JP2606736B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JP2606736B2 JP2606736B2 JP1021197A JP2119789A JP2606736B2 JP 2606736 B2 JP2606736 B2 JP 2606736B2 JP 1021197 A JP1021197 A JP 1021197A JP 2119789 A JP2119789 A JP 2119789A JP 2606736 B2 JP2606736 B2 JP 2606736B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- resin
- tie bar
- cross
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、リードフレームの製造方法に係り、特に、
その形状加工に関する。
その形状加工に関する。
（従来の技術） IC,LSI等の半導体装置の実装に際して用いられるリー
ドフレームは、鉄系あるいは銅系等の帯状の金属材料
（条材）をプレス加工又はエッチングにより所望のパタ
ーンに成形することによって形成される。
ドフレームは、鉄系あるいは銅系等の帯状の金属材料
（条材）をプレス加工又はエッチングにより所望のパタ
ーンに成形することによって形成される。
通常、リードフレーム１は、第２図に示す如く、半導
体集積回路チップ（以下半導体チップ）２を搭載するダ
イパッド11と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめ
られた複数のインナーリード12とインナーリード12を一
体的に連結するタイバー13と、各インナーリードに連結
せしめられタイバーの外側に伸張するアウターリード14
と、タイバー13を両サイドから支持するサイドバー15,1
6と、ダイパッド11を支持するサポートバー17とから構
成されている。
体集積回路チップ（以下半導体チップ）２を搭載するダ
イパッド11と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめ
られた複数のインナーリード12とインナーリード12を一
体的に連結するタイバー13と、各インナーリードに連結
せしめられタイバーの外側に伸張するアウターリード14
と、タイバー13を両サイドから支持するサイドバー15,1
6と、ダイパッド11を支持するサポートバー17とから構
成されている。
このようなリードフレームを用いて実装せしめられる
半導体装置は第３図に示す如くであり、リードフレーム
１のダイパッド11上に、半導体チップ２を搭載し、この
半導体チップのボンディングパッドとリードフレームの
インナーリード12とを金線あるいはアルミ線のボンディ
ングワイヤ３によって結線し、更にこれらを樹脂やセラ
ミック等の封止材料４で封止した後、タイバーやサイド
バーを切断し、アウターリードを所望の形状に折り曲げ
て完成せしめられる。
半導体装置は第３図に示す如くであり、リードフレーム
１のダイパッド11上に、半導体チップ２を搭載し、この
半導体チップのボンディングパッドとリードフレームの
インナーリード12とを金線あるいはアルミ線のボンディ
ングワイヤ３によって結線し、更にこれらを樹脂やセラ
ミック等の封止材料４で封止した後、タイバーやサイド
バーを切断し、アウターリードを所望の形状に折り曲げ
て完成せしめられる。
ところで、このようなリードフレームはプレス加工で
成型する場合、帯状材料をリードフレーム打抜用金型内
で連続的に打ち抜くことにより製造されるため、打ち抜
かれたリード表面は、第４図（ａ）に示すように抜きダ
レｄに起因して凸面形状となり、裏面側は抜きバリｂに
起因して凹面形状となっている。
成型する場合、帯状材料をリードフレーム打抜用金型内
で連続的に打ち抜くことにより製造されるため、打ち抜
かれたリード表面は、第４図（ａ）に示すように抜きダ
レｄに起因して凸面形状となり、裏面側は抜きバリｂに
起因して凹面形状となっている。
ところで、アウターリードは、封止後、所望の形状に
折り曲げられるため、抜きバリ側から折り曲げられる
と、折り曲げ作業時にバリが折り曲げパンチによってこ
すられ、金属粉が発生することがある。
折り曲げられるため、抜きバリ側から折り曲げられる
と、折り曲げ作業時にバリが折り曲げパンチによってこ
すられ、金属粉が発生することがある。
また、第５図（ａ）および第５図（ｂ）に示すよう
に、樹脂封止に際し、パッケージラインｐからタイバー
付近ｔにかけてのリード間では、樹脂封止用金型との間
に隙間を作ることになり、樹脂バリが生じるが、この抜
きダレのために、断面がシャープな直角とはならず丸く
なっているため、第６図に示すように樹脂バリ除去用パ
ンチによって樹脂バリを除去した後も、この丸くなった
部分に入り込んだ樹脂バリは残留してしまう。このよう
な樹脂バリは、タイバーカット工程においても容易には
剥離されず、樹脂バリが付着したまま搬送されることが
多い。このように付着したまま搬送された場合、搬送途
中でこの樹脂バリが脱落し搬送装置の諸機能の障害の発
生原因となるのみならず、工場のクリーン化を阻害する
原因となるなど、数々の弊害をもたらしていた。
に、樹脂封止に際し、パッケージラインｐからタイバー
付近ｔにかけてのリード間では、樹脂封止用金型との間
に隙間を作ることになり、樹脂バリが生じるが、この抜
きダレのために、断面がシャープな直角とはならず丸く
なっているため、第６図に示すように樹脂バリ除去用パ
ンチによって樹脂バリを除去した後も、この丸くなった
部分に入り込んだ樹脂バリは残留してしまう。このよう
な樹脂バリは、タイバーカット工程においても容易には
剥離されず、樹脂バリが付着したまま搬送されることが
多い。このように付着したまま搬送された場合、搬送途
中でこの樹脂バリが脱落し搬送装置の諸機能の障害の発
生原因となるのみならず、工場のクリーン化を阻害する
原因となるなど、数々の弊害をもたらしていた。
そこで、このリードの角部に残留するバリを除去する
ために、化学的または機械的処理によりこのバリを除去
するデイフラッシャー工程を必要とし、工数増大の原因
となっていた。
ために、化学的または機械的処理によりこのバリを除去
するデイフラッシャー工程を必要とし、工数増大の原因
となっていた。
また、エッチング法により形状加工がなされる場合、
通常エッチングは等方的に進行するため、第７図に示す
ように、厚みの中央部分が幅広となっており、断面が直
角とはならず、打ち抜き法による場合と同様、リードの
角部に残留するバリによる数々の問題があった。
通常エッチングは等方的に進行するため、第７図に示す
ように、厚みの中央部分が幅広となっており、断面が直
角とはならず、打ち抜き法による場合と同様、リードの
角部に残留するバリによる数々の問題があった。
（発明が解決しようとする課題） このように、従来、打ち抜き法による場合にもエッチ
ング法による場合にも、インナーリードの断面が直角と
はならず、このリードの角部に残留するバリに起因する
いろいろな問題があり、これが信頼性低下の原因となっ
ていた。
ング法による場合にも、インナーリードの断面が直角と
はならず、このリードの角部に残留するバリに起因する
いろいろな問題があり、これが信頼性低下の原因となっ
ていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、樹脂バ
リの残留を防止し、信頼性の高いリードフレームを提供
することを目的とする。
リの残留を防止し、信頼性の高いリードフレームを提供
することを目的とする。
（課題を解決するための手段） そこで本発明のリードフレームの製造方法では、条材
からリードフレームを成型する成型工程において、条材
から前記インナーリード、アウターリードおよびタイバ
ーを含むリードフレームを形状加工するに際し、前記イ
ンナーリードの内少なくとも樹脂封止領域の外側端部付
近で、インナーリード間領域が目的寸法よりも小さくな
るように予備成型加工したのち、インナーリードを、少
なくとも樹脂封止領域の外側端部付近の４面を断面直角
で目的寸法をなすようにシェービング加工により成型す
る仕上げ成型をおこなうようにしている。
からリードフレームを成型する成型工程において、条材
から前記インナーリード、アウターリードおよびタイバ
ーを含むリードフレームを形状加工するに際し、前記イ
ンナーリードの内少なくとも樹脂封止領域の外側端部付
近で、インナーリード間領域が目的寸法よりも小さくな
るように予備成型加工したのち、インナーリードを、少
なくとも樹脂封止領域の外側端部付近の４面を断面直角
で目的寸法をなすようにシェービング加工により成型す
る仕上げ成型をおこなうようにしている。
（作用） 本発明では、少なくともインナーリードの樹脂封止領
域の外側端部付近を、あらかじめ目的寸法よりもリード
間領域が小さくなるように形成しておき、シェービング
加工を施すことにより４面がせん断面をもちかつ目的寸
法をなすように、成型する。したがって、角部が直角と
なり上面および下面のみならず側面がせん断面をなすも
のとなる。
域の外側端部付近を、あらかじめ目的寸法よりもリード
間領域が小さくなるように形成しておき、シェービング
加工を施すことにより４面がせん断面をもちかつ目的寸
法をなすように、成型する。したがって、角部が直角と
なり上面および下面のみならず側面がせん断面をなすも
のとなる。
かかる構成によれば、樹脂封止に際し、モールド金型
にこのせん断面であるインナーリードの４面が密着する
ため封止樹脂が角部に入り込むという不都合はなくな
り、樹脂ばりの残留を抑制するものであるが、かかる効
果に加え、リード間隔に影響を与えることなく十分な有
効平坦幅を得ることができるという効果をもつ。
にこのせん断面であるインナーリードの４面が密着する
ため封止樹脂が角部に入り込むという不都合はなくな
り、樹脂ばりの残留を抑制するものであるが、かかる効
果に加え、リード間隔に影響を与えることなく十分な有
効平坦幅を得ることができるという効果をもつ。
すなわち本発明によれば、仕上げ成型工程により、少
なくともインナーリードの樹脂封止領域の外側端部付近
では、角部が直角となるように整形されるため、樹脂が
角部に入り込むことはなくなり、樹脂バリの残留を抑制
することができる。
なくともインナーリードの樹脂封止領域の外側端部付近
では、角部が直角となるように整形されるため、樹脂が
角部に入り込むことはなくなり、樹脂バリの残留を抑制
することができる。
従って、搬送に際しては樹脂バリの残留は無いため、
搬送途中で樹脂バリが脱落し搬送装置の諸機能に障害を
与えたり、工場のクリーン化を阻害するというような弊
害をひきおこすことはなくなる。
搬送途中で樹脂バリが脱落し搬送装置の諸機能に障害を
与えたり、工場のクリーン化を阻害するというような弊
害をひきおこすことはなくなる。
また、付随的効果として、リード断面が直角であるた
め、リード間隔に影響を与えることなく、充分な有効平
面幅を得ることができる。
め、リード間隔に影響を与えることなく、充分な有効平
面幅を得ることができる。
（実施例） 以下、本発明実施例のリードフレームの製造方法につ
いて、図面を参照しつつ詳細に説明する。
いて、図面を参照しつつ詳細に説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、帯状材料を、所望
の形状のインナーリード、アウターリード、タイバーな
どの抜き型を具備した金型に装着し、プレス加工を行な
うことにより、リードフレームをパターニングする。こ
のときの断面図を第１図（ｂ）に示すように、打ち抜か
れたリード表面は、抜きダレｄに起因して凸面形状とな
り、裏面側は抜きバリｂに起因して凹面形状となってい
る。この工程では、インナーリードの樹脂封止領域の外
側端部付近はリード間隔が仕上げ寸法（点線で示す）よ
りもやや小さくなるように形成しておく。
の形状のインナーリード、アウターリード、タイバーな
どの抜き型を具備した金型に装着し、プレス加工を行な
うことにより、リードフレームをパターニングする。こ
のときの断面図を第１図（ｂ）に示すように、打ち抜か
れたリード表面は、抜きダレｄに起因して凸面形状とな
り、裏面側は抜きバリｂに起因して凹面形状となってい
る。この工程では、インナーリードの樹脂封止領域の外
側端部付近はリード間隔が仕上げ寸法（点線で示す）よ
りもやや小さくなるように形成しておく。
次いで、この金型内で、仕上げ寸法のリード間隔とな
るように形成されたパンチを用いて、シェービング加工
を行なうことにより、第１図（ｃ）に示すように、仕上
げ寸法のリードフレームをパターニングする。この工程
では、前記打ち抜き工程でリード間隔が仕上げ寸法より
もやや小さくなるように形成した、インナーリードの樹
脂封止領域の外側端部付近に対し、シェービング加工を
行う。このようにして、先端部からタイバーの部分まで
のインナーリードの断面は、直角となるように整形され
る。
るように形成されたパンチを用いて、シェービング加工
を行なうことにより、第１図（ｃ）に示すように、仕上
げ寸法のリードフレームをパターニングする。この工程
では、前記打ち抜き工程でリード間隔が仕上げ寸法より
もやや小さくなるように形成した、インナーリードの樹
脂封止領域の外側端部付近に対し、シェービング加工を
行う。このようにして、先端部からタイバーの部分まで
のインナーリードの断面は、直角となるように整形され
る。
こののち、インナーリード先端のメッキ工程等を経
て、リードフレームは完成する。
て、リードフレームは完成する。
このようにして形成されたリードフレームは、半導体
チップを固着すると共に、ワイヤボンディング工程によ
って、リードとチップとの電気的接続を行った後、第１
図（ｄ）に示すように、樹脂封止がなされる。ここで
は、インナーリード12の樹脂封止領域４の外側端部付近
の断面図すなわち第１図（ｃ）のＡ−Ａ断面の部位を示
す。
チップを固着すると共に、ワイヤボンディング工程によ
って、リードとチップとの電気的接続を行った後、第１
図（ｄ）に示すように、樹脂封止がなされる。ここで
は、インナーリード12の樹脂封止領域４の外側端部付近
の断面図すなわち第１図（ｃ）のＡ−Ａ断面の部位を示
す。
このとき、パッケージラインｐからタイバー付近ｔに
かけてのリード間（図５（ａ）参照）では、樹脂封止用
金型との間に隙間を作ることになり、樹脂バリが生じて
いるが、第１図（ｅ）に示すように、リード断面がシャ
ープな直角となっているため、樹脂バリ除去用パンチＰ
によって樹脂バリは残留すること無く完全に除去せしめ
られる。（第１図（ｆ）） そして、通常の如く、タイバーを切除し、アウターリ
ードを所望の形状に折り曲げ、実装が完了する。
かけてのリード間（図５（ａ）参照）では、樹脂封止用
金型との間に隙間を作ることになり、樹脂バリが生じて
いるが、第１図（ｅ）に示すように、リード断面がシャ
ープな直角となっているため、樹脂バリ除去用パンチＰ
によって樹脂バリは残留すること無く完全に除去せしめ
られる。（第１図（ｆ）） そして、通常の如く、タイバーを切除し、アウターリ
ードを所望の形状に折り曲げ、実装が完了する。
なお、各部の形状は、第２図に示した従来例のリード
フレームと全く同様であり、同一部には同一符号を付し
た。
フレームと全く同様であり、同一部には同一符号を付し
た。
このようにして形成されたリードフレームのインナー
リードの樹脂封止領域の外側端部付近では、角部が直角
となるように整形されているため、樹脂が角部に入り込
むことはなくなり、樹脂バリ除去用パンチによって樹脂
バリは残留することなく完全に除去することができる。
リードの樹脂封止領域の外側端部付近では、角部が直角
となるように整形されているため、樹脂が角部に入り込
むことはなくなり、樹脂バリ除去用パンチによって樹脂
バリは残留することなく完全に除去することができる。
従って、搬送に際しては樹脂バリの残留は無いため、
搬送途中で樹脂バリが脱落し搬送装置の諸機能に障害を
与えたり、工場のクリーン化を阻害するというような弊
害をひきおこすことはなくなる。
搬送途中で樹脂バリが脱落し搬送装置の諸機能に障害を
与えたり、工場のクリーン化を阻害するというような弊
害をひきおこすことはなくなる。
また、シェービング加工領域をインナーリード先端部
まで延ばすようにすれば、付随的効果として、インナー
リード先端部の断面が直角であるため、リード間隔に影
響を与えることなく、充分な有効平面幅を得ることがで
き、ボンディングを確実に行うことができ、信頼性が向
上する。
まで延ばすようにすれば、付随的効果として、インナー
リード先端部の断面が直角であるため、リード間隔に影
響を与えることなく、充分な有効平面幅を得ることがで
き、ボンディングを確実に行うことができ、信頼性が向
上する。
また、このようにして形成されたリードフレームは、
バリがないため、アウターリードの折り曲げ時にも金属
粉を発生せしめることはない。
バリがないため、アウターリードの折り曲げ時にも金属
粉を発生せしめることはない。
さらにまた、抜きバリが、ほとんどないため、リード
フレームを積み上げた際にも、下方に位置するリードフ
レーム表面を傷付けることもなく、また自動搬送時にお
いては、円滑な搬送をおこなうことが可能となる。
フレームを積み上げた際にも、下方に位置するリードフ
レーム表面を傷付けることもなく、また自動搬送時にお
いては、円滑な搬送をおこなうことが可能となる。
なお、実施例では、１つの金型でインナーリードもア
ウターリードも一度に打ち抜くようにしたが、タイバー
を境界として、２つの金型を用いて、インナーリード側
を打ち抜いた後、アウターリード側を打ち抜くようにし
てもよい。
ウターリードも一度に打ち抜くようにしたが、タイバー
を境界として、２つの金型を用いて、インナーリード側
を打ち抜いた後、アウターリード側を打ち抜くようにし
てもよい。
また、前記実施例では、打ち抜き法による成型に付い
て述べたが、条材からエッチング法により成型した場合
にも、同様にシェービング処理を行うことによって、イ
ンナーリード断面を直角となるようにし同様の効果を奏
功することが可能である。
て述べたが、条材からエッチング法により成型した場合
にも、同様にシェービング処理を行うことによって、イ
ンナーリード断面を直角となるようにし同様の効果を奏
功することが可能である。
さらに、前記実施例では、インナーリードの樹脂封止
領域の外側端部付近にのみにシェービング処理を行うよ
うにしたが、リードフレーム全体にシェービング処理を
行うようにしてもよい。
領域の外側端部付近にのみにシェービング処理を行うよ
うにしたが、リードフレーム全体にシェービング処理を
行うようにしてもよい。
以上説明してきたように、本発明のリードフレームの
製造方法によれば、条材からリードフレームの形状に形
状加工した後、少なくともインナーリードの樹脂封止領
域の外側端部付近を、角部が直角となるように整形する
仕上げ成型をおこなうようにしているため、樹脂バリの
残留をなくするすることができ、信頼性の高い半導体装
置を容易に得ることが可能となる。
製造方法によれば、条材からリードフレームの形状に形
状加工した後、少なくともインナーリードの樹脂封止領
域の外側端部付近を、角部が直角となるように整形する
仕上げ成型をおこなうようにしているため、樹脂バリの
残留をなくするすることができ、信頼性の高い半導体装
置を容易に得ることが可能となる。
第１図（ａ）乃至第１図（ｆ）は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す説明図、第２図は従来のリ
ードフレームを示す図、第３図は、半導体装置を示す
図、第４図（ａ）および第４図（ｂ）は従来例のリード
フレームのインナーリード先端部の製造工程を示す図、
第５図（ａ）および第５図（ｂ）は樹脂封止後のパッケ
ージラインｐからタイバー付近ｔのリード断面を示す
図、第６図は従来の樹脂バリ除去工程を示す図、第７図
はエッチング法により成型加工したリードフレームの断
面を示す図である。 １…リードフレーム、２…半導体チップ、３…ワイヤ、
４…封止材料、11…ダイパッド、12…インナーリード、
13…タイバー、14…アウターリード、15,16…サイドバ
ー、17…サポートバー、ｄ…抜きダレ、ｂ…抜きバリ。
ドフレームの製造工程を示す説明図、第２図は従来のリ
ードフレームを示す図、第３図は、半導体装置を示す
図、第４図（ａ）および第４図（ｂ）は従来例のリード
フレームのインナーリード先端部の製造工程を示す図、
第５図（ａ）および第５図（ｂ）は樹脂封止後のパッケ
ージラインｐからタイバー付近ｔのリード断面を示す
図、第６図は従来の樹脂バリ除去工程を示す図、第７図
はエッチング法により成型加工したリードフレームの断
面を示す図である。 １…リードフレーム、２…半導体チップ、３…ワイヤ、
４…封止材料、11…ダイパッド、12…インナーリード、
13…タイバー、14…アウターリード、15,16…サイドバ
ー、17…サポートバー、ｄ…抜きダレ、ｂ…抜きバリ。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子搭載部分を囲むように、複数の
インナーリードと、各インナーリードそれぞれに連続し
た複数のアウターリードと、これらを連結するタイバー
とを備えたリードフレームを具えたリードフレームの製
造方法において、 条材からリードフレームを成型する成型工程が 条材から前記インナーリード、アウターリードおよびタ
イバーを含むリードフレームを形状加工するに際し、前
記インナーリードの内少なくとも樹脂封止領域の外側端
部付近で、インナーリード間領域が目的寸法よりも小さ
くなるように成型加工する予備成型工程と、 前記予備成型のなされたインナーリード断面が、少なく
とも樹脂封止領域の外側端部付近で、４平面ともに断面
直角で、インナーリード間領域が目的寸法をなすように
シェービング加工する仕上げ成型工程とを含むようにし
たことを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1021197A JP2606736B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1021197A JP2606736B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202045A JPH02202045A (ja) | 1990-08-10 |
| JP2606736B2 true JP2606736B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=12048243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1021197A Expired - Lifetime JP2606736B2 (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2606736B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2670569B2 (ja) * | 1992-07-27 | 1997-10-29 | 株式会社三井ハイテック | 半導体装置及びそれに用いるリードフレームの製造方法 |
| JP5549612B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2014-07-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764956A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-20 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS6313358A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造において用いるリ−ドフレ−ム |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1021197A patent/JP2606736B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02202045A (ja) | 1990-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2606736B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP3085278B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| US4592131A (en) | Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device | |
| JP2580740B2 (ja) | リードフレーム | |
| JP2700902B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH08318328A (ja) | リード切断用金型 | |
| JPS60161646A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH0455539B2 (ja) | ||
| JPS6244422B2 (ja) | ||
| JPS63308358A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2524645B2 (ja) | リ―ドフレ―ムおよびその製造方法 | |
| JP2603814B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH10154784A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP7057727B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
| JPS63308359A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JP2527503B2 (ja) | リ―ドフレ―ムおよびその製造方法 | |
| JP2684247B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2632767B2 (ja) | 積層型リードフレームおよびその製造方法 | |
| JPS60164345A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH0821654B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH03188655A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH01216563A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP3008973U (ja) | 放熱板付きリードフレーム | |
| JPS5812452Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04368158A (ja) | リードフレームと半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080213 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |