JP3134614B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードのファインピッ
チ化に対応できるリードフレームの製造方法に関するも
のである。
チ化に対応できるリードフレームの製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、リードフレームは、電子部品を形
成する際の基板として広く用いられている。このリード
フレームは、半導体チップが搭載されるアイランド部
と、そのアイランド部の周囲に放射状に延出するリード
群を有する。そして、アイランド部に半導体チップを搭
載して、半導体チップの電極と、リード群のうちアイラ
ンド部に望むインナーリード部にワイヤボンディングを
行い、その後、半導体チップ及びインナーリード部を樹
脂で封止する。
成する際の基板として広く用いられている。このリード
フレームは、半導体チップが搭載されるアイランド部
と、そのアイランド部の周囲に放射状に延出するリード
群を有する。そして、アイランド部に半導体チップを搭
載して、半導体チップの電極と、リード群のうちアイラ
ンド部に望むインナーリード部にワイヤボンディングを
行い、その後、半導体チップ及びインナーリード部を樹
脂で封止する。
【０００３】ところで、この樹脂封止の際、リードとリ
ードの間に単なるスリットが形成されており、樹脂の流
動が自由になっていると、樹脂がアウターリード部まで
流出して、その後のアウターリード部のフォーミングが
困難になってしまう。そこで、通常インナーリード部と
アウターリード部の境目に、導電性を備えた基板の一部
によりタイバーが形成されている。しかしながら、電子
部品の製造が完了した段階において、このタイバーをそ
のままにおくと、隣り合うリード同士が短絡してしまう
ことになるので、通常電子部品の製造が完了するのと同
時かまたはその前に、タイバーを切断して、隣り合うリ
ード同士を絶縁する工程が行われる。
ードの間に単なるスリットが形成されており、樹脂の流
動が自由になっていると、樹脂がアウターリード部まで
流出して、その後のアウターリード部のフォーミングが
困難になってしまう。そこで、通常インナーリード部と
アウターリード部の境目に、導電性を備えた基板の一部
によりタイバーが形成されている。しかしながら、電子
部品の製造が完了した段階において、このタイバーをそ
のままにおくと、隣り合うリード同士が短絡してしまう
ことになるので、通常電子部品の製造が完了するのと同
時かまたはその前に、タイバーを切断して、隣り合うリ
ード同士を絶縁する工程が行われる。
【０００４】図１３は、従来のリードフレームに樹脂封
止してモールド体を形成し、タイバーを切断しようとし
ている状態を示す斜視図である。図１３中、１はリード
フレームのリードであり、１ａはリード１のアウターリ
ード部、１ｃはリード１を横断して形成されたタイバ
ー、２はモールド体である。ここで、樹脂が溶融してモ
ールド体２が形成される際、樹脂の一部２ａがリード１
の先端側へ流出しようとするが、タイバー１ｃによって
塞ぎ止められ、アウターリード部１ａまで至ることはな
い。そして、図１３に示す状態から、線Ｃで示すよう
に、タイバー１ｃを切断して、隣り合うリード同士を絶
縁するものである。
止してモールド体を形成し、タイバーを切断しようとし
ている状態を示す斜視図である。図１３中、１はリード
フレームのリードであり、１ａはリード１のアウターリ
ード部、１ｃはリード１を横断して形成されたタイバ
ー、２はモールド体である。ここで、樹脂が溶融してモ
ールド体２が形成される際、樹脂の一部２ａがリード１
の先端側へ流出しようとするが、タイバー１ｃによって
塞ぎ止められ、アウターリード部１ａまで至ることはな
い。そして、図１３に示す状態から、線Ｃで示すよう
に、タイバー１ｃを切断して、隣り合うリード同士を絶
縁するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電子部品の
性能が向上するに伴い、半導体チップの電極の数やリー
ドの数も増加の一途をたどっており、電子部品のサイズ
をできるだけコンパクトにするべく、リードがファイン
ピッチ化しているので、リードとリードの間のスリット
も非常に狭くなっている。このため、上記タイバー１ｃ
の切断が非常に難しくなってきている。
性能が向上するに伴い、半導体チップの電極の数やリー
ドの数も増加の一途をたどっており、電子部品のサイズ
をできるだけコンパクトにするべく、リードがファイン
ピッチ化しているので、リードとリードの間のスリット
も非常に狭くなっている。このため、上記タイバー１ｃ
の切断が非常に難しくなってきている。
【０００６】そこで本発明は、樹脂流出を抑止する部材
の切断を要しないリードフレームの製造方法を提供する
ことを目的とする。
の切断を要しないリードフレームの製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板のリード
形成位置間に樹脂充填孔を開設するステップと、前記樹
脂充填孔に樹脂を充填すると共に、リード群のそれぞれ
のインナーリード部とアウターリード部の境界となるべ
き位置に枠状の絶縁性樹脂流出止部を形成するステップ
と、打抜き加工によりリード群を形成するステップとを
有するリードフレームの製造方法である。
形成位置間に樹脂充填孔を開設するステップと、前記樹
脂充填孔に樹脂を充填すると共に、リード群のそれぞれ
のインナーリード部とアウターリード部の境界となるべ
き位置に枠状の絶縁性樹脂流出止部を形成するステップ
と、打抜き加工によりリード群を形成するステップとを
有するリードフレームの製造方法である。
【０００９】
【作用】上記構成により、相隣るリード間には樹脂が充
填されているので、後工程において、絶縁性樹脂流出止
部を切断しなくとも、リード同士が短絡することはな
く、リードがファインピッチで形成される場合でも、容
易に対応できる。
填されているので、後工程において、絶縁性樹脂流出止
部を切断しなくとも、リード同士が短絡することはな
く、リードがファインピッチで形成される場合でも、容
易に対応できる。
【００１０】また、絶縁性樹脂流出止部は、インナーリ
ード部とアウターリード部の境界に枠状に設けられてい
るので、後工程において半導体チップやインナーリード
部などを樹脂封止する際に、溶融した樹脂がアウターリ
ード部側へ流出しないようにすることができる。
ード部とアウターリード部の境界に枠状に設けられてい
るので、後工程において半導体チップやインナーリード
部などを樹脂封止する際に、溶融した樹脂がアウターリ
ード部側へ流出しないようにすることができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１２】図１は、本発明の第１実施例に係るリード
フレームの斜視図である。図１中、３は基板、４は半導
体チップ８（図８参照）が搭載されるアイランド部、４
ａはアイランド部４を支持する吊リード、５はこのアイ
ランド部４の周囲に放射状に延出するリードであり、５
ｂはアイランド部４に臨むインナーリード部、５ａは外
周側のアウターリード部、６はインナーリード部５ｂと
アウターリード部５ａの境界に枠状に設けられ、リード
５群を横断してアイランド部４の外周を包囲し絶縁性を
備えた樹脂流出止部である。また、リード５群のうち相
隣るリード間にも、樹脂流出止部６の形成と同時に樹脂
が充填されており、６ｃは樹脂流出止部６の角部から外
側に延びる型受け部である。
フレームの斜視図である。図１中、３は基板、４は半導
体チップ８（図８参照）が搭載されるアイランド部、４
ａはアイランド部４を支持する吊リード、５はこのアイ
ランド部４の周囲に放射状に延出するリードであり、５
ｂはアイランド部４に臨むインナーリード部、５ａは外
周側のアウターリード部、６はインナーリード部５ｂと
アウターリード部５ａの境界に枠状に設けられ、リード
５群を横断してアイランド部４の外周を包囲し絶縁性を
備えた樹脂流出止部である。また、リード５群のうち相
隣るリード間にも、樹脂流出止部６の形成と同時に樹脂
が充填されており、６ｃは樹脂流出止部６の角部から外
側に延びる型受け部である。
【００１３】次に、図２から図８を参照しながら、第１
実施例のリードフレームの製造方法について説明する。
実施例のリードフレームの製造方法について説明する。
【００１４】まず図２，図３に示すように、基板３を打
抜いて基板３のうちリード形成位置間に樹脂充填孔７を
開設する。なお、５ｘは後工程においてリード５となる
部分であり、図３において、７ａはリード５が形成され
ない部分に開設される透孔である。なお、この透孔７ａ
の形状は種々変更してもよい。
抜いて基板３のうちリード形成位置間に樹脂充填孔７を
開設する。なお、５ｘは後工程においてリード５となる
部分であり、図３において、７ａはリード５が形成され
ない部分に開設される透孔である。なお、この透孔７ａ
の形状は種々変更してもよい。
【００１５】次に、図４に示すように、樹脂充填孔７と
交差し、かつアイランド部４の周囲を包囲する樹脂流出
止部６を形成するための金型（図示せず）により基板３
を挟着して樹脂を注入する。すると、図５に示すよう
に、樹脂注入時に樹脂充填孔７にも樹脂が注入され、樹
脂のバリ６ａ，６ｂができる。図６は、この状態におけ
る一部平面図であり、図６の鎖線は後述する打ち抜き加
工を行う形状を示す。
交差し、かつアイランド部４の周囲を包囲する樹脂流出
止部６を形成するための金型（図示せず）により基板３
を挟着して樹脂を注入する。すると、図５に示すよう
に、樹脂注入時に樹脂充填孔７にも樹脂が注入され、樹
脂のバリ６ａ，６ｂができる。図６は、この状態におけ
る一部平面図であり、図６の鎖線は後述する打ち抜き加
工を行う形状を示す。
【００１６】次いで図７に示すように、バリ６ａ，６ｂ
を抜き取り、その後で、図６の鎖線で示すように、アイ
ランド部４やリード５群を形成するための打ち抜き加工
を行う。
を抜き取り、その後で、図６の鎖線で示すように、アイ
ランド部４やリード５群を形成するための打ち抜き加工
を行う。
【００１７】なお、図７に示すバリ６ａ，６ｂの除去工
程は、アイランド部４などを形成する打ち抜き加工にお
いて、金型の刃が欠けないように行うものであって、必
要に応じて省略してもよい。また、この除去工程は、ア
イランド部４などを形成する打ち抜き加工と同時に行っ
てもよい。これにより、図１に示すリードフレームを得
ることができる。
程は、アイランド部４などを形成する打ち抜き加工にお
いて、金型の刃が欠けないように行うものであって、必
要に応じて省略してもよい。また、この除去工程は、ア
イランド部４などを形成する打ち抜き加工と同時に行っ
てもよい。これにより、図１に示すリードフレームを得
ることができる。
【００１８】この後工程において、図１のＡ−Ａ線によ
り切断した図８に示すように、アイランド部４に半導体
チップ８を搭載し、半導体チップ８の電極（図示せず）
とインナーリード部５ｂとをワイヤ９で接続して、上型
１０、下型１１の間に挟着する。この状態において、上
型１０と下型１１は樹脂流出止部６，型受け部６ｃに接
している。そして、プランジャ１２により半導体チップ
８やインナーリード部５ｂなどを封止するための樹脂１
３を上型１０と下型１１の間に注入して、硬化させる。
その後、アウターリード部５ａの先端部を切断してフォ
ーミングし、さらに樹脂流出止部６から型受部６ｃを分
離して電子部品を得るものである。
り切断した図８に示すように、アイランド部４に半導体
チップ８を搭載し、半導体チップ８の電極（図示せず）
とインナーリード部５ｂとをワイヤ９で接続して、上型
１０、下型１１の間に挟着する。この状態において、上
型１０と下型１１は樹脂流出止部６，型受け部６ｃに接
している。そして、プランジャ１２により半導体チップ
８やインナーリード部５ｂなどを封止するための樹脂１
３を上型１０と下型１１の間に注入して、硬化させる。
その後、アウターリード部５ａの先端部を切断してフォ
ーミングし、さらに樹脂流出止部６から型受部６ｃを分
離して電子部品を得るものである。
【００１９】さて図９は、第２実施例に係るリードフレ
ームの平面図である。この実施例では、図１に示す第１
実施例に加えて、インナーリード部５ｂを保持するサポ
ートリング部２０を形成したものである。このようにす
ると、細かなインナーリード部５ｂが曲がらないように
することができ、一層好適である。このサポートリング
部２０の形成は、図２から図７に示した工程と同様に、
行うことができる。
ームの平面図である。この実施例では、図１に示す第１
実施例に加えて、インナーリード部５ｂを保持するサポ
ートリング部２０を形成したものである。このようにす
ると、細かなインナーリード部５ｂが曲がらないように
することができ、一層好適である。このサポートリング
部２０の形成は、図２から図７に示した工程と同様に、
行うことができる。
【００２０】図１０は、第３実施例に係るリードフレー
ムの斜視図である。図１０に示すものは、図１のリード
フレームに対して、アイランド部４及び吊リード４ａが
設けられていない点及び図１１（ａ）に示すように、樹
脂流出止部６の下部に段差６ｄが凹設されている点のみ
が相違する。このように、本手段では、アイランド部４
がないものも包含するものである。
ムの斜視図である。図１０に示すものは、図１のリード
フレームに対して、アイランド部４及び吊リード４ａが
設けられていない点及び図１１（ａ）に示すように、樹
脂流出止部６の下部に段差６ｄが凹設されている点のみ
が相違する。このように、本手段では、アイランド部４
がないものも包含するものである。
【００２１】図１１は、図１０のリードフレームによ
り、電子部品を製造するプロセスを示す側面図である。
図１１中、１５は半導体チップ８が搭載されるヒートシ
ンク、１６はヒートシンク１５をインナーリード部５ｂ
に接着させるためにヒートシンク１５の上面の外縁部に
貼着される絶縁性の粘着テープである。そして、図１１
（ａ）に示すように、ヒートシンク１５の縁部が段差６
ｄに当接させると共に、粘着テープ１６によりヒートシ
ンク１５をインナーリード部５ｂに接着する。次いで、
図１１（ｂ）に示すように、半導体チップ８をヒートシ
ンク１５上に搭載し、半導体チップ８をヒートシンク１
５上に搭載し、半導体チップ８の電極とインナーリード
部５ｂをワイヤ９により接続する。次に、図１１（ｃ）
に示すように、ヒートシンク１５の上面側のみを樹脂１
３により封止する。そして図１１（ｄ）のように、アウ
ターリード部５ａの先端部を切断しフォーミングして電
子部品を得る。
り、電子部品を製造するプロセスを示す側面図である。
図１１中、１５は半導体チップ８が搭載されるヒートシ
ンク、１６はヒートシンク１５をインナーリード部５ｂ
に接着させるためにヒートシンク１５の上面の外縁部に
貼着される絶縁性の粘着テープである。そして、図１１
（ａ）に示すように、ヒートシンク１５の縁部が段差６
ｄに当接させると共に、粘着テープ１６によりヒートシ
ンク１５をインナーリード部５ｂに接着する。次いで、
図１１（ｂ）に示すように、半導体チップ８をヒートシ
ンク１５上に搭載し、半導体チップ８をヒートシンク１
５上に搭載し、半導体チップ８の電極とインナーリード
部５ｂをワイヤ９により接続する。次に、図１１（ｃ）
に示すように、ヒートシンク１５の上面側のみを樹脂１
３により封止する。そして図１１（ｄ）のように、アウ
ターリード部５ａの先端部を切断しフォーミングして電
子部品を得る。
【００２２】さらに図１２に、図１０のリードフレーム
に、ＴＡＢデバイスを用いて電子部品を製造するプロセ
スを示している。この例では、図１１（ａ）と同様に、
インナーリード部５ｂにヒートシンク１５を接着した
後、図２に示すように、インナーリード部５ｂとＴＡＢ
デバイスのリード２１との位置合せを行ない、ＴＡＢデ
バイスの半導体チップ２３を上向きにしてヒートシンク
１５上に搭載する。そして、図１１（ｃ）と同様に、樹
脂１３により封止し、図１１（ｄ）と同様にフォーミン
グを行なって電子部品を得る。ここで、図１１，図１２
のようにすれば、ヒートシンク１５を外部に露呈させる
ことができ、半導体チップ８，２３の冷却効果を高める
ことができる。また、半導体チップ８，２３は、インナ
ーリード部５ｂと同一レベルのアイランド部４上に搭載
されるのではなく、インナーリード部５ｂよりも低いレ
ベルのヒートシンク１５上に搭載されるので、図１１
（ｄ）における高さＨを小さくすることができ、通常の
電子部品に比べ、よりコンパクトな電子部品を得ること
ができる。
に、ＴＡＢデバイスを用いて電子部品を製造するプロセ
スを示している。この例では、図１１（ａ）と同様に、
インナーリード部５ｂにヒートシンク１５を接着した
後、図２に示すように、インナーリード部５ｂとＴＡＢ
デバイスのリード２１との位置合せを行ない、ＴＡＢデ
バイスの半導体チップ２３を上向きにしてヒートシンク
１５上に搭載する。そして、図１１（ｃ）と同様に、樹
脂１３により封止し、図１１（ｄ）と同様にフォーミン
グを行なって電子部品を得る。ここで、図１１，図１２
のようにすれば、ヒートシンク１５を外部に露呈させる
ことができ、半導体チップ８，２３の冷却効果を高める
ことができる。また、半導体チップ８，２３は、インナ
ーリード部５ｂと同一レベルのアイランド部４上に搭載
されるのではなく、インナーリード部５ｂよりも低いレ
ベルのヒートシンク１５上に搭載されるので、図１１
（ｄ）における高さＨを小さくすることができ、通常の
電子部品に比べ、よりコンパクトな電子部品を得ること
ができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、タイバーを用いることなく、
樹脂の流出を阻止できるようにしたので、タイバーの切
断工程を省略してリードのファインピッチ化に容易に対
応することができる。
樹脂の流出を阻止できるようにしたので、タイバーの切
断工程を省略してリードのファインピッチ化に容易に対
応することができる。
【図１】本発明の第１実施例に係るリードフレームの斜
視図
視図
【図２】本発明の第１実施例に係るリードフレームの製
造工程説明図
造工程説明図
【図３】本発明の第１実施例に係るリードフレームの製
造工程説明図
造工程説明図
【図４】本発明の第１実施例に係るリードフレームの製
造工程説明図
造工程説明図
【図５】本発明の第１実施例に係るリードフレームの製
造工程説明図
造工程説明図
【図６】本発明の第１実施例に係るリードフレームの製
造工程説明図
造工程説明図
【図７】本発明の第１実施例に係るリードフレームの製
造工程説明図
造工程説明図
【図８】本発明の第１実施例に係るリードフレームの後
工程説明図
工程説明図
【図９】本発明の第２実施例に係るリードフレームの平
面図
面図
【図１０】本発明の第３実施例に係るリードフレームの
斜視図
斜視図
【図１１】（ａ）本発明の第３実施例に係るリードフレ
ームを用いた電子部品の製造工程説明図 （ｂ）本発明の第３実施例に係るリードフレームを用い
た電子部品の製造工程説明図 （ｃ）本発明の第３実施例に係るリードフレームを用い
た電子部品の製造工程説明図 （ｄ）本発明の第３実施例に係るリードフレームを用い
た電子部品の製造工程説明図
ームを用いた電子部品の製造工程説明図 （ｂ）本発明の第３実施例に係るリードフレームを用い
た電子部品の製造工程説明図 （ｃ）本発明の第３実施例に係るリードフレームを用い
た電子部品の製造工程説明図 （ｄ）本発明の第３実施例に係るリードフレームを用い
た電子部品の製造工程説明図
【図１２】本発明の第３実施例に係るリードフレームを
用いた電子部品の製造工程説明図
用いた電子部品の製造工程説明図
【図１３】従来のリードフレームの加工工程を示す斜視
図
図
３ 基板 ５ リード ５ａ アウターリード部 ５ｂ インナーリード部 ６ 樹脂流出止部 ７ 樹脂充填孔 ２０ サポートリング部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/28
Claims (1)
- 【請求項１】基板のリード形成位置間に樹脂充填孔を開
設するステップと、前記樹脂充填孔に樹脂を充填すると
共に、リード群のそれぞれのインナーリード部とアウタ
ーリード部の境界となるべき位置に枠状の絶縁性樹脂流
出止部を形成するステップと、打抜き加工によりリード
群を形成するステップとを有することを特徴とするリー
ドフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21365193A JP3134614B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21365193A JP3134614B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766348A JPH0766348A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3134614B2 true JP3134614B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=16642700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21365193A Expired - Fee Related JP3134614B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3134614B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08330502A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 |
| JP4688647B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-05-25 | パナソニック株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP21365193A patent/JP3134614B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766348A (ja) | 1995-03-10 |
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