JPH02202045A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、リードフレームの製造方法に係り、特に、そ
の形状加工に関する。
の形状加工に関する。
（従来の技術）
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の実装に際して用いられる
リードフレームは、鉄系あるいは銅系等の帯状の金属材
料（条材）をプレス加工又はエツチングにより所望のパ
ターンに成形することによって形成される。
リードフレームは、鉄系あるいは銅系等の帯状の金属材
料（条材）をプレス加工又はエツチングにより所望のパ
ターンに成形することによって形成される。
通常、リードフレーム１は、第２図に示す如く、半導体
集積回路チップ（以下半導体チップ）２を搭載するダイ
パッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめ
られた複数のインナーリード１２とインナーリード１２
を一体的に連結するタイバー１３と、各インナーリード
に連結せしめられタイバーの外側に伸張するアウターリ
ード１４と、タイバー１３を両サイドから支持するサイ
ドパー１５．１６と、ダイパッド１１を支持するすボー
トパー１７とから構成されている。
集積回路チップ（以下半導体チップ）２を搭載するダイ
パッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめ
られた複数のインナーリード１２とインナーリード１２
を一体的に連結するタイバー１３と、各インナーリード
に連結せしめられタイバーの外側に伸張するアウターリ
ード１４と、タイバー１３を両サイドから支持するサイ
ドパー１５．１６と、ダイパッド１１を支持するすボー
トパー１７とから構成されている。
このようなリードフレームを用いて実装せしめられる半
導体装置は第３図に示す如くであり、リードフレーム１
のダイパッド１１上に、半導体チップ２を搭載し、この
半導体チップのポンディングパッドとリードフレームの
インナーリード１２とを金線あるいはアルミ線のボンデ
ィングワイヤ３によって結線し、更にこれらを樹脂やセ
ラミック等の封止材料４で封止した後、タイバーやサイ
ドバーを切断し、アウターリードを所望の形状に折り曲
げて完成せしめられる。
導体装置は第３図に示す如くであり、リードフレーム１
のダイパッド１１上に、半導体チップ２を搭載し、この
半導体チップのポンディングパッドとリードフレームの
インナーリード１２とを金線あるいはアルミ線のボンデ
ィングワイヤ３によって結線し、更にこれらを樹脂やセ
ラミック等の封止材料４で封止した後、タイバーやサイ
ドバーを切断し、アウターリードを所望の形状に折り曲
げて完成せしめられる。
ところで、このようなリードフレームはプレス加工で成
型する場合、帯状材料をリードフレーム打抜用金型内で
連続的に打ち抜くことにより製造されるため、打ち抜か
れたリード表面は、第４図（ａ）に示すように抜きダレ
ｄに起因して凸面形状となり、裏面側は抜きパリｂに起
因して凹面形状となっている。
型する場合、帯状材料をリードフレーム打抜用金型内で
連続的に打ち抜くことにより製造されるため、打ち抜か
れたリード表面は、第４図（ａ）に示すように抜きダレ
ｄに起因して凸面形状となり、裏面側は抜きパリｂに起
因して凹面形状となっている。
ところで、アウターリードは、封止後、所望の形状に折
り曲げられるため、抜きパリ側から折り曲げられると、
折り曲げ作業時にパリが折り曲げパンチによってこすら
れ、金属粉が発生することがある。
り曲げられるため、抜きパリ側から折り曲げられると、
折り曲げ作業時にパリが折り曲げパンチによってこすら
れ、金属粉が発生することがある。
また、第５図（ａ）および第５図（ｂ）に示すように、
樹脂封止に際し、パッケージラインｐからタイバー付近
ｔにかけてのリード間では、樹脂封止用金型との間に隙
間を作ることになり、樹脂パリが生じるが、この抜きダ
レのために、断面がシャープな直角とはならず丸くなっ
ているため、第６図に示すように樹脂パリ除去用パンチ
によって樹脂パリを除去した後も、この丸くなった部分
に入り込んだ樹脂パリは残留してしまう。このような樹
脂パリは、タイバーカット工程においてら容易には剥離
されず、樹脂パリが付着したまま搬送されることが多い
、このように付着したまま搬送された場合、搬送途中で
この樹脂パリが脱落し搬送装置の諸機能の障害の発生原
因となるのみならず、工場のクリーン化を阻害する原因
となるなど、数々の弊害をもたらしていた。
樹脂封止に際し、パッケージラインｐからタイバー付近
ｔにかけてのリード間では、樹脂封止用金型との間に隙
間を作ることになり、樹脂パリが生じるが、この抜きダ
レのために、断面がシャープな直角とはならず丸くなっ
ているため、第６図に示すように樹脂パリ除去用パンチ
によって樹脂パリを除去した後も、この丸くなった部分
に入り込んだ樹脂パリは残留してしまう。このような樹
脂パリは、タイバーカット工程においてら容易には剥離
されず、樹脂パリが付着したまま搬送されることが多い
、このように付着したまま搬送された場合、搬送途中で
この樹脂パリが脱落し搬送装置の諸機能の障害の発生原
因となるのみならず、工場のクリーン化を阻害する原因
となるなど、数々の弊害をもたらしていた。
そこで、このリードの角部に残留するパリを除去するた
めに、化学的または機械的処理によりこのパリを除去す
るデイフラッシャ−工程を必要とし、工数増大の原因と
なっていた。
めに、化学的または機械的処理によりこのパリを除去す
るデイフラッシャ−工程を必要とし、工数増大の原因と
なっていた。
また、エツチング法により形状加工がなされる場合、通
常エツチングは等方的に進行するため、第７図に示すよ
うに、厚みの中央部分が幅広となっており、断面が直角
とはならず、打ち抜き法による場合と同様、リードの角
部に残留するパリによる数々の問題があった。
常エツチングは等方的に進行するため、第７図に示すよ
うに、厚みの中央部分が幅広となっており、断面が直角
とはならず、打ち抜き法による場合と同様、リードの角
部に残留するパリによる数々の問題があった。
（発明が解決しようとする課題）
このように、従来、打ち抜き法による場合にもエツチン
グ法による場合にも、インナーリードの断面が直角とは
ならず、このリードの角部に残留するパリに起因するい
ろいろな問題があり、これが信頼性低下の原因となって
いた。
グ法による場合にも、インナーリードの断面が直角とは
ならず、このリードの角部に残留するパリに起因するい
ろいろな問題があり、これが信頼性低下の原因となって
いた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、樹脂パリ
の残留を防止し、信頼性の高いリードフレームを提供す
ることを目的とする。
の残留を防止し、信頼性の高いリードフレームを提供す
ることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
そこで本発明のリードフレームの製造方法では、条材か
らリードフレームを成型する成型工程において、余材か
ら前記インナーリード、アウターリードおよびタイバー
を含むリードフレームとなるように形状加工したのち、
少なくともインナーリードの樹脂封止領域の外側端部付
近を、角部が直角となるように整形する仕上げ成型をお
こなうようにしている。
らリードフレームを成型する成型工程において、余材か
ら前記インナーリード、アウターリードおよびタイバー
を含むリードフレームとなるように形状加工したのち、
少なくともインナーリードの樹脂封止領域の外側端部付
近を、角部が直角となるように整形する仕上げ成型をお
こなうようにしている。
（作用）
上記構成によれば、仕上げ成型工程により、少なくとも
インナーリードの樹脂封止領域の外側端部付近では、角
部が直角となるように整形されるため、樹脂が角部に入
り込むことはなくなり、樹脂パリの残留を抑制すること
ができる。
インナーリードの樹脂封止領域の外側端部付近では、角
部が直角となるように整形されるため、樹脂が角部に入
り込むことはなくなり、樹脂パリの残留を抑制すること
ができる。
従って、搬送に際しては樹脂パリの残留は無いため、搬
送途中で樹脂パリが脱落し搬送装置の諸機能に障害を与
えたり、工場のクリーン化を阻害するというような弊害
をひきおこすことはなくなる。
送途中で樹脂パリが脱落し搬送装置の諸機能に障害を与
えたり、工場のクリーン化を阻害するというような弊害
をひきおこすことはなくなる。
また、付随的効果として、リード断面が直角であるため
、リード間隔に影響を与えることなく、充分な有効平面
幅を得ることができる。
、リード間隔に影響を与えることなく、充分な有効平面
幅を得ることができる。
（実施例）
以下、本発明実施例のリードフレームの製造方法につい
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、帯状材料を、所望の
形状のインナーリード、アウターリード、タイバーなど
の抜き型を具備した金型に装着し、プレス加工を行なう
ことにより、リードフレームをパターニングする。この
ときの断面図を第１図ｆｂ）に示すように、打ち抜かれ
たリード表面は、抜きダレｄに起因して凸面形状となり
、裏面側は抜きパリｂに起因して凹面形状となっている
。この工程では、インナーリードの樹脂封止領域の外側
端部付近はリード間隔が仕上げ寸法（点線で示す）より
もやや小さくなるように形成しておく。
形状のインナーリード、アウターリード、タイバーなど
の抜き型を具備した金型に装着し、プレス加工を行なう
ことにより、リードフレームをパターニングする。この
ときの断面図を第１図ｆｂ）に示すように、打ち抜かれ
たリード表面は、抜きダレｄに起因して凸面形状となり
、裏面側は抜きパリｂに起因して凹面形状となっている
。この工程では、インナーリードの樹脂封止領域の外側
端部付近はリード間隔が仕上げ寸法（点線で示す）より
もやや小さくなるように形成しておく。
次いで、この金型内で、仕上げ寸法のリード間隔となる
ように形成されたパンチを用いて、シェービング加工を
行なうことにより、第１図ＦＣ）に示すように、仕上げ
寸法のリードフレームをパタニングする。この工程では
、前記打ち抜き工程でリード間隔が仕上げ寸法よりもや
や小さくなるように形成した、インナーリードの樹脂封
止領域の外側端部付近に対し、シェービング加工を行う
。
ように形成されたパンチを用いて、シェービング加工を
行なうことにより、第１図ＦＣ）に示すように、仕上げ
寸法のリードフレームをパタニングする。この工程では
、前記打ち抜き工程でリード間隔が仕上げ寸法よりもや
や小さくなるように形成した、インナーリードの樹脂封
止領域の外側端部付近に対し、シェービング加工を行う
。
このようにして、先端部からタイバーの部分までのイン
ナーリードの断面は、直角となるように整形される。
ナーリードの断面は、直角となるように整形される。
こののち、インナーリード先端のメツキ工程等を経て、
リードフレームは完成する。
リードフレームは完成する。
このようにして形成されたリードフレームは、半導体チ
ップを固着すると共に、ワイヤボンディング工程によっ
て、リードとチップとの電気的接続を行った後、第１図
（ｄ）に示すように、樹脂封止がなされる。ここでは、
インナーリード１２の樹脂封止領域４の外側端部付近の
断面図すなわち第１図（Ｃ）のＡ−Ａ断面の部位を示す
。
ップを固着すると共に、ワイヤボンディング工程によっ
て、リードとチップとの電気的接続を行った後、第１図
（ｄ）に示すように、樹脂封止がなされる。ここでは、
インナーリード１２の樹脂封止領域４の外側端部付近の
断面図すなわち第１図（Ｃ）のＡ−Ａ断面の部位を示す
。
このとき、パッケージラインｐからタイバー付近ｔにか
けてのリード間では、樹脂封止用金型との間に隙間を作
ることになり、樹脂パリが生じているが、第１図（ｅ）
に示すように、リード断面がシャープな直角となってい
るため、樹脂パリ除去用パンチによって樹脂パリは残留
すること無く完全に除去せしめられる。（第１図（ｆ）
）そして、通常の如く、タイバーを切除し、アウターリ
ードを所望の形状に折り曲げ、実装が完了する。
けてのリード間では、樹脂封止用金型との間に隙間を作
ることになり、樹脂パリが生じているが、第１図（ｅ）
に示すように、リード断面がシャープな直角となってい
るため、樹脂パリ除去用パンチによって樹脂パリは残留
すること無く完全に除去せしめられる。（第１図（ｆ）
）そして、通常の如く、タイバーを切除し、アウターリ
ードを所望の形状に折り曲げ、実装が完了する。
なお、各部の形状は、第２図に示した従来例のＪ−１＜
フレームと全く同様であり、同一部には同一符号を付し
た。
フレームと全く同様であり、同一部には同一符号を付し
た。
このようにして形成されたリードフレームのインナーリ
ードの樹脂封止領域の外側端部は近では、角部が直角と
なるように整形されているため、樹脂が角部に入り込む
ことはなくなり、樹脂パリ除去用パンチによって樹脂パ
リは残留することなく完全に除去することができる。
ードの樹脂封止領域の外側端部は近では、角部が直角と
なるように整形されているため、樹脂が角部に入り込む
ことはなくなり、樹脂パリ除去用パンチによって樹脂パ
リは残留することなく完全に除去することができる。
従って、搬送に際しては樹脂パリの残留は無いため、搬
送途中で樹脂パリが脱落し搬送装置の諸機能に障害を与
えたり、工場のクリーン化を阻害するというような弊害
をひきおこすことはなくなる。
送途中で樹脂パリが脱落し搬送装置の諸機能に障害を与
えたり、工場のクリーン化を阻害するというような弊害
をひきおこすことはなくなる。
また、シェービング加工領域をインナーリード先端部ま
で延ばすようにすれば、付随的効果として、インナーリ
ード先端部の断面か直角であるため、リード間隔に影響
を与えることなく、充分な有効平面幅を得ることができ
、ボンディングを確実に行うことができ、信頼性が向上
する。
で延ばすようにすれば、付随的効果として、インナーリ
ード先端部の断面か直角であるため、リード間隔に影響
を与えることなく、充分な有効平面幅を得ることができ
、ボンディングを確実に行うことができ、信頼性が向上
する。
また、このようにして形成されたリードフレムは、パリ
かないため、アウターリードの折り曲げ時にも金属粉を
発生せしめることはない。
かないため、アウターリードの折り曲げ時にも金属粉を
発生せしめることはない。
さらにまた、抜きパリが、はとんどないため、リードフ
レームを積み上げた際にも、下方に位置するリードフレ
ーム表面を傷付けることもなく、また自動搬送時におい
ては、円滑な搬送をおこなうことか可能となる。
レームを積み上げた際にも、下方に位置するリードフレ
ーム表面を傷付けることもなく、また自動搬送時におい
ては、円滑な搬送をおこなうことか可能となる。
なお、実施例では、１つの金型でインナーリードもアウ
ターリードも一度に打ち抜くようにしたが、タイバーを
境界として、２つの金型を用いて、インナーリード側を
打ち抜いた後、アウターリード側を打ち抜くようにして
もよい。
ターリードも一度に打ち抜くようにしたが、タイバーを
境界として、２つの金型を用いて、インナーリード側を
打ち抜いた後、アウターリード側を打ち抜くようにして
もよい。
また、前記実施例では、打ち抜き法による成型に付いて
述べたが、条材からエツチング法により成型した場合に
も、同様にシェービング処理を行うことによって、イン
ナーリード断面を直角となるようにし同様の効果を奏功
することが可能である。
述べたが、条材からエツチング法により成型した場合に
も、同様にシェービング処理を行うことによって、イン
ナーリード断面を直角となるようにし同様の効果を奏功
することが可能である。
さらに、前記実施例では、インナーリードの樹脂封止領
域の外側端部付近にのみにシェービング処理を行うよう
にしたが、リードフレーム全体にシェービング処理を行
うようにしてもよい。
域の外側端部付近にのみにシェービング処理を行うよう
にしたが、リードフレーム全体にシェービング処理を行
うようにしてもよい。
以上説明してきたように、本発明のリードフレームの製
造方法によれば、条材からリードフレームの形状に形状
加工した後、少なくともインナーリードの樹脂封止領域
の外側端部１寸近を、角部が直角となるように整形する
仕上げ成型をおこなうようにしているため、樹脂パリの
残留をなくするすることができ、信頼性の高い半導体装
１を容易に得ることが可能となる。
造方法によれば、条材からリードフレームの形状に形状
加工した後、少なくともインナーリードの樹脂封止領域
の外側端部１寸近を、角部が直角となるように整形する
仕上げ成型をおこなうようにしているため、樹脂パリの
残留をなくするすることができ、信頼性の高い半導体装
１を容易に得ることが可能となる。
第１図（ａ）乃至第１図（ｆ）は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す説明図、第２図は従来のリ
ードフレームを示す図、第３図は、半導体装置を示す図
、第４図（ａ）および第４図（ｂ）は従来例のリードフ
レームのインナーリード先端部の製造工程を示す図、第
５図（ａ）および第５図（ｂ）は樹脂封止後のパッケー
ジラインｐからタイバー付近ｔのリード断面を示す図、
第６図は従来の樹脂パリ除去工程を示す図、第７図はエ
ツチング法により成型加工したリードフレームの断面を
示す図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体チップ、３・
・・ワイヤ、４・・・封止材料、１１・・・ダイパッド
、１２・・・インナーリード、１３・・・タイバー、１
４・・・アウターリード、１５．１６・・・サイドバー
、１７・・・サポートバー、ｄ・・・抜きダレ、ｂ・・
・抜きパリ。 第１図（Ｑ） 第１図（Ｃ） ロロロロロ 第１図（ｂ） 第１図（ｄ） 第１図 （ｆ） 第２図 第３図 １′＃ｒ脂バ′り分生箇所 第５図 （ｂ）
ドフレームの製造工程を示す説明図、第２図は従来のリ
ードフレームを示す図、第３図は、半導体装置を示す図
、第４図（ａ）および第４図（ｂ）は従来例のリードフ
レームのインナーリード先端部の製造工程を示す図、第
５図（ａ）および第５図（ｂ）は樹脂封止後のパッケー
ジラインｐからタイバー付近ｔのリード断面を示す図、
第６図は従来の樹脂パリ除去工程を示す図、第７図はエ
ツチング法により成型加工したリードフレームの断面を
示す図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体チップ、３・
・・ワイヤ、４・・・封止材料、１１・・・ダイパッド
、１２・・・インナーリード、１３・・・タイバー、１
４・・・アウターリード、１５．１６・・・サイドバー
、１７・・・サポートバー、ｄ・・・抜きダレ、ｂ・・
・抜きパリ。 第１図（Ｑ） 第１図（Ｃ） ロロロロロ 第１図（ｂ） 第１図（ｄ） 第１図 （ｆ） 第２図 第３図 １′＃ｒ脂バ′り分生箇所 第５図 （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数のインナーリードと、 該インナーリードから伸張するアウターリードと、 これらを連結するタイバーと を具えたリードフレームの製造方法において、条材から
リードフレームを成型する成型工程が 条材から前記インナーリード、アウターリードおよびタ
イバーを含むリードフレームとなるように形状加工する
予備成型工程と、 前記インナーリードの内、少なくとも樹脂封止領域の外
側端部付近を、角部が直角となるように整形する仕上げ
成型工程とを、 含むようにしたことを特徴とするリードフレームの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1021197A JP2606736B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1021197A JP2606736B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202045A true JPH02202045A (ja) | 1990-08-10 |
| JP2606736B2 JP2606736B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=12048243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1021197A Expired - Lifetime JP2606736B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2606736B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653381A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-25 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置及びそれに用いるリードフレームの製造方法 |
| DE102011086312A1 (de) | 2011-01-31 | 2012-08-02 | Mitsubishi Electric Corp. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764956A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS6313358A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造において用いるリ−ドフレ−ム |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1021197A patent/JP2606736B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764956A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS6313358A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造において用いるリ−ドフレ−ム |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0653381A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-25 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置及びそれに用いるリードフレームの製造方法 |
| DE102011086312A1 (de) | 2011-01-31 | 2012-08-02 | Mitsubishi Electric Corp. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
| JP2012160517A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8518751B2 (en) | 2011-01-31 | 2013-08-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device including removing a resin burr |
| DE102011086312B4 (de) * | 2011-01-31 | 2016-03-24 | Mitsubishi Electric Corp. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2606736B2 (ja) | 1997-05-07 |
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