KR920010198B1 - 개량된 리드프레임 및 개량된 리드프레임을 사용하는 전자부품을 제조하는 방법 - Google Patents

개량된 리드프레임 및 개량된 리드프레임을 사용하는 전자부품을 제조하는 방법

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KR920010198B1
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요오지 무라까미
마사오 고바야시
오사무 야마우찌
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후지쓰 가부시끼가이샤
야마모도 다꾸마
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Abstract

내용 없음.

Description

개량된 리드프레임 및 개량된 리드프레임을 사용하는 전자부품을 제조하는 방법
제1도는 본 발명에 따라 배치된 리드프레임을 포함하는 리드프레임 스트립의 일부의 상세 평면도.
제2도는 제1도의 수정실시예를 보여주는 평면도.
제3는 제1도의 리드프레임 스트립을 사용하는 전자부품을 제조하는 방법을 설명하기 위한 흐름도.
제4a 및 4b는 본 발명에 따른 제조방법의 단계를 구성하는 벤딩공정을 설명하기 위한 리드프레임의 일부를 보여주는 개략사시도.
제5a 및 5b는 벤딩공정이 수행되는 벤딩머신을 부분적으로 보여주는 개략 단면도.
제6도는 본 발명에 따른 제조방법에 의해 제조된 완성된 4각형 전자부품을 보여주는 사시도.
제7도는 제3도의 수정된 흐름도.
본 발명은 전자부품의 제조에 사용되는 리드프레임의 개량 및 이러한 개량된 리드프레임을 적절하게 사용하여 전자부품을 제조하는 방법에 관한 것이다.
전자부품의 제조에 리드프레임이 사용되고 제조될 전자부품의 종류에 따라서 각종 리드프레임이 배치되는 것은 이 분야에서 널리 알려진 사실이다.
예를들면 퀴드형 전자부품을 제조하는데 사용되는 리드프레임은 대략 직사각형 중앙개구를 둘러싸는 외측프레임부와 외측프레임부의 중앙개구내에 배치되며 집적회로(IC)와 같은 전자소자가 장착될 수 있는 직사각형 장착부로 구성된다. 직사각형 장착부는 외측프레임부와 그들 사이에 뻗어있는 바(bar)소자에 의해 제조될 수 있다.
리드프레임은 또한 각각 직사각형 장착부의 4측면을 따라 배치된 4리드소자어레이로 구성되며 그것의 외측단은 외측프레임부에 일체로 접속되어 있다.
즉, 각 어레이에 포함되는 리드소자는 직사각형 장착부의 대응하는 측면을 향하여 외측프레임부의 내측으로부터 뻗어있다.
쿼드형 전자부품, 특히 쿼드플래트 패키지에 있어서 직사각형 장착부위에 장착되는 IC칩은 장착부와 장착부위에 장착되는 IC칩을 둘러싸는 스플리트 몰드를 사용하여 에폭시수지와 같은 적당한 합성수지로 시일된다.
따라서, 리드프레임은 직사각형 장착부를 둘러싸는 직사각형 댐바 소자를 더 포함하며, 직사각형 댐바소자의 4측면 각각이 대응하는 어레이에 포함되는 리드 소자를 통해 가로질러 뻗어있는 방식으로 리드소자와 일체로 형성되어 있다.
즉, 각 어레이에 포함되는 리드소자는 댐바소자의 4측면중 하나에 의해 상호 접속된다. 장착된 IC칩이 수지로 시일링될때 댐바소자는 인접 리드소자 사이의 빈틈을 통해 수지가 누설되는 것을 방지하기 위하여 스플리트몰드와 협동한다.
이 리드프레임 배치는 포토에칭공정 또는 기계식 펀칭 작업에 의해 얇은 Ni-Fe합금 또는 구리합금 플레이트로부터 형성될 수 있다.
상기한 리드프레임을 사용하는 퀴드형 전자부품의 제조에 있어서는 은 또는 금페이스트를 사용하여 리드프레임의 장착부에 IC칩이 장착되며, 그후 IC 칩과 리드소자 사이에 전기접속을 하기 위해 와이어본딩 처리가 수행된다.
와이어본딩 공정후에 스플리트 몰드에 의해 IC칩을 갖춘 장착부가 둘러 싸여지며 그결과 댐바소자는 스플리트몰드와 협동하며 그후 몰드내로 수지가 도입되고, 따라서 IC칩, 그것의 장착부 및 리드소자의 내측단부가 몰드된 수지속에 시일링된다.
그후 연속적으로 댐바소자가 커트되어 리드소자를 댐바접속에서 해제하며 그후 시일드된 IC칩을 가진 리드프레임은 전해 도금처리되어 리드소자에 얇은 Sn-Pb합금층을 코팅한다.
도금처리후 리드소자는 리드프레임의 외측프레임부로부터 리드소자를 분리시키고 그것의 장착부에 대해 밑으로 구부려지는 식으로 프레스-커팅에 의해 트리밍되고 벤딩처리되어 결국 쿼드형 전자부품(QFP)이 얻어진다.
다이 어셈블리와 이들과 협동하는 가동어셈블리로 구성되는 프레스-커팅머신에서 트리밍/벤딩처리가 수행된다. 특히 다이어셈블리는 그것의 상면에 직사각형 리세스가 형성되고 그것의 4측면을 따라 4리지(ridge)가 형성되어 있는 벤딩다이와, 벤딩다이를 둘러싸며 4절삭날이 4리지부로 나란히 배치된 커팅다이를 포함한다.
각 절삭날은 대응하는 리지부와 떨어져 공간을 두고 형성되어 있고 그것의 상부와 같은 높이를 갖는다.
가동어셈블리는 그것의 하측단면에 직사각형 리세스가 형성되어 있고, 그것의 4측면을 따라 4에지부가 형성되어 있는 녹아웃(knockout), 사이에 공간이 유지되며 녹아웃을 둘러싸는 스트리퍼 및 녹아웃과 스트리퍼 사이의 공간에 배치된 펀치를 포함한다.
녹아웃과 스트리퍼는 각각 벤딩다이와 커팅다이와 협력하며, 펀치는 벤딩과 커팅다이 모두와 협력한다.
트리밍/벤딩처리에 있어서 시일드된 IC칩을 가진 리드프레임은 벤딩다이위에 위치되고 시일드된 IC칩, 즉 몰드된 부분은 그것의 직사각형 리세스에 수용되며, 각 어레이내에 포함되는 리드소자가 대응하는 리지부와 대응하는 절삭날 사이의 공간에 브리지를 형성하기 위해 뻗어 있다.
그후 녹아웃과 스트리퍼가 리드소자와 결합될때까지 하강하여 각각 벤딩다이 및 커팅다이와 협동하여, 그 결과 녹아웃의 에지부와 벤딩다이의 리지부사이, 및 스트리퍼와 커팅다이 사이에 리드소자가 클램프되며, 리드프레임의 몰드부는 녹아웃과 벤딩다이의 캐비티내에 수용된다.
그후 펀치는 리드소자와 결합될때까지 하강되며 벤딩다이 및 커팅다이와 협동하여, 이에 의하여 리드소자가 밑으로 변형되어 벤딩다이의 리지부의 외측프로필과 일치시키며, 한편 리드프레임의 외측프레임부로 부터 분리된다.
상기한 바와같이 종래의 전자부품을 제조하는 방법은 트리밍/벤딩처리에 결함을 갖고 있다. 특히 리드소자의 벤딩 과정동안 그것의 도금층이 펀치에 의해 비벼지고 따라서 리드소자의 표면으로부터 부분적으로 벗겨질 수 있다.
또한 도금층의 벗겨진 조각으로 인해 상호간에 매우 근접하여 정교한 전자부품의 리드사이에 단락이 일어날 수 있다. 이러한 결함, 즉 리드소자의 도금층이 펀치에 의해 비벼지는 것을 완화하기 위하여 다른 방법에서는 벤딩처리 동안 비벼지는 작용을 제거할 수 있도록 배치된 프레스머신에 의해 미리 트리밍된 리드소자를 벤딩하였다.
한종류의 이러한 프레스머신에 있어서는 벤딩처리동안 리드소자에 대해 펀치에 의해 비벼지는 작용을 피하기 위하여 펀치에 캠운동을 전달하는데 캠기구가 사용된다.
다른종류의 프레스머신에 있어서는 벤딩처리동안 비벼지는 작용을 제거하기 위해 벤딩작용을 리드소자에 전달하는 로울러가 펀치에 의해 구비되어 있다.
그러나 이들 프레스머신은 복잡하고 고가이기 때문에 실용적이 아니다. 상기한 문제는 트리밍/벤딩공정을 거친 후 도금처리를 수행함에 의해 해결될 수 있다.
이러한 접근은 전해도금처리에 의해 균일한 얇은 Sn-Pb합금층을 트리밍 및 벤딩처리된 리드에 코팅하는 것은 부담이 되며 어려운것이기 때문에 권할만한 것이 아니다.
즉, 전해도금처리하는 동안 리드와이어를 통해 전원에 접속된 단자에 트리밍 및 벤딩처리된 리드를 직접 접속하여야 되나 트리밍 및 벤딩처리된 리드와 단자 사이에 직접 접속함에 의해 트리밍 및 벤딩처리된 리드 위에 형성된 균일한 도금층이 손상될 수 있다.
그러나 본 발명에 따른 리드프레임을 사용함에 의해 상기한 바와같은 방해없이 트리밍/벤딩처리후에 도금 처리를 수행하는 것이 가능하다.
본 발명의 목적은 전자부품의 제조에 사용되고 그것의 리드소자를 리드프레임의 외측프레임부로부터 절단하지 않고 벤딩할 수 있도록 배치된 리드프레임을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 바람직하게 개량된 리드프레임을 사용하여 전자부품을 제조하는 방법으로서 리드프레임의 리드소자의 벤딩처리를 그것의 도금처리전에 수행하는 방법을 제공하는 것이다.
그러므로 본 발명에 따라, 전자부품의 제조에 사용되는 리드프레임에 있어서 그안에 형성된 중심개구를 갖는 외측프레임부 ; 외측 프레임부에 의하여 지지 되며, 그의 중심개구 내에 배열되며, 전자소자가 장착될 장착부 ; 장착부의 측을 따라 각각 배열되며, 모두가 공통타이바 소자에 의하여 서로 접속된 어레이내에 포함된 적어도 하나의 리드소자어레이 ; 및 외측 프레임부와 상기 리드소자어레이 사이에 연장되어 외측프레임부에 의하여 리드소자어레이를 지지하며, 그의 각각이 변형에 의하여 신장될 수 있는 형상부를 포함하는 적어도 2개의 확장 가능한 타이바 소자로 구성되어 있는 리드프레임이 제공된다.
본 발명에 따른 리드프레임에 있어서는 리드소자어레이내에 포함된 리드소자의 외측단과 함께 공통 바이바(tie bar) 소자가 통합되어 있는 것이 바람직하다. 이경우에 연장가능한 타이바 소자 각각이 그것의 일단에서 외측프레임부에 접속되고 그것의 타단에서 공통 타이바 소자에 접속된다.
교호로 연장 가능한 타이바 소자중 하나가 그것의 일단에서 외측프레임부에 접속되고 그것의 타단에서 어레이내의 리드소자의 최외각에 있는 것에 접속되며, 나머지 연장가능한 타이바소자가 그것의 타단에서 외측 프레임부와 어레이내의 리드소자의 다른 최외각에 있는 것에 접속된다.
바람직하게는 외측프레임부에 리드소자어레이를 지지하기 위한 연장가능한 타이바 소자가 리드소자어레이의 중심에 대칭적으로 배치되어 있다.
본 발명에 따라 또한 그안에 중심개구가 형성되는 외측프레임부, 외측프레임부에 의해 지지되며 그의 중심개구내에 배열되는 장착부 및 장착부의 측면을 따라 배열된 적어도 하나의 리드소자어레이를 포함하는 리드프레임을 사용하는 전자부품 제조방법에 있어서, 리드프레임의 장착부상에 전자소자를 장착하는 단계 ; 리드프레임의 장착부, 그위에 장착된 전자소자 및 리드소자어레이에 포함된 리드소자의 내측단부를 적당한 물질로 시일링하는 단계 ; 프레스에 의하여 시일링부로부터 연장된 리드소자의 외측부를 벤딩하는 단계 ; 리드 프레임의 굽혀진 리드소자를 적당한 합금층으로 코팅하기 위해 전해도금공정을 실행하는 단계 및 리드 프레임의 굽혀져서 도금된 리드소자를 트리밍하는 단계로 구성되는 방법이 제공된다.
이 제조방법에 있어서, 벤딩단계가 장착단계전에 실행될 수 있다. 본 발명에 따라 상기한 개량된 리드프레임을 사용하는 전자부품을 제조하는 방법에 있어서, 리드프레임의 장착부상에 전자소자를 장착하는 단계 ; 리드프레임부의 장착부, 그위에 장착된 전자소자 및 리드프레임의 리드소자의 내측단부를 적당한 물질로 시일링하는 단계 ; 외측 프레임부로부터 리드소자어레이를 지지하는 확장 가능한 타이바의 형성부가 리드소자 어레이와 외측프레임부 사이의 접속을 유지하도록 신장되며 프레스에 의하여 밀봉된 부분으로부터 연장한 리드소자의 외각부를 벤딩하는 단계 ; 리드프레임의 절곡된 리드소자를 적당한 합금층으로 코팅하도록 전해도금공정을 실행하는 단계 : 및 리드프레임의 절곡 되고 도금된 리드소자를 트리밍하는 단계로 구성되는 방법이 또한 제공된다.
이 제조방법에 있어서 벤딩단계가 장착단계에 앞서 또한 실행될 수 있다. 첨부도면에 따라 주어진 다음의 상세한 설명에 의해 본 발명은 좀더 명확해질 것이다.
제1도는 본 발명에 따른 리드프레임이 연속적으로 형성되며 포토에칭공정 또는 기계적인 펀칭에 의해 얇은 Ni-Fe합금 또는 Cu합금 블랭크로부터 얻어질 수 있는 리드프레임 스트립의 일부를 보여준다.
리드프레임 그자체는 전체적으로 부재번호(10)으로 표시되어 있으며, 그내에 중앙개구(14)가 형성되어 있는 외측프레임부 또느 크래들부(12)와 중앙개구(14)내에 배치되며 집적회로(IC)와 같은 전자소자를 그위에 장착하기 위한 직사각형 장착부(16)로 구성되어 있다.
장착부(16)는 4타이바소자(18)의 매개를 통해 크래들부(12)에 의해 지지된다. 즉, 타이바소자(18) 각각은 크레들부(12)의 내측모서리로부터 연장되어 있는 텅소자(20)중 하나에 그것의 일단이 접속되고 장착부(16)의 대응하는 일 모서리에 그것의 타단이 접속되어 있다.
리드프레임(10)은 또한 제1도에 표시된 바와같이 각각 장착부(16)의 4측면을 따라 개구(14)에 배치된 4리드소자어레이(221,222,223및 224)구성된다. 각 어레이(221,222,223,224)에 포함되는 리드소자는 서로 실질적으로 나란히 배치되어 있으며, 장착부(16)의 대응하는 측면에 대해 수직으로 뻗어 있고, 그것의 외측단에 통합되어 있는 공통 타이바소자(24)에 의해 서로 접속 된다. 교호로 공통 타이바소자는 그것의 외측단의 내측에 각 어레이내의 리드소자를 통해 횡단하여 뻗어있다.
본 발명에 따라 리드프레임(10)은 각 어레이에 포함된 리드소자가 각각이 그의 일단에서 크레들부(12)와 타단에서 대응공통 타이바소자(24)에 접속된 적어도 2확장가능한 타이바소자(26)를 통하여 크레들부(12)에 의하여 지지되는 것을 특징으로 한다.
제1도에 도시된 바와같이 타이바 소자(26)의 각각은 2중 U턴 형태를 가지며, 따라서 그의 형상부의 변형으로 인하여 확장될 수 있다. 확장 가능한 타이바 소자는 지그재그형등의 다른 형상을 가질 수도 가질 수도 있다.
바람직하게는 제1도에 도시된 바와같이 2확장가능한 타이바소자(26)가 후술하는 이유로 각 리드소자어레이(221,222,223,224)의 중심에 대하여 대칭적으로 배열된다.
리드프레임(10)은 장착부(16)를 포위하며, 직사각형 댐바소자(28)의 4측(281,282,283,284)이 대응 어레이(221,222,223,224)에 포함되는 리드소자를 횡단하여 연장되는 방식으로 리드소자와 일체로 형성된 직사각형 댐바소자(28)를 더욱 포함한다.
특히 각 어레이에 포함된 리드소자는 댐바소자(28)의 4측(281,282,283,284)중 하나에 의하여 서로 접속되며, 각측은 측단에서 대응하는 2텅소자(20)에 접속된다.
직사각형 댐바소자(28)는 스플리드(split)몰드(도시않됨)와 협조하며, 이 몰드에 의하여 장착부(16)와 그위에 장착된 전자소자(즉 IC칩)및 리드소자의 내측단부가 에폭시수지등의 적당한 합성수지에 의하여 밀봉되려고 할때 포위되어, 스플리트 몰드에 도입된 수지가 리드소자 사이에서 빈틈을 통하여 누설되는 것을 방지한다.
제1도에 참조번호(10′)로 표시된 리드프레임은 장착부(16)와 그위에 장착된 전자소자 및 리드소자의 내측단부가 끼워지는 밀봉, 즉 몰드부(30)를 가진다. 리드프레임(10)과 리드프레임(10′)을 비교할때 몰드부(30)의 프로필은 직사각형 댐바소자(28)에 의하여 정해진다는 것을 쉽게 알 수 있다. 리드프레임(10′)에서 댐바소자(28)는 리드소자가 댐바접속으로부터 해제되도록 절단된다.
리드프레임 배열에서, 비록 직사각형 장착부(16)는 타이바소자(18)를 매개로 하여 크레들부(12)에 의하여 지지되지만, 이와같은 지지는 장착부를 리드소자의 일부에 접속함으로써 이룩할 수도 있다.
제2도는 크레들부(12)로부터의 각 어레이내의 리드소자를 지지하는 확장가능한 바 소자(26′)가 공통 타이바소자(24)와 접속되지 않지만 각 어레이 내의 최외각 소자와 접속된다는 점을 제외하고 제1도와 동일한 변형실시예를 도시한다.
제1도의 리드프레임스트립을 사용하는 퀴드형 전자부품의 제조법에 대하여 예를들어 설명한다.
제조법은 제3도의 흐름도에 따라 실행될 수 있는데, 칩본딩, 와이어본딩, 시일링, 댐바 커팅, 벤딩, 전해도금 및 트리밍단계를 기본적으로 포함한다. 칩장착단계에서 IC칩은 은 또는 금 페이스트등의 적당한 접착페이스트에 의하여 리드프레임(10)의 장착부(16)상에 장착된다.
이 본딩공정은 종래 칩 장착머신 즉, 소위 다이본더로서 실행된다. 와이어본딩단계에서 장착된 IC칩과 리드프레임(10)의 리드소자간의 전기접속은 금와이어를 사용함으로써 설정될 수 있다.
이 와이어 본딩공정은 종래 와이어 본딩머신으로서 실행할 수도 있다. 시일링단계에서, 장착부(16)와 그 위에 장착된 IC칩, 및 리드소자의 내측단부는 스플리트 몰드에 의하여 포위되어, 에폭시수지등의 적당한 합성수지가 스플리트몰드에 도입되며, IC칩과 그것의 장착부(16), 및 리드소자의 내측단부가 몰드 수지가 밀봉된다.
상기한 바와같이, 스플리트몰드는 리드프레임(10)의 댐바소자(26)와 협조하여 리드소자간의 비틈을 통하여 수지가 누설되는 것을 방지한다. 이런 시일링 또는 몰딩공정은 스플리트 몰드에 의하여 형성된 부품을 갖는 종래 몰드머신으로서 실행할 수도 있다.
댐바 커팅단계에서 댐바소자는 리드소자와 동일한 피치에서 배열된 절삭날들을 갖는 코움(comb)형 커터에 의하여 절단되어 리드소자가 댐바접속으로 부터 해제된다.
이같은 댐바 커팅공정은 코움형 커터를 한부분으로 포함하는 종래 댐바커팅 머신에 의해 실행될 수 있다.
벤딩단계에서 몰드부(30)의 4측으로부터 연장된 리드소자는 리드프레임의 몰드부에(30)에 관하여 아래로 뻗힐때까지 휘어진다.
리드소자의 벤딩은 리드소자를 리드프레임의 크레들부(12)에서 분리하지 않고서 실행할 수 있다. 환언하면, 리드프레임의 리드소자는 상기와 같이 절곡될지라도, 리드소자와 크레들부(12) 사이의 접속은 확장가능한 타이바소자(26)를 신장함으로써 유질될 수 있다.
이것은 제4a도와 4b도를 참고로 하여 쉽게 이해할 수 있으며 제4a도는 리드소자가 벤딩공정에 앞서 도시된 밀봉 즉 몰드부(30)를 갖는 리드프레임의 일부를 도시하고, 제4b도는 벤딩공정후에 제4a도에서와 동일한 부분을 도시한다. 제4a도와 4b도로부터 명백한 바와같이, 리드소자가 휘어지는 동안, 확장가능한 타이바소자(26)는 그의 2중 U턴부로 인하여 신장되어 리드소자는 리드프레임의 크레들부(12)와 분리도지 않고서 절곡될 수 있다.
벤딩공정은 제5a도와 5b도와 부분적이며 개략적으로 도시된 벤딩머신에서 실행될 수 있다.
제5a도와 5b도에서, 몰드부를 가지며 벤딩머신에서 세트되는 리드프레임이 또한 도시되었으며, 참보번호(32,34)는 모드부에 묻혀있는 IC칩과 결합와이어를 각각 표시한다. 벤딩머신은 상면상에 형성된 직사각형 리세스(38), 직사각형 리세스(38)의 4측을 따라 형성된 4리지부(40) (제5a와 5b도에서는 2개만 도시됨)를 가지는 벤딩다이(36), 및 하단면상에 형성면 직사각형 리세스(44)와 직사각형 리세스(44)의 4측을 따라 형성된 4에지부(46) (제5a와 5b도에서는 2개만 도시됨)를 가지는 녹아웃(42)으로 구성된다.
벤딩다이(36)와 녹아웃(42)은 후술하는 바와같이 벤딩공정중에 협조한다. 벤딩머신은 또한 벤딩다이(36)를 포위하며, 그 사이의 간격을 유지하는 하측 클램프부재(48)와 하측클램프부재(48)와 협동하여, 녹아웃(42)을 포위하고 그 사이의 간격을 유지하는 상측클램프부재(50)로 구성된다.
제5a도와 5b도로부터 명백한 바와같이, 하측클램프부재(48)의 클램핑면 즉 상면은 리지부(40)의 상면과 동일 높이이다. 벤딩머신은 녹아웃(42)과 상측 클램프부재(50)사이의 공간에 배치되며, 후술하는 바와같이 벤딩공정중에 벤딩다이(38)의 리지부(40)의 외측 프로필과 협동하는 펀치(50)를 더욱 포함한다.
벤딩공정에서 밀봉된 IC칩을 갖는 리드프레임은 벤딩다이(36)상에 위치하여 밀봉된 IC칩 즉 몰드부(30)는 벤딩다이(36)의 리지부(40)와 하측 클램프부(48)의 클램프면상에 각각 놓여있는 리드프레임의 크레들부(12)와 리드소자를 벤딩다이(36)의 직사각형 리세스(38)에 수용한다.
다음에 녹아웃(42)과 상측클램프부재(50)는 리드프레임의 리드소자와 크레들부(12)와 결합될때까지 낮아지며, 벤딩다이(36)와 하측클램프부재(48)와 각각 헙동하여 리드소자와 크레들부(12)가 녹아웃(42)의 에지부(46)와 벤딩다이 (36)의 리지부(40) 사이 및 상하측 클램프부(50,48) 사이에 각각 고정되도록 하고 (제5a도), 리드프레임의 몰드부(30)는 녹아웃(42)의 직사각형리세스(44,38)와 벤딩다이(36)에 의하여 형성되는 캐비티내에 수납된다.
연속적으로 펀치(52)는 리드소자와 결합될때까지 낮아지고 벤딩다이(36)의 리지부(40)의 외측 프로필과 협동하여 리드소자가 리지부(40)의 외측프로필과 일치하도록 하향 변형하지만 리드소자와 크레들부(12)간의 접속은 제5b도에 도시된 바와같이 확장가능한 타이바소자(26)의 팽창으로 인하여 유지된다.
2확장가능한 타이바소자(26)는 각 리드소자어레이(221,222,223및 224)의 중심에 관하여 대칭적으로 배열되므로 각 어레이내의 휘어진 리드소자의 와핑(warrping)을 회피하는 것이 가능한데, 이것은 확장된 타이바소자(26)의 탄력적 복원력으로 인한 것이다.
바람직하게는 상기한 칩마운팅, 와이어벤딩, 시일링, 댐바커팅 및 벤딩공정은 작업단계 환언하면 칩마운팅, 와이어벤딩, 시일링, 댐바커팅 및 벤딩머신이 위치하는 작업라인에서 실행된다.
이런배열에 의하여 작업라인을 통하여 제1도의 리드프레임스트립을 통과함으로써 상기 공정을 효율적으로 실행하는 것이 가능하다.
도금단계에서 리드프레임 스트립에 포함되며 상기 공정을 거치는 리드프레임은 전해도금되어 각 리드프레임 내의 골곡된 리드소자 Sn-Pb합금 층으로 코팅되도록 한다. 이 전해도금공정은 전해물을 보유하는 전해셀을 포함하는 종래의 전해도금장치로서 실행할 수도 있다.
전해도금 공정중에 리드프레임 스트립은 전해물에 부분적으로 침전되어 그안에 포하된 굴곡리드소자가 전해물에 완전히 가라앉도록 하며, 전해물에서 돌출된 리드프레임 스트립의 일부가 전기소스에 접속된 단자에 접속되어 전류가 2확장된 타이바소자(26)의 매개를 통하여 각 어레이내의 골곡된 리드소자에 인가되게 한다.
타이바소자(26)의 대칭적 배열은 각 어레이(221,222,223,224)의 굴곡된 리드소자로 전류를 균일하게 인가하도록 하여 도금층이 그위에 균일하게 형성되게 한다.
이런면에서 제1도의 실시예는 전류가 각 어레이 내의 굴곡된 리드소자에 보다 균일하게 인가될 수 있다는 점에서 제2도의 실시예보다 더 바람직하다. 트리밍 단계에서 4어레이(221,222,223,224)내의 리드소자는 공통타이바소자(24)에서 절단되므로 전자부품으로서 쿼드플레이트패키지가 제6도에 도시된 바와같이 얻어진다. 트리밍 과정은 종래의 트리밍머신으로 수행될 수 있다.
제7도는 제3도의 변형흐름도를 도시하며 먼저 벤딩공정이 실행된다. 도금공정에 앞서 벤딩공정이 실행되고 있는한 벤딩공정은 제3도의 흐름도에서 어느곳에서라도 편입될 수 있다.
상기한 제조방법에서, 장착된 IC칩은 2세라믹판소자와 낮은 용융점을 갖는 유리물질을 사용하여 밀봉될 수 있다. 환언하면 장착된 IC칩은 유리물질에 의하여 서로 접착되는 2세라믹판소자 사이에서 샌드위치된다.
이경우에 물론 댐바소자는 리드프레임에서 생략된다. 듀얼린라인형 전자부품(DIP)를 제조하기 위하여 사용되는 리드프레임은 또한 본 발명에 따라 배열될 수 있지만 이 리드프레임 배열에서 2리드소자어레이만이 직사각형 장착부의 한쌍의 대향측을 따라 배열된다.
더우기, 단일 굴곡리드어레이를 갖는 전자부품제조를 위해 사용되는 리드프레임은 본 발명에 따라 배열될 수 있다. 물론, 이 경우에 1개의 리드소자어레이만이 장착부측을 따라 배열된다.
상기한 기술은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 사상과 범위를 일탈하지 않고서 많은 변경과 수정이 가능하다는 것이 당기술분야에서 숙련된자에 의하여 이해될 것이다.

Claims (8)

  1. 전자부품의 제조에 사용되는 리드프레임에 있어서, 그안에 형성된 중심개구를 갖는 외측프레임부 ; 상기 외측프레임부에 의하여 지지되며, 그의 상기 중심개구내에 배열되며, 전자소자가 장착될 장착부 ; 상기 장착부의 측을 따라 각각 배열되며, 모두가 공통타이바 소자에 의하여 서로 접속된 상기 어레이 내에 포함된 적어도 하나의 리드소자어레이 ; 및 상기 외측프레임부과 상기 리드소자어레이 사이에 연장되어 상기 외측프레임부에 의하여 상기 리드소자어레이를 지지하며, 그의 각각이 변형에 의하여 신장될 수 있는 형상부를 포함하는 적어도 2개의 확장 가능한 타이바 소자로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공통 타이바소자가 상기 어레이내에 포함된 상기 리드소자의 외측단과 일체적이며, 상기 확장가능한 타이바 소자의 각각이 그의 일단에 상기 외측 프레임부와 접속되며 그의 타단에 상기 공통타이바소자에 접속되는 것을 특징으로 하는 리드프레임.
  3. 제1항에 있어서, 상기 확장 가능한 타이바소자중 하나는 일단에서 상기 외측프레임부에 접속되며, 타단에서 상기 어레이내의 리드소자중 최외각의 것과 접속되고, 나머지 확장가능한 타이바소자는 타단에서 상기 외측프레임부와 리드소자중 나머지 최외각의 것과 접속되는 것을 특징을 하는 리드프레임.
  4. 제1항에 있어서, 상기 외측프레임부에 의하여 상기 리드소자어레이를 지지하는 상기 확장가능한 타이바 소자가 상기 리드소자 어레이의 중심에 대칭적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  5. 그안에 중심개구가 형성되어 있는 외측프레임부, 외측프레임부에 의해 지지되며 그의 상기 중심개구내에 배열되는 장착부 및 장착부의 측면을 따라 배열된 적어도 하나의 리드소자어레이를 포함하는 리드프레임을 사용하는 전자부품 제조방법에 있어서, 상기 리드프레임의 장착부상에 전자소자를 장착하는 단계 ; 상기 리드프레임의 장착부, 그위에 장착된 상기 전자소자 및 상기 리드소자 어레이에 포함된 리드소자의 내측단부를 적당한 물질로 시일링하는 단계 ; 프레스에 의하여 시일링부로부터 연장된 리드소자의 외측부를 벤딩하는 단계 ; 상기 리드프레임의 절곡된 리드소자를 적당한 합금층으로 코팅하기 위해 전해도금공정을 실행하는 단계, 및 상기 리드프레임의 절곡되어 도금된 리드소자를 트리밍하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 그안에 중심개구가 형성되어 있는 외측프레임부, 외측프레임부에 의해 지지되며 그의 상기 중심개구내에 배열되는 장착부 및 장착부의 측면을 따라 배열된 적어도 하나의 리드소자어레이를 포함하는 리드프레임을 사용하는 전자부품 제조방법에 있어서, 프레스에 의하여 시일링부로부터 연장된 리드소자의 외측부를 벤딩하는 단계 ; 상기 리드프레임의 장착부상에 전자소자를 장착하는 단계 ; 상기 리드프레임의 장착부, 그위에 장착된 상기 전자소자 및 상기 리드소자 어레이에 포함된 리드소자의 내측단부를 적당한 물질로 시일링하는 단계 ; 상기 리드프레임의 절곡된 리드소자를 적당한 합금 층으로 코딩하기 위해 전해도금공정을 실행하는 단계 및 상기 리드프레임의 절곡되어 도금된 리드소자를 트리밍하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 기재된 리드프레임을 사용하는 전자부품을 제조하는 방법에 있어서, 상기 리드프레임의 장착부상에 전자소자를 장착하는 단계 ; 상기 리드프레임의 장착부 그위에 장착된 상기 전자소자, 및 상기 리드프레임의 리드소자의 내측단부를 적당한 물질로 시일링하는 단계 ; 상기 외측프레임부로부터 상기 리드소자어레이를 지지하는 상기 확장 가능한 타이바의 형성부가 리드소자 어레이와 외측프레임부 사이에 유지하도록 신장되며 프레스에 의하여 밀봉된 부분으로부터 연장한 리드소자의 외각부를 벤딩하는 단계 ; 상기 리드 프레임의 절곡된 리드소자를 적당한 합금층으로 코팅하도록 전해 도금공정을 실행하는 단계 ; 및 상기 리드 프레임의 절고되고 도금된 리드소자를 트리밍하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 기재된 리드프레임을 사용하는 전자부품을 제조하는 방법에 있어서, 상기 외측프레임부로부터 상기 리드소자어레이를 지지하는 상기 확장 가능한 타이바의 형성부가 리드소자 어레이와 외측프레임부 사이에 유지하도록 신장되며 프레스에 의하여 밀봉된 부분으로부터 연장한 리드소자의 외각부를 벤딩하는 단계 ; 상기 리드프레임의 장착부상에 전자소자를 장착하는 단계 ; 상기 리드프레임의 장착부 그위에 장착된 상기 전자소자, 및 상기 리드프레임의 리드소자의 내측단부를 적당한 물질로 시일링하는 단계 ; 상기 리드프레임의 절곡된 리드소자를 적당한 합금층으로 코팅하도록 전해 도금공정을 실행하는 단계 ; 및 상기 리드프레임의 절곡되고 도금된 리드소자를 트리밍하는 단계 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7936552B2 (en) 2003-02-11 2011-05-03 Taser International, Inc. Systems and methods for immobilizing with change of impedance

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0793400B2 (ja) * 1990-03-06 1995-10-09 株式会社東芝 半導体装置
CA2036727C (en) * 1990-03-13 1998-12-22 Hisao Go Optical module including receptacle, and method of producing the same
EP0452634B1 (en) * 1990-03-16 1997-05-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Lead frame for semiconductor device
JPH0464256A (ja) * 1990-07-04 1992-02-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
AU631000B2 (en) * 1990-08-28 1992-11-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module
US5192681A (en) * 1990-08-31 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Low cost erasable programmable read only memory package
NL9100470A (nl) * 1991-03-15 1992-10-01 Asm Fico Tooling Werkwijze en inrichting voor het uit op een leadframe opgenomen geintegreerde schakelingen vervaardigen van een enkelvoudig produkt.
JP2608192B2 (ja) * 1991-04-26 1997-05-07 三菱電機株式会社 リードフレーム
JPH0529427A (ja) * 1991-07-24 1993-02-05 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5155902A (en) * 1991-07-29 1992-10-20 Fierkens Richard H J Method of packaging a semiconductor device
US5289032A (en) * 1991-08-16 1994-02-22 Motorola, Inc. Tape automated bonding(tab)semiconductor device and method for making the same
MX9205128A (es) * 1991-09-30 1993-04-01 Motorola Inc Metodo para procesar un bloque de circuito integrado semiconductor.
EP0537982A2 (en) * 1991-10-14 1993-04-21 Fujitsu Limited Semiconductor device having improved leads
US5541447A (en) * 1992-04-22 1996-07-30 Yamaha Corporation Lead frame
NL195026C (nl) * 1992-04-22 2003-06-18 Yamaha Corporation Werkwijze voor het bewerken van een raam van elektrische geleiders voor een halfgeleiderelement.
JP3016658B2 (ja) * 1992-04-28 2000-03-06 ローム株式会社 リードフレーム並びに半導体装置およびその製法
SG48925A1 (en) * 1992-10-14 1998-05-18 Micron Technology Inc Process and device for the shaping of connection pins of integrated circuits
US5543657A (en) * 1994-10-07 1996-08-06 International Business Machines Corporation Single layer leadframe design with groundplane capability
US5886397A (en) * 1996-09-05 1999-03-23 International Rectifier Corporation Crushable bead on lead finger side surface to improve moldability
US5939775A (en) * 1996-11-05 1999-08-17 Gcb Technologies, Llc Leadframe structure and process for packaging intergrated circuits
AU1310399A (en) 1997-11-05 1999-05-24 Robert A. Martin Chip housing, methods of making same and methods for mounting chips therein
JP2000188366A (ja) * 1998-12-24 2000-07-04 Hitachi Ltd 半導体装置
US7132734B2 (en) * 2003-01-06 2006-11-07 Micron Technology, Inc. Microelectronic component assemblies and microelectronic component lead frame structures
DE10303455B4 (de) * 2003-01-29 2007-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmenband und Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Leiterrahmen-basierten Leuchtdiodenbauelementen
US7183485B2 (en) * 2003-03-11 2007-02-27 Micron Technology, Inc. Microelectronic component assemblies having lead frames adapted to reduce package bow
WO2007102041A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Infineon Technologies Ag Lead fingers of a semiconductor chip with an even layer of coating
JP4921016B2 (ja) * 2006-03-31 2012-04-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 リードカット装置および半導体装置の製造方法
CN101312112B (zh) * 2007-05-21 2011-10-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 芯片封装外引线成型模具

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4012766A (en) * 1973-08-28 1977-03-15 Western Digital Corporation Semiconductor package and method of manufacture thereof
JPS5212573A (en) * 1975-07-21 1977-01-31 Hitachi Ltd Reed frame
JPS5521128A (en) * 1978-08-02 1980-02-15 Hitachi Ltd Lead frame used for semiconductor device and its assembling
US4214364A (en) * 1979-05-21 1980-07-29 Northern Telecom Limited Hermetic and non-hermetic packaging of devices
CA1145860A (en) * 1981-01-29 1983-05-03 John C. Walker Leadframe for leaded semiconductor chip carriers
US4477827A (en) * 1981-02-02 1984-10-16 Northern Telecom Limited Lead frame for leaded semiconductor chip carriers
US4441118A (en) * 1983-01-13 1984-04-03 Olin Corporation Composite copper nickel alloys with improved solderability shelf life
JPS615557A (ja) * 1984-06-20 1986-01-11 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ム
JPS61269345A (ja) * 1985-05-24 1986-11-28 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH0656870B2 (ja) * 1985-06-05 1994-07-27 住友電気工業株式会社 Ｉｃ用リ−ドフレ−ム
JPS6273554U (ko) * 1985-10-28 1987-05-11
US4905074A (en) * 1985-11-29 1990-02-27 Olin Corporation Interdiffusion resistant Fe-Ni alloys having improved glass sealing property
US4721993A (en) * 1986-01-31 1988-01-26 Olin Corporation Interconnect tape for use in tape automated bonding
US4829362A (en) * 1986-04-28 1989-05-09 Motorola, Inc. Lead frame with die bond flag for ceramic packages
JPS63148670A (ja) * 1986-12-12 1988-06-21 Texas Instr Japan Ltd リ−ドフレ−ム材
JPH01145839A (ja) * 1987-12-02 1989-06-07 Rhythm Watch Co Ltd リードフレーム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7936552B2 (en) 2003-02-11 2011-05-03 Taser International, Inc. Systems and methods for immobilizing with change of impedance

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Publication number Publication date
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DE68928185D1 (de) 1997-08-28

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