JPH0622266B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0622266B2 JPH0622266B2 JP61220245A JP22024586A JPH0622266B2 JP H0622266 B2 JPH0622266 B2 JP H0622266B2 JP 61220245 A JP61220245 A JP 61220245A JP 22024586 A JP22024586 A JP 22024586A JP H0622266 B2 JPH0622266 B2 JP H0622266B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tie bar
- lead
- width
- semiconductor device
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置及びその製造方法の改良に関する
ものである。
ものである。
従来一般に知られているこの種の装置及びその製造方法
として第６図ないし第12図に示すものがあつた。図にお
いて、(1)はリードフレーム、(2)及び(3)はその枠を構
成する一対のリード枠、(4)はこの一対のリード枠(2)
(3)を連結するタイバー、(5)はこのタイバー(4)と連結
される複数本と外部リード、(6)はこの外部リード(5)に
タイバー(4)を介して連結された根元リード、(7)は半導
体チツプを樹脂封止するパツケージで、リード枠(2)(3)
とタイバー(4)で囲まれる位置に成形される。(8)はタイ
バー(4)と根元リード(6)とパツケージ(7)との空間に発
生されるリード間ばり、(9)はこのリード間ばり(8)を除
去するばり取りパンチで、タイバー(4)との間にクリア
ランス(B)、パツケージ(7)との間にクリアランス(C)、
根元リード(6)との間にクリアランス(D)を設けてタイバ
ー(4)とパツケージ(7)と根元リード(6)との間に挿入さ
れる。(10)はばり取りパンチ(9)を抜き取りされた後に
残留するパツケージ(7)側のばり残り、(11)は根元リー
ド(6)側のばり残りである。
として第６図ないし第12図に示すものがあつた。図にお
いて、(1)はリードフレーム、(2)及び(3)はその枠を構
成する一対のリード枠、(4)はこの一対のリード枠(2)
(3)を連結するタイバー、(5)はこのタイバー(4)と連結
される複数本と外部リード、(6)はこの外部リード(5)に
タイバー(4)を介して連結された根元リード、(7)は半導
体チツプを樹脂封止するパツケージで、リード枠(2)(3)
とタイバー(4)で囲まれる位置に成形される。(8)はタイ
バー(4)と根元リード(6)とパツケージ(7)との空間に発
生されるリード間ばり、(9)はこのリード間ばり(8)を除
去するばり取りパンチで、タイバー(4)との間にクリア
ランス(B)、パツケージ(7)との間にクリアランス(C)、
根元リード(6)との間にクリアランス(D)を設けてタイバ
ー(4)とパツケージ(7)と根元リード(6)との間に挿入さ
れる。(10)はばり取りパンチ(9)を抜き取りされた後に
残留するパツケージ(7)側のばり残り、(11)は根元リー
ド(6)側のばり残りである。
上記のように構成されたものにおいては、モールド（樹
脂封止）工程→リード間ばり取り工程→表面ばり取り工
程→リード加工（タイバーカツト）工程の順で加工され
る。この工程中において、樹脂封止工程後には、必ずタ
イバー(4)と根元リード(6)とパツケージ(7)との間にリ
ード間ばり(8)が発生する。このため、第10図のような
ばり取りパンチ(9)にてこのリード間ばり(8)が除去され
る。ところで、ばり取りパンチ(9)は第10図や第11図の
ように、タイバー(4)との間にクリアランス(B)、パツケ
ージ(7)との間にクリアランス(C)、根元リード(6)との
間にクリアランス(D)が設けられており、リードフレー
ム(1)の製作公差や樹脂封止時のパツケージ(7)の成形公
差の夫々のばらつきを補つている。
脂封止）工程→リード間ばり取り工程→表面ばり取り工
程→リード加工（タイバーカツト）工程の順で加工され
る。この工程中において、樹脂封止工程後には、必ずタ
イバー(4)と根元リード(6)とパツケージ(7)との間にリ
ード間ばり(8)が発生する。このため、第10図のような
ばり取りパンチ(9)にてこのリード間ばり(8)が除去され
る。ところで、ばり取りパンチ(9)は第10図や第11図の
ように、タイバー(4)との間にクリアランス(B)、パツケ
ージ(7)との間にクリアランス(C)、根元リード(6)との
間にクリアランス(D)が設けられており、リードフレー
ム(1)の製作公差や樹脂封止時のパツケージ(7)の成形公
差の夫々のばらつきを補つている。
このため、ばり取りパンチ(9)にてリード間ばり(8)を除
去する場合、パツケージ(7)との間や、根元リード(6)と
の間に夫々ばり残り(10)(11)が生じることになる。
去する場合、パツケージ(7)との間や、根元リード(6)と
の間に夫々ばり残り(10)(11)が生じることになる。
従来の半導体装置及びその製造方法は以上のようになさ
れているので、タイバーと根元リードとパッケージとの
間にばりが生じた場合、このばりのばり取り工程におい
て、パツケージが樹脂であるためパツケージとばり取り
パンチとのクリアランスを小さくすることは可能であ
り、これによりパツケージ側面のばりを小さくすること
は比較的容易であるが、根元リードは金属であるためば
り取りパンチと根元リードとのクリアランスを小さくす
ることは困難であり、特に根元リード側面にばり残りが
発生し、このばり残りを手作業にて除去しなければなら
ず、作業工程が増加するばかりでなく、生産性が著しく
低下するという問題点があつた。
れているので、タイバーと根元リードとパッケージとの
間にばりが生じた場合、このばりのばり取り工程におい
て、パツケージが樹脂であるためパツケージとばり取り
パンチとのクリアランスを小さくすることは可能であ
り、これによりパツケージ側面のばりを小さくすること
は比較的容易であるが、根元リードは金属であるためば
り取りパンチと根元リードとのクリアランスを小さくす
ることは困難であり、特に根元リード側面にばり残りが
発生し、このばり残りを手作業にて除去しなければなら
ず、作業工程が増加するばかりでなく、生産性が著しく
低下するという問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、ばり残りの除去工程を廃止できる半導体装置
及びその製造方法を得ることを目的とする。
たもので、ばり残りの除去工程を廃止できる半導体装置
及びその製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、リードフレームに半導体
チツプを樹脂封止した後に切断されるタイバーを有する
半導体装置において、上記リードフレームには樹脂パツ
ケージの外側において、この樹脂パツケージに近接する
部分のみに上記タイバーのカツト幅よりも広い幅で開口
する開口部を設けたものである。
チツプを樹脂封止した後に切断されるタイバーを有する
半導体装置において、上記リードフレームには樹脂パツ
ケージの外側において、この樹脂パツケージに近接する
部分のみに上記タイバーのカツト幅よりも広い幅で開口
する開口部を設けたものである。
また、この発明の半導体装置の製造方法は、リードフレ
ームに半導体チツプを樹脂封止した後に、タイバーを切
断する半導体装置の製造方法において、上記リードフレ
ームには樹脂パツケージの外側において、この樹脂パツ
ケージに近接する部分のみを上記タイバーのカツト幅よ
りも広い幅で開口部を形成し、上記開口部のばりと上記
タイバーとを同時に切断するようにしたものである。
ームに半導体チツプを樹脂封止した後に、タイバーを切
断する半導体装置の製造方法において、上記リードフレ
ームには樹脂パツケージの外側において、この樹脂パツ
ケージに近接する部分のみを上記タイバーのカツト幅よ
りも広い幅で開口部を形成し、上記開口部のばりと上記
タイバーとを同時に切断するようにしたものである。
この発明にかかる半導体装置及びその製造方法は、樹脂
パツケージの外側において、樹脂パツケージに近接する
部分のみが、タイバーのカツト幅よりも広い幅の開口部
で開口されており、この開口部のばりとタイバーとが同
時に切断され、タイバーカットと、ばり取り作業とが同
工程で同時に実施される。
パツケージの外側において、樹脂パツケージに近接する
部分のみが、タイバーのカツト幅よりも広い幅の開口部
で開口されており、この開口部のばりとタイバーとが同
時に切断され、タイバーカットと、ばり取り作業とが同
工程で同時に実施される。
以下、この発明の一実施例を第１図ないし第３図で説明
する。図において、(20)はタイバーカツト幅(E)よりも
広い幅寸法の開口幅(F)で開口する大幅部で、パツケー
ジ(7)の外側においてパツケージ(7)に近接した部分のみ
に形成され、そのタイバー(4)側へ厚さ(G)で形成されて
いる。(21)はこの大幅部(20)に連続してタイバー(4)の
位置まで形成された小幅部で、上記タイバー(4)のカツ
ト幅(E)よりも狭い開口幅(H)で開口している。なお、大
幅部(20)と小幅部(21)とで開口部(22)が構成されてい
る。(23)は大幅部(20)と小幅部(21)とで根元リード(6)
に形成される段部、(24)は上記開口部(22)に形成され段
部(23)に対応した突出寸法(J)の鍔(25)を生ずるリード
間ばりである。
する。図において、(20)はタイバーカツト幅(E)よりも
広い幅寸法の開口幅(F)で開口する大幅部で、パツケー
ジ(7)の外側においてパツケージ(7)に近接した部分のみ
に形成され、そのタイバー(4)側へ厚さ(G)で形成されて
いる。(21)はこの大幅部(20)に連続してタイバー(4)の
位置まで形成された小幅部で、上記タイバー(4)のカツ
ト幅(E)よりも狭い開口幅(H)で開口している。なお、大
幅部(20)と小幅部(21)とで開口部(22)が構成されてい
る。(23)は大幅部(20)と小幅部(21)とで根元リード(6)
に形成される段部、(24)は上記開口部(22)に形成され段
部(23)に対応した突出寸法(J)の鍔(25)を生ずるリード
間ばりである。
上記のように構成されたものにおいては、リード間ばり
(24)は、パツケージ(7)側においてタイバー(4)のカツト
幅(E)よりも大で、タイバー(4)側においてタイバー(4)
のカツト幅(E)よりも小に構成されることになり、タイ
バー(4)のカツト時において、タイバーパンチ（図示せ
ず）を大幅部(20)の位置まで設けることにより、大幅部
(20)と小幅部(21)内のリード間ばり(24)と、タイバー
(4)とが同時に打抜きされ、根元リード(6)側面に生じる
リード間ばり(24)も確実に除去される。また、パツケー
ジ(7)側面に生じるリード間ばり(24)もタイバーパンチ
とパツケージ(7)とのクリアランスを適宜に設定するこ
とにより、小さくでき、タイバーカツト工程においてリ
ード間ばり(24)も同時に除去できることになる。特に、
大幅部(20)の厚さＧ＝0.3mm、段部(23)の突出寸法Ｊ＝
0.5mmで良好な結果を得ることができた。
(24)は、パツケージ(7)側においてタイバー(4)のカツト
幅(E)よりも大で、タイバー(4)側においてタイバー(4)
のカツト幅(E)よりも小に構成されることになり、タイ
バー(4)のカツト時において、タイバーパンチ（図示せ
ず）を大幅部(20)の位置まで設けることにより、大幅部
(20)と小幅部(21)内のリード間ばり(24)と、タイバー
(4)とが同時に打抜きされ、根元リード(6)側面に生じる
リード間ばり(24)も確実に除去される。また、パツケー
ジ(7)側面に生じるリード間ばり(24)もタイバーパンチ
とパツケージ(7)とのクリアランスを適宜に設定するこ
とにより、小さくでき、タイバーカツト工程においてリ
ード間ばり(24)も同時に除去できることになる。特に、
大幅部(20)の厚さＧ＝0.3mm、段部(23)の突出寸法Ｊ＝
0.5mmで良好な結果を得ることができた。
また、第４図ないし第５図はこの発明の他の実施例を示
すもので、(30)はパツケージ(7)に近づけて設けられた
タイバー、(31)はパツケージ(7)にタイバーカツト幅(E)
よりも広い幅寸法の開口幅(F)で開口する開口部、(32)
はこの開口部(31)に形成されるリード間ばかりである。
すもので、(30)はパツケージ(7)に近づけて設けられた
タイバー、(31)はパツケージ(7)にタイバーカツト幅(E)
よりも広い幅寸法の開口幅(F)で開口する開口部、(32)
はこの開口部(31)に形成されるリード間ばかりである。
この構成においては、第５図のようにタイバーパンチ
（図示せず）で開口部(31)の位置まで打抜くことによ
り、タイバーカツトと同時にリード間ばり(32)が除去さ
れ、同様の効果を奏することになる。
（図示せず）で開口部(31)の位置まで打抜くことによ
り、タイバーカツトと同時にリード間ばり(32)が除去さ
れ、同様の効果を奏することになる。
以上のようにこの発明は、樹脂パツケージに近接する部
分のみにタイバーのカツト幅よりも広い幅で開口された
開口部を設け、この開口部のばりとタイバーとを同時に
切断するようにしたので、タイバーカツト時に同時にば
り取り作業を同工程で同時に実施でき、製造工程を削減
でき、生産性が著しく向上する効果がある。
分のみにタイバーのカツト幅よりも広い幅で開口された
開口部を設け、この開口部のばりとタイバーとを同時に
切断するようにしたので、タイバーカツト時に同時にば
り取り作業を同工程で同時に実施でき、製造工程を削減
でき、生産性が著しく向上する効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図、第２図はそ
の要部拡大平面図、第３図は第１図のタイバーカツト後
の要部拡大平面図、第４図はこの発明の他の実施例を示
す平面図、第５図はその要部拡大平面図、第６図は従来
のリードフレームを示す平面図、第７図はそのモールド
後の平面図、第８図はその要部拡大平面図、第９図はそ
の要部断面図、第10図はばり取り工程を示す要部断面
図、第11図はそのXI−XI線における断面図、第12図はば
り取り後の拡大平面図である。図中、(1)はリードフレ
ーム、(4)(30)はタイバー、(5)は外部リード、(6)は根
元リード、(7)はパツケージ、(22)は開口部、(24)はリ
ード間ばりである なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
の要部拡大平面図、第３図は第１図のタイバーカツト後
の要部拡大平面図、第４図はこの発明の他の実施例を示
す平面図、第５図はその要部拡大平面図、第６図は従来
のリードフレームを示す平面図、第７図はそのモールド
後の平面図、第８図はその要部拡大平面図、第９図はそ
の要部断面図、第10図はばり取り工程を示す要部断面
図、第11図はそのXI−XI線における断面図、第12図はば
り取り後の拡大平面図である。図中、(1)はリードフレ
ーム、(4)(30)はタイバー、(5)は外部リード、(6)は根
元リード、(7)はパツケージ、(22)は開口部、(24)はリ
ード間ばりである なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (4)
- 【請求項１】リードフレームに半導体チツプを樹脂封止
した後に切断されるタイバーを有する半導体装置におい
て、上記リードフレームには樹脂パツケージの外側にお
いて、この樹脂パツケージに近接する部分のみに上記タ
イバーのカツト幅よりも広い幅で開口する開口部を設け
たことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】開口部は上記樹脂パツケージからの開口寸
法を0.3mm以下にしたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。 - 【請求項３】開口部は上記樹脂パツケージに近接する部
分のみに上記タイバーのカツト幅よりも広い幅で開口す
る大幅部と、この大幅部に連続し、上記樹脂パツケージ
から離間した位置において上記タイバーのカツト幅より
も狭い幅で開口する小幅部とで構成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置 - 【請求項４】リードフレームに半導体チツプを樹脂封止
した後に、タイバーを切断する半導体装置の製造方法に
おいて、上記リードフレームには樹脂パツケージの外側
において、この樹脂パツケージに近接する部分のみを上
記タイバーのカツト幅よりも広い幅で開口部を形成し、
上記開口部のばりと上記タイバとを同時に除去するよう
にしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220245A JPH0622266B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220245A JPH0622266B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7084011A Division JP2603814B2 (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373656A JPS6373656A (ja) | 1988-04-04 |
| JPH0622266B2 true JPH0622266B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=16748165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61220245A Expired - Lifetime JPH0622266B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622266B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298729A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
| JPH0247859A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-16 | Nec Kyushu Ltd | Ｉｃのタイバー切断方法 |
| JP4800141B2 (ja) | 2006-08-07 | 2011-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874061A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-04 | Nec Corp | Ｄｉｐ型ケ−スの製造方法 |
| JPS6016164A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 回転電機鉄心における溝絶縁紙の成形插入装置 |
| JPS60161646A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP61220245A patent/JPH0622266B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874061A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-04 | Nec Corp | Ｄｉｐ型ケ−スの製造方法 |
| JPS6016164A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 回転電機鉄心における溝絶縁紙の成形插入装置 |
| JPS60161646A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6373656A (ja) | 1988-04-04 |
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