JPS62193132A - モ−ルド方法およびそのモ−ルド型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子部品のパッケージ技術、特に所望部分を
レジンからなるモールド体で封止するトランスファレジ
ンモールド技術等のモールド技術に関する。

〔従来の技術〕

レジンモールド型の半導体装置等の電子部品の製造にお
ける封止技術としては、たとえば、工業調査会発行「電
子材料Ｊ　１９８１年別冊号、昭和５６年１１月１０日
発行、Ｐ１７５〜Ｐ１７９に記載されている。この文献
には、成形後の製品の品質をきめる重要な作業工程とし
て、成形後、モールド時に発生したリードフラッシュ（
バｉ月を除去する工程がある旨記載されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前記文献にも記載されているように、成形後、リードフ
ラッシュを除去することは重要である。

一方、成形前にハリを除去しておくことがより品質向上
、歩留り向上を達成できることが本発明者によってあき
らかにされた。すなわち、パリの一つの形態として、第
５図に示されるように、リードフレーム１の端面側に発
生するハリ２がある。

これは、レジン３がレジン輸送路（ランナ）４がらレジ
ン注入路（ゲート）５を経てキャビティ６に流入する際
、ゲート５がリードフレーム１の一端を横切ることによ
って発生する。リードフレーム１はモールド下型７の窪
んだ載置領域に入れられるが、この際、リードフレーム
の寸法ばらつき等を考慮して、リードフレーム収容領域
はリードフレームｌの寸法よりも僅かに大きくなってい
るのが一般的である。このため、ゲート６内を流れるレ
ジン５は前記リードフレーム１の一端を横切る際、リー
ドフレーム１の一端側に生じている隙間８内に入り込み
、これがハリ２、すなわち、サイドハリ２　（同図でハ
ンチングが施されている領域。）となってしまう。この
サイドハリ２はその厚さが少な（ともリードフレーム１
の厚さと同じとなり、そのまま放置してワーク（モール
ドされたリードフレーム）を順次工程に流すと、途中で
サイドバリ２が脱落して各機器の作動部分に入り込み、
故障の原因となるばかりでなく、脱落したサイドバリ２
がリードフレーム１のリード９部分に付着した場合等に
あっては、リード９の切断成形時に押圧される結果、リ
ード面に圧痕となって残り、外観不良の原因となったり
する。このため、レジンモールド後に、前記サイドバリ
を除去することが考えられるが、このサイドバリ取り作
業は工数の増大を引き起こす。

本発明の目的はレジンモールド後にサイドバリ除去作業
が不要なレジンモールド技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうら代表的なものの概要
を節単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、本発明によれば、レジン輸送路からレジン注
入路を介してキャビティにレジンを注入してリードフレ
ームの表裏面に部分的にモールド体を形成するレジンモ
ールドにおいて、レジン注入部となるゲート側のリード
フレームの一端は、その全長に亘って前記レジン輸送路
に臨むようになっている。

〔作用〕

上記した手段によれば、レジン注入部側のリードフレー
ムの一端は、その全長に亘って前記レジン輸送路に臨ん
いることから、レジンモールド後、リードフレームのゲ
ート側の一端面側の硬化レジン塊はレジン輸送路そのま
まのレジン塊であることになり、ゲートとキャビティと
の界面での硬化レジンの分断およびその後の不要レジン
塊の除去時、−緒に除去されるため、サイドハリ除去作
業が不要となる。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。

第１図は本発明の一実施例による半導体装置製造におけ
るレジンモールド状態を示す断面図、第２図は同じ（レ
ジンモールド状態を示す模式的平面図である。

この実施例では集積回路装置（ＩＣ）におけるレジンモ
ールドについて説明する。

リードフレームのチ・７プ取り付は領域にチップ（半導
体素子）が固定され、かつこのチップの電極とこれに対
応するリードフレームのリードの内端とがワイヤで接続
されたリードフレームに対して、前記チップ、ワイヤ等
がレジンモールドによるモールド体によって封止される
。

組立が完了したリードフレーム、すなわち、チップ固定
、ワイヤボンディングが終了したリードフレーム１は、
第１図に示されるように、モールド型１０のモールド下
型７とモールド上型１１との間に挟持されてし・ジンモ
ールドが行われる。この際、これが本発明の特徴的なこ
とであるが、前記リードフレーム１の点々で示されるレ
ジン３が注入されるレジン注入路（ゲート）５例のリー
ドフレーム端は、ゲート５にレジン３を送り込むレジン
輸送路（ランナ）４内に臨むようになっている。

したがって、溶融状態にあるレジン３は、第２図に示さ
れるように、二点鎖線で示されるランナ４を流れ、ゲー
ト５からリードフレーム１の両面のキャビティ６　（第
１図参照）内に流入し、リード９の図示しない内端部分
、ワイヤ、チップ等を被う。レジン３が総てのキャビテ
ィ６に充填され、溶けたレジン３が硬化した頃、モール
ド下型７とモールド上型１１との型開きが行われる。そ
の後、図示しないエジェクタビン等によってリードフレ
ーム１と硬化したレジン３はモールド下型７から外され
る。この際、第２図に示されるように、リードフレーム
１と点々で示されたレジン硬化体全体は一体となって取
り外される、したがって、前記リードフレーム１の表裏
面を被うモールド体１２と、レジン注入路５内に残留し
て硬化したレジン塊の界面で分断化を図りかつ除去する
際、前記レジン輸送路４内に残留して硬化したレジン塊
共々全しジン塊は一緒に除去されることになる。この際
、レジン注入路５側のリードフレーム１の一端面は、レ
ジン輸送路４内に臨むようになっていることから、この
リードフレーム１の一端面倒にサイドバリ２を生じさせ
る空間は存在しなくなる。

すなわち、リードフレーム１のレジン注入路５側の一端
面側はレジン輸送路４による空間となり、前記キャビテ
ィ６で成形されたモールド体１２から再現性良く破断で
きるレジン塊を形成するに充分なレジン充填空間となる
。したがって、本発明によればサイドハリ２は発生しな
くなる。　このような実施例によれば、つぎのような効
果が得られる。

（１）本発明によれば、リードフレームのレジン注入路
側の一端面はレジン輸送路に対面していることから、い
わゆるサイドハリは発生しなくなるという効果が得られ
る。

（２）上記（１）により、本発明によれば、サイドバリ
が発生しないことから、このサイドバリの脱落によって
発生したレジン体に起因する装置の故障が防止でき、装
置稼働率が安定するという効果が得られる。

（３）上記（１）により、本発明によれば、サイドハリ
が発生しないことから、このサイドハリの脱落によって
発生したレジン体のリードへの付着に起因するリード切
断成形時のレジン体押し潰しによるリードへの圧痕残留
もなくなり、品質の高い半導体装置を提供することがで
きるという効果が得られる。

（４）上記（１）により、本発明によれば、サイドハリ
が発生しないことから、サイドバリ除去工程が不要とな
り、工数の低減が達成できるという効果が得られる。

（５）本発明のモールド型は、リードフレームの一端が
モールド下型に臨むような構造となっていることから、
モールド下型と隙間との距離が従来構造のモールド型に
比較して近接するため、モールド型の小型化が達成でき
るという効果が得られる。

（６）上記（１）〜く５）により、本発明によれば、サ
イドハリの発生を抑えることができるため、このサイド
ハリに起因する外観不良の発生防止。

各種の装置稼働率向上、工数像゛減、モールド型の小型
化等により、モールド下型）・の低減が回れるという相
乗効果が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、第３図および
第４図に示されるように、Ｔｏ−３Ｐ型の半導体装置の
モールドの場合、リードフレーム１のチップを固定する
ヘッダ１３側からレジン注入路５を介してキャビティ６
にレジン３が注入されるが、この場合レジン注入路５例
のへノダ１３の端面と、このヘッダ１３を収容するモー
ルド下型７における収容窪み１４の壁面（モールド型壁
面）との間を広くし、レジン３の流入によって形成され
るサイドハリ２が充分な幅となるようになっている。こ
の結果、この収容窪み１４に残留して硬化したレジン塊
によるサイドハリ２は、レジン注入路５に残留して硬化
したレジン塊と強固に結合されるため、レジン輸送路４
やレジン注入路５に残留して硬化したレジン塊の取り外
しおよびその後のモールド体１２との分断時にレジン注
入路５におけるレジン塊と一緒に確実に取り除かれる。

したがって、レジンモールド後、リードフレーム１にサ
イドバリ２としてレジン塊が残留するようなことはなく
なり、前記実施例同様な効果が得られる。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置のレジン
モールド技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではない。

本発明は少なくとも被モールド物のモールド技術には適
用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明によれば、レジン輸送路からレジン注入路を介し
てキャビティにレジンを注入してリードフレームの表裏
面に部分的にモールド体を形成するレジンモールドにお
いて、レジン注入部側なるレジン注入路側のリードフレ
ームの一端は、その全長に亘って前記レジン輸送路に臨
むようになっている。このため、レジン注入部側のリー
ドフレームの一端は、その全長に亘って前記レジン輸送
路に臨んでいることから、レジンモールド後、リードフ
レームのゲート側の一端面側の硬化レジン塊はレジン輸
送路そのままのレジン塊であることになり、サイトハリ
は実質的に発生しないこととなる。したがって、サイド
バリ除去作業が不要となるとともに、このサイドバリの
脱落によって発生するレジン体に起因するリード表面の
圧痕の発生や各種装置の稼働率低下が防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による半導体装置製造におけ
るレジンモールド状態を示す断面図、第２図は同じくレ
ジンモールド状態を示す模式第３図は本発明の他の実施
例によるレジンモールド状態を示す模式的平面図、 第４図は同しく断面図、 第５図はレジンモールド時にハリが発生する状態を示す
模式的平面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・バリ　（サイドバリ
）、３・・・レジン、４・・・レジン輸送路（ランナ）
、５・・・レジン注入路（ゲート）、６・・・キャビテ
ィ、７・・・モールド下型、８・・・隙間、９・・・リ
ード、１０・・・モールド型、１１・・・モールド上型
、１２・・・モールド体、１３・・・ヘッダ、１４・・
・収容窪み。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、モールド上下型間に被モールド物を挟持させ被モー
   ルド物の少なくとも一縁側からレジンを注入して被モー
   ルド物の所望部分をレジンでモールドする方法であって
   、前記レジンが注入される側の被モールド物の端面側に
   モールド体との分断性の良好なレジン塊を形成すること
   を特徴とするモールド方法。 ２、前記被モールド物のレジン注入側の縁はレジン輸送
   路に対面していることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載のモールド方法。 ３、前記レジンが注入されるレジン注入路に交差する被
   モールド物縁にはレジンが充填される所望の幅の隙間が
   設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載のモールド方法。 ４、モールド下型とモールド上型との間に被モールド物
   を挟み込む構造となっているとともに、レジン輸送路を
   流れるレジンをレジン注入路を介して前記被モールド物
   の一部に対面して設けられたキャビティに流し込む構造
   のモールド型であって、前記レジン注入路側の被モール
   ド物の端面には前記キャビティで成形されたモールド体
   から再現性良く破断できるレジン塊を形成するに充分な
   レジン充填空間が設けられていることを特徴とするモー
   ルド型。 ５、前記レジン注入路側の被モールド物の端は前記レジ
   ン輸送路内に臨むようになっていることを特徴とする特
   許請求の範囲第４項記載のモールド型。 ６、前記レジン注入路に交差する被モールド物縁と、こ
   の被モールド物端面に対面するモールド型壁間はレジン
   が充填されるレジン充填空間が形成されるようになって
   いることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のモー
   ルド型。