone, PDAs etc. geeignet.
- Zur einfachen Verarbeitung in der Massenproduktion sind Chipgehäuse üblicherweise auf einem Band zusammengefasst. Bei diesem Band kann es sich um die bereits beschriebene Kupferfolie handeln, aus der die Anschlussrahmen der einzelnen Chipgehäuse ausgestanzt werden. Vor der weiteren Verarbeitung müssen die Chipgehäuse jedoch vereinzelt werden.
- Aus dem Stand der Technik sind verschiedene Verfahren zur elektrischen Isolation, der üblicherweise auf einem Band zusammen gefassten Chipgehäuse als auch zu deren Vereinzelung bekannt.
- Bei dem aus der
WO 2007/005639 A2 - Bei dem aus der
US 2002/0052062 A1 - Nach dem aus der
DE 101 53 615 C1 bekannten Verfahren werden die über ihren Anschlussrahmen miteinander verbundenen Chips durch Stanzen vereinzelt. Die Trennung der Chipkörper erfolgt vorzugsweise mit Hilfe von Wasserstrahlschneiden. Alternativ kann dieser Trennvorgang jedoch auch durch Laserschneiden, Brechen, Sägen, Trennstanzen oder eine Kombination dieser Verfahren erfolgen. - Bei einem Chipgehäuse handelt es sich um einen Verbundwerkstoff, im Wesentlichen aus Metall und Kunststoff. Diese Materialien unterscheiden sich vor allem in Bezug auf ihre Wärmeleitfähigkeit, ihren Schmelzpunkt und ihre optische Absorptionsfähigkeit. Laserbearbeitungsverfahren zur Trennung von Chipgehäusen sind insbesondere aufgrund der unterschiedlichen optischen und thermischen Eigenschaften von Metallen und Kunststoffen wenig erfolgreich. Vornehmlich werden daher zur Trennung von Chipgehäusen mechanische Sägen eingesetzt. Aufgrund des hohen Metallanteils der Chipgehäuse sind die Standzeiten der Sägeblätter jedoch gering. Zum Wechseln des Sageblattes muss der Produktionsprozesses unterbrochen werden. Neben den eigentlichen Arbeiten zum Auswechseln des Sägeblattes muss außerdem das neue Sägeblatt justiert werden.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Vereinzeln von Chipgehäusen anzugeben, mit dem eine hohe Schnittgeschwindigkeit bei zugleich geringem Verschleiß der Schneidwerkzeuge möglich ist.
- Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit einem Verfahren mit den in Anspruch 1 genannten Merkmalen gelöst.
- Gemäß diesen Merkmalen sind die zu vereinzelnden Chipgehäuse zu einer Gruppe zusammengefasst, und weisen einen Kunststoffvergusskörper auf. Die Trennung der einzelnen Chipgehäuse soll entlang einem Solltrennbereich erfolgen, wobei in dem Solltrennbereich neben einer aus dem Material des Vergusskörpers gebildeten Kunststoffschicht eine sich zumindest über eine Teillänge des Solltrennbereiches erstreckende metallische Schicht zu durchtrennen ist. Das Verfahren zum Vereinzeln der Chipgehäuse umfasst die folgenden Schritte:
- – Einbringen einer Nut in den Solltrennbereich der Chipgehäuse durch Lasergravieren, wobei die sich in dem Solltrennbereich erstreckende metallische Schicht durch die Lasergravur zumindest teilweise entfernt wird, und
- – anschließendes Vereinzeln der Chipgehäuse durch einen mechanischen Sägeschnitt entlang des Solltrennbereiches.
- Der Erfindung liegt dabei die Überlegung zu Grunde, dass die eingangs erläuterten Probleme beim Trennen von Chipgehäusen vermieden werden können, wenn die Chipgehäuse in einem zweistufigen Verfahren voneinander getrennt werden. Zunächst wird eine Nut in den Solltrennbereich zwischen den eigentlichen Chipgehäusen eingebracht. Diese Nut wird durch eine Lasergravur erzeugt. Das Material der Chipgehäuse wird also im Bereich der Nut durch den Laserstrahl abgetragen, die Chipgehäuse werden auf diese Weise angeschnitten bzw. angeritzt. Die metallische Schicht, die im Bereich des Solltrennbereiches vorliegt, wird dabei aus der Nut zumindest teilweise entfernt. Die Chipgehäuse werden anschließend entlang des Solltrennbe reiches mit einer mechanischen Säge voneinander getrennt. Die Standzeit des Sägeblattes ist signifikant erhöht, da durch die Lasergravur ein Teil des Metalls aus dem Schnittbereich der mechanischen Säge entfernt wurde. Folglich gerät die mechanische Säge beim Trennen der Chipgehäuse mit weniger Metall in Kontakt. Ein solches kombiniertes Trennverfahren weist im Vergleich zu konventionellen Verfahren, welche lediglich eine mechanische Säge einsetzen, längere Standzeiten der Sägeblätter und eine höhere Schnittgeschwindigkeit auf.
- In den Vergusskörper der Chipgehäuse ist bevorzugt eine metallische Schicht eingebettet. Der Abstand der metallischen Schicht zu einer als Kontaktseite bezeichneten Flachseite des Chipgehäuses ist kleiner, als der Abstand zu einer dieser gegenüberliegenden weiteren Flachseite. Von der Kontaktseite her betrachtet, ist die metallische Schicht in dem Vergusskörper also nahe der Oberfläche eingebettet. Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens wird die Nut von der Kontaktseite her in die Chipgehäuse eingebracht.
- Durch das Einbringen einer Nut in die Kontaktseite der Chipgehäuse kann ein Großteil der metallischen Schicht durch die Lasergravur aus dem Solltrennbereich entfernt werden. Von der Kontaktseite her betrachtet, befindet sich lediglich wenig Vergussmasse des Kunststoffvergusskörpers oberhalb der metallischen Schicht. Unterhalb der metallischen Schicht erstreckt sich hingegen der wesentliche Teil des Kunststoffvergusskörpers. In dem die Lasergravur in die Kontaktseite der Chipgehäuse eingebracht wird, kann ein Großteil der metallischen Schicht aus dem Solltrennbereich entfernt werden, ohne dass eine sehr tiefe Nut in die Chipgehäuse eingebracht werden muss, oder die Chipgehäuse gar voneinander getrennt werden müssen. Die Chipgehäuse bleiben untereinander durch ihre Vergusskörper miteinander verbunden, dies erleichtert ihre Weiterverarbeitung.
- In einer vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens entspricht die laterale Breite der Nut, die durch die Lasergravur in das Chipgehäuse eingebracht wird, höchstens der Schnittbreite des mechanischen Sägeschnittes. Durch diese Maßnahme kann eine besonders gute Kantenqualität an dem geschnittenen Chipgehäuse erreicht werden.
- Dies wird anhand der folgenden Betrachtungen verständlich. Mit Hilfe der Lasergravur wird das Metall des Anschlussrahmens zumindest teilweise aus dem Schnittbereich der mechanischen Säge entfernt. Infolge der thermischen Einwirkung des Laserstrahls kann jedoch eine Nut mit einer unsauberen Kante entstehen. Insbesondere kann der Vergusskörper im Kontaktbereich zu den Kontakten bzw. zu dem Anschlussrahmen in unerwünschter Weise aufgeschmolzen oder beschädigt werden. Eine solche thermische Beschädigung von Teilen des Vergusskörpers kommt wie folgt zustande. Da das Metall der Kontakte bzw. des Anschlussrahmens durch die Laserbehandlung sehr stark erhitzt wird und eine gute Wärmeleitfähigkeit besitzt, entsteht in den Kontakten bzw. in dem Anschlussrahmen ein Wärmestrom senkrecht zur Schnittrichtung des Laserstrahls. Diese Wärme wird an Teile des Vergusskörpers außerhalb des Bereiches der eigentlichen Lasergravur abgegeben. In diesen Bereichen wird der Vergusskörper thermisch beschädigt. So entsteht eine Schnittkante von nicht ausreichender Qualität. Durch den sich an die Lasergravur anschließenden mechanischen Sägeschnitt wird ein wesentlich glätterer Schnitt in die Chipgehäuse eingebracht, so dass die Kantenqualität der geschnittenen Chipgehäuse ein hohes Niveau erreicht. Auf diese Weise kann eine hohe Kantenqualität der getrennten Chipgehäuse bei gleichzeitig hoher Standzeit des Sägeblattes erreicht werden.
- Gemäß einer Weiterbildung des Verfahrens wird die Anpassung der lateralen Breite der durch die Lasergravur in die Chipgehäuse eingebrachten Nut dadurch vorgenommen, dass eine Mehrzahl von Lasergravuren im Wesentlichen parallel zu der Trennlinie ausgeführt werden. Durch parallele Lasergravuren kann die Breite der Nut besonders einfach, flexibel und effektiv eingestellt werden.
- In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens entspricht die Tiefe der durch die Lasergravur in das Chipgehäuse eingebrachten Nut zumindest derjenigen Tiefe in welcher sich der Anschlussrahmen – in Strahlrichtung betrachtet – in dem Vergusskörper erstreckt. Insbesondere wird die Tiefe der Nut gerade so groß gewählt, dass der Anschlussrahmen nahezu vollständig aus der Nut entfernt werden kann. Die Tiefe der Nut entspricht in diesem Fall – wiederum in Strahlrichtung betrachtet – gerade der maximalen Tiefe in der sich der Anschlussrahmen in dem Vergusskörper erstreckt. Diese maximale Tiefe ergibt sich aus dem Abstand von der Oberfläche der Kontaktseite bis zur Unterkante des Anschlussrahmens. Bei dem nachfolgend ausgeführten mechanischen Sägeschnitt entlang der Nut gerät das Sägeblatt somit kaum mit dem Metall des Anschlussrahmens in Kontakt. Die Standzeit des Sägeblattes kann auf diese Weise deutlich verbessert werden.
- Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung des Verfahrens wird die Tiefe der durch die Lasergravur in die Chipgehäuse eingebrachten Nut durch die Anzahl der entlang derselben Schnittli nie durchgeführten Lasergravuren eingestellt. Mit anderen Worten werden also mehrere Lasergravuren entlang ein und derselben Linie in die Chipgehäuse eingebracht. Die Positionen der einzelnen Lasergravuren weichen dabei lediglich um apparativ bedingte Ungenauigkeiten voneinander ab.
- Werden mehrere Lasergravuren entlang der gleichen Schnittlinie durchgeführt, so ist eine besonders einfache, flexible und effektive Möglichkeit gegeben, die Tiefe der durch die Lasergravur erzeugten Nut einzustellen.
- Gemäß einer Weiterbildung des Verfahrens erfolgt die Lasergravur mit Hilfe von Laserpulsen, die insbesondere eine Pulslänge zwischen 0,5 μs und 5 μs aufweisen. Derartige Laserpulse werden bevorzugt mit einem gütegeschalteten Festkörperlaser erzeugt. Durch die Verwendung von Laserpulsen wird eine hohe Abtragsrate bei gleichzeitig geringem Wärmeeintrag in das Werkstück erzielt. Für die in einem Chipgehäuse vorliegenden Materialien ist die Abtragsrate bei geringem Wärmeeintrag besonders hoch, wenn gemäß einer bevorzugten Weiterbildung des Verfahrens eine Pulslänge in dem vorgenannten Bereich gewählt wird.
- Bei den Chipgehäusen handelt es sich vorzugsweise um QFN-Chipgehäuse. Solche Chipgehäuse sind besonders kompakt und weisen einen hohen Metallanteil auf. Aufgrund des hohen Metallanteils tritt beim mechanischen Trennen von QFN-Gehäusen ein sehr hoher Verschleiß der Sägeblätter auf. Das erfindungsgemäße, verschleißmindernde Verfahren ist daher für QFN-Gehäuse besonders vorteilhaft.
- Weitere vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens gehen aus den vorstehend nicht angesprochenen Ansprü chen sowie insbesondere aus der nachfolgend erläuterten Zeichnung hervor. Es zeigen:
-
1 ein Chipgehäuse in Perspektivansicht, -
2 ein Band mit einer Gruppe von Chipgehäusen in Draufsicht, -
3 eine Detailansicht in einem Bereich zwischen zwei benachbarten Chipgehäusen und -
4 und5 Querschnitte eines Chipgehäuses. - Gemäß
1 dient ein Chipgehäuse100 , insbesondere ein QFN-Chipgehäuse, zur Aufnahme eines Halbleiterchips101 (die). Der Halbleiterchip101 ist mit den elektrischen Kontakten102 des Chipgehäuses100 über feine Golddrähte103 verbunden. Die elektrischen Kontakte102 sind gemeinsam mit dem Halbleiterchip101 sowie den Golddrähten103 in einem Vergusskörper104 vergossen. Bei dem Material des Vergusskörpers104 kann es sich beispielsweise um einen Duroplasten oder ein Epoxidharz handeln. Die elektrischen Kontakte102 sind in die Kontaktseite105 , welche in1 der Unterseite des Chipgehäuses100 entspricht, eingebettet. Die Kontakte102 und eine weitere, ebenfalls in den Vergusskörper104 eingebettete Haltestruktur108 für den Halbleiterchip101 sind Teil eines in den Vergusskörper104 eingebetteten Anschlussrahmens107 . Die den Anschlussrahmen107 bildenden Teile, wie beispielsweise die Kontakte102 und die Haltestruktur108 bilden innerhalb des Vergusskörpers104 eine metallische Schicht106 aus. Zur Vereinzelung von Chipgehäusen100 , insbesondere QFN-Chipgehäusen, werden diese vorzugsweise aus Richtung R mit einem Laserstrahl behandelt. - Zur leichteren Massenverarbeitung sind die Chipgehäuse
100 , wie2 zeigt, auf einem Trägerband200 angeordnet. Bei diesem Trägerband200 kann es sich um eine Kupferfolie handeln, aus der zuvor der jeweilige Anschlussrahmen107 der einzelnen Chipgehäuse100 ausgestanzt wurde. Während des Ausstanzens wird ein Durchbruch201 in das Trägerband200 eingebracht. Durch den Stanzvorgang entstehen einzelne Kontakte102 , die ein Teil des Anschlussrahmens107 sind und durch weitere Teile des Anschlussrahmens107 mechanisch zusammengehalten werden. Der Anschlussrahmen107 kann außerdem eine Aufnahme für den Halbleiterchip101 bieten, dessen Position in2 angedeutet ist. Die einzelnen Chipgehäuse100 liegen in einer oder mehreren Gruppen auf dem Trägerband200 vor. Nach2 bilden aus Gründen der Übersichtlichkeit jeweils lediglich 4 Chipgehäuse100 eine solche Gruppe. Eine Gruppe kann jedoch aus erheblich mehr Chipgehäusen100 , beispielsweise aus 64 Chipgehäusen100 , gebildet sein. Es können außerdem mehrere Gruppen in Längs- und in Querrichtung des Bandes200 nebeneinander angeordnet sein. - Vor der Montage müssen die Chipgehäuse
100 vereinzelt werden. Zu diesem Zweck werden entlang der zwischen den eigentlichen Chipgehäusen100 verlaufenden Trennlinien T Schnitte in die Chipgehäuse100 und gegebenenfalls auch in das Trägerband200 eingebracht. Aus Gründen der Übersichtlichkeit sind lediglich einige zur Vereinzelung der Chipgehäuse100 notwendigen Trennlinien T in2 angedeutet. -
3 zeigt eine Detailansicht zweiter aneinandergrenzender Chipgehäuse100 . Die Chipgehäuse100 , welche entlang der Trennlinie T voneinander getrennt werden sollen, sind über Stege301 , welche die einzelnen Kontakte102 der jeweiligen Chipgehäuse100 miteinander verbinden, sowie durch ihre Vergusskörper104 miteinander verbunden. Der Anschlussrahmen der Chipgehäuse100 wird im wesentlichen durch die Stege301 gebildet. Die Trennlinie T ist von einem Solltrennbereich S umgeben. Der Solltrennbereiches S verläuft zwischen den eigentlichen Chipgehäusen100 , kann aber deren Rand erfassen. Die Vereinzelung der Chipgehäuse100 erfolgt in bzw. entlang dieses Solltrennbereiches S. - Zur Vereinzelung der Chipgehäuse
100 wird eine Nut der Breite BL mit Hilfe einer oder mehrerer Lasergravuren in die Chipgehäuse100 eingebracht. Die Lasergravuren werden im Wesentlichen parallel zu der Trennlinie T durchgeführt. Um die Breite BL der durch die Lasergravur erzeugten Nut einstellen zukönnen, werden mehrere Lasergravuren im Wesentlichen parallel zueinander durchgeführt. Die durch die Lasergravuren eingebrachte Nut weist dabei eine Breite BL auf, die im Wesentlichen der Breite desjenigen Steges301 des Anschlussrahmens107 entspricht, der die zu den einzelnen Kontakten102 abzweigenden Stege301 miteinander entlang der Trennlinie T verbindet. Die Breite einer einzelnen Lasergravur liegt dabei typischerweise im Bereich von 50 μm. - Nach erfolgter Lasergravur werden die Chipgehäuse
100 mit einer mechanischen Säge voneinander getrennt. Zu diesem Zweck wird in den Solltrennbereich S, im Wesentlichen entlang der Trennlinie T, ein Schnitt in die Chipgehäuse100 eingebracht. Der mechanische Sägeschnitt wird gleichermaßen in die beiden aneinandergrenzenden Chipgehäuse100 eingebracht. Bei dem in3 gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Breite BS des mechanischen Sägeschnittes und die Breite des Solltrennbereiches S gleich groß gewählt. Dies muss nicht notwendigerweise der Fall sein. Der mechanische Sägeschnitt sollte innerhalb des Solltrennbereiches liegen, kann seiner Breite nach aber auch ggf. schmäler sein. - Der Solltrennbereich S wird gerade so groß gewählt, dass die einzelnen Kontakte
102 der Chipgehäuse100 elektrisch voneinander getrennt werden. Minimal ist der Solltrennbereich S daher so breit zu wählen, dass die die Kontakte102 elektrisch und mechanisch miteinander verbindenden Stege301 durchtrennt werden. Üblicherweise wird der Solltrennbereich S jedoch so breit gewählt, dass die Stege301 des Anschlussrahmens vollständig entfernt werden. Um eine glatte Abschlusskante am Rand der Chipgehäuse100 zu erreichen, kann der Solltrennbereich S ebenfalls so breit gewählt werden, dass ein Teilbereich der Kontakte102 von dem mechanischen Sägeschnitt, der innerhalb des Solltrennbereiches S liegt, erfasst wird. - Die Breite BS des mechanischen Sägeschnittes, diese beträgt in etwa 300 μm, ist größer, zumindest aber gleich groß, wie die Breite BL der durch eine oder mehrere Lasergravur(en) erzeugten Nut. Nach der Laserbehandlung zurückbleibende Grate oder Einbuchtungen im Bereich der Kante der Chipgehäuse
100 , die zu einer geringen Kantenqualität derselben führen, können mit Hilfe des mechanischen Sägeschnittes entfernt werden. So kann eine glatte Schnittkante an den voneinander getrennten Chipgehäusen100 erzeugt werden. - Die Lasergravur, wie auch der mechanische Sägeschnitt können insbesondere von der Kontaktseite
105 in die Chipgehäuse100 eingebracht werden. Die Kontaktseite105 der Chipgehäuse100 wird also in dem Solltrennbereich S derart mit einem Laserstrahl aus der Richtung R behandelt, dass in dem Solltrennbereich S Material der Chipgehäuse100 abgetragen wird. Durch diesen Vorgang wird sowohl Metall als auch Kunststoff aus dem Solltrennbereich S entfernt, und auf diese Weise eine Ausnehmung bzw. Nut in dem Solltrennbereich S erzeugt. - Die Lasergravur kann insbesondere mit einem gütegeschalteten Festkörperlaser, der eine Pulslänge zwischen 0,5 μs und 5 μs aufweist, durchgeführt werden. Unter dem Begriff Laserstrahl sei also auch stets gleichermaßen eine Folge von Laserpulsen zu verstehen. Der anschließende mechanische Sägeschnitt kann insbesondere mit einer Präzisionssäge (dicing saw) durchgeführt werden.
-
4 zeigt eine Querschnittsansicht eines Chipgehäuses100 entlang der in3 gezeigten Trennlinie T. Das Chipgehäuse100 weist eine Gesamthöhe H1 auf, wobei sich von der Kontaktseite105 aus betrachtet in einer Tiefe H2 der Anschlussrahmen107 erstreckt. Im Bereich der Trennlinie T weist der Anschlussrahmen107 einen durchgehenden Steg301 auf (vgl.3 ). Die Kontaktseite105 ist mit einer Deckschicht401 bedeckt. Von der Kontaktseite105 her betrachtet unterhalb des Anschlussrahmens107 erstreckt sich der Vergusskörper104 des Chipgehäuses100 . - Zur Vereinzelung beispielsweise zweiter Chipgehäuse
100 kann von der Kontaktseite105 her eine Lasergravur in die Chipgehäuse100 eingebracht werden, welche sich bis in die Tiefe H2 erstreckt. Zu diesem Zweck wird aus Richtung R ein Laserstrahl auf die Kontaktseite105 der Chipgehäuse100 gerichtet. Die Laserparameter zur Erzeugung der Nut werden darauf abgestimmt, dass das Metall des Anschlussrahmens107 , also insbesondere der Steg301 , nahezu vollständig aus der entstehenden Nut entfernt werden kann. Die entstehende Nut erstreckt sich also gerade bis in die Tiefe H2. Die auf der Kontaktseite105 des Chipgehäuses100 vorhandene Deckschicht401 wird bei dem Gravurvorgang mit entfernt. - Die Tiefe der Nut, d. h. die Tiefe des von den Laserpulsen erzeugten Abtrages, kann dabei insbesondere dadurch eingestellt werden, dass mehrere Lasergravuren entlang derselben Linie nacheinander durchgeführt werden. Der Laserstrahl wird bis auf aparativ unvermeidbare Ungenauigkeiten entlang des gleichen Weges mehrfach über das Chipgehäuse
100 geführt. Insbesondere kann die Lasergravur zum Erzeugen der Nut so durchgeführt werden, dass sowohl, wie im Zusammenhang mit3 beschrieben, mehrere Lasergravuren parallel zueinander ausgeführt werden, als auch, wie um Zusammenhang mit4 beschrieben, zur Einstellung der Gravurtiefe, mehrere Lasergravuren entlang der gleichen Linie durchgeführt werden. -
5 zeigt eine weitere Querschnittsansicht des Chipgehäuses100 entlang einer Begrenzungslinie des Solltrennbereiches S. Die einzelnen Kontakte102 sind in den Vergusskörper104 des Chipgehäuses100 eingebettet. Die Kontaktseite105 ist mit einer Deckschicht401 versehen. Wie bereits erwähnt, werden nach erfolgter Lasergravur die Chipgehäuse100 durch einen mechanischen Sägeschnitt der Breite BS voneinander getrennt. Nachdem der Großteil des Metalls aus dem Solltrennbereich S bereits durch die mit dem Laser eingebrachte Nut entfernt worden ist, wird durch den mechanischen Sägeschnitt eine saubere Kante in die Chipgehäuse100 eingebracht. -
- 100
- Chipgehäuse
- 101
- Halbleiterchip (die)
- 102
- Kontakte
- 103
- Golddrähte
- 104
- Vergusskörper
- 105
- Kontaktseite
- 106
- metallische Schicht
- 107
- Anschlussrahmen
- 108
- Haltestruktur
- 200
- Trägerband
- 201
- Durchbruch
- 301
- Stege
- 401
- Deckschicht
- T
- Trennlinie
- S
- Solltrennbereich
- BL
- Bereite der durch Lasergravieren erzeugten Nut
- BS
- Schnittbreite der mechanischen Säge
- H1
- Höhe des Chipgehäuses
- H2
- Tiefe in der sich der Anschlussrahmen in dem Chipgehäuse erstreckt
- R
- Strahlrichtung des Laserstrahls
Claims (11)
- Verfahren zum Vereinzeln von zu einer Gruppe zusammengefassten Chipgehäusen (
100 ), einen in einen Kunststoff Vergusskörper (104 ) eingebetteten Anschlussrahmen (107 ) mit einer Vielzahl von Kontakten (102 ) umfassend, wobei die Kontakte (102 ) einander bezüglich eines zwischen den Chipgehäusen (100 ) verlaufenden Solltrennbereiches (S) gegenüberliegender Chipgehäuse (100 ) über gemeinsame, sich entlang einer Trennlinie (T) erstreckende Stege (301 ) elektrisch und mechanisch miteinander verbunden sind, so dass in dem Solltrennbereich (S) neben einer aus dem Material des Vergusskörpers (104 ) gebildeten Kunststoffschicht eine von zumindest den Stegen (301 ) gebildete metallische Schicht (106 ) zu durchtrennen ist, die folgenden Schritte umfassend: a) Einbringen einer Nut in den Solltrennbereich der Chipgehäuse (100 ) durch Lasergravieren, wobei die in dem Solltrennbereich (S) vorhandenen und sich entlang der Trennlinie (T) erstreckenden Stege (301 ) durch die Lasergravur entfernt werden, und b) anschließendes vollständiges Trennen der Chipgehäuse (100 ) durch einen mechanischen Sägeschnitt entlang des Solltrennbereiches (S). - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Nut in eine Kontaktseite (
105 ) der Chipgehäuse (100 ) eingebracht wird, wobei die Kontaktseite (105 ) diejenige Flachseite eines Chipgehäuses (100 ) ist, zu der der Abstand einer in den Vergusskörper (104 ) eingebetteten metallischen Schicht (106 ) kleiner ist, als zu einer dieser gegenüberliegenden weiteren Flachseite. - Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die laterale Breite (BL) der durch Lasergravieren eingebrachten Nut höchstens der Schnittbreite (BS) des mechanischen Sägeschnittes entspricht.
- Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die laterale Breite (BL) der durch Lasergravieren eingebrachten Nut größer als die Breite der Stege (
301 ) ist. - Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die lateralen Breite (BL) der durch Lasergravieren eingebrachten Nut durch die Anzahl von im Wesentlichen parallel zu der Trennlinie (T) ausgeführten Lasergravuren eingestellt wird.
- Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Tiefe der durch Lasergravieren eingebrachten Nut zumindest derjenigen Tiefe (H2) entspricht, in der sich – in Strahlrichtung betrachtet – der Anschlussrahmen (
107 ) in dem Vergusskörper (104 ) erstreckt. - Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Tiefe der durch Lasergravieren eingebrachten Nut durch die Anzahl von im Wesentlichen entlang einer identischen Schnittlinie durchzuführenden Lasergravuren eingestellt wird.
- Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Lasergravur mit Laserpulsen.
- Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch Laserpulse mit einer Pulslänge von 0,5 μs bis 5 μs.
- Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das als Chipgehäuse (
100 ) QFN-Chipgehäuse verwendet werden. - Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch, eine Lasergravur mit einem gütegeschalteten Festkörperlaser.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007049160A DE102007049160B4 (de) | 2007-10-13 | 2007-10-13 | Verfahren zum Vereinzeln von zu einer Gruppe zusammengefassten, einen Kunststoffvergusskörper aufweisenden Chipgehäusen |
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---|---|
DE102007049160A1 DE102007049160A1 (de) | 2009-04-16 |
DE102007049160B4 true DE102007049160B4 (de) | 2010-01-28 |
Family
ID=40435478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102007049160A Active DE102007049160B4 (de) | 2007-10-13 | 2007-10-13 | Verfahren zum Vereinzeln von zu einer Gruppe zusammengefassten, einen Kunststoffvergusskörper aufweisenden Chipgehäusen |
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090098682A1 (de) |
JP (1) | JP2009099984A (de) |
DE (1) | DE102007049160B4 (de) |
SG (1) | SG152166A1 (de) |
TW (1) | TW200929386A (de) |
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DE102007049160A1 (de) | 2009-04-16 |
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