JPH1012641A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JPH1012641A
JPH1012641A JP16739196A JP16739196A JPH1012641A JP H1012641 A JPH1012641 A JP H1012641A JP 16739196 A JP16739196 A JP 16739196A JP 16739196 A JP16739196 A JP 16739196A JP H1012641 A JPH1012641 A JP H1012641A
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resin
dam resin
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dam
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Akihiko Goto
明彦 後藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ダム樹脂抜きによりパッケージに不安定に接続
した状態のダム樹脂残りの発生を防止し、後工程で外部
リードへの樹脂片の圧着等による不都合を抑制した半導
体装置の製造装置を提供する。 【解決手段】パッケージ1に接続するダム樹脂3の根元
の部分3Aをダイ5で支持し、ダイ5とパンチ4により
ダム樹脂3およびタイバー2を切断する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
装置に係り、特に半導体装置のダム樹脂の抜き金型に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来この種のダム樹脂抜き金型は、図3
に示すように、半導体装置のエポキシ樹脂パッケージ
(以下、パッケージ、と称す)1をダイブロック9で受
け、タイバー2と外部リード7は外部リード用ダイ10
で受けて、ダム樹脂3の上部にクリアランスCを有する
パンチ4を載置し(図3(A))、パンチ4を下降させ
ることによりダム樹脂3の抜きを行っていた(図3
(B))。
【0003】この方法では、図4に示すように、パンチ
がダム樹脂に接触したとき、ダム樹脂の密着力の差によ
りダム樹脂はタイバー側がパッケージ側より先に抜け、
パッケージ1に接続した状態のダム樹脂残り11が発生
する。この様に不安定にパッケージ1からぶら下がった
状態のダム樹脂残り11は後工程で不都合を生じる。例
えば、外部リード成形工程において外部リードにダム樹
脂残り11が圧着され成形金型を破損してしまう。
【0004】このダム樹脂残りの発生を防止するため
に、タイバー側のダム樹脂をダイで受けてダム樹脂を切
断し、この残余するダム樹脂およびタイバーをその後の
別工程で除去する技術が特開平62−20335号公報
に開示されている。
【0005】一方、タイバーをパッケージに近づけてダ
ム樹脂を少なくし、ダム樹脂とタイバーを同時に抜く技
術が特開昭63−107052号公報に開示されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のダム樹
脂抜き金型では、ダム樹脂を抜くときのパッケージがダ
イとなっている為、樹脂封止時のパッケージのズレやパ
ッケージの大きさのばらつき、及びダム樹脂を抜くとき
の半導体装置の位置決めのばらつきなどによって、パン
チとパッケージ(ダイ)のクリアランスが増加する場合
がある。
【0007】図4に示すように、クリアランスCがダム
樹脂厚よりも大きくなったときに、ダム樹脂がパッケー
ジ1に接続した状態でダム樹脂残り11が発生するので
あり、ダム樹脂をダイで受けたとしても、またタイバー
をパッケージ側に近づけダム樹脂の量を少なくしたとし
ても真の原因であるクリアランスCの増加は避けられる
ものではなく、ダム樹脂残り11の発生を防止すること
はできない。
【0008】さらに特開平62−20335号公報の方
法は、ダム樹脂の主部分を抜く工程と、ダム樹脂の残余
部分およびタイバーを抜く工程とが必要となるから作業
性が問題となる。
【0009】従って本発明の目的は、良好な作業性のも
とに、ダム樹脂抜きによりパッケージに不安定に接続し
た状態のダム樹脂残りの発生を防止し、これにより後の
仕上げ工程における外部リードへの樹脂片の圧着等によ
る不都合を抑制した半導体装置の製造装置を提供するこ
とである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、エポキ
シ樹脂パッケージより導出した複数の外部リード間をそ
の外部リードどうしを連結するタイバーまではみ出し付
着するダム樹脂を抜き取る半導体装置の製造装置におい
て、前記エポキシ樹脂パッケージに接続する前記ダム樹
脂の根元の部分をダイで支持し、該ダイとパンチにより
前記ダム樹脂を切断しかつ前記タイバーを切断し、これ
により前記根元の部分を除くダム樹脂および前記タイバ
ーを同時に除去する半導体装置の製造装置にある。ここ
で、前記半導体装置は前記外部リードが折り曲げ部で折
り曲げ成形されるタイプの半導体装置であり、前記ダム
樹脂の前記切断位置が前記エポキシ樹脂パッケージの端
と外部リードの折り曲げ部との間に設定されることがで
きる。また、前記前記ダム樹脂の根元の部分は上方から
のストリッパーと前記ダイにより上下から把持されて前
記切断が行われるようにすることが好ましい。さらに、
前記ダイで支持される前記ダム樹脂の根元の部分は前記
パッケージの端より0.3mm以内であることが好まし
い。
【0011】このような本発明によれば、パッケージ端
と、リード成形時の曲げコーナーとの間に切刃を設けた
ダイと、パンチは一定のクリアランスを保ち、ダム樹脂
を確実に切断する。ダイ切刃よりパッケージ側のダム樹
脂は、ダイとストッパーによりそのまま保持される。
【0012】
【発明の実施の形態】次ぎに、本発明について図面を参
照して説明する。
【0013】図1は本発明に実施の形態におけるダム樹
脂抜き金型およびその動作を示す部分断面図である。ま
た図2は図1の工程の後、この半導体装置の外部リード
を成形する状態を示す部分断面図である。
【0014】先ず図2において、パッケージ1の側面よ
り導出した外部リード7を成形ダイ13によりガルウィ
ング状に成形する。
【0015】すなわち、外部リード7を成形する際の応
力がパッケージ1の内部に影響を与えないように、パッ
ケージ1の端面部にフラット部12が存在する。図で水
平方向に導出するこのフラット部12から折り曲げ部8
で下方向に曲げられ、先端部分が再び水平方向に曲げら
れる。
【0016】これから説明する図1の方法により、フラ
ット部12のみに切断後のダム樹脂3の根本部分3Aが
存在している。またこの例では、タイバーが存在してい
た箇所2Aの近傍が折り曲げ部8となっている。
【0017】このフラット部12の長さは、成形ダイ1
3の構造上、約0.3mmより大となる。
【0018】次ぎに図1を参照して、本発明の実施の形
態におけるダム樹脂金型およびこの金型によるダム樹脂
抜きの動作を説明する。
【0019】図1(A)において、樹脂封止金型によっ
てエポキシ樹脂を成形して構成されたパッケージ1の側
面すなわち端から図で水平に複数の外部リード7が導出
し、外部リード7間をパッケージ1の端から外部リード
どうしを連結するタイバー2までダム樹脂3が設けられ
ている。
【0020】このダム樹脂3を抜くダム樹脂金型は、パ
ッケージ1の端から前述の約0.3mm以内の範囲に切
刃を有するダイ5と、同範囲のダム樹脂上に設定される
ストリッパー6と、前記ダイ5とダム樹脂厚以下のクリ
アランスを持って設定されるパンチ4を備えている。ま
た外部リード7を支持する外部リード用ダイ15と外部
リード7に上方より当接する外部リード用ストリッパー
16を備えている。
【0021】図1(A)は、型開きして樹脂封止後の半
導体装置を、パッケージ1の端から約0.3mm以内の
範囲に切刃が設けられているダイに乗せた状態を示して
いる。
【0022】次ぎに図1(B)に示すように、上型(図
示省略)を所定の位置まで下降することによって、パッ
ケージ1の端からダイ5の切刃部分までの間のダム樹脂
3を、ダイ5とストリッパー6により保持する。この時
点でタイバー2よりある程度外側の外部リード7の部分
も外部リード用ダイ15と外部リード用ストリッパー1
6により保持する。
【0023】次ぎに図1(C)に示すように、更に上型
が下降することによって、パンチ4とダイ5により把持
されているダム樹脂の根本部分3Aの先でダム樹脂3は
パンチ4とダイ5により切断される。またタイバー2も
同時にパンチ4とダイ5により切断される。そしてこの
後そのまま図2の外部リード成形工程を行うことができ
る。
【0024】このように、ダム樹脂抜きにおいて、従来
のようなパッケージの位置ズレや大きさのばらつき、ダ
ム樹脂抜き金型での半導体装置の位置決めのばらつきな
どの影響は受けず、パンチとダイは一定のクリアランス
を保つため、ダム樹脂がパッケージに不安定に接続した
状態のダム樹脂残りが発生することはなくなる。
【0025】またパッケージ端から約0.3mm以内に
残存するダム樹脂3Aは、切断の際にパンチ4とダイ5
により把持されているから切断工程でその接続が不安定
となり後工程でそれが外部リードに不都合に付着するよ
うな事故は発生しない。さらにこの残存するダム樹脂
(ダム樹脂の根本部分)3Aは、外部リードの曲げコー
ナーの内側であるため、後工程の外部リード成形に何の
支障も生じない。
【0026】尚、実施と形態で説明した金型は、ダム樹
脂抜き金型にのみ適用されるものではなく、リード成形
等を含む複合型へも適用できることは明らかである。
【0027】
【発明の効果】第1の効果は、後工程の外部リード成形
工程における樹脂片の圧着による不良品の発生を皆無に
することができる。
【0028】その理由は、パッケージ端から約0.3m
m以内のダム樹脂をダイとパンチで切断することによ
り、ダム樹脂がパッケージに不安定に接続した状態のダ
ム樹脂残りを防止できるからである。
【0029】第2の効果は、パンチによるパッケージの
破損を防止できることである。
【0030】その理由は、パッケージの位置ズレや大き
さのばらつき、ダム樹脂金型での半導体装置に位置決め
のばらつきなどがあっても、パッケージ外側にダイが存
在するため、パンチがパッケージに接触することがない
為である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態におけるダム樹脂除去方法
および金型を示す部分断面図である。
【図2】本発明の実施の形態のダム樹脂の切断位置を説
明するための半導体装置を示す側面図である。
【図3】従来のダム樹脂除去方法および金型を示す部分
断面図である。
【図4】従来のダム樹脂除去方法によるダム樹脂残りの
発生状態を示す部分断面図である。
【符号の説明】
1 パッケージ 2 タイバー 2A タイバーが存在していた箇所 3 ダム樹脂 3A ダム樹脂の根本部分 4 パンチ 5 ダイ 6 ストリッパー 7 外部リード 8 折り曲げ部 9 ダイブロック 10 外部リード用ダイ 11 不安定接続のダム樹脂残り 12 フラット部 13 成形ダイ 15 外部リード用ダイ 16 外部リード用ストリッパー

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エポキシ樹脂パッケージより導出した複
    数の外部リード間をその外部リードどうしを連結するタ
    イバーまではみ出し付着するダム樹脂を抜き取る半導体
    装置の製造装置において、前記エポキシ樹脂パッケージ
    に接続する前記ダム樹脂の根元の部分をダイで支持し、
    該ダイとパンチにより前記ダム樹脂を切断しかつ前記タ
    イバーを切断し、これにより前記根元の部分を除くダム
    樹脂および前記タイバーを同時に除去することを特徴と
    する半導体装置の製造装置。
  2. 【請求項2】 前記半導体装置は前記外部リードが折り
    曲げ部で折り曲げ成形されるタイプの半導体装置であ
    り、前記ダム樹脂の前記切断位置が前記エポキシ樹脂パ
    ッケージの端と外部リードの折り曲げ部との間に設定さ
    れることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造
    装置。
  3. 【請求項3】 前記前記ダム樹脂の根元の部分は上方か
    らのストリッパーと前記ダイにより上下から把持されて
    前記切断が行われることを特徴とする請求項1記載の半
    導体装置の製造装置。
  4. 【請求項4】 前記ダイで支持される前記ダム樹脂の根
    元の部分は前記パッケージの端より0.3mm以内であ
    ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造装
    置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002027779A3 (en) * 2000-09-26 2002-07-11 Infineon Technologies Richmond Singulation of semiconductor packages by tie bar cutting
US8859338B2 (en) 2012-06-25 2014-10-14 Mitsubishi Electric Corporation Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002027779A3 (en) * 2000-09-26 2002-07-11 Infineon Technologies Richmond Singulation of semiconductor packages by tie bar cutting
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Effective date: 19980811