JPH03181160A

JPH03181160A - 半導体装置用リードフレーム

Info

Publication number: JPH03181160A
Application number: JP32107589A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Higuchi; 樋口　正幸; Hideki Nakajima; 英樹中島
Original assignee: Mitsui High Tec Inc
Current assignee: Mitsui High Tec Inc
Priority date: 1989-12-11
Filing date: 1989-12-11
Publication date: 1991-08-07
Anticipated expiration: 2011-03-04
Also published as: JPH0821669B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は半導体装置用リードフレームに係り、特にその
リードフレームのサポートバーの形状に関する。

（従来の技術）半導体装置用リードフレームは、フォトエツチング法ま
たはプレス加工のいずれかの方法によって、金属帯状材
料の形゛状加工を行い形成される。

特に、プレス加工により形成されるリードフレームにつ
いては、インナーリードの全てを１回の打ち抜き工程で
成型することは困難であるため、順送り金型を用い、複
数のステーションに分割して打ち抜くように設計される
。

しかしながら、最近のリードフレームでは、インナーリ
ード先端部の板厚よりもリードピッチが狭くなる傾向に
あり、例えば、板Ｗｏ、ｌ５ＩＩｌａ＋に対し、０．１
〜０．Ｉ２ｍｍの幅で打ち抜きを行わなければならない
こともある。そこで、インナーリード先端部の位置ずれ
を防ぐために、隣接するインナーリドの先端を連結する
連結部を残して形状加工を行い、インナーリード相互間
の接続のためのテーピング工程、熱処理あるいは鍍金処
理などの処理工程を経た後、最後にこの連結部を除去す
る方法が堤案されている。

この方法は通常法のような工程で行われる。

例えば、従来、まず、第４図（ａ）に示すように、第１
の順送り金型を用いて半導体素子搭載ステージ５２とな
る領域に向かって収斂する複数の第１の打ち抜き部５Ａ
を形成し、インナーリード５１の側面を形成すると共に
、半導体素子搭載ステジ５２を支持するサポートバー５
３を形成する。

この後、この複数の第１の打ち抜き部５Ａの先端から、
インナーリード５１先端５Ｆの連結部（タイバー５４）
となる領域性の所定の間隔をおいて、第５図（ａ）にこ
の中間段階のリードフレームの全体図を示すように、第
２の打ち抜き部５Ｂを形成する。

そして、このインナーリード５１の先端５Ｆをタイバー
５４で一体的に連結した状態で、熱処理および鍍金処理
等の所定の処理を行う。

そしてさらに、第４図（ｂ）に示すように、第２の順送
り金型を用いて第３の打ち抜き部５Ｄを形成し、前記サ
ポートバーに直交して設けられたタイバー５４を切除し
、インナーリード５１の先端Ｆを形成し、分割形威し、
第５図（ｂ）に全体図を示すようなリードフレームか完
成される。この方法では、第１の打ち抜き領域で形成さ
れるサボトバーの輪郭線と第２の打ち抜き領域で形成さ
れるサポートバーの側縁とに第３の打ち抜き領域は一致
しサポートバーの側縁は一直線となるように形成されて
いる。

（発明が解決しようとする課題）このような方法で形成されたリードフレームは、順送り
金型を構成するポンチおよびダイのクリアランスおよび
被加工材の表面条件および位置決め情度等の条件によっ
て第１の打ち抜き領域で形成されるサポートバーの輪郭
線と第２の打ち抜き領域で形成されるサポートバーの側
縁とに第３の打ち抜き領域を正確に一致させて打ち抜き
を行うことは極めて困難であった。このため、微小な位
置の変位によっては微細な打ち抜きカスや抜きだれ、詫
状の打ち抜き片等が生じやすく、これらが被加圧ヰ４の
表面に脱落して傷を生じたり、リードの変形を牛じたり
する原因となっていた。

また、金型の破損の原因となることもあり、リードフレ
ームのコストの上昇および歩留まり低下の原因となって
いた。

さらに、半導体装置の高集積化に伴い、多ピン化が進み
、サポートバーの幅も細くなっており、半導体素子搭載
ステージを良好に支持することができす、プレス打ち抜
き工程でねじれが生じたり、樹脂封ＩＬ等による応力に
よって変形が生じたりするという問題があった。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、高品質で
かつ低コストのリードフレームを提供することを目的と
する。

（課題を解決するための手段）そこで本発明の第１のリードフレームでは、半導体素子
搭載部を支持し、外方に向かって伸長するサポートバー
が、該サポートバーの幅方向の両側に突出する第１の幅
広部と、この第１の幅広部のさらに両側に突出する第２
の幅広部を介して半導体素子搭載部に接続されるように
している。

また、本発明の第２のリードフレームでは、半導体素子
搭載部を支持し、外方に向かって伸長するサポートバー
が、該半導体素子搭載部から伸長する連結領域と、該連
結領域および該サポートバーの両者の幅方向の両側に突
出する幅広部とを介して半導体素子搭載部に接続される
ようにしている。

（作用）本発明によれば、各部の打ち抜き領域の輪郭線が一致し
ないように、あらかじめ許容し得る形状の突出領域を設
定しているため、打ち抜きを行うに際１２、各部の打ち
抜き領域の輪郭線が互いに一致しないように所定の角度
をなして交差するようになっており、わずかなずれが生
じても、打ち抜きかすや抜きだれ、泥状の打ち抜き片等
が発生することなく形成でき、打痕やリードの変形およ
び順送り金型の破損の発生を防止することが可能となる
。

すなわち、前記第１のリードフレームではサボトハーか
、該サポートバーの幅方向の両側に突出する第１の幅広
部と、この第１の幅広部のさらに両側に突出する第２の
幅広部を介して半導体素子搭載部に接続されるため、打
ち抜きを行うに際し、各部の打ち抜き領域の輪郭線が瓦
いに一致しないように所定の角度をなして交差するよう
にすることができる。

また、前記第２のリードフレームでもサポートバーが、
該’Ｉ′、”Ｆ体素子搭載部から伸長する連結領域と、
該連結領域および該サポートバーの両者のモｚｉ方向の
両側に突出する幅広部とを介して半導体素子搭載部に接
続されるため、打ち抜きを行うに際し、各部の打ち抜き
領域の輪郭線が互いに一致しないように所定の角度をな
して交差するようにすることができる。

（実施例）以下、本発明実施例のリードフレームの製造方法につい
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。

実施例１本発明の第１の実施例のリードフレームでは、サポート
バー１５が、該半導体素子搭載部から伸長する連結領域
１５ａと、該連結領域および該サポートバーの両者の幅
方向の両側に突出する幅広部１５ｂとを介して半導体素
子搭載部１４に接続されていることを特徴とするもので
ある。

製造に際しては、まず、第１図（ａ）に示すように、銅
を主成分とする帯状材料を、所望の形状のインナーリー
ド、アウターリード、ダムバーなどの抜き型を具備した
第１の順送り金型（図示せず）に装着し、プレス加工を
行なうことにより、半導体素子搭載ステージ１４となる
領域に向かって収斂する複数の第１の打ち抜き部１２を
形成し、インナーリート１３の側面を形成すると共に、
半導体素子搭載ステージ１４を支持するサポートバー１
５ならびにアウターリード２１を形成する。

この後、サポートリードの輪郭縁ＩＡの延長線上に一致
しないか同一方向に伸びる側縁ＩＢを有すると１（に、
この複数の第１の打ち抜き部１２の先端から、インナー
リード１３先端ＩＤの連結部（タイバー１７）となる領
域分の所定の間隔をおいて、゛１′導体素子搭載ステー
ジ１４となる領域の４辺に沿ってそれぞれ４つの第２の
打ち抜き部１８を形成する。このようにして、第２図（
ａ）に全体図を示すように、第１の打ち抜き部１２と第
２の打ち扱き部１８に囲まれた４つの十字領域１つをａ
する中間段階のリードフレームが得られる。

そして、このインナーリード１３の先端ＩＤをタイバー
１７で一体的に連結した状態で、熱処理および鍍金処理
等の所定の処理を行う。

そしてさらに、第１図（ｂ）に示すように、第２の順送
り金型を用いて、前記第２の打ち抜き部１８の側縁ＩＢ
と交差し、かつ第１の打ち抜き領域１２て形成される前
記サポートバー１５の輪郭線ＩＡの間隔よりも幅広間隔
のサポートパー１５中間部の輪−郭線ＩＣを形成する４
つの第３の打ち抜き部２０を形成し、前記サポートバー
に直交して設けられたタイバー１７を切除し、インナー
リード１３の先端部ＩＤを形成して、インナ−リード１
３相互間を分割形成し、第２図（ｂ）に示すようなリー
ドフレームが完成される。この方法では、第１の打ち抜
き領域で形成されるサポートバーの輪郭線と第２の打ち
抜き領域で形成されるサポートバーの側縁とに第３の打
ち抜き領域の側縁は一致せず、互いに直交する部分を形
成するようにサポートバーの側縁が形成されている。

このようにして形成されたリードフレームによれば各部
の打ち抜き領域の輪郭線が互いに一致しないように所定
の角度をなして交差しており、わずかなずれが生じても
、打ち抜きかすや抜きだれ、泥状の打ち抜き片等が発生
することなく形成てき、打痕やリードの変形および順送
り金型の破損の発生を防止することが可能となる。また
、サポートバーの輪郭線に突出部を形成することになる
ため、サポートバーの強度が向上し、半導体素子搭載ス
テージのねじれや変形を防止することが可能となる。

実施例２次に、本発明の第２の実施例について説明する。

この例では、サポートバー３５が、該サポートバーの幅
方向の両側に突出する第１の幅広部３５ａと、この第１
の幅広部のさらに両側に突出する第２の幅広部３５ｂを
介して半導体素子搭載部３４に接続されていることを特
徴とするものである。

すなわち、第１の打ち抜き領域で形成されるサポートバ
ーの輪郭線と第２の打ち抜き領域で形成されるサポート
バーの側縁よりも中間の第３の打ち抜き領域の側縁が突
出するようにし、この突出部で亙いに直交する部分を形
成するようにサポートバーの側縁が形成されていること
を特徴とするものである。

製造に際しては、まず、第３図（ａ）に示すように、銅
を主成分とする帯状材料を、所望の形状のインナーリー
ド、アウターリード、ダムバーなどの扶き型を具備した
第１の順送り金型（図示せず）に装着し、プレス加工を
行なうことにより、半導体素子搭載ステージ３４となる
領域に向かって収斂する複数の第１の打ち抜き部３２を
形成し、インナーリード３３の側面を形成すると共に、
半導体素子搭載ステージ３４を支持するサポートバー３
５ならびにアウターリード３１を形成する。

この後、サポートバーの輪郭縁３Ａの延長線上に一致し
ないが同一方向に伸びる側縁３Ｂを有有するとノ（に、
この複数の第１の打ち抜き部３２の先端から、インナー
リード３３先端３Ｄの連結部（タイバー３７）となる領
域性の所定の間隔をおいて、半導体素子搭載ステージ３
４となる領域の４辺に沿ってそれぞれ４つの第２の打ち
抜き部３８を形成する。このようにして、第２図（ａ）
に全体図を示したのと同様に、第１の打ち抜き部３２と
第２の打ち抜き部３８に囲まれた４つの十字領域３つを
有する中間段階のリードフレームが得られる。

そして、このインナーリード３３の先端３Ｄをタイバー
３７で一体的に連結した状態で、熱処理および鍍金処理
等の所定の処理を行う。

そしてさらに、第３図（ｂ）に示すように、第２の順送
り金型を用いて、前記第２の打ち抜き部３８の側縁３Ｂ
および第１の打ち抜き領域３２で形成される前記サポー
トバー３５の輪郭線３Ａの間隔よりも幅広間隔のサポー
トバー３５の中間部の輪郭線３Ｃを形成する４つの第３
の打ち抜き部３０を形成し、前記サポートバーに直交し
て設けられたタイバー３７を切除し、インナーリード３
３の先端部ＩＤを形成して、インナ−リード３３相斥間
を分割形威し、リードフレームが完成される。

このｌｊ法では、第１の打ち抜き領域で形成されるサポ
ートバーの輪郭線と第２の打ち抜き領域で形成されるサ
ポートバーの側縁とに第３の打ち抜き領域の側縁は一致
せず、亙いに直交する部分を形成するようにサポートバ
ーの側縁が形成されている。

このようにして形成されたリードフレームによれば各部
の打ち抜き領域の輪郭線が互いに一致しないように角度
をなして交差しており、わずかなずれが生じても、打ち
抜きかすや抜きだれ、泥状の打ち抜き片等が発生するこ
となく形成でき、打痕やリードの変形および順送り金型
の破損の発生を防Ｉヒすることが可能となる。

また、サポートバーの輪郭線に突出部を形成することに
なるため、サポートバーの強度が向上し、半導体素子搭
載ステージのねじれや変形を防止することが可能となる
。

また、前記実施例では、リードフレーム材料として銅を
用いたが、銅に限定されることなく、たの材料を用いて
もよいことは言うまでもない。

さらにまた、各工程での成形領域の形状等については、
適宜変更可能である。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明のリードフレームによ
れば、サポートバーが、該サポートバーの幅方向の両側
に突出する第１の幅広部と、この第１の幅広部のさらに
両側に突出する第２の幅広部を介して半導体素子搭載部
に接続されるかあるいは、該半導体素子搭載部から伸長
する連結領域と、該連結領域および該サポートバーの両
者の幅方向の両側に突出する幅広部とを介して半導体素
子搭載部に接続されているため、打ち抜きかすや抜きた
れ、泥状の打ち抜き片等が発生することなく形成でき、
打痕やリードの変形および順送り金型の破損の発生を防
１卜することが可能となり、安価で低コストのリードフ
レームを提供することが０１能となる。

また、サポートバーの輪郭線に突出部を形成することに
なるため、サポートバーの強度が向上し、゛１ｔ、導体
素了−搭Ｍステージのねしれや変形を防止することが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）および第１図（ｂ）は本発明の第１の実施
例のリードフレームの製造工程を示す部分説明図、第２
図（ａ）および第２図（ｂ）は同リードフレームの製造
工程を示す全体説明図、第３図（ａ）および第３図（ｂ
）は本発明の第２の実施例のリードフレームの製造工程
を示す部分説明図、第４図（ａ）および第４図（ｂ）は
従来例のリードフレームの製造工程を示す部分説明図、
第５図（ａ）および第５図（ｂ）は同リードフレームの
製造工程を示す全体説明図である。５１・・・インナーリード、５２・・・半導体素子搭載
ステージ、５３・・・サポートバー　５４・・・タイバ
ー５Ａ・・第１の打ち抜き部、５Ｆ・・・先端、５Ｂ・
・・第２の打ち抜き部、５Ｄ・・・第３の打ち抜き部、
１１・・・枠体、１２・・・第１の打ち抜き部、１３・
・・インナーリード、１４・・・半導体素子搭載ステー
ジ、１５・・・サポートバー　１７・・・タイバー　１
８・・・第２の打ち抜き部、１つ・・・十字領域、２２
・・・アウターリド、ＩＡ・・・輪郭縁、ＩＣ・・・輪
郭線、ＩＤ・・・先端部、２０・・・第３の打ち抜き部
、３１・・・アウターリド、３２・・・第１の打ち抜き
部、３３・・・インナーリド、３４・・・半導体素子搭載ステージ、５　・・・サポートバ３７・・・タイバー３８・・・第２の打ち抜き部。・”、、、］−１１（ａ）（ｂ）第１図第２図（ａ）第２図（ｂ）（Ｑ）第３図（ｂ）１５Ａ３（Ｃ１）第４図第５図（Ｑ）第５図（ｂ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体素子搭載部と、幅方向の両側に突出する第１の幅広部と前記第１の幅広
部のさらに両側に突出する第２の幅広部とを介して前記
半導体素子搭載部を支持するサポートバーと、前記半導体素子搭載部の周縁から所定の間隔をおいて伸
長する複数のインナーリードと、各インナーリードにそ
れぞれ連設されたアウターリードとを具備したことを特
徴とする半導体装置用リードフレーム。
（２）半導体素子搭載部と、前記半導体素子搭載部から伸長する連結領域と、該連結
領域およびサポートバーの両者の幅方向の両側に突出す
る幅広部とを介して半導体素子搭載部を支持するサポー
トバーと、前記半導体素子搭載部の周縁から所定の間隔をおいて伸
長する複数のインナーリードと、各インナーリードにそ
れぞれ連設されたアウターリードとを具備したことを特
徴とする半導体装置用リードフレーム。