JPH08124950A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH08124950A JPH08124950A JP26212194A JP26212194A JPH08124950A JP H08124950 A JPH08124950 A JP H08124950A JP 26212194 A JP26212194 A JP 26212194A JP 26212194 A JP26212194 A JP 26212194A JP H08124950 A JPH08124950 A JP H08124950A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- burr
- lead frame
- thin
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームの打ち抜きと同時にパッケー
ジ成形部のクリアランス部に生じるバリを切り離す際、
パッケージ成形部に応力がかからないようにし、それに
よりリードフレームの打ち抜きの際にパッケージ成形部
にクラックが発生しないようにする。 【構成】 リードフレームにクリアランス部を設けて接
続された半導体チップを樹脂封止しパッケージを形成す
る工程と、前記リードフレームより前記パッケージを切
り離す工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記クリアランス部に、前記パッケージの側縁部で薄く
前記パッケージから離れるに従って厚くなるバリを成形
する工程と、前記パッケージを前記バリの薄い部分で打
ち抜いて切り離す工程とを有する。
ジ成形部のクリアランス部に生じるバリを切り離す際、
パッケージ成形部に応力がかからないようにし、それに
よりリードフレームの打ち抜きの際にパッケージ成形部
にクラックが発生しないようにする。 【構成】 リードフレームにクリアランス部を設けて接
続された半導体チップを樹脂封止しパッケージを形成す
る工程と、前記リードフレームより前記パッケージを切
り離す工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記クリアランス部に、前記パッケージの側縁部で薄く
前記パッケージから離れるに従って厚くなるバリを成形
する工程と、前記パッケージを前記バリの薄い部分で打
ち抜いて切り離す工程とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置、例えばフォトダイオード等
の光半導体素子の製造において従来行われている樹脂封
止（パッケージング）工程について説明する。図３
（Ａ），（Ｂ）に示すように、平板状のリードフレーム
１に、形成すべきパッケージすなわちパッケージ成形部
２のための部分が予め型抜きされており、半導体チップ
に接続されて半導体装置のリードとなる部分が長手方向
に突出するように形成されている。このリードとなる部
分に半導体チップ（図示せず）がボンディング技術等に
よって接続されている。
の光半導体素子の製造において従来行われている樹脂封
止（パッケージング）工程について説明する。図３
（Ａ），（Ｂ）に示すように、平板状のリードフレーム
１に、形成すべきパッケージすなわちパッケージ成形部
２のための部分が予め型抜きされており、半導体チップ
に接続されて半導体装置のリードとなる部分が長手方向
に突出するように形成されている。このリードとなる部
分に半導体チップ（図示せず）がボンディング技術等に
よって接続されている。
【０００３】このような状態の光半導体チップを樹脂封
止成形のための金型（図示せず）に装着し、パッケージ
成形部２に相当するキャビティを形成する。このとき、
リードフレーム１との間のクリアランス部（約0.1mm ）
を設定して、リードフレーム１とパッケージ成形部２の
カミ込みを防止する。金型のゲートからキャビティに透
明の液状のエポキシ樹脂を充填して、パッケージ成形部
２を樹脂封止成形する。この樹脂封止工程の際、クリア
ランス部に板厚バリ３が形成される。この板厚バリ３は
パッケージ成形部２の側面に形成され、リードフレーム
１の厚さとほぼ同じ厚さを持っており、リードフレーム
１に固着している。
止成形のための金型（図示せず）に装着し、パッケージ
成形部２に相当するキャビティを形成する。このとき、
リードフレーム１との間のクリアランス部（約0.1mm ）
を設定して、リードフレーム１とパッケージ成形部２の
カミ込みを防止する。金型のゲートからキャビティに透
明の液状のエポキシ樹脂を充填して、パッケージ成形部
２を樹脂封止成形する。この樹脂封止工程の際、クリア
ランス部に板厚バリ３が形成される。この板厚バリ３は
パッケージ成形部２の側面に形成され、リードフレーム
１の厚さとほぼ同じ厚さを持っており、リードフレーム
１に固着している。
【０００４】図３に示す半製品状態のものからパッケー
ジ成形部２と一体のリードフレーム１の必要部分（リー
ド部）を残し不要部を除去するように打ち抜きを施し
て、図４に示すように所定形状のリード４を有する単体
の製品としての光半導体素子５が得られる。
ジ成形部２と一体のリードフレーム１の必要部分（リー
ド部）を残し不要部を除去するように打ち抜きを施し
て、図４に示すように所定形状のリード４を有する単体
の製品としての光半導体素子５が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、リード
フレーム１を打ち抜くのと同時にパッケージ成形部２の
側面の板厚バリ３を切り離す際、パッケージ成形部２に
大きな応力が加わって、パッケージ成形部２の側面にク
ラック６を発生することがあった。当然のことながらク
ラック６が発生した製品は品質不良として不良品扱いと
なる。
フレーム１を打ち抜くのと同時にパッケージ成形部２の
側面の板厚バリ３を切り離す際、パッケージ成形部２に
大きな応力が加わって、パッケージ成形部２の側面にク
ラック６を発生することがあった。当然のことながらク
ラック６が発生した製品は品質不良として不良品扱いと
なる。
【０００６】このような不都合を回避するため、リード
フレームを打ち抜く方法を変更して対応することも考え
られる。しかしながら、そうすることによってクラック
の発生率は低減できるかもしれないが、クラックの発生
そのものを防止することはできない。
フレームを打ち抜く方法を変更して対応することも考え
られる。しかしながら、そうすることによってクラック
の発生率は低減できるかもしれないが、クラックの発生
そのものを防止することはできない。
【０００７】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
で、その目的はリードフレームの打ち抜きと同時にパッ
ケージ成形部のクリアランス部に生じるバリを切り離す
際、そのバリ切断時にパッケージ成形部に応力がかから
ないようにし、それによりリードフレームの打ち抜きの
際にパッケージ成形部にクラックが発生しないようにす
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
で、その目的はリードフレームの打ち抜きと同時にパッ
ケージ成形部のクリアランス部に生じるバリを切り離す
際、そのバリ切断時にパッケージ成形部に応力がかから
ないようにし、それによりリードフレームの打ち抜きの
際にパッケージ成形部にクラックが発生しないようにす
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製造方法は、リードフレームにクリアランス部を設け
て接続された半導体チップを樹脂封止しパッケージを形
成する工程と、前記リードフレームより前記パッケージ
を切り離す工程とを有する半導体装置の製造方法におい
て、前記クリアランス部に、前記パッケージの側縁部で
薄く前記パッケージから離れるに従って厚くなるバリを
成形する工程と、前記パッケージを前記バリの薄い部分
で打ち抜いて切り離す工程とを有することを特徴とする
ものである。
の製造方法は、リードフレームにクリアランス部を設け
て接続された半導体チップを樹脂封止しパッケージを形
成する工程と、前記リードフレームより前記パッケージ
を切り離す工程とを有する半導体装置の製造方法におい
て、前記クリアランス部に、前記パッケージの側縁部で
薄く前記パッケージから離れるに従って厚くなるバリを
成形する工程と、前記パッケージを前記バリの薄い部分
で打ち抜いて切り離す工程とを有することを特徴とする
ものである。
【０００９】その場合、バリは厚さ方向の断面形状が三
角形状であることが望ましい。
角形状であることが望ましい。
【００１０】
【作用】樹脂封止工程に際して、パッケージの周囲のク
リアランス部に形成されるバリがパッケージの側縁部で
薄く、パッケージから離れるに従って厚くなるように成
形し、パッケージをリードフレームから打ち抜いて切り
離す際、バリの薄い部分で打ち抜くことによって、パッ
ケージに大きな応力をかけることなくパッケージを切り
離すことができる。このため、パッケージの打ち抜き時
に加わる応力に起因するクラックの発生を防止すること
ができる。
リアランス部に形成されるバリがパッケージの側縁部で
薄く、パッケージから離れるに従って厚くなるように成
形し、パッケージをリードフレームから打ち抜いて切り
離す際、バリの薄い部分で打ち抜くことによって、パッ
ケージに大きな応力をかけることなくパッケージを切り
離すことができる。このため、パッケージの打ち抜き時
に加わる応力に起因するクラックの発生を防止すること
ができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の一実施例
を説明する。
を説明する。
【００１２】図１に示すように、樹脂封止工程の際にパ
ッケージ成形部２に連なってそれとリードフレーム１と
の間のクリアランス部に三角バリ７を形成するために、
樹脂封止成形金型（図示せず）に三角状のダムブロック
を形成しておく。平板のリードフレーム１にはパッケー
ジ成形部２のための部分が予め型抜きされ、半導体チッ
プに接続されて半導体装置のリードとなる部分が長手方
向に突出するように一体に形成されている。このリード
となる部分に光半導体チップ（図示せず）がボンディン
グ技術等によって接続される。
ッケージ成形部２に連なってそれとリードフレーム１と
の間のクリアランス部に三角バリ７を形成するために、
樹脂封止成形金型（図示せず）に三角状のダムブロック
を形成しておく。平板のリードフレーム１にはパッケー
ジ成形部２のための部分が予め型抜きされ、半導体チッ
プに接続されて半導体装置のリードとなる部分が長手方
向に突出するように一体に形成されている。このリード
となる部分に光半導体チップ（図示せず）がボンディン
グ技術等によって接続される。
【００１３】このような状態の光半導体チップを上述し
た樹脂封止成形のための金型に装着し、パッケージ成形
部２に相当するキャビティを形成する。このとき、リー
ドフレーム１との間にクリアランス部を設定して、リー
ドフレーム１とパッケージ成形部２のカミ込みを防止す
ることはすでに述べたところである。金型のゲートから
キャビティに透明の液状のエポキシ樹脂を充填して、パ
ッケージ成形部２を樹脂封止成形する。このとき、パッ
ケージ成形部２およびその周囲に位置するリードフレー
ム１との間にパッケージ成形部２に連なる断面三角形を
した三角バリ７が形成され、その三角バリ７には薄バリ
部８が形成される。三角バリ７はパッケージ成形部２の
側縁部で薄く、パッケージ成形部２から離れるに従って
厚くなるように形成される。パッケージ成形部２をリー
ドフレーム１から打ち抜いて切り離す際、三角バリ７の
薄バリ部８で切り離されるように打ち抜かれる。このよ
うにして図２に示すような単体の製品としての光半導体
素子９が得られる。打ち抜きの際、薄バリ部８で切断さ
れることにより、パッケージ成形部２の側面に応力がか
かることがなく、したがって、打ち抜きの際の応力によ
りパッケージ成形部２にクラックが生ずることはない。
た樹脂封止成形のための金型に装着し、パッケージ成形
部２に相当するキャビティを形成する。このとき、リー
ドフレーム１との間にクリアランス部を設定して、リー
ドフレーム１とパッケージ成形部２のカミ込みを防止す
ることはすでに述べたところである。金型のゲートから
キャビティに透明の液状のエポキシ樹脂を充填して、パ
ッケージ成形部２を樹脂封止成形する。このとき、パッ
ケージ成形部２およびその周囲に位置するリードフレー
ム１との間にパッケージ成形部２に連なる断面三角形を
した三角バリ７が形成され、その三角バリ７には薄バリ
部８が形成される。三角バリ７はパッケージ成形部２の
側縁部で薄く、パッケージ成形部２から離れるに従って
厚くなるように形成される。パッケージ成形部２をリー
ドフレーム１から打ち抜いて切り離す際、三角バリ７の
薄バリ部８で切り離されるように打ち抜かれる。このよ
うにして図２に示すような単体の製品としての光半導体
素子９が得られる。打ち抜きの際、薄バリ部８で切断さ
れることにより、パッケージ成形部２の側面に応力がか
かることがなく、したがって、打ち抜きの際の応力によ
りパッケージ成形部２にクラックが生ずることはない。
【００１４】本発明の実施例によれば、樹脂封止の際に
パッケージ成形部の周囲に三角バリを形成し、しかもパ
ッケージ側を薄バリ部にするので、この薄バリ部で容易
に打ち抜き・切断することができる。このため、バリ切
断時に加わる応力によってパッケージ成形部に発生して
いたクラックを極力防止することができる。
パッケージ成形部の周囲に三角バリを形成し、しかもパ
ッケージ側を薄バリ部にするので、この薄バリ部で容易
に打ち抜き・切断することができる。このため、バリ切
断時に加わる応力によってパッケージ成形部に発生して
いたクラックを極力防止することができる。
【００１５】また、１回の切断工程だけでバリがパッケ
ージから除去されるので、全体を薄バリにしたときのよ
うなバリ取りの工程を設ける必要がない。
ージから除去されるので、全体を薄バリにしたときのよ
うなバリ取りの工程を設ける必要がない。
【００１６】さらに、三角バリは樹脂溜りとしても機能
し、樹脂封止工程の際にパッケージ成形部で発生した気
泡がそこに押し出されるため、パッケージ内の気泡
（巣）を減少させることができる。このため、気泡に起
因した製品不良を防止することができる。
し、樹脂封止工程の際にパッケージ成形部で発生した気
泡がそこに押し出されるため、パッケージ内の気泡
（巣）を減少させることができる。このため、気泡に起
因した製品不良を防止することができる。
【００１７】以上、実施例として光半導体装置の場合に
ついて説明したが、本発明は光半導体装置に限られるこ
とはなく、その他の半導体装置についても適用すること
ができる。
ついて説明したが、本発明は光半導体装置に限られるこ
とはなく、その他の半導体装置についても適用すること
ができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、パッケージ成形部をリ
ードフレームから打ち抜きによって切り離す時に、パッ
ケージに加わる応力を抑えてクラックの発生を防止し、
したがってクラックに起因する製品の歩留り低下を極力
抑えることができる。
ードフレームから打ち抜きによって切り離す時に、パッ
ケージに加わる応力を抑えてクラックの発生を防止し、
したがってクラックに起因する製品の歩留り低下を極力
抑えることができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するためにリードフレ
ームと一体のパッケージ成形部を示すもので、（Ａ）は
平面図、（Ｂ）は側面図、（Ｃ）は正面図。
ームと一体のパッケージ成形部を示すもので、（Ａ）は
平面図、（Ｂ）は側面図、（Ｃ）は正面図。
【図２】図１に示す実施例に従って構成された半導体装
置の斜視図。
置の斜視図。
【図３】従来例を説明するためにリードフレームと一体
のパッケージ成形部を示すもので、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は側面図。
のパッケージ成形部を示すもので、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は側面図。
【図４】図３に示す従来例に従って構成された半導体装
置の斜視図。
置の斜視図。
１ リードフレーム ２ パッケージ成形部 ３ 板厚バリ ４ リード ５ 光半導体素子 ６ クラック ７ 三角バリ ８ 薄バリ部 ９ 光半導体素子
Claims (2)
- 【請求項１】リードフレームにクリアランス部を設けて
接続された半導体チップを樹脂封止しパッケージを形成
する工程と、前記リードフレームより前記パッケージを
切り離す工程とを有する半導体装置の製造方法におい
て、 前記クリアランス部に、前記パッケージの側縁部で薄く
前記パッケージから離れるに従って厚くなるバリを成形
する工程と、前記パッケージを前記バリの薄い部分で打
ち抜いて切り離す工程とを有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記バリは厚さ方向の断面形状が三角形状
であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26212194A JPH08124950A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26212194A JPH08124950A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124950A true JPH08124950A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17371345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26212194A Pending JPH08124950A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124950A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100357876B1 (ko) * | 1999-10-15 | 2002-10-25 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 및 그 제조 방법 |
| US7319598B2 (en) | 2002-06-26 | 2008-01-15 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with a housing package |
-
1994
- 1994-10-26 JP JP26212194A patent/JPH08124950A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100357876B1 (ko) * | 1999-10-15 | 2002-10-25 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 및 그 제조 방법 |
| US7319598B2 (en) | 2002-06-26 | 2008-01-15 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with a housing package |
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