JPH0582694A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0582694A JPH0582694A JP27204991A JP27204991A JPH0582694A JP H0582694 A JPH0582694 A JP H0582694A JP 27204991 A JP27204991 A JP 27204991A JP 27204991 A JP27204991 A JP 27204991A JP H0582694 A JPH0582694 A JP H0582694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- tie bar
- punch
- unnecessary resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止後の半導体装置のパッケージとリー
ド及びタイバーとで囲まれた部分の不要樹脂を完全に抜
き落とす。 【構成】 サイズの異なる２種類のパンチ１，１′とダ
イ５，５′とを噛み合わせることにより２工程にて不要
樹脂３及びタイバー４とを抜き落とす。 【効果】 樹脂封止後の半導体装置の不要樹脂を完全に
抜き落とすことにより切断工程以降の工程による不良発
生を防止することができる。
ド及びタイバーとで囲まれた部分の不要樹脂を完全に抜
き落とす。 【構成】 サイズの異なる２種類のパンチ１，１′とダ
イ５，５′とを噛み合わせることにより２工程にて不要
樹脂３及びタイバー４とを抜き落とす。 【効果】 樹脂封止後の半導体装置の不要樹脂を完全に
抜き落とすことにより切断工程以降の工程による不良発
生を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に樹脂封止済み半導体装置の不要樹脂及びタイ
バーを抜き落とす切断方法に関する。
関し、特に樹脂封止済み半導体装置の不要樹脂及びタイ
バーを抜き落とす切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止済み半導体装置の不要樹
脂及びタイバーを抜き落とす切断方法は、図５及び図６
に示す樹脂封止済みの半導体装置のタイバー４及びタイ
バー４とリード２及びパッケージ６とで囲まれた不要樹
脂部３を、図８（ａ），（ｂ）に示すように切断金型
（図示せず）に組み込まれた幅Ｗ2，長さＬ1のパンチ
１′とダイ５′をＢの位置まで噛み合わせることにより
抜き落して図７に示す外形形状を作っていた。
脂及びタイバーを抜き落とす切断方法は、図５及び図６
に示す樹脂封止済みの半導体装置のタイバー４及びタイ
バー４とリード２及びパッケージ６とで囲まれた不要樹
脂部３を、図８（ａ），（ｂ）に示すように切断金型
（図示せず）に組み込まれた幅Ｗ2，長さＬ1のパンチ
１′とダイ５′をＢの位置まで噛み合わせることにより
抜き落して図７に示す外形形状を作っていた。
【０００３】また、リード間隔やタイバー４の位置によ
り不要樹脂部３の面積が十分広い品種については、まず
幅Ｗ2，長さＬ2のパンチにてタイバーを抜き落とし、次
に幅Ｗ1，長さＬ1のパンチにてタイバーを抜き落とすよ
うな２工程での切断を行っているものもあった。
り不要樹脂部３の面積が十分広い品種については、まず
幅Ｗ2，長さＬ2のパンチにてタイバーを抜き落とし、次
に幅Ｗ1，長さＬ1のパンチにてタイバーを抜き落とすよ
うな２工程での切断を行っているものもあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止済
み半導体装置の不要樹脂及びタイバーの切断方法では、
樹脂封止時の熱収縮によるリードの位置ずれや、切断金
型の部品加工精度，組立て精度による切断位置ずれ等を
考慮し、図８（ａ）のＨ2に示すように切断パンチ両側
面とリード端面との間に０．０５〜０．１ｍｍの隙間を
設けなければならず、このため図７に示すように不要樹
脂がリードやパッケージの内側に細長く残り、後工程の
リード成形時にリード又はリード成形ダイ上に落下し、
押し潰され付着残留するため外観不良を引き起こしてい
た。
み半導体装置の不要樹脂及びタイバーの切断方法では、
樹脂封止時の熱収縮によるリードの位置ずれや、切断金
型の部品加工精度，組立て精度による切断位置ずれ等を
考慮し、図８（ａ）のＨ2に示すように切断パンチ両側
面とリード端面との間に０．０５〜０．１ｍｍの隙間を
設けなければならず、このため図７に示すように不要樹
脂がリードやパッケージの内側に細長く残り、後工程の
リード成形時にリード又はリード成形ダイ上に落下し、
押し潰され付着残留するため外観不良を引き起こしてい
た。
【０００５】そのため、リード成形後に膨大な工数をか
けて外観検査を実施しなければならないという問題があ
った。
けて外観検査を実施しなければならないという問題があ
った。
【０００６】本発明の目的は、パッケージとリード及び
タイバーとで囲まれた部分の不要樹脂を完全に抜き落と
す半導体装置の製造方法を提供することにある。
タイバーとで囲まれた部分の不要樹脂を完全に抜き落と
す半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置の製造方法においては、上
下一対のベースブロックのそれぞれ対応した上下位置に
配置した金型のパンチ，ダイを噛み合わせることによ
り、樹脂封止済み半導体装置の不要樹脂部及びタイバー
を抜き落とす切断工程において、サイズの異なる２種類
のパンチ，ダイにより２工程にて不要樹脂及びタイバー
切断を行うものである。
め、本発明に係る半導体装置の製造方法においては、上
下一対のベースブロックのそれぞれ対応した上下位置に
配置した金型のパンチ，ダイを噛み合わせることによ
り、樹脂封止済み半導体装置の不要樹脂部及びタイバー
を抜き落とす切断工程において、サイズの異なる２種類
のパンチ，ダイにより２工程にて不要樹脂及びタイバー
切断を行うものである。
【０００８】
【作用】本発明の樹脂封止済み半導体装置の不要樹脂及
びタイバーの抜き落とし方法は、サイズの異なる２種類
のパンチ，ダイにより２工程にて不要樹脂及びタイバー
切断を行う。
びタイバーの抜き落とし方法は、サイズの異なる２種類
のパンチ，ダイにより２工程にて不要樹脂及びタイバー
切断を行う。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】（実施例１）図１（ａ），（ｂ），図２
（ａ），（ｂ）は、本発明の実施例１に係る不要樹脂及
びタイバー抜き落とし方法を示す平面図及び断面図であ
る。
（ａ），（ｂ）は、本発明の実施例１に係る不要樹脂及
びタイバー抜き落とし方法を示す平面図及び断面図であ
る。
【００１１】まず図１（ａ），（ｂ）において、リード
間隔Ｗ1より幅広のパンチ１をＡの位置まで下降させて
リード２及び不要樹脂部３を下方へ押圧する。このとき
リード２及びタイバー４の下面は、ダイ５の上面にて支
えられるため若干押し潰されるのみであるが、不要樹脂
部３は受けが無いため、周囲にせん断力が働き、リード
２及びタイバー４との界面は、剥離しパンチ１の沈み込
み量Ｈ1だけ下方へ押し下げられパッケージ６との界面
には亀裂が入る。
間隔Ｗ1より幅広のパンチ１をＡの位置まで下降させて
リード２及び不要樹脂部３を下方へ押圧する。このとき
リード２及びタイバー４の下面は、ダイ５の上面にて支
えられるため若干押し潰されるのみであるが、不要樹脂
部３は受けが無いため、周囲にせん断力が働き、リード
２及びタイバー４との界面は、剥離しパンチ１の沈み込
み量Ｈ1だけ下方へ押し下げられパッケージ６との界面
には亀裂が入る。
【００１２】次に図２（ａ），（ｂ）に示すように、幅
Ｗ2，長さＬ1のパンチ１′をＢの位置まで下降させ、ダ
イ５′と噛み合わせることにより不要樹脂部３及びタイ
バー４を抜き落とす。
Ｗ2，長さＬ1のパンチ１′をＢの位置まで下降させ、ダ
イ５′と噛み合わせることにより不要樹脂部３及びタイ
バー４を抜き落とす。
【００１３】（実施例２）図３（ａ），（ｂ），図４
（ａ），（ｂ）は、本発明の実施例２を示す平面図及び
断面図である。
（ａ），（ｂ）は、本発明の実施例２を示す平面図及び
断面図である。
【００１４】まず図３（ａ），（ｂ）において、リード
間隔Ｗ1より幅狭のパンチ１″をＢの位置まで下降させ
て不要樹脂部３を抜き落とす。この時不要樹脂部３は、
リード２とタイバー４及びパッケージ６との密着力がパ
ンチ１″とダイ５″とにより発生するせん断力より強い
ため、パンチ１と同サイズのみ抜き落とされ周囲は中空
矩形で残る。
間隔Ｗ1より幅狭のパンチ１″をＢの位置まで下降させ
て不要樹脂部３を抜き落とす。この時不要樹脂部３は、
リード２とタイバー４及びパッケージ６との密着力がパ
ンチ１″とダイ５″とにより発生するせん断力より強い
ため、パンチ１と同サイズのみ抜き落とされ周囲は中空
矩形で残る。
【００１５】次に図４（ａ），（ｂ）に示すように、幅
Ｗ2，長さＬ1のパンチ１′をＢの位置まで下降させダイ
５′と噛み合わせることにより、矩形の不要樹脂部３及
びタイバー４を抜き落とす。このとき、矩形の不要樹脂
部３は、内側を下方へ押圧されるため、リード２とタイ
バー４及びパツケージ６との界面から剥がされて落下す
る。
Ｗ2，長さＬ1のパンチ１′をＢの位置まで下降させダイ
５′と噛み合わせることにより、矩形の不要樹脂部３及
びタイバー４を抜き落とす。このとき、矩形の不要樹脂
部３は、内側を下方へ押圧されるため、リード２とタイ
バー４及びパツケージ６との界面から剥がされて落下す
る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、サイスの
異なる２種類のパンチにより２工程にて不要樹脂及びタ
イバーを抜き落とすため、すなわち第１工程にて不要樹
脂部を抜き落とし易くしたあと、第２工程で正規の抜き
落としを行うため、切断後不要樹脂が残らないこととな
る。
異なる２種類のパンチにより２工程にて不要樹脂及びタ
イバーを抜き落とすため、すなわち第１工程にて不要樹
脂部を抜き落とし易くしたあと、第２工程で正規の抜き
落としを行うため、切断後不要樹脂が残らないこととな
る。
【００１７】このため、後工程で不良を引き起こす要因
を排除することにより、リード成形後の外観検査工数を
大幅に低減できるという効果を有する。
を排除することにより、リード成形後の外観検査工数を
大幅に低減できるという効果を有する。
【図１】（ａ）は本発明の実施例１を示す平面図、
（ｂ）は断面図である。
（ｂ）は断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施例１を示す平面図、
（ｂ）は断面図である。
（ｂ）は断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の実施例２を示す平面図、
（ｂ）は断面図である。
（ｂ）は断面図である。
【図４】（ａ）は本発明の実施例２を示す平面図、
（ｂ）は断面図である。
（ｂ）は断面図である。
【図５】樹脂封止済半導体装置を示す図である。
【図６】樹脂封止済半導体装置を示す図である。
【図７】不要樹脂及びタイバー抜き落とし済半導体装置
を示す図である。
を示す図である。
【図８】（ａ）は従来方法を示す平面図、（ｂ）は断面
図である。
図である。
１，１′ パンチ ２ リード ３ 不要樹脂部 ４ タイバー ５，５′ ダイ ６ パッケージ Ｌ1，Ｌ2 パンチ長さ Ｗ1，Ｗ2 パンチ幅 Ｈ1 パンチ沈み込み量 Ｈ2 パンチとリードとのクレアランス Ａ，Ｂ パンチ噛み合い下限位置
Claims (1)
- 【請求項１】 上下一対のベースブロックのそれぞれ対
応した上下位置に配置した金型のパンチ，ダイを噛み合
わせることにより、樹脂封止済み半導体装置の不要樹脂
部及びタイバーを抜き落とす切断工程において、 サイズの異なる２種類のパンチ，ダイにより２工程にて
不要樹脂及びタイバー切断を行うことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27204991A JPH0582694A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27204991A JPH0582694A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582694A true JPH0582694A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17508401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27204991A Pending JPH0582694A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582694A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10063041A1 (de) * | 2000-12-18 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung |
| JP2011091194A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法および電子装置の製造方法 |
| JP2013214775A (ja) * | 2013-07-17 | 2013-10-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP27204991A patent/JPH0582694A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10063041A1 (de) * | 2000-12-18 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung |
| US6649450B2 (en) | 2000-12-18 | 2003-11-18 | Infineon Technologies Ag | Method of producing an integrated circuit and an integrated circuit |
| DE10063041B4 (de) * | 2000-12-18 | 2012-12-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Leadless-Gehäuse-Schaltung und integrierte Leadless-Gehäuse-Schaltung |
| JP2011091194A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法および電子装置の製造方法 |
| JP2013214775A (ja) * | 2013-07-17 | 2013-10-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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