JPH1079463A - 半導体装置製造用切断装置 - Google Patents

半導体装置製造用切断装置

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JPH1079463A
JPH1079463A JP23238596A JP23238596A JPH1079463A JP H1079463 A JPH1079463 A JP H1079463A JP 23238596 A JP23238596 A JP 23238596A JP 23238596 A JP23238596 A JP 23238596A JP H1079463 A JPH1079463 A JP H1079463A
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die
cutting
package
support
resin
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JP23238596A
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Hideto Katsuta
秀人 勝田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置製造におけるモールド後の不要リ
ードフレーム部分や不要樹脂部分の切断において、リー
ド欠損,パッケージクラック,半導体チップクラック等
の発生を防止する。 【解決手段】 一部に樹脂製の封止体を有するリードフ
レームのリードフレーム部分を切断金型の上下型で挟む
とともに、前記封止体を前記切断金型の下型の支持台で
支持し、かつ不要部分を前記下型のダイと前記上型のパ
ンチによって切断除去する半導体装置製造用切断装置で
あって、前記封止体を支持する前記支持台は前記封止体
に弾力的に作用する弾力的支持構造になっている。前記
下型の支持台はバネによって支持されている。前記下型
には切断された打ち抜き片が下方に落下する排除穴が前
記打ち抜き位置に対応して設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造用切
断装置に関し、特に樹脂封止型半導体装置の製造におけ
るトランスファモールド後の不要リードフレーム部分や
不要樹脂部分を切断除去する切断技術に適用して有効な
技術に関する。
【0002】
【従来の技術】IC(集積回路装置)等の半導体装置に
おいて、半導体チップやワイヤ等を樹脂(レジン)製の
封止体によって封止する構造が知られている。
【0003】樹脂封止型半導体装置は、その製造におい
てリードフレームが使用される。半導体チップの固定お
よびワイヤボンディングが終了したリードフレームは、
トランスファモールド装置によってがモールドが行われ
る。この結果、前記半導体チップやワイヤ等は樹脂によ
る封止体(パッケージ)で被われる。また、その後、前
記パッケージから食み出したレジンバリや不要樹脂体部
分の除去、リードを連結するタイバー(ダム)の切断除
去,前記半導体チップが固定されるタブを支持するタブ
吊りリードの切断,リード切断,リード成形等が行わ
れ、所望の半導体装置が製造される。
【0004】日経BP社発行「VLSIパッケージング
技術(下)」1993年5月15日発行、P41〜P50には、バ
リ取り,ダム切断,リード切断,リード成形等の技術につ
いて記載されている。
【0005】また、樹脂封止型半導体装置の製造におい
て、封止体内に気泡(ボイド)を発生させないようにす
るため、モールド金型にオーバランナ,ダミーキャビテ
ィ,フローキャビティ等の樹脂溜まりを設け、空気を多
く含む樹脂流の先端部分を前記オーバランナ,ダミーキ
ャビティ,フローキャビティ等に案内するようになって
いる。これらのキャビティで硬化した樹脂体も不要樹脂
部分として切断除去される。
【0006】前記オーバランナ,ダミーキャビティにつ
いては、たとえば工業調査会発行「電子材料」1987年8
月号、同年8月1日発行、P73〜P79に記載されてい
る。また、同文献には、パッケージ周りの不要部分(樹
脂落とし,タイバーカット,ピンチリードカット,リー
ドカットなど)の処理技術(トリム&フォーム)につい
て記載されている。
【0007】また、前記不要樹脂部分や不要リードフレ
ーム部分を切断除去する半導体装置製造用の切断装置と
して、たとえば、株式会社「アピックヤマダ」製M/
C:CH555が知られている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】樹脂封止型半導体装置
の製造において、トランスファモールド後、不要樹脂部
分や不要リードフレーム部分は、前記のような半導体装
置製造用切断装置を使用して切断除去されている。
【0009】従来のこの種半導体装置製造用切断装置に
おいて、図9に示すように、一部に封止体(パッケー
ジ)1を有するリードフレーム2は、切断金型3の下型
4と上型5に挟持される。より具体的には、リードフレ
ーム2は、下型4のダイ6と上型5のガイドプレート7
に挟まれる。また、前記パッケージ1は、前記下型4の
窪み10の底にボルト9によって取り付けられた一段低
い支持台11に支持されるようになっている。前記パッ
ケージ1の内部には、上面に半導体チップ17が固定さ
れた支持板(タブ)16が位置している。また、前記半
導体チップ17の図示しない電極と、リード15の先端
部分は導電性のワイヤ18で電気的に接続されている。
【0010】そして、前記上型5のパンチ支持体12の
下降によって降下するパンチ13と、前記ダイ6によっ
て所定部分が切断除去される。図9の場合は、前記ガイ
ドプレート7に支持されたタイバーカットパンチ13a
(パンチ13)によって、リードフレーム2のタイバー
(ダム)14が切断除去される。
【0011】リードフレーム2を切断金型3で挟持し、
パッケージ1を支持台11で支持しながら不要部分を切
断除去する箇所としては、QFP(Quad Flat Package)
型半導体装置の製造の場合では、他にはパッケージ1を
形成するためのゲート部分に硬化した樹脂体の切断除去
がある。
【0012】このような切断装置においては、前記パッ
ケージ1を支持する支持台11は、前記下型4の窪み1
0の底に固定する構造であることから、支持台11のパ
ッケージ1を支持する支持面20の高さは下型4のリー
ドフレーム2を支持する支持面21に対して常に一定で
ある。
【0013】このため、前記パッケージ1の厚さがばら
つくと以下のような弊害が発生することが本発明者によ
ってあきらかにされた。
【0014】パッケージ1が厚い場合は、パッケージ1
の周囲から突出するリード15の高さが下型4の支持面
21よりも高くなる。したがって、リード15が下型4
と上型5によって挟持された場合、リード15の付け根
部分は下方に強引に押し下げられるようにして挟持され
るため、リード15は付け根部分で階段状に一段折り曲
げられる形状(リード変形)となり、リード欠損とな
る。このリード欠損は、後工程のリード成形等におい
て、リードを確実に保持できなくなる場合が生じ、リー
ド成形の歩留り低下を引き起こす原因となる。
【0015】また、パッケージ1が薄い場合は、パッケ
ージ1が支持台11の支持面20上に浮かぶ状態でタイ
バー切断等が行われるため、リード15の付け根部分が
傾斜し、パッケージ1部分に応力が加わりパッケージ1
にクラックが入る。また、前記応力はパッケージ1の内
部にまで及ぶことがあり、半導体チップ17にクラック
を発生させる場合もある。
【0016】前記不良は、パッケージ1の厚さが、たと
えば3mm程度の場合、30μm程度厚くなったり、あ
るいは30μm程度薄くなったりすると顕著に現れる。
【0017】なお、前記パッケージの厚さ変化は、繰り
返し使用されるモールド金型の磨耗によって、パッケー
ジが形成されるキャビティの深さが深くなることによっ
て生じたり、あるいはモールド金型の補修加工によるキ
ャビティの深さ変化によって生じる。
【0018】本発明の目的は、リード欠損,パッケージ
クラック,半導体チップクラック等を発生させることな
く不要部分を切断除去できる半導体装置製造用切断装置
を提供することにある。
【0019】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【0020】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0021】(1)一部に樹脂製の封止体を有するリー
ドフレームのリードフレーム部分を切断金型の上下型で
挟むとともに、前記封止体を前記切断金型の下型の支持
台で支持し、かつ不要部分を前記下型のダイと前記上型
のパンチによって切断除去する半導体装置製造用切断装
置であって、前記封止体を支持する前記支持台は前記封
止体を弾力的に支持する可動構造になっている。前記下
型の支持台はバネによって支持されている。前記下型に
は切断された打ち抜き片が下方に落下する排除穴が前記
打ち抜き位置に対応して設けられている。
【0022】前記(1)の手段によれば、封止体を支持
する前記支持台は可動構造になっていることから、前記
封止体の厚さがばらついて厚くなった場合、前記支持台
は前記封止体に押されて弾力的に降下するため、リード
フレーム部分は切断金型の下型の支持面に密着して真っ
直ぐ延在する状態を維持することになり、リード変形が
生じなくなる。
【0023】また、前記封止体の厚さがばらついて薄く
なった場合、前記支持台はその可動構造によって上昇し
て前記封止体に弾力的に作用して支持するため、不要樹
脂部分や不要リードフレーム部分の切断時、前記封止体
は支持台に支持されることになり、封止体に異常な力が
加わらなくなり、パッケージクラックや半導体チップク
ラックは発生しなくなる。
【0024】また、前記下型には切断された打ち抜き片
が下方に落下する排除穴が打ち抜き位置に対応して設け
られていることから、打ち抜き片は確実に前記排除穴内
に落下し、打ち抜き片がダイ上に残留して生じる切断不
良や切断金型の破損は防止できる。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0026】(実施形態1)本実施形態1では、QFP
型半導体装置の製造用の切断装置(切断金型)に本発明
を適用した例について説明する。
【0027】QFP型の半導体装置30は、図8に示す
ように、外観的には偏平四辺形の樹脂製の封止体(パッ
ケージ)1と、このパッケージ1の周囲4辺から突出す
る複数のリード15とからなっている。本実施形態1で
は、QFP型の半導体装置30のリード15の形状は、
表面実装構造となるガルウィング型となっている。ま
た、前記パッケージ1内には、支持板(タブ)16が位
置するとともに、このタブ16の上面には半導体チップ
17が固定されている。また、前記半導体チップ17の
図示しない電極と、パッケージ1内に位置する前記リー
ド15の先端部分は導電性のワイヤ18で電気的に接続
されている。
【0028】このようなQFP型の半導体装置30は、
図7に示すように、所定部分にパッケージ1を有するリ
ードフレーム2の不要樹脂部分や不要リードフレーム部
分を切断除去するとともに、リードを成形することによ
って形成する。
【0029】リードフレーム2は、0.15〜0.2m
m程度の厚さの鉄−ニッケル系合金板,銅板,銅合金板
等をエッチングまたは精密プレスによってパターニング
することによって形成される。図7のリードフレーム2
は、外枠31および内枠32からなる枠体の中央に、既
にトランスファモールドによって四辺形のパッケージ1
が設けられた状態になっている。前記パッケージ1は、
前記外枠31および内枠32の内側から枠体の内部に延
在するリード15の先端部分、枠体の四隅から枠体内に
延在するタブ吊りリード33に支持される図示しないタ
ブ、前記タブ上に固定された半導体チップ、前記半導体
チップの電極と前記リード15の先端を電気的に接続す
るワイヤ等を被っている。
【0030】また、前記枠体の四隅は幅広部34とな
り、その一つは部分的に細長く開口し、トランスファモ
ールド時の樹脂の充填部分(ゲート)となる。この樹脂
充填部分には、樹脂の硬化によって注入部樹脂体35が
形成される。また、前記樹脂の充填部分に至る前記幅広
部34には四角形の開口部36が形成されていることか
ら、この部分にも樹脂体37が形成される。前記樹脂体
37は前記開口部36に向かって延在する細い支持体3
9によって支持されている。
【0031】前記樹脂体37および注入部樹脂体35の
切断除去は、パンチ(ゲートカットパンチ)で前記樹脂
体37を押し下げる(ゲートカット)ことによって行わ
れる。前記樹脂体37を押し下げることによって細い支
持体39は破断し、樹脂体37はリードフレーム2から
分離する。また、前記樹脂体37に連なる注入部樹脂体
35はパッケージ1との界面の細い部分で破断し、リー
ドフレーム2から分離する。これによって打ち抜き片は
自重によって下方に落下する。
【0032】また、前記パッケージ1の外側には、トラ
ンスファモールド時溶けた樹脂の流出を防止するタイバ
ー(ダム)14が設けられている。前記タイバー14は
リード15間やリード15と幅広部34を連結する。
【0033】このタイバー(ダム)14の切断(タイバ
ーカット)は、櫛歯状のダイと、前記タイバーに対応し
た刃を有するタイバーカットパンチ(パンチ)によって
切断される。このタイバーカットでは、前記タイバー1
4とパッケージ1との間の空間部分に流出したレジンバ
リを同時に切断除去する。小片となった打ち抜き片は自
重によって下方に落下する。
【0034】なお、トランスファモールドによって前記
パッケージ1を支持することになったタブ吊りリード3
3は、リードの成形金型によって切断される。
【0035】QFP型の半導体装置の製造における切断
・成形は、それぞれ独立したプレス機械で行ってもよ
く、また同一のプレス機械に切断金型と成形金型を並列
に配設し、1本のプレスシリンダーで両金型のパンチを
駆動して切断・成形を行ってもよい。
【0036】本実施形態1では、前記両者に使用できる
切断金型について説明する。本実施形態1の切断金型
は、2ステーション構造となり、最初のステーションで
はゲートカットを行い、次のステーションではタイバー
カットを行う。リードフレームは順次移送され、順次ゲ
ートカット,タイバーカットが行われる。
【0037】図1乃至図6は本発明の実施形態1である
半導体装置製造用切断装置に係わるであって、図1は半
導体装置製造用切断装置の切断金型の要部を示す一部の
断面図、図2は切断金型における下型の支持台とリード
フレームを示す模式的平面図、図3は切断装置の要部を
示す断面図、図4は切断金型の下型の模式的平面図、図
5はゲート部の樹脂体の切断状態を示す一部の拡大断面
図、図6はタイバーの切断状態を示す一部の拡大断面図
である。
【0038】本実施形態1の切断金型3は、図3および
図1に示すように、下型4と、この下型4に重なる上型
5とからなっている。
【0039】下型4は、直方体状の下型本体45を有し
ている。この下型本体45の上面の四隅部分には、それ
ぞれポスト46が植設されている。この4本のポスト4
6は上型5を案内するものである。
【0040】前記下型本体45の上方にはフィードプレ
ート47が配設されている。このフィードプレート47
は、前記下型本体45に対して上下に可動自在の支軸4
8に支持されている。前記支軸48は、図3に示すよう
に、前記下型本体45に設けられた段付き穴の下部太径
穴49内に可動自在に入る下部の短い大径部50と、前
記段付き穴の上部細径穴51内に摺動自在に入る上部の
細く長い摺動軸52とからなっている。前記摺動軸52
は前記細径穴51から長く上方に突出し、その先端は前
記フィードプレート47に固定されている。また、前記
太径穴49の下方は下型本体45に下面に固定される蓋
体53によって塞がれている。そして、前記蓋体53と
大径部50との間には圧縮コイルバネ54が介在され、
前記支軸48を常に上方に弾力的に押し上げるようにな
っている。
【0041】前記フィードプレート47は、図3および
図4に示すように、トランスファモールドが終了したリ
ードフレーム2を載置するとともに、前記リードフレー
ム2を左から右に向かってスライド可能な構造になって
いる。前記リードフレーム2は、図示しないプレス機械
側に配設されたリードフレーム搬送機構によって1ピッ
チずつフィードプレート47上を搬送されるようになっ
ている。
【0042】また、前記フィードプレート47の中央部
分には開口部55が設けられている。この開口部55に
は、リードフレーム2の隣合う2つのパッケージ1と、
前記パッケージ1の周囲から突出するリード15部分が
位置するようになり、順次ゲートカットおよびタイバー
カットが行えるようになっている。
【0043】前記フィードプレート47の開口部55に
対応する前記下型本体45の上面には、左から右に向か
って前記樹脂体37を打ち抜くゲートカット用ダイ60
と、前記タイバー14を打ち抜くタイバーカット用ダイ
61が配設されている。前記タイバーカット用ダイ61
では、前記タイバー14の内側のレジンバリも同時に打
ち抜かれる。
【0044】前記ゲートカット用ダイ60は、パッケー
ジ1から突出するリード15部分を支持する矩形枠体と
なるとともに、図2,図4および図5に示すように、そ
の一部は前記上型5のゲートカットパンチ(パンチ)7
5が入る穴62が設けられている。この穴62には、前
記ゲートカット用ダイ60と前記ゲートカットパンチ7
5とによって切断された打ち抜き片76が落下する。前
記打ち抜き片76は前記樹脂体37および注入部樹脂体
35を有する片となる。
【0045】前記枠状のゲートカット用ダイ60の内側
下方には、前記パッケージ1を支持する支持台63が配
設されている。この支持台63は、下型本体45に取り
付けられた止めネジ64のネジ軸に差し込まれた圧縮コ
イルバネ65に、その下面を弾力的に支持され、上下に
可動な構造(可動構造)となっている。前記支持台63
の上面には矩形枠状の突出した支持部66が形成され、
この支持部66の上面で前記パッケージ1の下面を支持
する。また、図5に示すように、前記支持台63の周縁
部分67は、前記ゲートカット用ダイ60の内周に設け
た窪み内に位置するとともに、前記周縁部分67は前記
窪みの上部の張出下面68に接触し、支持台63がゲー
トカット用ダイ60から外れないようになっている。
【0046】パッケージ1の厚さが設計値通りの場合に
は、下型4と上型5の型締め時、図5に示すように、前
記支持台63は下方に降下(距離a)するようになって
いる。また、パッケージ1の厚さばらつきは、たとえば
±b以内となり、aは前記bよりも充分大きな数値とな
り、前記支持台63に載るパッケージ1は、前記圧縮コ
イルバネ65によって弾力的に支持されるようになって
いる。これによって、ゲートカット(樹脂体37および
注入部樹脂体35の切断除去)が確実に行えるようにな
る。
【0047】また、前記下型4、すなわち前記支持部6
6には、前記ゲートカット位置に対応して打ち抜き片7
6を排除する排除穴77が設けられるとともに、下型本
体45にも排除穴78が設けられている。打ち抜き片7
6は、前記穴62および排除穴77を通ってプレス機械
の集塵ボックス内に真空吸引によって運ばれる。
【0048】したがって、ゲートカット時、打ち抜き片
76がゲートカット用ダイ60上に載って残留すること
もなく、後続のゲートカットにおいてゲートカット不良
の発生やゲートカット用ダイ60やゲートカットパンチ
75の破損を防止できる。
【0049】一方、前記タイバーカット用ダイ61は、
切断する位置や排除穴の位置が前記ゲートカット用ダイ
60とは異なるが、その大部分は前記ゲートカット用ダ
イ60と略同様な構造になっている。
【0050】タイバーカット用ダイ61は、パッケージ
1から突出するリード15部分を支持する矩形枠体とな
っている。また、矩形枠体の内周部分には、図4および
図6に示すように、前記リードフレーム2のタイバー1
4を切断する上型5のタイバーカットパンチ85に噛み
合う櫛刃69が設けられている。
【0051】また、前記枠状のタイバーカット用ダイ6
1の内側下方には、前記パッケージ1を支持する支持台
70が配設されている。この支持台70は、下型本体4
5に取り付けられた止めネジ71のネジ軸に差し込まれ
た圧縮コイルバネ72に、その下面を弾力的に支持さ
れ、上下に可動な構造(可動構造)となっている。前記
支持台70の上面には矩形枠状の突出した支持部73が
形成され、この支持部73の上面で前記パッケージ1の
下面を支持する。また、図6に示すように、前記支持台
70の周縁部分80は、前記タイバーカット用ダイ61
の内周に設けた窪み内に位置するとともに、前記周縁部
分80は前記窪みの上部の張出下面81に接触し、支持
台70がタイバーカット用ダイ61から外れないように
なっている。
【0052】パッケージ1の厚さが設計値通りの場合に
は、下型4と上型5の型締め時、図6に示すように、前
記支持台70は下方に降下(距離a)するようになって
いる。また、パッケージ1の厚さばらつきは、たとえば
±b以内となり、aは前記bよりも充分大きな数値とな
り、前記支持台70に載るパッケージ1は、前記圧縮コ
イルバネ72によって弾力的に支持されるようになって
いる。これによって、タイバーカット(タイバー14お
よびレジンバリの切断除去)が確実に行えるようにな
る。
【0053】また、前記支持台70には、前記タイバー
カット位置に対応する位置に打ち抜き片82を排除する
排除穴83が設けられている。また、前記排除穴83の
下方の下型本体45にも排除穴84が設けられている。
打ち抜き片82は、前記排除穴83および排除穴84を
通ってプレス機械の集塵ボックス内に真空吸引によって
運ばれる。
【0054】したがって、タイバーカット時、打ち抜き
片82がタイバーカット用ダイ61上に載って残留する
こともなく、後続のタイバーカットにおいてタイバーカ
ット不良の発生やタイバーカット用ダイ61やタイバー
カットパンチ85の破損を防止できる。
【0055】前記上型5は、図3に示すように、矩形板
状の上型本体86を有している。この上型本体86は4
隅にガイド穴87が設けられている。このガイド穴87
は、前記下型4の4本のポスト46にそれぞれ摺動自在
に嵌合される。これによって上型本体86はポスト46
に沿って上下に昇降自在となる。
【0056】前記上型本体86の上面には中央に円形穴
を有するガイド板88が固定されている。このガイド板
88の前記円形穴内には、プレス機械のプレスシリンダ
のロッド89の太径となるヘッド90が嵌合される。ま
た、前記ガイド板88の上には、前記ヘッド90の周辺
部分を上型本体86に押し付ける固定板91がガイド板
88に固定されている。したがって、プレス機械のプレ
スシリンダの駆動によって前記上型本体86は昇降動作
する。
【0057】前記上型本体86の上面には、前記ポスト
46の近傍となる位置に段付き穴92が設けられてい
る。そして、この段付き穴92には、それぞれ懸架軸9
3が懸架されるように取り付けられている。また、前記
段付き穴92は前記ガイド板88によって塞がれるが、
このガイド板88と前記懸架軸93の上端間には圧縮コ
イルバネ94が介在され、懸架軸93を下方に弾力的に
作用させるようになっている。
【0058】また、前記4本の懸架軸93の下端は1枚
のガイドプレート95に固定されている。これによって
ガイドプレート95は前記懸架軸93に懸架される構造
となっている。
【0059】前記上型本体86の下面中央部分には、パ
ンチ保持機構96が取り付けられている。このパンチ保
持機構96には、パンチとしてゲートカットパンチ75
とタイバーカットパンチ85が固定されている。前記ゲ
ートカットパンチ75およびタイバーカットパンチ85
は、下型4のゲートカット用ダイ60およびタイバーカ
ット用ダイ61にそれぞれ対応した位置に配設されてい
る。
【0060】また、前記ガイドプレート95の中央部分
には、嵌め込み構造のパンチガイド機構97が設けら
れ、前記ゲートカットパンチ75およびタイバーカット
パンチ85を摺動自在にガイドしている。
【0061】ゲートカットおよびタイバーカットを行う
場合は、前記下型4のフィードプレート47上にリード
フレーム2を位置決め載置した後、前記プレス機械のプ
レスシリンダを駆動させ、上型本体86を下降させる。
この下降時、リードフレーム2は下型4のフィードプレ
ート47と、上型5のガイドプレート95との間に、そ
れぞれ圧縮コイルバネ54,94の弾発力で挟持されな
がら下降し、リードフレーム2がゲートカット用ダイ6
0およびタイバーカット用ダイ61に当接した時点でリ
ードフレーム2の降下は停止する。しかし、前記上型本
体86はさらに下降し、クランプされているリードフレ
ーム2の所定部分をゲートカットパンチ75およびタイ
バーカットパンチ85で切断除去する。
【0062】この際、リードフレーム2のパッケージ1
の厚さがばらついても、パッケージ1を支持する支持台
63および支持台70は圧縮コイルバネ65および圧縮
コイルバネ72による可動構造となっていることから、
常にパッケージ1を支持しながら、リードに不要な力が
加わらないことになる。
【0063】すなわち、パッケージ1が規定値よりも厚
い場合には、支持台63,70は降下するため、パッケ
ージ1の付け根のリード15部分に大きな力が加わらな
くなり、リードが段付き状に変形せず、リード欠損が生
じなくなる。
【0064】また、パッケージ1が規定値よりも薄い場
合は、支持台63,70は圧縮コイルバネ65,72の
作用によって上昇することから、パッケージ1は支持台
63,70によって確実に支持されるため、パッケージ
1部分に大きな力が作用しなくなり、パッケージクラッ
クや半導体チップクラックが発生しなくなる。
【0065】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0066】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるQFP
型半導体装置の製造技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえばSOJ
(Small Outline J Leaded)型半導体装置,SOP(Small
Outline Package)型半導体装置,ZIP(Zigzag Inlin
e Package)型半導体装置の製造技術にも適用できる。こ
れらの場合、ゲート部分やフローキャビティ部分で硬化
した樹脂体、レジンバリ、タイバーが切断対象となる。
【0067】本発明は少なくとも樹脂封止型半導体装置
の製造技術には適用できる。
【0068】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0069】(1)半導体装置の製造における不要部分
の切断において、樹脂からなる封止体(パッケージ)を
支持する支持台は上下に弾力的に作用する可動構造にな
っていることから、前記封止体の厚さがばらついて厚く
なっても厚くなった分だけ支持台が下降するため、前記
封止体を支持するリード部分(リードフレーム部分)
は、切断金型の下型の支持面に密着して真っ直ぐ延在す
る状態を維持することになり、リード変形が生じなくな
る。この結果、後のリード成形でリードが確実に保持さ
れて成形が行われることになり、リード成形が確実にな
るとともに、歩留が高くなる。
【0070】(2)封止体を支持する支持台は上下に弾
力的に作用する可動構造になっていることから、前記封
止体の厚さがばらついて薄くなっても薄くなった分だけ
支持台が上昇するため、不要樹脂部分や不要リードフレ
ーム部分の切断時、前記封止体は支持台に確実に支持さ
れることになり、封止体に異常な力が加わらなくなり、
パッケージクラックや半導体チップクラックは発生しな
くなる。これによって半導体装置の信頼性が高くなると
ともに、歩留りが向上する。
【0071】(3)前記下型には切断された打ち抜き片
が下方に落下する排除穴が打ち抜き位置に対応して設け
られていることから、打ち抜き片は確実に前記排除穴内
に落下し、打ち抜き片がダイ上に残留して生じる切断不
良や切断金型の破損は防止できる。したがって、切断金
型の稼働率が向上する。
【0072】(4)前記(1)〜(3)により、信頼性
の高い半導体装置を安価に提供することができるように
なる。
【図面の簡単な説明】 【符号の説明】
【図1】本発明の実施形態1である半導体装置製造用切
断装置の切断金型の要部を示す一部の断面図である。
【図2】本実施形態1の切断金型における下型の支持台
とリードフレームを示す模式的平面図である。
【図3】本実施形態1の切断装置の要部を示す断面図で
ある。
【図4】本実施形態1の切断金型の下型の模式的平面図
である。
【図5】本実施形態1におけるゲート部の樹脂体の切断
状態を示す一部の拡大断面図である。
【図6】本実施形態1におけるタイバーの切断状態を示
す一部の拡大断面図である。
【図7】本実施形態1においてダム等が切断除去される
リードフレームの平面図である。
【図8】本実施形態1の半導体装置製造用切断装置を使
用して製造した半導体装置の断面図である。
【図9】従来の半導体装置製造用切断装置における切断
金型の要部を示す一部の断面図である。
【符号の説明】
1…封止体(パッケージ)、2…リードフレーム、3…
切断金型、4…下型、5…上型、6…ダイ、7…ガイド
プレート、9…ボルト、10…窪み、11…支持台、1
2…パンチ支持体、13…パンチ、13a…タイバーカ
ットパンチ、14…タイバー、15…リード、16…タ
ブ、17…半導体チップ、18…ワイヤ、20,21…
支持面、30…半導体装置、31…外枠、32…内枠、
33…タブ吊りリード、34…幅広部、35…注入部樹
脂体、36…開口部、37…樹脂体、39…支持体、4
5…下型本体、46…ポスト、47…フィードプレー
ト、48…支軸、49…太径穴、50…大径部、51…
細径穴、52…摺動軸、53…蓋体、54…圧縮コイル
バネ、55…開口部、60…ゲートカット用ダイ、61
…タイバーカット用ダイ、62…穴、63…支持台、6
4…止めネジ、65…圧縮コイルバネ、66…支持部、
67…周縁部分、68…張出下面、69…櫛刃、70…
支持台、71…止めネジ、72…圧縮コイルバネ、73
…支持部、75…ゲートカットパンチ、76…打ち抜き
片、77,78…排除穴、80…周縁部分、81…張出
下面、82…打ち抜き片、83,84…排除穴、85…
タイバーカットパンチ、86…上型本体、87…ガイド
穴、88…ガイド板、89…ロッド、90…ヘッド、9
1…固定板、92…段付き穴、93…懸架軸、94…圧
縮コイルバネ、95…ガイドプレート、96…パンチ保
持機構、97…パンチガイド機構。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一部に樹脂製の封止体を有するリードフ
    レームのリードフレーム部分を切断金型の上下型で挟む
    とともに、前記封止体を前記切断金型の下型の支持台で
    支持し、かつ不要部分を前記下型のダイと前記上型のパ
    ンチによって切断除去する半導体装置製造用切断装置で
    あって、前記封止体を支持する前記支持台は前記封止体
    を弾力的に支持する可動構造になっていることを特徴と
    する半導体装置製造用切断装置。
  2. 【請求項2】 前記下型の支持台はバネによって支持さ
    れていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置
    製造用切断装置。
  3. 【請求項3】 前記下型には切断された打ち抜き片が下
    方に落下する排除穴が前記打ち抜き位置に対応して設け
    られていることを特徴とする請求項1または請求項2に
    記載の半導体装置製造用切断装置。
JP23238596A 1996-09-02 1996-09-02 半導体装置製造用切断装置 Pending JPH1079463A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100300475B1 (ko) * 1998-09-17 2001-10-27 마이클 디. 오브라이언 가요성회로기판을이용하여제조된볼그리드어레이반도체패키지의싱귤레이션방법
KR100390014B1 (ko) * 2001-06-22 2003-07-04 주식회사 씨모스 싱귤레이션기의 균일절단장치
KR100710006B1 (ko) 2005-04-15 2007-04-25 한미반도체 주식회사 반도체 금형장치
KR100950755B1 (ko) 2008-01-10 2010-04-05 주식회사 하이닉스반도체 몰딩 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100300475B1 (ko) * 1998-09-17 2001-10-27 마이클 디. 오브라이언 가요성회로기판을이용하여제조된볼그리드어레이반도체패키지의싱귤레이션방법
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