JPH0821669B2 - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH0821669B2 JPH0821669B2 JP1321075A JP32107589A JPH0821669B2 JP H0821669 B2 JPH0821669 B2 JP H0821669B2 JP 1321075 A JP1321075 A JP 1321075A JP 32107589 A JP32107589 A JP 32107589A JP H0821669 B2 JPH0821669 B2 JP H0821669B2
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- Japan
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- element mounting
- semiconductor element
- lead frame
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置用リードフレームに係り、特にそ
のリードフレームのサポートバーの形状に関する。
のリードフレームのサポートバーの形状に関する。
（従来の技術） 半導体装置用リードフレームは、フォトエッチング法
またはプレス加工のいずれかの方法によって、金属帯状
材料の形状加工を行い形成される。
またはプレス加工のいずれかの方法によって、金属帯状
材料の形状加工を行い形成される。
特に、プレス加工により形成されるリードフレームに
ついては、インナーリードの全てを１回の打ち抜き工程
で成形することは困難であるため、順送り金型を用い、
複数のステーションに分割して打ち抜くように設計され
る。
ついては、インナーリードの全てを１回の打ち抜き工程
で成形することは困難であるため、順送り金型を用い、
複数のステーションに分割して打ち抜くように設計され
る。
しかしながら、最近のリードフレームでは、インナー
リード先端部の板厚よりもリードピッチが狭くなる傾向
にあり、例えば、板厚0.15mmに対し、0.1〜0.12mmの幅
で打ち抜きを行わなければならないこともある。そこ
で、インナーリード先端部の位置ずれを防ぐために、隣
接するインナーリードの先端を連結する連結部を残して
形状加工を行い、インナーリード相互間の接続のための
テーピング工程、熱処理あるいは鍍金処理などの処理工
程を経た後、最後にこの連結部を除去する方法が提案さ
れている。
リード先端部の板厚よりもリードピッチが狭くなる傾向
にあり、例えば、板厚0.15mmに対し、0.1〜0.12mmの幅
で打ち抜きを行わなければならないこともある。そこ
で、インナーリード先端部の位置ずれを防ぐために、隣
接するインナーリードの先端を連結する連結部を残して
形状加工を行い、インナーリード相互間の接続のための
テーピング工程、熱処理あるいは鍍金処理などの処理工
程を経た後、最後にこの連結部を除去する方法が提案さ
れている。
この方法は通常次のような工程で行われる。
例えば、従来、まず、第４図（ａ）に示すように、第
１の順送り金型を用いて半導体素子搭載ステージ52とな
る領域に向かって収斂する複数の第１の打ち抜き部5Aを
形成し、インナーリード51の側面を形成すると共に、半
導体素子搭載ステージ52を支持するサポードバー53を形
成する。
１の順送り金型を用いて半導体素子搭載ステージ52とな
る領域に向かって収斂する複数の第１の打ち抜き部5Aを
形成し、インナーリード51の側面を形成すると共に、半
導体素子搭載ステージ52を支持するサポードバー53を形
成する。
この後、この複数の第１の打ち抜き部5Aの先端から、
インナーリード51先端5Fの連結部（タイバー54）となる
領域分の所定の間隔をおいて、第５図（ａ）にこの中間
段階のリードフレームの全体図を示すように、第２の打
ち抜き部5Bを形成する。
インナーリード51先端5Fの連結部（タイバー54）となる
領域分の所定の間隔をおいて、第５図（ａ）にこの中間
段階のリードフレームの全体図を示すように、第２の打
ち抜き部5Bを形成する。
そして、このインナーリード51の先端5Fをタイバー54
で一体的に連結した状態で、熱処理および鍍金処理等の
所定の処理を行う。
で一体的に連結した状態で、熱処理および鍍金処理等の
所定の処理を行う。
そしてさらに、第４図（ｂ）に示すように、第２の順
送り金型を用いて第３の打ち抜き部5Dを形成し、前記サ
ポートバーに直交して設けられたタイバー54を切除し、
インナーリード51の先端Ｆを形成し、分割形成し、第５
図（ｂ）に全体図を示すようなリードフレームが完成さ
れる。この方法では、第１の打ち抜き領域で形成される
サポートバーの輪郭線と第２の打ち抜き領域で形成され
るサポートバーの側縁とに第３の打ち抜き領域は一致し
サポートバーの側縁は一直線となるように形成されてい
る。
送り金型を用いて第３の打ち抜き部5Dを形成し、前記サ
ポートバーに直交して設けられたタイバー54を切除し、
インナーリード51の先端Ｆを形成し、分割形成し、第５
図（ｂ）に全体図を示すようなリードフレームが完成さ
れる。この方法では、第１の打ち抜き領域で形成される
サポートバーの輪郭線と第２の打ち抜き領域で形成され
るサポートバーの側縁とに第３の打ち抜き領域は一致し
サポートバーの側縁は一直線となるように形成されてい
る。
（発明が解決しようとする課題） このような方法で形成されたリードフレームは、順送
り金型を構成するポンチおよびダイのクリアランスおよ
び被加工材の表面条件および位置決め精度等の条件によ
って第１の打ち抜き領域で形成されるサポートバーの輪
郭線と第２の打ち抜き領域で形成されるサポートバーの
側縁とに第３の打ち抜き領域を正確に一致させて打ち抜
きを行うことは極めて困難であった。このため、微小な
位置の変位によっては微細な打ち抜きカスや抜きだれ、
髭状の打ち抜き片等が生じやすく、これらが被加工材の
表面に脱落して傷を生じたり、リードの変形を生じたり
する原因となっていた。
り金型を構成するポンチおよびダイのクリアランスおよ
び被加工材の表面条件および位置決め精度等の条件によ
って第１の打ち抜き領域で形成されるサポートバーの輪
郭線と第２の打ち抜き領域で形成されるサポートバーの
側縁とに第３の打ち抜き領域を正確に一致させて打ち抜
きを行うことは極めて困難であった。このため、微小な
位置の変位によっては微細な打ち抜きカスや抜きだれ、
髭状の打ち抜き片等が生じやすく、これらが被加工材の
表面に脱落して傷を生じたり、リードの変形を生じたり
する原因となっていた。
また、金型の破損の原因となることもあり、リードフ
レームのコストの上昇および歩留まり低下の原因となっ
ていた。
レームのコストの上昇および歩留まり低下の原因となっ
ていた。
さらに、半導体装置の高集積化に伴い、多ピン化が進
み、サポートバーの幅も細くなっており、半導体素子搭
載ステージを良好に支持することができず、プレス打ち
抜き工程でねじれが生じたり、樹脂封止等による応力に
よって変形が生じたりするという問題があった。
み、サポートバーの幅も細くなっており、半導体素子搭
載ステージを良好に支持することができず、プレス打ち
抜き工程でねじれが生じたり、樹脂封止等による応力に
よって変形が生じたりするという問題があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、高品質
でかつ低コストのリードフレームを提供することを目的
とする。
でかつ低コストのリードフレームを提供することを目的
とする。
（課題を解決するための手段） そこで本発明では、半導体素子搭載部と、前記半導体
素子搭載部を支持するサポートバーと、前記半導体素子
搭載部を取り囲むように配設された複数のインナーリー
ドと、インナーリードそれぞれに連続した複数のアウタ
ーリードとを備えたリードフレームにおいて、前記サポ
ートバーが前記半導体素子搭載部に接続する箇所で幅広
部が構成されると共に、該サポートバーの通常幅部とこ
の幅広部との境界部の両側縁に突出部が対称に形成され
ることにより十字状の領域が構成されることを特徴とす
る。
素子搭載部を支持するサポートバーと、前記半導体素子
搭載部を取り囲むように配設された複数のインナーリー
ドと、インナーリードそれぞれに連続した複数のアウタ
ーリードとを備えたリードフレームにおいて、前記サポ
ートバーが前記半導体素子搭載部に接続する箇所で幅広
部が構成されると共に、該サポートバーの通常幅部とこ
の幅広部との境界部の両側縁に突出部が対称に形成され
ることにより十字状の領域が構成されることを特徴とす
る。
（作用） 本発明によれば、各部の打ち抜き領域の輪郭線が一致
しないように、あらかじめ許容し得る形状の突出領域を
設定しているため、打ち抜きを行うに際し、各部の打ち
抜き領域の輪郭線が互いに一致しないように所定の角度
をなして交差するようになっており、わずかなずれが生
じても、打ち抜きかすや抜きだれ、髭状の打ち抜き片等
が発生することなく形成でき、打痕やリードの変形およ
び順送り金型の破損の発生を防止することが可能とな
る。
しないように、あらかじめ許容し得る形状の突出領域を
設定しているため、打ち抜きを行うに際し、各部の打ち
抜き領域の輪郭線が互いに一致しないように所定の角度
をなして交差するようになっており、わずかなずれが生
じても、打ち抜きかすや抜きだれ、髭状の打ち抜き片等
が発生することなく形成でき、打痕やリードの変形およ
び順送り金型の破損の発生を防止することが可能とな
る。
すなわち本発明のリードフレームでは、サポートバー
が、該半導体素子搭載部から伸長する連結領域と、該連
結領域および該サポートバーの両者の幅方向の両側に突
出する幅広部とを介して半導体素子搭載部に接続される
ため、打ち抜きを行うに際し、各部の打ち抜き領域の輪
郭線が互いに一致しないように所定の角度をなして交差
するようにすることができる。
が、該半導体素子搭載部から伸長する連結領域と、該連
結領域および該サポートバーの両者の幅方向の両側に突
出する幅広部とを介して半導体素子搭載部に接続される
ため、打ち抜きを行うに際し、各部の打ち抜き領域の輪
郭線が互いに一致しないように所定の角度をなして交差
するようにすることができる。
すなわち、サポートバーの半導体素子搭載部との接続
領域で両側に突出するように幅広部を形成し、十字状領
域を構成したことを特徴とするもので、かかる構成によ
れば、十字状領域の存在により半導体素子搭載部の変形
を防止することができる。
領域で両側に突出するように幅広部を形成し、十字状領
域を構成したことを特徴とするもので、かかる構成によ
れば、十字状領域の存在により半導体素子搭載部の変形
を防止することができる。
また、樹脂封止後、半導体素子搭載部の表面側と裏面
側とで熱膨張係数が異なるため、半導体素子搭載部に反
りを生じ変形し易くなり、その結果サポートバーは半導
体素子搭載部の中心方向に引っ張られる力を受け、半導
体チップにクラックが生じたりすることがあったが、十
字状領域の存在により、周囲の樹脂が入り込むことによ
り、この引っ張り力が緩和され、半導体素子搭載部に反
りが生じたりすることもない。このように、半導体素子
搭載部と幅広部との間にも封止樹脂が入り込むため、熱
による膨脹が生じても、この十字状の突出部で引っ張り
力が吸収され、半導体素子搭載部が変形するのを防止す
ることができる。
側とで熱膨張係数が異なるため、半導体素子搭載部に反
りを生じ変形し易くなり、その結果サポートバーは半導
体素子搭載部の中心方向に引っ張られる力を受け、半導
体チップにクラックが生じたりすることがあったが、十
字状領域の存在により、周囲の樹脂が入り込むことによ
り、この引っ張り力が緩和され、半導体素子搭載部に反
りが生じたりすることもない。このように、半導体素子
搭載部と幅広部との間にも封止樹脂が入り込むため、熱
による膨脹が生じても、この十字状の突出部で引っ張り
力が吸収され、半導体素子搭載部が変形するのを防止す
ることができる。
（実施例） 以下、本発明実施例のリードフレームの製造方法につ
いて、図面を参照しつつ詳細に説明する。
いて、図面を参照しつつ詳細に説明する。
まず本発明の実施例を説明するための参考例について
説明する。
説明する。
このリードフレームでは、サポートバー15が、該半導
体素子搭載部から伸長する連結領域15aと、該連結領域
および該サポートバーの両者の幅方向の両側に突出する
幅広部15bとを介して半導体素子搭載部14に接続されて
いることを特徴とするものである。
体素子搭載部から伸長する連結領域15aと、該連結領域
および該サポートバーの両者の幅方向の両側に突出する
幅広部15bとを介して半導体素子搭載部14に接続されて
いることを特徴とするものである。
製造に際しては、まず、第１図（ａ）に示すように、
銅を主成分とする帯状材料を、所望の形状のインナーリ
ード、アウターリード、ダムバーなどの抜き型を具備し
た第１の順送り金型（図示せず）に装着し、プレス加工
を行なうことにより、半導体素子搭載ステージ14となる
領域に向かって収斂する複数の第１の打ち抜き部12を形
成し、インナーリード13の側面を形成すると共に、半導
体素子搭載ステージ14を支持するサポートバー15ならび
にアウターリード21を形成する。
銅を主成分とする帯状材料を、所望の形状のインナーリ
ード、アウターリード、ダムバーなどの抜き型を具備し
た第１の順送り金型（図示せず）に装着し、プレス加工
を行なうことにより、半導体素子搭載ステージ14となる
領域に向かって収斂する複数の第１の打ち抜き部12を形
成し、インナーリード13の側面を形成すると共に、半導
体素子搭載ステージ14を支持するサポートバー15ならび
にアウターリード21を形成する。
この後、サポートリードの輪郭縁1Aの延長線上に一致
しないが同一方向に伸びる側縁1Bを有すると共に、この
複数の第１の打ち抜き部12の先端から、インナーリード
13先端1Dの連結部（タイバー17）となる領域分の所定の
間隔をおいて、半導体素子搭載ステージ14となる領域の
４辺に沿ってそれぞれ４つの第２の打ち抜き部18を形成
する。このようにして、第２図（ａ）に全体図を示すよ
うに、第１の打ち抜き部12と第２の打ち抜き部18に囲ま
れた４つの十字領域19を有する中間段階のリードフレー
ムが得られる。
しないが同一方向に伸びる側縁1Bを有すると共に、この
複数の第１の打ち抜き部12の先端から、インナーリード
13先端1Dの連結部（タイバー17）となる領域分の所定の
間隔をおいて、半導体素子搭載ステージ14となる領域の
４辺に沿ってそれぞれ４つの第２の打ち抜き部18を形成
する。このようにして、第２図（ａ）に全体図を示すよ
うに、第１の打ち抜き部12と第２の打ち抜き部18に囲ま
れた４つの十字領域19を有する中間段階のリードフレー
ムが得られる。
そして、このインナーリード13の先端1Dをタイバー17
で一体的に連結した状態で、熱処理および鍍金処理等の
所定の処理を行う。
で一体的に連結した状態で、熱処理および鍍金処理等の
所定の処理を行う。
そしてさらに、第１図（ｂ）に示すように、第２の順
送り金型を用いて、前記第２の打ち抜き部18の側縁1Bと
交差し、かつ第１の打ち抜き領域12で形成される前記サ
ポートバー15の輪郭線1Aの間隔よりも幅広間隔のサポー
トバー15中間部の輪郭線1Cを形成する４つの第３の打ち
抜き部20を形成し、前記サポートバーに直交して設けら
れたタイバー17を切除し、インナーリード13の先端部1D
を形成して、インナーリード13相互間を分割形成し、第
２図（ｂ）に示すようなリードフレームが完成される。
この方法では、第１の打ち抜き領域で形成されるサポー
トバーの輪郭線と第２の打ち抜き領域で形成されるサポ
ートバーの側縁とに第３の打ち抜き領域の側縁は一致せ
ず、互いに直交する部分を形成するようにサポートバー
の側縁が形成されている。
送り金型を用いて、前記第２の打ち抜き部18の側縁1Bと
交差し、かつ第１の打ち抜き領域12で形成される前記サ
ポートバー15の輪郭線1Aの間隔よりも幅広間隔のサポー
トバー15中間部の輪郭線1Cを形成する４つの第３の打ち
抜き部20を形成し、前記サポートバーに直交して設けら
れたタイバー17を切除し、インナーリード13の先端部1D
を形成して、インナーリード13相互間を分割形成し、第
２図（ｂ）に示すようなリードフレームが完成される。
この方法では、第１の打ち抜き領域で形成されるサポー
トバーの輪郭線と第２の打ち抜き領域で形成されるサポ
ートバーの側縁とに第３の打ち抜き領域の側縁は一致せ
ず、互いに直交する部分を形成するようにサポートバー
の側縁が形成されている。
このようにして形成されたリードフレームによれば各
部の打ち抜き領域の輪郭線が互いに一致しないように所
定の角度をなして交差しており、わずかなずれが生じて
も、打ち抜きかすや抜きだれ、髭状の打ち抜き片が発生
することなく形成でき、打痕やリードの変形および順送
り金型の破損の発生を防止することが可能となる。ま
た、サポートバーの輪郭線に突出部を形成することにな
るため、サポートバーの強度が向上し、半導体素子搭載
ステージのねじれや変形を防止することが可能となる。
部の打ち抜き領域の輪郭線が互いに一致しないように所
定の角度をなして交差しており、わずかなずれが生じて
も、打ち抜きかすや抜きだれ、髭状の打ち抜き片が発生
することなく形成でき、打痕やリードの変形および順送
り金型の破損の発生を防止することが可能となる。ま
た、サポートバーの輪郭線に突出部を形成することにな
るため、サポートバーの強度が向上し、半導体素子搭載
ステージのねじれや変形を防止することが可能となる。
次に、本発明の実施例について第３図を参照しつつ説
明する。
明する。
この例では、サポートバー35が、該サポートバーの幅
方向の両側に突出する第１の幅広部35aと、この第１の
幅広部のさらに両側に突出する第２の幅広部35bを介し
て半導体素子搭載部34に接続されていることを特徴とす
るものである。
方向の両側に突出する第１の幅広部35aと、この第１の
幅広部のさらに両側に突出する第２の幅広部35bを介し
て半導体素子搭載部34に接続されていることを特徴とす
るものである。
すなわち、第１の打ち抜き領域で形成されるサポート
バーの輪郭線と第２の打ち抜き領域で形成されるサポー
トバーの側縁よりも中間の第３の打ち抜き領域の側縁が
突出するようにし、この突出部で互いに直交する部分を
形成するようにサポートバーの側縁が形成されているこ
とを特徴とするものである。
バーの輪郭線と第２の打ち抜き領域で形成されるサポー
トバーの側縁よりも中間の第３の打ち抜き領域の側縁が
突出するようにし、この突出部で互いに直交する部分を
形成するようにサポートバーの側縁が形成されているこ
とを特徴とするものである。
製造に際しては、まず、第３図（ａ）に示すように、
銅を主成分とする帯状材料を、所望の形状のインナーリ
ード、アウターリード、ダムバーなどの抜き型を具備し
た第１の順送り金型（図示せず）に装着し、プレス加工
を行なうことにより、半導体素子搭載ステージ34となる
領域に向かって収斂する複数の第１の打ち抜き部32を形
成し、インナーリード33の側面を形成すると共に、半導
体素子搭載ステージ34を支持するサポートバー35ならび
にアウターリード31を形成する。
銅を主成分とする帯状材料を、所望の形状のインナーリ
ード、アウターリード、ダムバーなどの抜き型を具備し
た第１の順送り金型（図示せず）に装着し、プレス加工
を行なうことにより、半導体素子搭載ステージ34となる
領域に向かって収斂する複数の第１の打ち抜き部32を形
成し、インナーリード33の側面を形成すると共に、半導
体素子搭載ステージ34を支持するサポートバー35ならび
にアウターリード31を形成する。
この後、サポートバーの輪郭縁3Aの延長線上に一致し
ないが同一方向に伸びる側縁3Bを有有すると共に、この
複数の第１の打ち抜き部32の先端から、インナーリード
33先端3Dの連結部（タイバー37）となる領域分の所定の
間隔をおいて、半導体素子搭載ステージ34となる領域の
４辺に沿ってそれぞれ４つの第２の打ち抜き部38を形成
する。このようにして、第２図（ａ）に全体図を示した
のと同様に、第１の打ち抜き部32と第２の打ち抜き部38
に囲まれた４つの十字領域39を有する中間段階のリード
フレームが得られる。
ないが同一方向に伸びる側縁3Bを有有すると共に、この
複数の第１の打ち抜き部32の先端から、インナーリード
33先端3Dの連結部（タイバー37）となる領域分の所定の
間隔をおいて、半導体素子搭載ステージ34となる領域の
４辺に沿ってそれぞれ４つの第２の打ち抜き部38を形成
する。このようにして、第２図（ａ）に全体図を示した
のと同様に、第１の打ち抜き部32と第２の打ち抜き部38
に囲まれた４つの十字領域39を有する中間段階のリード
フレームが得られる。
そして、このインナーリード33の先端3Dをタイバー37
で一体的に連結した状態で、熱処理および鍍金処理等の
所定の処理を行う。
で一体的に連結した状態で、熱処理および鍍金処理等の
所定の処理を行う。
そしてさらに、第３図（ｂ）に示すように、第２図の
順送り金型を用いて、前記第２の打ち抜き部38の側縁3B
および第１の打ち抜き領域32で形成される前記サポート
バー35の輪郭線3Aの間隔よりも幅広間隔のサポートバー
35の中間部の輪郭線3Cを形成する４つの第３の打ち抜き
部30を形成し、前記サポートバーに直交して設けられた
タイバー37を切除し、インナーリード33の先端部1Dを形
成して、インナーリード33相互間を分割形成し、リード
フレームが完成される。この方法では、第１の打ち抜き
領域で形成されるサポートバーの輪郭線と第２の打ち抜
き領域で形成されるサポートバーの側縁とに第３の打ち
抜き領域の側縁は一致せず、互いに直交する部分を形成
するようにサポートバーの側縁が形成されている。
順送り金型を用いて、前記第２の打ち抜き部38の側縁3B
および第１の打ち抜き領域32で形成される前記サポート
バー35の輪郭線3Aの間隔よりも幅広間隔のサポートバー
35の中間部の輪郭線3Cを形成する４つの第３の打ち抜き
部30を形成し、前記サポートバーに直交して設けられた
タイバー37を切除し、インナーリード33の先端部1Dを形
成して、インナーリード33相互間を分割形成し、リード
フレームが完成される。この方法では、第１の打ち抜き
領域で形成されるサポートバーの輪郭線と第２の打ち抜
き領域で形成されるサポートバーの側縁とに第３の打ち
抜き領域の側縁は一致せず、互いに直交する部分を形成
するようにサポートバーの側縁が形成されている。
このようにして形成されたリードフレームによれば各
部の打ち抜き領域の輪郭線が互いに一致しないように角
度をなして交差しており、わずかなずれが生じても、打
ち抜きかすや抜きだれ、髭状の打ち抜き片等が発生する
ことなく形成でき、打痕やリードの変形および順送り金
型の破損の発生を防止することが可能となる。
部の打ち抜き領域の輪郭線が互いに一致しないように角
度をなして交差しており、わずかなずれが生じても、打
ち抜きかすや抜きだれ、髭状の打ち抜き片等が発生する
ことなく形成でき、打痕やリードの変形および順送り金
型の破損の発生を防止することが可能となる。
また、サポートバーの輪郭線に突出部を形成すること
になるため、サポートバーの強度が向上し、半導体素子
搭載ステージのねじれや変形を防止することが可能とな
る。
になるため、サポートバーの強度が向上し、半導体素子
搭載ステージのねじれや変形を防止することが可能とな
る。
また、前記実施例では、リードフレーム材料として銅
を用いたが、銅に限定されることなく、たの材料を用い
てもよいことは言うまでもない。
を用いたが、銅に限定されることなく、たの材料を用い
てもよいことは言うまでもない。
さらにまた、各工程での成形領域の形状等について
は、適宜変更可能である。
は、適宜変更可能である。
以上説明してきたように、本発明のリードフレームに
よれば、サポートバーの半導体素子搭載部との接続領域
で両側に突出するように幅広部を形成し、十字状領域を
構成しているため、十字状領域の存在により半導体素子
搭載部の変形を防止することができ、また半導体素子搭
載部と幅広部との間にも封止樹脂が入り込むため、熱に
よる膨脹が生じても、この十字状の突出部で引っ張り力
が吸収され、半導体素子搭載部が変形するのを防止する
ことができる。
よれば、サポートバーの半導体素子搭載部との接続領域
で両側に突出するように幅広部を形成し、十字状領域を
構成しているため、十字状領域の存在により半導体素子
搭載部の変形を防止することができ、また半導体素子搭
載部と幅広部との間にも封止樹脂が入り込むため、熱に
よる膨脹が生じても、この十字状の突出部で引っ張り力
が吸収され、半導体素子搭載部が変形するのを防止する
ことができる。
また、サポートバーの輪郭線に突出部を形成すること
になるため、サポートバーの強度が向上し、半導体素子
搭載ステージのねじれや変形を防止することが可能とな
る。
になるため、サポートバーの強度が向上し、半導体素子
搭載ステージのねじれや変形を防止することが可能とな
る。
第１図（ａ）および第１図（ｂ）は本発明の参考例のリ
ードフレームの製造工程を示す部分説明図、第２図
（ａ）および第２図（ｂ）は同リードフレームの製造工
程を示す全体説明図、第３図（ａ）および第３図（ｂ）
は本発明実施例リードフレームの製造工程を示す部分説
明図、第４図（ａ）および第４図（ｂ）は従来例のリー
ドフレームの製造工程を示す部分説明図、第５図（ａ）
および第５図（ｂ）は同リードフレームの製造工程を示
す全体説明図である。 51……インナーリード、52……半導体素子搭載ステー
ジ、53……サポートバー、54……タイバー、5A……第１
の打ち抜き部、5F……先端、5B……第２の打ち抜き部、
5D……第３の打ち抜き部、11……枠体、12……第１の打
ち抜き部、13……インナーリード、14……半導体素子搭
載ステージ、15……サポートバー、17……タイバー、18
……第２の打ち抜き部、19……十字領域、22……アウタ
ーリード、1A……輪郭縁、1C……輪郭線、1D……先端
部、20……第３の打ち抜き部、31……アウターリード、
32……第１の打ち抜き部、33……インナーリード、34…
…半導体素子搭載ステージ、35……サポートバー、37…
…タイバー、38……第２の打ち抜き部。
ードフレームの製造工程を示す部分説明図、第２図
（ａ）および第２図（ｂ）は同リードフレームの製造工
程を示す全体説明図、第３図（ａ）および第３図（ｂ）
は本発明実施例リードフレームの製造工程を示す部分説
明図、第４図（ａ）および第４図（ｂ）は従来例のリー
ドフレームの製造工程を示す部分説明図、第５図（ａ）
および第５図（ｂ）は同リードフレームの製造工程を示
す全体説明図である。 51……インナーリード、52……半導体素子搭載ステー
ジ、53……サポートバー、54……タイバー、5A……第１
の打ち抜き部、5F……先端、5B……第２の打ち抜き部、
5D……第３の打ち抜き部、11……枠体、12……第１の打
ち抜き部、13……インナーリード、14……半導体素子搭
載ステージ、15……サポートバー、17……タイバー、18
……第２の打ち抜き部、19……十字領域、22……アウタ
ーリード、1A……輪郭縁、1C……輪郭線、1D……先端
部、20……第３の打ち抜き部、31……アウターリード、
32……第１の打ち抜き部、33……インナーリード、34…
…半導体素子搭載ステージ、35……サポートバー、37…
…タイバー、38……第２の打ち抜き部。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子搭載部と、前記半導体素子搭載
部を支持するサポートバーと、前記半導体素子搭載部を
取り囲むように配設された複数のインナーリードと、イ
ンナーリードそれぞれに連続した複数のアウターリード
とを備えたリードフレームにおいて、 前記サポートバーが前記半導体素子搭載部に接続する箇
所で幅広部が構成されると共に、該サポートバーの通常
幅部とこの幅広部との境界部の両側縁に突出部が対称に
形成されることにより十字状の領域が構成されることを
特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321075A JPH0821669B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321075A JPH0821669B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03181160A JPH03181160A (ja) | 1991-08-07 |
| JPH0821669B2 true JPH0821669B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=18128530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1321075A Expired - Fee Related JPH0821669B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821669B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674746B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2007-01-25 | 엘에스전선 주식회사 | 압착부가 형성된 리드프레임 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4891869U (ja) * | 1972-02-07 | 1973-11-05 | ||
| JPS53114353A (en) * | 1978-01-23 | 1978-10-05 | Hitachi Ltd | Forming work method for plate material |
| JPH01133340A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-25 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1321075A patent/JPH0821669B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03181160A (ja) | 1991-08-07 |
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Legal Events
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