KR0142941B1 - 반도체 패키지의 리드포밍방법 및 그 포밍장치 - Google Patents
반도체 패키지의 리드포밍방법 및 그 포밍장치Info
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- KR0142941B1 KR0142941B1 KR1019950008275A KR19950008275A KR0142941B1 KR 0142941 B1 KR0142941 B1 KR 0142941B1 KR 1019950008275 A KR1019950008275 A KR 1019950008275A KR 19950008275 A KR19950008275 A KR 19950008275A KR 0142941 B1 KR0142941 B1 KR 0142941B1
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Abstract
본 발명은 반도체 패키지의 리드포밍 방법 및 그 포밍장치에 관한 것으로서, 포밍장치의 포밍금형중 바텀다이의 중앙 상부양측으로 하향 경사면이 형성되고, 하향 경사면 선단 상측으로 수직방향에 컷팅부가 형성되며 이와 대향되는 상부의 탑다이의 캠펀치 하부 중앙 양측으로 하향경사면과 이 경사면 양단 하측에 첩예부의 컷팅부를 형성하여 캠다이 상부에 안치된 리드 프레임 자재를 캠펀치가 하강하면서 리드 컷팅(싱귤레이션) 및 1차포밍이 완료되고, 1차 포밍이 완료된 자재는 일측의 2차 포밍 캠펀치와 캠다이에서 2차 포밍시킴에 따라 반도체 패키지의 포밍을 2단계 공정으로 포밍완료 되게 하여 포밍공정수를 단축시켜 포밍되는 반도체 패키지의 생산성을 형상시키고, 최소한의 몰드금형에 포밍공정의 각 캠펀치와 캠다이를 구성함에 따라 몰드금형의 제작이 용이하며, 아울러 금형의 제작원가를 절감시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
제1도는 본 발명의 리드를 포밍시키는 포밍장치의 정면구조도
제2도는 본 발명의 리드를 포밍시키는 포밍장치의 평면구조도
제3도는 본 발명의 리드를 포밍시키는 포밍장치의 정멱확대도
제4도는 본 발명의 리드를 포밍시키는 작동상태도로서, (가)는 리드프레임 자재에서 리드를 싱귤레이션 시킨 상태이고, (나)는 리드프레임의 리드를 1차포밍 상태도이다.
제5도는 본 발명의 1차 포밍이 완료된 후 2차 포밍되는 상태의 작동도
제6도는 본 발명의 반도체 패키지의 포밍상태를 도시한 것으로서, (가)는 1차 포밍이 완료된 제품이고, (나)는 2차 포밍이 완료된 제품이다.
제7도는 종래의 포밍장치 정면구조도
제8도는 종래의 포밍장치의 정면확대도
제9도이 (가),(나),(다)는 종래의 반도체패키지 포밍상태도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
TD:탑다이BD:바텀다이
P1:싱귤레이션 캠펀치D1:싱귤레이션 캠다이
10:싱귤레이션 캠다이의 하향 경사면11:싱귤레이션 캠다이 컷팅부
21:싱귤레이션 캠다이의 하향 경사면
본 발명은 반도체 패키지의 리드포밍 방법 및 그 포밍장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 패키지의 포밍장치중 리드컷팅(Lead Gutting)되는 싱귤레이션부에서 1차포밍이 동시에 이루어질 수 있도록 하여 포밍공정을 줄이고, 제품의 생산성을 높일 수 있도록 한 리드포밍 방법 및 그 포밍장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 패키지의 리드를 포밍하기 위해서는 웨이퍼(Wafer)를 소잉(Sawing)시 구비된 반도체칩(Die)을 리드프레임(Lead Frame)자재에 형성된 다수개의 탑재판 위에 에폭시(Epoxy)를 사용하여 반도체칩을 각각 접착시키는 다이공정을 거친후 반도체집 내부의 각 기능적 회로단자인 본딩패드(Bonding Pad)와 리드프레임의 각 리드사이를 금세선으로 사용하여 와이어본딩 공정을 거친다.
와이어본딩 공정이 완료된 리드프레임 자재는 반도체칩과 구성부품의 내부회로와 외부의 충격 및 접촉으로부터 보호하고, 외관상 제품의 형태를 소정형상으로 성형시키기 위해 컴파운드(Compound)재를 이용하여 성형공정에서 패키지를 성형시킨다.
패키지 성형이 완료되면 금속재의 리드가 공기중에서 산화 및 부식되어 변색되는 것을 방지하고, 전기적인 특성 및 납땜작업이 용이하도록 도금공정을 시행하여 도금한다.
도금까지 완료된 반도체 패키지 리드프레임 자재는 포밍공정에서 소정형태로 리드를 포밍하게 된다.
리드를 포밍시킬 수 있는 종래의 포밍장치는 도면 제7도및 제8도에 도시된 바와같이 포밍장치의 포밍금형을 탑다이(TD)와 바텀다이(BD)로 구비하고, 탑다이(TD)와 바텀다이(BD)에는 리드프레임 자재 리드(L)를 컷팅하는 싱귤레이션 캠펀치(P1)와 캠다이(D1)를 대향 구비하여, 이후에 순차적으로 리드(L)를 포밍시키는 1,2차 캠펀치(P2)(P3)와 캠다이(D2)(D3)를 구비하였다.
그러나 이러한 포밍장치는 온로더(ON LOADER)에서 공급되어지는 리드프레임 자재가 포밍금형의 싱귤레이션에 진입되면 싱귤레이션 캠펀치(P1)의 하강에 의해 캠다이(D1)에 위치된 자재의 리드가 컷팅부(CT)에서 컷팅(싱귤레이션)되고, 컷팅된 자재는 이송수단에 의해 1차포밍부로 공급되어 1차포밍 캠펀치(P2)와 캠다이(D2)에서 하향으로 리드(L)가 1차 포밍되며, 1차 포밍이 완료된 자재는 2차 포밍부의 2차포밍 캠펀치(P3)와 캠다이(D3)에서 반도체 패키지(P)가 요구되는 소정형상의 2차 포밍이 완료되는 것이다.
이러한 포밍장치는 도시 도면 제9도와 같이 반도체 패키지(P)제품의 리드를 컷팅하는 공정과, 리드 컷팅된 자재를 하향절곡시키는 1차 포밍하는 공정과, 1차 포밍 완료된 자재를 마무리 포밍하는 2차 공정에서 3단계로 제품이 완료되도록 각각 캠펀치와 캠다이를 구비함에 따라 포밍금형의 제작이 어렵고, 제조원가가 상승되며, 작업공정수가 많아짐으로 인하여 포밍작업의 효율성이 저하되고, 3단계로 포밍이 완료되는 반도체 패키지의 생산성이 저하되는 등의 폐단이 발생하였다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 포밍장치의 포밍금형중 바텀다이의 중앙 상부양측으로 하향 경사면이 형성되고, 하향 경사면 선단 상측으로 수직방향에 컷팅부가 형성되며 이와 대향되는 상부의 탑다이의 캠펀치 하부 중앙 양측으로 하향경사면과 이 경사면 양단 하측에 첩예부의 컷팅부를 형성하여 캠다이 상부에 안치된 리드 프레임 자재를 캠펀치가 하강하면서 리드 컷팅(싱귤레이션) 및 1차포밍이 완료되고, 1차 포밍이 완료된 자재는 일측의 2차 포밍 캠펀치와 캠다이에서 2차 포밍시킴에 따라 반도체 패키지의 포밍을 2단계 공정으로 포밍완료 되게 하여 포밍공정수를 단축시킬수 있게 한 것을 목적으로 한다.
이하, 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 구성 및 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
패키지 몰드된 리드프레임 자재를 싱귤레이션(리드컷팅)시킨 후 리드를 소정형태로 포밍시킬 수 있는 반도체 패키지의 포밍방법에 있어서, 상기 포밍장치의 포밍금형중 싱귤레이션부의 바텀다이(BD)의 캠다이(D1)에 위치된 리드프레임자재를 컷팅시키는 탑다이(TD)의 싱귤레이션 캠펀치(P1)에서 리드(L)가 싱귤레이션(컷팅)되는 동시에 1차 포밍이 이루어질 수 있도록 하고, 1차 포밍이 완료된 자재는 2차 포밍시의 캠펀치(P2)와 캠다이(D2)에서 2차 포밍이 이루어져 2단계로 포밍공정이 완료될 수 있게 한 것이다.
상기 싱귤레이션 캠다이(D1)의 중앙상부 양측으로 하강경사면(10)이 형성되고, 하향경사면(10) 선단 상측으로 수직방향에 컷팅부(11)가 형성되며, 하강하는 싱귤레이션 캠펀치(P1)의 하부중앙 양측으로 하향경사면(20)과 이 양 경사면920) 양단하측에 첨예부의 컷팅부(21)를 형성하여 싱귤레이션 캠다이(D1) 상부에 위치된 리드프레임자재가 바텀다이(BD)의 컷팅부(11)와 탑다이(TD)의 첨예부 컷팅부(21)에서 리드컷팅(싱귤레이션)될 수 있게 한다.
상기 하강하는 탑다이(TD)의 싱귤레이션 캠펀치(P1)에 형성된 하향경사면(20)이 바텀다이(BD)의 싱귤레이션 캠다이(D1)에 형성된 하향 경사면(10)과 접촉하여 리드(L)를 하측으로 1차 포밍시킬 수 있다.
패키지 몰드된 리드프레임자재를 싱귤레이션 시킨 후 리드를 소정형태로 포밍시킬 수 있는 포밍장치는, 포밍장치의 포밍금형중 탑다이(TD)에 구비되는 싱귤레이션 캠펀치(P1) 하부의 중앙 양측으로 하향 경사면920)이 형성되는 리드포밍부와 이 경사면의 선단에 리드를 컷팅시키는 첨예부를 가진 컷팅부(21)가 형성되고, 싱귤레이션 캠펀치(P1)의 하부 대향위치인 바텀다이(BD)상부에는 자재가 안치되는 중앙 양측으로 하향 경사면(10)을 가진 리드 포밍부와 이 양측 선단 상부의 수직방향으로 선단에 캠다이(D1)의 컷팅부(11)가 구비되며, 이 싱귤레이션 캠펀치(P1)와 캠다이(D1) 일측에서 2차 포밍 캠펀치(P2)와 캠다이(D2)가 구비된 것이다.
이러한 포밍장치에서 포밍되는 반도체 패키지는 싱귤레이션 캠펀치(P1)와 캠다이(D1)의 각 컷팅부(21)(11)에서 패키지 몰드된 리드프레임 자재의 리드(L)를 컷팅시는 동시에 1차 포밍 각 경사면(10)(20)에서 1차 포밍절곡이 이루어지고 이후의 2차 포밍 캠펀치(P)와 캠다이(D2)에서 2차 포밍절곡이 도시된 도면 제6도의 반도체 패키지제품을 완료시킴에 따라 종래와 같이 각 싱귤레이션와 1차 포밍부로서 별도로 컷팅과 1차 포밍작업되고 이후 2차 포밍으로 작업되는 것을 축소시켜 포밍공정에서의 공정수를 단축시키고, 아울러 포밍되는 반도체 패키지의 생산성을 증대시킬 수 있게 하였다.
또한, 리드킷팅과 1차 포밍이 완료된 자재를 2차 포밍단계에서 리드의 포밍이 최종 완료될 수 있게 포밍금형의 탑다이(TD)와 바텀다이(BD)의 최소한의 유효공간에 각 캠펀치와 캠다이를 구성시킴으로 인하여 포밍금형의 제작이 용이하고, 금형의 원가를 절감시킬 수 있게한다.
이상에서 같이 본 발명은 포밍장치의 포밍금형중 바텀다이의 중앙 상부양측으로 하향경사면이 형성되고, 하향 경사면 선단 상측으로 수직방향에 컷팅부가 형성되며 이와 대향되는 상부의 탑다이의 캠펀치 하부 중앙 양측으로 하향경사면과 이 경사면 양단 하측에 첩예부의 컷팅부를 형성하여 캠다이 상부에 안치된 리드 프레임 자재를 캠펀치가 하강하면서 리드 컷팅(싱귤레이션) 및 1차포밍이 완료도고, 1차 포밍이 완료된 자재는 일측의 2차 포밍 캠펀치와 캠다이에서 2차 포밍시킴에 따라 반도체 패키지의 포밍을 2단계 공정으로 포밍완료 되게 하여 포밍공정수를 단축시켜 포밍되는 반도체 패키지의 생산성을 향상시키고, 최소한의 몰드금형에 포밍공정의 각 캠펀치와 캠다이를 구성함에 따라 몰드금형이 제작이 용이하며, 아울러 금형의 제작원가를 절감시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (4)
- 패키지 몰드된 리드프레임 자재를 싱귤레이션(리드컷팅)시킨 후 리드를 소정형태로 포망시킬 수 있는 반도체 패키지의 포밍방법에 있어서, 상기 포밍장치의 포밍금형중 싱귤레이션부의 바텀다이(BD)의 캠다이(D1)에 위치된 리드프레임 자재를 컷팅시키는 탑다이(TD)의 싱귤레이션 캠펀치(P1)에서 리드(L)가 싱귤레이션(컷팅)되는 동시에 1차 포밍이 이루어질 수 있도록 하고, 1차 포밍이 완료된 자재는 2차 포밍부의 캠펀치(P2)와 캠다이(D2)에서 2차 포밍이 이루어져 2단계로 포밍공정이 완료될 수 있게 한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 리드포밍 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 싱귤레이션 캠다이(D1)의 중앙상부 양측으로 하향경사면(10)이 형성되고, 하향 경사면(10) 선단 상측으로 수직방향에 컷팅부(11)가 형성되며, 하강하는 싱귤레이션 캠펀치(P1)의 하부중앙 양측으로 하향 경사면(20)과 이 경사면(20) 양단 하측에 첨예부의 컷팅부(21)를 형성하여 싱귤레이션 캠다이(D1) 상부에 위치된 리드프레임 자재가 바텀다이(BD)의 커팅부(11)와 탑다이(TD)의 첨예부 컷팅부(21)에서 리드컷팅(싱귤레이션)될 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 리도포밍 방법.
- 제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하강하는 탑다이(TD)의 싱귤레이션 캠펀치(P1)에 형성된 하향 경사면(20)이 바텀다이(BD)의 싱귤레이션 캠다이(D1)에 형성된 하향 경사면(10)과접촉하여 리드(L)를 하측으로 1차 포밍시킬 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 리드포밍 방법.
- 패키지 몰드된 리드프레임 자재를 싱귤레이션 시킨 후 리드를 소정형태로 포밍시킬 수 있는 포밍장치에 있어서, 상기 포밍장치의 포밍금형중 탑다이(TD)에 구비되는 싱귤레이션 캠펀치(P1)하부의 중앙 양측으로 하향 경사면(20)이 형성되는 리드포밍부와 이 경사면의 선단에 리드를 컷팅시키는 첨예부를 가진 컷팅부(21)가 형성되고, 싱귤레이션 캠펀치(P1)의 하부 대향위치인 바텀다이(BD) 상부에는 자재가 인치되는 중앙 양측으로 하향 경사면(10)을 가진 리드포밍부와 이 양측 선단 상부의 수직방향 선단에 캠다이(D1)의 컷팅부(11)가 구비되며, 이 싱귤레이션 캠펀치(P1)와 캠다이(D1) 일측에서 2차 포밍 캠펀치(P2)와 캠다이(D2)가 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 리드포밍장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008275A KR0142941B1 (ko) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 반도체 패키지의 리드포밍방법 및 그 포밍장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008275A KR0142941B1 (ko) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 반도체 패키지의 리드포밍방법 및 그 포밍장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039317A KR960039317A (ko) | 1996-11-25 |
| KR0142941B1 true KR0142941B1 (ko) | 1998-07-01 |
Family
ID=66553597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950008275A KR0142941B1 (ko) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 반도체 패키지의 리드포밍방법 및 그 포밍장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0142941B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101414718B1 (ko) * | 2008-06-18 | 2014-07-07 | 한미반도체 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 금형 |
-
1995
- 1995-04-10 KR KR1019950008275A patent/KR0142941B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101414718B1 (ko) * | 2008-06-18 | 2014-07-07 | 한미반도체 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 금형 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960039317A (ko) | 1996-11-25 |
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