JP3085278B2 - 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および半導体製造装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばモールド
フラットパッケージのような樹脂封止型の半導体装置の
製造方法および半導体製造装置に関する。
フラットパッケージのような樹脂封止型の半導体装置の
製造方法および半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の樹脂封止型の半導体装置
は、図７（ａ）に示すように構成されている。これを簡
単に説明すると、この樹脂封止型半導体装置１は、ダイ
パッド２上に搭載した半導体チップ３と、ダイパッド２
の周囲に配設されている多数のリード４を備えている。
前記半導体チップ３と各リード４のインナーリード部と
の間はそれぞれにボンディングされたＡｕ線等からなる
金属細線５により接続されている。
は、図７（ａ）に示すように構成されている。これを簡
単に説明すると、この樹脂封止型半導体装置１は、ダイ
パッド２上に搭載した半導体チップ３と、ダイパッド２
の周囲に配設されている多数のリード４を備えている。
前記半導体チップ３と各リード４のインナーリード部と
の間はそれぞれにボンディングされたＡｕ線等からなる
金属細線５により接続されている。
【０００３】上述したダイパッド２、半導体チップ３、
リード４のインナーリード部はモールド樹脂により樹脂
封止することにより樹脂封止部６が形成されている。こ
れによって、パッケージタイプの半導体装置１が構成さ
れている。さらに、前記各リード４のアウターリード部
は所要の形状に折曲げ成形されている。
リード４のインナーリード部はモールド樹脂により樹脂
封止することにより樹脂封止部６が形成されている。こ
れによって、パッケージタイプの半導体装置１が構成さ
れている。さらに、前記各リード４のアウターリード部
は所要の形状に折曲げ成形されている。
【０００４】このような樹脂封止型半導体装置１は、多
数のダイパッド２やその周囲にリード４の形成部分を有
するリードフレーム（図示せず）を用いて製造されてい
る。このリードフレームのリード形成部分においてアウ
ターリード部における樹脂封止部６からの引出し部に対
応する部分には、樹脂封止時の樹脂漏れを防ぐためのタ
イバー７が形成され、これらのタイバー７は樹脂封止工
程以降の仕上げ工程で切断することにより、図７（ｂ）
に示すようにタイバー切断面７ａが形成される。
数のダイパッド２やその周囲にリード４の形成部分を有
するリードフレーム（図示せず）を用いて製造されてい
る。このリードフレームのリード形成部分においてアウ
ターリード部における樹脂封止部６からの引出し部に対
応する部分には、樹脂封止時の樹脂漏れを防ぐためのタ
イバー７が形成され、これらのタイバー７は樹脂封止工
程以降の仕上げ工程で切断することにより、図７（ｂ）
に示すようにタイバー切断面７ａが形成される。
【０００５】このような従来の樹脂封止型半導体装置１
の製造工程は、マウント・ボンディング、樹脂成形、ラ
ンナーゲート除去、熱エージング、ばり取り・メッキ処
理、さらにタイバー切断、リード切断・リード成形・捺
印・切断分離、選別という工程によって構成されてい
る。
の製造工程は、マウント・ボンディング、樹脂成形、ラ
ンナーゲート除去、熱エージング、ばり取り・メッキ処
理、さらにタイバー切断、リード切断・リード成形・捺
印・切断分離、選別という工程によって構成されてい
る。
【０００６】上述した製造工程のうち、樹脂封止工程を
行う半導体樹脂封止装置では、図８（ａ），（ｂ）に示
すように、リードフレームのダイパッド２に搭載した半
導体チップ３とリードフレームのリード４とをボンディ
ングにより接続したものを供給部に準備する。
行う半導体樹脂封止装置では、図８（ａ），（ｂ）に示
すように、リードフレームのダイパッド２に搭載した半
導体チップ３とリードフレームのリード４とをボンディ
ングにより接続したものを供給部に準備する。
【０００７】そして、この供給部から成形部に搬送し、
この成形部で樹脂成形することにより半導体チップ３部
分の樹脂封止を行う。次に、成形部で樹脂封止した半導
体装置を、樹脂封止時に生じるランナーやゲートを除去
するためのランナー・ゲート除去部に搬送し、ランナー
・ゲートを除去してから、収納部に保管する。
この成形部で樹脂成形することにより半導体チップ３部
分の樹脂封止を行う。次に、成形部で樹脂封止した半導
体装置を、樹脂封止時に生じるランナーやゲートを除去
するためのランナー・ゲート除去部に搬送し、ランナー
・ゲートを除去してから、収納部に保管する。
【０００８】その後、この樹脂封止工程の仕上げ工程に
進み、熱エージング、ばり取り・メッキ処理を行った
後、タイバー切断工程に進み、タイバー切断を行う。さ
らに、リードの曲げ成形を行っている。なお、上述した
タイバー切断工程では、タイバーを切断するとともにタ
イバーにせき止められた樹脂（以下、タイバー不要樹脂
という）の除去も同時に行っている。
進み、熱エージング、ばり取り・メッキ処理を行った
後、タイバー切断工程に進み、タイバー切断を行う。さ
らに、リードの曲げ成形を行っている。なお、上述した
タイバー切断工程では、タイバーを切断するとともにタ
イバーにせき止められた樹脂（以下、タイバー不要樹脂
という）の除去も同時に行っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
樹脂封止装置では、ランナー・ゲート除去部が付設され
ているものの、タイバー切断除去部は設けられておら
ず、このタイバーの除去を別の装置で行う必要があっ
た。
樹脂封止装置では、ランナー・ゲート除去部が付設され
ているものの、タイバー切断除去部は設けられておら
ず、このタイバーの除去を別の装置で行う必要があっ
た。
【００１０】しかし、上述した従来の半導体樹脂封止装
置によれば、ばり取り・メッキ処理後にタイバー切断
（タイバー不要樹脂の除去も含む）を行うために除去し
た樹脂屑、金属屑がパッケージに付着した状態で、前述
したリード成形・リード切断・捺印・切断分離→選別工
程に持ち込まれることから、次のような不具合があっ
た。
置によれば、ばり取り・メッキ処理後にタイバー切断
（タイバー不要樹脂の除去も含む）を行うために除去し
た樹脂屑、金属屑がパッケージに付着した状態で、前述
したリード成形・リード切断・捺印・切断分離→選別工
程に持ち込まれることから、次のような不具合があっ
た。
【００１１】すなわち、上述したようなタイバー切断除
去時に発生した屑により、たとえばリード成形の際にリ
ードの表面に打痕を誘発し、リード成形不良を生じるお
それがあった。また、上述した工程において、リード切
断不良、捺印不良、選別不良（特に良品であるべきもの
が上述した屑の付着によって接着不良を招き、不良品と
判断される）を引き起こし、歩留まりが低下するという
問題があった。
去時に発生した屑により、たとえばリード成形の際にリ
ードの表面に打痕を誘発し、リード成形不良を生じるお
それがあった。また、上述した工程において、リード切
断不良、捺印不良、選別不良（特に良品であるべきもの
が上述した屑の付着によって接着不良を招き、不良品と
判断される）を引き起こし、歩留まりが低下するという
問題があった。
【００１２】また、このような樹脂屑、金属屑からなる
微細な傷による形状不良を選別することも手間がかかる
ものであり、しかも外観不良として選別できなかったも
のは製品として出荷されてしまうおそれがあった。
微細な傷による形状不良を選別することも手間がかかる
ものであり、しかも外観不良として選別できなかったも
のは製品として出荷されてしまうおそれがあった。
【００１３】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程以降
の仕上げ工程におけるタイバー切断工程で発生する樹脂
屑や金属屑からなるばり屑によって、それ以降の製造工
程で障害を発生させないようにする半導体装置の製造方
法および半導体製造装置を得るを目的としている。
ものであり、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程以降
の仕上げ工程におけるタイバー切断工程で発生する樹脂
屑や金属屑からなるばり屑によって、それ以降の製造工
程で障害を発生させないようにする半導体装置の製造方
法および半導体製造装置を得るを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このような目的に応える
ために本発明（請求項１記載の発明）に係る半導体装置
の製造方法は、リードフレームのダイパッド上に搭載し
た半導体チップを樹脂封止する半導体装置の製造方法に
おいて、前記半導体チップの樹脂封止後に、ランナー除
去用打ち抜き部およびゲート除去用打ち抜き部によるラ
ンナー・ゲートの除去と、タイバー切断除去用打ち抜き
部およびタイバー不要樹脂除去用打ち抜き部によるタイ
バー・タイバー不要樹脂の除去とを、それぞれの除去の
タイミングをずらした状態で同一ストローク内で行い、
しかる後タイバーの切断除去部分にメッキ処理を施すこ
とを特徴とする。
ために本発明（請求項１記載の発明）に係る半導体装置
の製造方法は、リードフレームのダイパッド上に搭載し
た半導体チップを樹脂封止する半導体装置の製造方法に
おいて、前記半導体チップの樹脂封止後に、ランナー除
去用打ち抜き部およびゲート除去用打ち抜き部によるラ
ンナー・ゲートの除去と、タイバー切断除去用打ち抜き
部およびタイバー不要樹脂除去用打ち抜き部によるタイ
バー・タイバー不要樹脂の除去とを、それぞれの除去の
タイミングをずらした状態で同一ストローク内で行い、
しかる後タイバーの切断除去部分にメッキ処理を施すこ
とを特徴とする。
【００１５】また、本発明（請求項２記載の発明）に係
る半導体製造装置は、リードフレームに並設した複数の
ダイパッド上にそれぞれ搭載した半導体チップを樹脂封
止することにより複数の半導体パッケージを形成し、こ
の樹脂封止後にランナー除去、ゲート除去、タイバー切
断除去、タイバー不要樹脂の除去を同一の金型で行う半
導体製造装置であって、前記金型に、前記ランナー除去
とゲート除去とを行うランナー・ゲート除去用打ち抜き
部と、前記タイバー切断除去とタイバー不要樹脂の除去
とを行うタイバー・タイバー不要樹脂除去用打ち抜き部
とを、前記リードフレームの搬送方向に沿って並設し、
前記複数の半導体パッケージに対して前記ランナー・ゲ
ート除去用打ち抜き部による除去と前記タイバー・タイ
バー不要樹脂除去用打ち抜き部による除去とを、前記金
型の同一ストローク動作内で除去タイミングをずらすこ
とにより、段階的に分けて行うように構成したことを特
徴とする。
る半導体製造装置は、リードフレームに並設した複数の
ダイパッド上にそれぞれ搭載した半導体チップを樹脂封
止することにより複数の半導体パッケージを形成し、こ
の樹脂封止後にランナー除去、ゲート除去、タイバー切
断除去、タイバー不要樹脂の除去を同一の金型で行う半
導体製造装置であって、前記金型に、前記ランナー除去
とゲート除去とを行うランナー・ゲート除去用打ち抜き
部と、前記タイバー切断除去とタイバー不要樹脂の除去
とを行うタイバー・タイバー不要樹脂除去用打ち抜き部
とを、前記リードフレームの搬送方向に沿って並設し、
前記複数の半導体パッケージに対して前記ランナー・ゲ
ート除去用打ち抜き部による除去と前記タイバー・タイ
バー不要樹脂除去用打ち抜き部による除去とを、前記金
型の同一ストローク動作内で除去タイミングをずらすこ
とにより、段階的に分けて行うように構成したことを特
徴とする。
【００１６】また、本発明（請求項３記載の発明）に係
る半導体製造装置は、請求項２の半導体製造装置におい
て、前記ランナー・ゲート除去用打ち抜き部によるラン
ナー除去およびゲート除去と、前記タイバー・タイバー
不要樹脂除去用打ち抜き部によるタイバー切断およびタ
イバー不要樹脂除去を、前記金型の同一ストローク動作
内で段階的に分けて行うことを特徴とする。
る半導体製造装置は、請求項２の半導体製造装置におい
て、前記ランナー・ゲート除去用打ち抜き部によるラン
ナー除去およびゲート除去と、前記タイバー・タイバー
不要樹脂除去用打ち抜き部によるタイバー切断およびタ
イバー不要樹脂除去を、前記金型の同一ストローク動作
内で段階的に分けて行うことを特徴とする。
【００１７】本発明によれば、タイバー切断、タイバー
不要樹脂除去を樹脂封止直後のランナー・ゲート除去と
同時に行い、その後にばり取り・メッキ処理を行うこと
から、タイバー切断、タイバー不要樹脂除去時に発生し
ているばり屑を取り除くことができる。したがって、そ
の後にリード成形、リード切断、捺印不良等を行って
も、従来のような損傷を生じるおそれはなくなり、製品
品質を高め、歩留まりを高めることができる。
不要樹脂除去を樹脂封止直後のランナー・ゲート除去と
同時に行い、その後にばり取り・メッキ処理を行うこと
から、タイバー切断、タイバー不要樹脂除去時に発生し
ているばり屑を取り除くことができる。したがって、そ
の後にリード成形、リード切断、捺印不良等を行って
も、従来のような損傷を生じるおそれはなくなり、製品
品質を高め、歩留まりを高めることができる。
【００１８】また、本発明によれば、タイバー切断、タ
イバー不要樹脂の除去を行う機構を、半導体樹脂封止装
置内でランナー・ゲート除去を行う除去部と一体的に構
成することができるから、半導体装置の製造工程を削減
するとともに、製造方法や製造装置を簡素化することが
できる。
イバー不要樹脂の除去を行う機構を、半導体樹脂封止装
置内でランナー・ゲート除去を行う除去部と一体的に構
成することができるから、半導体装置の製造工程を削減
するとともに、製造方法や製造装置を簡素化することが
できる。
【００１９】さらに、本発明によれば、同一のプレス金
型に、ランナー・ゲート切断を行うランナー抜きパンチ
およびゲートカットパンチ（ランナー・ゲート除去用打
ち抜き部）と、タイバー切断を行うタイバーカットパン
チ（タイバー切断・タイバー不要樹脂除去用打ち抜き
部）を設け、このプレス金型の一ストロークにおいてラ
ンナー・ゲート除去処理とタイバー切断・タイバー不要
樹脂除去処理との両方を同時に行うことができる。
型に、ランナー・ゲート切断を行うランナー抜きパンチ
およびゲートカットパンチ（ランナー・ゲート除去用打
ち抜き部）と、タイバー切断を行うタイバーカットパン
チ（タイバー切断・タイバー不要樹脂除去用打ち抜き
部）を設け、このプレス金型の一ストロークにおいてラ
ンナー・ゲート除去処理とタイバー切断・タイバー不要
樹脂除去処理との両方を同時に行うことができる。
【００２０】このプレス金型の一ストロークの動きにお
いて、タイミングをずらして上述したランナー・ゲート
除去、タイバー切断・タイバー不要樹脂除去を順次行う
構成とすると、プレス金型を駆動する駆動源を最小限と
して有効に利用することができる。このようにすれば、
従来から知られているランナー・ゲート除去部における
機構を金型のみを交換するだけで有効に活用することが
できる。
いて、タイミングをずらして上述したランナー・ゲート
除去、タイバー切断・タイバー不要樹脂除去を順次行う
構成とすると、プレス金型を駆動する駆動源を最小限と
して有効に利用することができる。このようにすれば、
従来から知られているランナー・ゲート除去部における
機構を金型のみを交換するだけで有効に活用することが
できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１ないし図６は本発明に係る半
導体装置の製造方法の一つの実施の形態を示す。図１な
いし図３において、符号１０は複数個の樹脂封止型半導
体装置１を形成するリードフレームで、このリードフレ
ーム１０には、半導体装置１が幅方向に三個づつ並べた
状態で並設されている。この実施の形態では、上述した
樹脂封止型半導体装置１を３個２列を一つのステージと
し、その二つのステージ（３個四列）を一つのグループ
として処理する場合を説明する。
導体装置の製造方法の一つの実施の形態を示す。図１な
いし図３において、符号１０は複数個の樹脂封止型半導
体装置１を形成するリードフレームで、このリードフレ
ーム１０には、半導体装置１が幅方向に三個づつ並べた
状態で並設されている。この実施の形態では、上述した
樹脂封止型半導体装置１を３個２列を一つのステージと
し、その二つのステージ（３個四列）を一つのグループ
として処理する場合を説明する。
【００２２】このような樹脂封止型半導体装置１は、以
下のようにして製造される。すなわち、上述したリード
フレーム１０のダイパッド（図１では図示しないが半導
体装置１に対応する部分に形成されている）上に半導体
チップ（図示せず）を搭載し、このチップと前記半導体
装置１の周囲にスリットによって区分けされた帯状部分
によって形成されるリード４のインナーリード部（図示
せず）との間を金属細線で接続した後、図４（ｂ）に示
す半導体樹脂封止装置の成形部で樹脂封止される。
下のようにして製造される。すなわち、上述したリード
フレーム１０のダイパッド（図１では図示しないが半導
体装置１に対応する部分に形成されている）上に半導体
チップ（図示せず）を搭載し、このチップと前記半導体
装置１の周囲にスリットによって区分けされた帯状部分
によって形成されるリード４のインナーリード部（図示
せず）との間を金属細線で接続した後、図４（ｂ）に示
す半導体樹脂封止装置の成形部で樹脂封止される。
【００２３】そして、このように樹脂封止されたパッケ
ージとしての半導体装置１を並設したリードフレーム１
０は図１に示す状態で、ランナー・ゲート・タイバー除
去部２０に搬送される。本発明によれば、このランナー
・ゲート・タイバー除去部２０において、樹脂封止型半
導体装置１のモールド樹脂成形直後にアウターリード部
におけるタイバー３３の切断除去およびタイバー３３に
せき止められたタイバー不要樹脂の除去を、樹脂封止時
に形成されるランナー３１、ゲート３２の除去処理と同
時に実施するように構成している。
ージとしての半導体装置１を並設したリードフレーム１
０は図１に示す状態で、ランナー・ゲート・タイバー除
去部２０に搬送される。本発明によれば、このランナー
・ゲート・タイバー除去部２０において、樹脂封止型半
導体装置１のモールド樹脂成形直後にアウターリード部
におけるタイバー３３の切断除去およびタイバー３３に
せき止められたタイバー不要樹脂の除去を、樹脂封止時
に形成されるランナー３１、ゲート３２の除去処理と同
時に実施するように構成している。
【００２４】このランナー・ゲート・タイバー除去部２
０は、図５に示すように、上、下一対をなす上型２１と
下型２２とからなるプレス金型を備え、その間に図１に
示すように樹脂封止後のリードフレーム１０が順次搬送
されてランナー・ゲート除去およびタイバー切断・タイ
バー不要樹脂除去が実施される。なお、このようなラン
ナー・ゲート・タイバー除去部２０の具体的な構造は周
知の通りであり、ここでの詳細な説明は省略する。
０は、図５に示すように、上、下一対をなす上型２１と
下型２２とからなるプレス金型を備え、その間に図１に
示すように樹脂封止後のリードフレーム１０が順次搬送
されてランナー・ゲート除去およびタイバー切断・タイ
バー不要樹脂除去が実施される。なお、このようなラン
ナー・ゲート・タイバー除去部２０の具体的な構造は周
知の通りであり、ここでの詳細な説明は省略する。
【００２５】上述したランナー・ゲート・タイバー除去
部２０でのランナー３１、ゲート３２の除去およびタイ
バー３３の除去（前述したタイバー不要樹脂の除去も含
む）は、以下のようにして行われる。
部２０でのランナー３１、ゲート３２の除去およびタイ
バー３３の除去（前述したタイバー不要樹脂の除去も含
む）は、以下のようにして行われる。
【００２６】この実施の形態では、上述した上型２１と
下型２２との間に、リードフレーム１０上に配列されて
いる３個４列の１２個を位置させ、これらを図２、図３
に示すように互いに対向する各一個の上型２１と下型２
２とに設けたランナー打ち抜きパンチ４１、ゲート打ち
抜きパンチ４２、タイバーパンチ４３およびタイバーダ
イ４４により、一ストロークでそれぞれ６個ずつの半導
体装置１を一組として図１中左側でランナー３１とゲー
ト３２とを除去し、図１中右側でタイバー３３とタイバ
ー不要樹脂との除去を行う。
下型２２との間に、リードフレーム１０上に配列されて
いる３個４列の１２個を位置させ、これらを図２、図３
に示すように互いに対向する各一個の上型２１と下型２
２とに設けたランナー打ち抜きパンチ４１、ゲート打ち
抜きパンチ４２、タイバーパンチ４３およびタイバーダ
イ４４により、一ストロークでそれぞれ６個ずつの半導
体装置１を一組として図１中左側でランナー３１とゲー
ト３２とを除去し、図１中右側でタイバー３３とタイバ
ー不要樹脂との除去を行う。
【００２７】この実施の形態では、樹脂封止時に６個の
半導体装置１を一度に処理する場合を示しており、一本
のランナー３１は３個ずつの半導体装置１間に設けら
れ、このランナー３１から６本のゲート３２がそれぞれ
の半導体装置１につながっている。上述したランナー・
ゲート除去とは、上述した一本のランナー３１と６本の
ゲート３２とを、それぞれランナー打ち抜きパンチ４
１、ゲート打ち抜きパンチ４２で打ち抜いて除去するこ
とをいう。これらのパンチ４１，４２に対応して前記リ
ードフレーム１０にはパンチ挿通用として、あるいはガ
イド用として用いられる穴３５等が設けられている。
半導体装置１を一度に処理する場合を示しており、一本
のランナー３１は３個ずつの半導体装置１間に設けら
れ、このランナー３１から６本のゲート３２がそれぞれ
の半導体装置１につながっている。上述したランナー・
ゲート除去とは、上述した一本のランナー３１と６本の
ゲート３２とを、それぞれランナー打ち抜きパンチ４
１、ゲート打ち抜きパンチ４２で打ち抜いて除去するこ
とをいう。これらのパンチ４１，４２に対応して前記リ
ードフレーム１０にはパンチ挿通用として、あるいはガ
イド用として用いられる穴３５等が設けられている。
【００２８】図１において図中１１はリードフレーム１
０の３個２列の半導体装置１に対してランナー・ゲート
除去工程を施すプレス金型（上型２１）の左側半分のラ
ンナー・ゲート除去部分、１２は同じくリードフレーム
１０の３個２列の半導体装置１に対してタイバー切断工
程を施すプレス金型（上型２１）の右側半分のタイバー
除去部分であり、それぞれに打ち抜きパンチ４１，４
２、タイバーパンチ４３が後述する状態で形成されてい
る。なお、上述した図１ないし図３では図示を省略した
が、ゲート３２を除去するパンチ４２に対応する下型２
２にはダイを設けることは勿論である。
０の３個２列の半導体装置１に対してランナー・ゲート
除去工程を施すプレス金型（上型２１）の左側半分のラ
ンナー・ゲート除去部分、１２は同じくリードフレーム
１０の３個２列の半導体装置１に対してタイバー切断工
程を施すプレス金型（上型２１）の右側半分のタイバー
除去部分であり、それぞれに打ち抜きパンチ４１，４
２、タイバーパンチ４３が後述する状態で形成されてい
る。なお、上述した図１ないし図３では図示を省略した
が、ゲート３２を除去するパンチ４２に対応する下型２
２にはダイを設けることは勿論である。
【００２９】このような各パンチ４１，４２，４３やラ
ンナー３１、ゲート３２、タイバー３３の関係は、図６
に示すようになっている。ここでは、２個２列に並んだ
樹脂封止型半導体装置１をリードフレーム１０に設けて
おり、これらをランナー３１、ゲート３２の除去処理、
タイバー３３の切断除去処理を施す場合を重ねて図示し
ている。なお、このようなリードフレーム１０上で形成
される半導体装置１は、上述したランナー・ゲート除去
およびタイバー・タイバー不要樹脂の除去を行った後に
リード成形工程において図６の右上の部分に波線で例示
したフレーム切断線４５の位置で切断することにより個
々の半導体装置１が得られることになる。
ンナー３１、ゲート３２、タイバー３３の関係は、図６
に示すようになっている。ここでは、２個２列に並んだ
樹脂封止型半導体装置１をリードフレーム１０に設けて
おり、これらをランナー３１、ゲート３２の除去処理、
タイバー３３の切断除去処理を施す場合を重ねて図示し
ている。なお、このようなリードフレーム１０上で形成
される半導体装置１は、上述したランナー・ゲート除去
およびタイバー・タイバー不要樹脂の除去を行った後に
リード成形工程において図６の右上の部分に波線で例示
したフレーム切断線４５の位置で切断することにより個
々の半導体装置１が得られることになる。
【００３０】上述したリードフレーム１０上の１２個の
樹脂封止型半導体装置１に対するランナー３１、ゲート
３２、タイバー３３、タイバー不要樹脂の除去処理は、
次のようにして行われる。図１において、リードフレー
ム１０は図中左側から右側に３個２列（ここでは、一ス
テージという）ずつの半導体装置１が間欠的に搬送さ
れ、初めにプレス金型（２１，２２）の左側半分のラン
ナー・ゲート除去部分に対応する位置に移動する。そし
て、このプレス金型（２１，２２）の型合わせが行われ
ることにより、ランナー３１とゲート３２とがそれぞれ
の打ち抜きパンチ４１，４２により除去される。
樹脂封止型半導体装置１に対するランナー３１、ゲート
３２、タイバー３３、タイバー不要樹脂の除去処理は、
次のようにして行われる。図１において、リードフレー
ム１０は図中左側から右側に３個２列（ここでは、一ス
テージという）ずつの半導体装置１が間欠的に搬送さ
れ、初めにプレス金型（２１，２２）の左側半分のラン
ナー・ゲート除去部分に対応する位置に移動する。そし
て、このプレス金型（２１，２２）の型合わせが行われ
ることにより、ランナー３１とゲート３２とがそれぞれ
の打ち抜きパンチ４１，４２により除去される。
【００３１】一方、上述したようにしてランナー３１、
ゲート３２が除去されたリードフレーム１０上で搬送方
向の上流側に位置している６個の樹脂封止型半導体装置
１は、前記プレス金型（２１，２２）の右側半分のタイ
バー切断除去用打ち抜き部１２（タイバー不要樹脂除去
部を含む）に対応する位置に移動している。この状態で
プレス金型（２１，２２）の型合わせが行われると、タ
イバーパンチ４３とタイバーダイ４４とによって、図
２、図３に示すようにタイバー３３の切断処理とタイバ
ー不要樹脂の除去とが行われる。
ゲート３２が除去されたリードフレーム１０上で搬送方
向の上流側に位置している６個の樹脂封止型半導体装置
１は、前記プレス金型（２１，２２）の右側半分のタイ
バー切断除去用打ち抜き部１２（タイバー不要樹脂除去
部を含む）に対応する位置に移動している。この状態で
プレス金型（２１，２２）の型合わせが行われると、タ
イバーパンチ４３とタイバーダイ４４とによって、図
２、図３に示すようにタイバー３３の切断処理とタイバ
ー不要樹脂の除去とが行われる。
【００３２】すなわち、本発明によれば、上述したプレ
ス金型（２１，２２）において、左側に設けたランナー
・ゲート除去部分１１と右側に設けたタイバー・タイバ
ー不要樹脂除去部分１２とによって、それぞれの位置に
搬送されてきているリードフレーム１０上の２ステージ
の半導体装置１におけるランナー・ゲート除去、タイバ
ー切断・タイバー不要樹脂除去を同時に行う。
ス金型（２１，２２）において、左側に設けたランナー
・ゲート除去部分１１と右側に設けたタイバー・タイバ
ー不要樹脂除去部分１２とによって、それぞれの位置に
搬送されてきているリードフレーム１０上の２ステージ
の半導体装置１におけるランナー・ゲート除去、タイバ
ー切断・タイバー不要樹脂除去を同時に行う。
【００３３】前記タイバー３３は、図６を用いて説明し
た通り、各装置１において周囲に多数形成されているも
のであり、前述したパンチ４３、ダイ４４はそれぞれを
切断する個数分設けられている。なお、各列間のピッチ
をＰとすると、このリードフレーム１０は２Ｐの移動を
間欠的に繰り返すように搬送される。
た通り、各装置１において周囲に多数形成されているも
のであり、前述したパンチ４３、ダイ４４はそれぞれを
切断する個数分設けられている。なお、各列間のピッチ
をＰとすると、このリードフレーム１０は２Ｐの移動を
間欠的に繰り返すように搬送される。
【００３４】上述したようにランナー３１とゲート３２
との除去、タイバー３３の切断とタイバー不要樹脂の除
去が６個の半導体装置１をそれぞれ一ステージずつで行
われるが、上述したランナー３１、ゲート３２の除去を
行った一ステージが、タイバー・タイバー不要樹脂除去
部分１２に位置すると、リードフレーム１０上の後続す
る６個の半導体装置１が、プレス金型（２１，２２）の
左側半分であるランナー・ゲート除去部分１１に対応
し、次のプレス金型（２１，２２）の一ストロークの型
合わせが行われることにより、右側ではタイバー３３の
切断とタイバー不要樹脂の除去を、左側でのランナー３
１、ゲート３２の除去を行うことができる。
との除去、タイバー３３の切断とタイバー不要樹脂の除
去が６個の半導体装置１をそれぞれ一ステージずつで行
われるが、上述したランナー３１、ゲート３２の除去を
行った一ステージが、タイバー・タイバー不要樹脂除去
部分１２に位置すると、リードフレーム１０上の後続す
る６個の半導体装置１が、プレス金型（２１，２２）の
左側半分であるランナー・ゲート除去部分１１に対応
し、次のプレス金型（２１，２２）の一ストロークの型
合わせが行われることにより、右側ではタイバー３３の
切断とタイバー不要樹脂の除去を、左側でのランナー３
１、ゲート３２の除去を行うことができる。
【００３５】本発明に係る半導体製造装置は、上述した
プレス金型（２１，２２）とリードフレーム１０上に配
列されている樹脂封止型半導体装置１とを、金型（２
１，２２）の一ストローク内での型合わせで、ランナー
３１、ゲート３２、タイバー３３、タイバー不要樹脂を
それぞれ除去できるように構成している。ここで、この
実施の形態では、プレス金型（２１，２２）の一ストロ
ークの動き初めの部分で前記ランナー・ゲート除去部分
１１に設けたパンチ４１，４２がランナー３１、ゲート
３２に当接してこれを除去するように構成している。
プレス金型（２１，２２）とリードフレーム１０上に配
列されている樹脂封止型半導体装置１とを、金型（２
１，２２）の一ストローク内での型合わせで、ランナー
３１、ゲート３２、タイバー３３、タイバー不要樹脂を
それぞれ除去できるように構成している。ここで、この
実施の形態では、プレス金型（２１，２２）の一ストロ
ークの動き初めの部分で前記ランナー・ゲート除去部分
１１に設けたパンチ４１，４２がランナー３１、ゲート
３２に当接してこれを除去するように構成している。
【００３６】さらに、プレス金型（２１，２２）の一ス
トローク内において上述したランナー・ゲート除去を行
った後の動きで、右側のタイバー・タイバー不要樹脂除
去部分１２に設けたタイバーパンチ４３がタイバー３３
の切断、タイバー不要樹脂の除去を行うようにしてい
る。ここで、一ステージ（６個）の半導体装置１のタイ
バー３３の切断を行う場合に、プレス金型（２１，２
２）の駆動源を効率よくバランスさせて利用するため
に、図１中右側部分に、、を付したような２個を
一組ずつとして、それぞれのタイバー３３の切断、タイ
バー不要樹脂の除去を段階的に行うように構成してい
る。
トローク内において上述したランナー・ゲート除去を行
った後の動きで、右側のタイバー・タイバー不要樹脂除
去部分１２に設けたタイバーパンチ４３がタイバー３３
の切断、タイバー不要樹脂の除去を行うようにしてい
る。ここで、一ステージ（６個）の半導体装置１のタイ
バー３３の切断を行う場合に、プレス金型（２１，２
２）の駆動源を効率よくバランスさせて利用するため
に、図１中右側部分に、、を付したような２個を
一組ずつとして、それぞれのタイバー３３の切断、タイ
バー不要樹脂の除去を段階的に行うように構成してい
る。
【００３７】なお、上述したランナー・ゲート除去部分
１１によるランナー・ゲート除去と、タイバー・タイバ
ー不要樹脂除去部分１２による３段階のタイバー切断除
去（タイバー不要樹脂の除去を含む）とは、プレス金型
の一ストローク内での適宜のタイミングで行うとよい。
また、タイバー３３の切断除去（タイバー不要樹脂の除
去を含む）での順番としても、上述した、、の配
列や順番としても、適宜の変形例が考えられる。
１１によるランナー・ゲート除去と、タイバー・タイバ
ー不要樹脂除去部分１２による３段階のタイバー切断除
去（タイバー不要樹脂の除去を含む）とは、プレス金型
の一ストローク内での適宜のタイミングで行うとよい。
また、タイバー３３の切断除去（タイバー不要樹脂の除
去を含む）での順番としても、上述した、、の配
列や順番としても、適宜の変形例が考えられる。
【００３８】これは、図２、図３においてタイバーパン
チ４３の長さが、上述したランナー、ゲート用のパンチ
４１，４２とも異なる長さで三段階になっていることか
ら容易に理解される。すなわち、上述したプレス金型２
１，２２において、ランナー３１、ゲート３２の除去と
タイバー３３の切断除去（タイバー不要樹脂の除去を含
む）とを順次タイミングをずらして行うために、各パン
チ４１，４２，４３の被除去物（ランナー３１、ゲート
３２、タイバー３３）に接触するまでのストロークを長
さやスペーサの組み込みで変えるとよい。
チ４３の長さが、上述したランナー、ゲート用のパンチ
４１，４２とも異なる長さで三段階になっていることか
ら容易に理解される。すなわち、上述したプレス金型２
１，２２において、ランナー３１、ゲート３２の除去と
タイバー３３の切断除去（タイバー不要樹脂の除去を含
む）とを順次タイミングをずらして行うために、各パン
チ４１，４２，４３の被除去物（ランナー３１、ゲート
３２、タイバー３３）に接触するまでのストロークを長
さやスペーサの組み込みで変えるとよい。
【００３９】このような構造とすると、このランナー・
ゲート・タイバー除去部２０を構成するプレス金型（２
１，２２）の一ストローク内でのプレス負荷を分散させ
てバランスよく構成することが可能で、その駆動源等を
相対的に小型に構成することができる。たとえばこの実
施の形態での構造を採用すると、従来ランナー・ゲート
除去部で使用していたプレス金型をパンチ等を有する上
型２１、下型２２を除いてそのまま使用することができ
ることが確認されている。
ゲート・タイバー除去部２０を構成するプレス金型（２
１，２２）の一ストローク内でのプレス負荷を分散させ
てバランスよく構成することが可能で、その駆動源等を
相対的に小型に構成することができる。たとえばこの実
施の形態での構造を採用すると、従来ランナー・ゲート
除去部で使用していたプレス金型をパンチ等を有する上
型２１、下型２２を除いてそのまま使用することができ
ることが確認されている。
【００４０】以上のような本発明に係る樹脂封止型半導
体装置１の製造方法および半導体製造装置（半導体樹脂
封止装置）では、従来ばり取り・メッキ処理後に行って
いたタイバー３３の切断、タイバー不要樹脂の除去を、
樹脂封止工程が終了した直後で少なくともばり取り・メ
ッキ処理工程の前に行っているから、樹脂屑、金属屑等
がそれ以降の工程に悪影響を与えるといった従来の不具
合は生じない。
体装置１の製造方法および半導体製造装置（半導体樹脂
封止装置）では、従来ばり取り・メッキ処理後に行って
いたタイバー３３の切断、タイバー不要樹脂の除去を、
樹脂封止工程が終了した直後で少なくともばり取り・メ
ッキ処理工程の前に行っているから、樹脂屑、金属屑等
がそれ以降の工程に悪影響を与えるといった従来の不具
合は生じない。
【００４１】また、上述した半導体装置１の製造方法で
は、樹脂封止直後においてランナー３１、ゲート３２を
除去するとともにリードフレーム１０のアウターリード
部におけるタイバー３３、タイバー不要樹脂を切断除去
するランナー・ゲート・タイバー除去工程を行い、その
後にばり取り・メッキ処理工程を行うことから、タイバ
ー３３、タイバー不要樹脂の切断除去時に発生している
樹脂屑、金属屑等のばり屑を取り除くことができる。し
たがって、その後の工程でリード成形、リード切断等を
行っても、従来のような損傷を生じるおそれはなくな
り、製品品質を高め、選別不良をなくし、歩留まりを向
上させることができる。
は、樹脂封止直後においてランナー３１、ゲート３２を
除去するとともにリードフレーム１０のアウターリード
部におけるタイバー３３、タイバー不要樹脂を切断除去
するランナー・ゲート・タイバー除去工程を行い、その
後にばり取り・メッキ処理工程を行うことから、タイバ
ー３３、タイバー不要樹脂の切断除去時に発生している
樹脂屑、金属屑等のばり屑を取り除くことができる。し
たがって、その後の工程でリード成形、リード切断等を
行っても、従来のような損傷を生じるおそれはなくな
り、製品品質を高め、選別不良をなくし、歩留まりを向
上させることができる。
【００４２】さらに、上述した半導体製造装置では、リ
ードフレーム１０上に配列している複数個ずつの半導体
装置１に対する樹脂封止工程後のランナー３１、ゲート
３２の除去とリードフレーム１０のアウターリード部に
おけるタイバー３３の切断除去（タイバー不要樹脂の除
去を含む）とを同一のプレス金型（２１，２２）で行っ
ているから、必要最小限の設備で工程数の少ない半導体
装置１の製造を効率よく、量産効果も高めて行うことが
できる。
ードフレーム１０上に配列している複数個ずつの半導体
装置１に対する樹脂封止工程後のランナー３１、ゲート
３２の除去とリードフレーム１０のアウターリード部に
おけるタイバー３３の切断除去（タイバー不要樹脂の除
去を含む）とを同一のプレス金型（２１，２２）で行っ
ているから、必要最小限の設備で工程数の少ない半導体
装置１の製造を効率よく、量産効果も高めて行うことが
できる。
【００４３】しかも、上述したプレス金型（２１，２
２）の一ストロークの動きにおいて、タイミングをずら
して上述したランナー３１、ゲート３２の除去、タイバ
ー３３の切断（タイバー不要樹脂の除去を含む）を順次
行うことにより、プレス金型を駆動する駆動源を最小限
として有効に利用することができる。このようにすれ
ば、従来から知られているランナー・ゲート除去部にお
ける機構を金型のみを交換するだけで有効に活用するこ
とができる。
２）の一ストロークの動きにおいて、タイミングをずら
して上述したランナー３１、ゲート３２の除去、タイバ
ー３３の切断（タイバー不要樹脂の除去を含む）を順次
行うことにより、プレス金型を駆動する駆動源を最小限
として有効に利用することができる。このようにすれ
ば、従来から知られているランナー・ゲート除去部にお
ける機構を金型のみを交換するだけで有効に活用するこ
とができる。
【００４４】また、このようなタイバー３３の切断除去
（タイバー不要樹脂の除去を含む）を、半導体樹脂封止
装置におけるランナー・ゲート除去部でのランナー・ゲ
ート除去と同時に行うことにより、そのタイバー切断除
去時に発生するばり屑を、半導体樹脂封止装置での樹脂
封止工程における次工程であるばり取り・めっき工程で
取り除くことができる。したがって、従来樹脂封止工程
以降の仕上げ工程でタイバー・タイバー不要樹脂の除去
を行っていたことにより問題であった樹脂屑、金属屑の
ようなばり屑が発生せず、半導体装置の歩留りを向上さ
せることができる。また、上述した構成によれば、タイ
バー３３の切断面に半田メッキを施した半導体装置１を
得ることができる。これは、樹脂封止直後にタイバー３
３の切断を行った後にメッキ処理が行われることから明
らかである。
（タイバー不要樹脂の除去を含む）を、半導体樹脂封止
装置におけるランナー・ゲート除去部でのランナー・ゲ
ート除去と同時に行うことにより、そのタイバー切断除
去時に発生するばり屑を、半導体樹脂封止装置での樹脂
封止工程における次工程であるばり取り・めっき工程で
取り除くことができる。したがって、従来樹脂封止工程
以降の仕上げ工程でタイバー・タイバー不要樹脂の除去
を行っていたことにより問題であった樹脂屑、金属屑の
ようなばり屑が発生せず、半導体装置の歩留りを向上さ
せることができる。また、上述した構成によれば、タイ
バー３３の切断面に半田メッキを施した半導体装置１を
得ることができる。これは、樹脂封止直後にタイバー３
３の切断を行った後にメッキ処理が行われることから明
らかである。
【００４５】ここで、上述したような方法および構成を
有する本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、従
来はタイバー３３の切断処理をメッキ処理後に行ってい
るから、そのときの選別不良率が１．３７％程度であっ
たのに対して、本発明によればタイバー３３の切断処理
後にメッキ処理を行っており、そのときの選別不良率が
０．３９％というように不良率を改善できることが実験
により確認されている。
有する本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、従
来はタイバー３３の切断処理をメッキ処理後に行ってい
るから、そのときの選別不良率が１．３７％程度であっ
たのに対して、本発明によればタイバー３３の切断処理
後にメッキ処理を行っており、そのときの選別不良率が
０．３９％というように不良率を改善できることが実験
により確認されている。
【００４６】なお、本発明は上述した実施の形態で説明
した構造には限定されず、各部の形状、構造等を適宜変
形、変更し得ることはいうまでもない。たとえば上述し
た実施の形態では、リードフレーム１０上に並設される
樹脂封止型半導体装置１の樹脂封止後のランナー３１、
ゲート３２、タイバー３３、タイバー不要樹脂の除去を
同時に行う配列個数は、樹脂封止時に一回で処理される
個数等に応じて適宜変更すればよい。
した構造には限定されず、各部の形状、構造等を適宜変
形、変更し得ることはいうまでもない。たとえば上述し
た実施の形態では、リードフレーム１０上に並設される
樹脂封止型半導体装置１の樹脂封止後のランナー３１、
ゲート３２、タイバー３３、タイバー不要樹脂の除去を
同時に行う配列個数は、樹脂封止時に一回で処理される
個数等に応じて適宜変更すればよい。
【００４７】また、上述した実施の形態では、樹脂封止
型半導体装置１の構造、形状を一例を上げて説明した
が、本発明はこれに限定されず、樹脂封止型半導体装置
１であって、リードフレーム１０を用いて製造されるも
のであれば、広く知られている種々の構造、形状を有す
るものであっても適用することは自由である。
型半導体装置１の構造、形状を一例を上げて説明した
が、本発明はこれに限定されず、樹脂封止型半導体装置
１であって、リードフレーム１０を用いて製造されるも
のであれば、広く知られている種々の構造、形状を有す
るものであっても適用することは自由である。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
装置の製造方法によれば、タイバー切断、タイバー不要
樹脂の除去を樹脂封止後に行った後に、ばり取り・メッ
キ処理を行うことにより、タイバーの切断面に半田めっ
きを施しているから、従来と比較してむき出し部分がな
くなり、製品品質を向上させるとともに、歩留まりを向
上させることができる。
装置の製造方法によれば、タイバー切断、タイバー不要
樹脂の除去を樹脂封止後に行った後に、ばり取り・メッ
キ処理を行うことにより、タイバーの切断面に半田めっ
きを施しているから、従来と比較してむき出し部分がな
くなり、製品品質を向上させるとともに、歩留まりを向
上させることができる。
【００４９】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、樹脂封止型の半導体装置の製造装置のうち樹
脂封止工程を行う半導体樹脂封止装置内にアウターリー
ド部のタイバーを切断除去するタイバー・タイバー不要
樹脂除去部を付設することにより、その樹脂封止工程以
降の仕上げ工程において従来ばり屑の発生という問題を
生じていたタイバー切断・タイバー不要樹脂除去工程を
削減することができる。
によれば、樹脂封止型の半導体装置の製造装置のうち樹
脂封止工程を行う半導体樹脂封止装置内にアウターリー
ド部のタイバーを切断除去するタイバー・タイバー不要
樹脂除去部を付設することにより、その樹脂封止工程以
降の仕上げ工程において従来ばり屑の発生という問題を
生じていたタイバー切断・タイバー不要樹脂除去工程を
削減することができる。
【００５０】また、このようなタイバーの切断、タイバ
ー不要樹脂の除去を、半導体樹脂封止装置におけるラン
ナー・ゲート除去部においてランナー・ゲート除去と同
時に行うように構成することにより、そのタイバー切断
・タイバー不要樹脂除去時に発生するばり屑を、半導体
樹脂封止装置での樹脂封止工程における次工程であるば
り取り・めっき工程で取り除くことができる。したがっ
て、従来樹脂封止工程以降の仕上げ工程でタイバー除去
（タイバー不要樹脂の除去を含む）を行っていたことに
より問題であった樹脂屑、金属屑のようなばり屑が発生
せず、半導体装置の歩留りを向上させることができる。
ー不要樹脂の除去を、半導体樹脂封止装置におけるラン
ナー・ゲート除去部においてランナー・ゲート除去と同
時に行うように構成することにより、そのタイバー切断
・タイバー不要樹脂除去時に発生するばり屑を、半導体
樹脂封止装置での樹脂封止工程における次工程であるば
り取り・めっき工程で取り除くことができる。したがっ
て、従来樹脂封止工程以降の仕上げ工程でタイバー除去
（タイバー不要樹脂の除去を含む）を行っていたことに
より問題であった樹脂屑、金属屑のようなばり屑が発生
せず、半導体装置の歩留りを向上させることができる。
【００５１】また、本発明によれば、タイバー切断・タ
イバー不要樹脂除去を行う除去部を、半導体樹脂封止装
置内でランナー・ゲート除去を行う除去部と一体的に構
成することができるから、半導体装置の製造工程を削減
するとともに、製造方法や製造装置を簡素化することが
できる。
イバー不要樹脂除去を行う除去部を、半導体樹脂封止装
置内でランナー・ゲート除去を行う除去部と一体的に構
成することができるから、半導体装置の製造工程を削減
するとともに、製造方法や製造装置を簡素化することが
できる。
【００５２】さらに、本発明によれば、同一のプレス金
型に、ランナー・ゲート切断を行うランナー抜きパンチ
およびゲートカットパンチ（ランナー・ゲート除去用打
ち抜き部）と、タイバー切断を行うタイバーカットパン
チ（タイバー切断除去用打ち抜き部、タイバー不要樹脂
除去部）とを設け、このプレス金型の一ストロークにお
いてランナーゲート除去処理とタイバー切断・タイバー
不要樹脂除去処理との両方を同時に行うことができる。
型に、ランナー・ゲート切断を行うランナー抜きパンチ
およびゲートカットパンチ（ランナー・ゲート除去用打
ち抜き部）と、タイバー切断を行うタイバーカットパン
チ（タイバー切断除去用打ち抜き部、タイバー不要樹脂
除去部）とを設け、このプレス金型の一ストロークにお
いてランナーゲート除去処理とタイバー切断・タイバー
不要樹脂除去処理との両方を同時に行うことができる。
【００５３】また、本発明によれば、このプレス金型の
一ストロークの動きにおいて、タイミングをずらして上
述したランナー・ゲート除去、タイバー切断・タイバー
不要樹脂の除去を順次行う構成とすると、プレス金型を
駆動する駆動源を最小限として有効に利用することがで
きる。このようにすれば、従来から知られているランナ
ー・ゲート除去部における機構を金型のみを交換するだ
けで有効に活用することができる。
一ストロークの動きにおいて、タイミングをずらして上
述したランナー・ゲート除去、タイバー切断・タイバー
不要樹脂の除去を順次行う構成とすると、プレス金型を
駆動する駆動源を最小限として有効に利用することがで
きる。このようにすれば、従来から知られているランナ
ー・ゲート除去部における機構を金型のみを交換するだ
けで有効に活用することができる。
【図１】 本発明に係る半導体装置の製造方法および半
導体製造装置の一つの実施の形態を示し、リードフレー
ムに並設した樹脂封止型半導体装置の平面図である。
導体製造装置の一つの実施の形態を示し、リードフレー
ムに並設した樹脂封止型半導体装置の平面図である。
【図２】 図１のII−II線断面図である。
【図３】 図１のIII−III線断面図である。
【図４】 （ａ）は本発明に係る半導体装置の製造方法
を示す工程図、（ｂ）は半導体樹脂封止装置の概要を示
すブロック図である。
を示す工程図、（ｂ）は半導体樹脂封止装置の概要を示
すブロック図である。
【図５】 本発明に係る半導体製造装置の概要を説明す
る側面図である。
る側面図である。
【図６】 本発明に係る半導体装置の製造方法を説明す
るための概略平面図である。
るための概略平面図である。
【図７】 （ａ）は樹脂封止型半導体装置の要部断面
図、（ｂ）はその一部拡大斜視図である。
図、（ｂ）はその一部拡大斜視図である。
【図８】 （ａ）は従来の半導体装置の製造方法を示す
工程図、（ｂ）は従来の半導体樹脂封止装置の概要を示
すブロック図である。
工程図、（ｂ）は従来の半導体樹脂封止装置の概要を示
すブロック図である。
１…樹脂封止型半導体装置、１０…リードフレーム、１
１…ランナー・ゲート除去部分、１２…タイバー・タイ
バー不要樹脂除去部分、２０…ランナー・ゲート・タイ
バー除去部、２１…上型（プレス金型）、２２…下型
（プレス金型）、３１…ランナー、３２…ゲート、３３
…タイバー、４１…ランナー打ち抜きパンチ（ランナー
除去用打ち抜き部）、４２…ゲート打ち抜きパンチ（ゲ
ート除去用打ち抜き部）、４３…タイバーパンチ（タイ
バー切断・タイバー不要樹脂除去用打ち抜き部）、４４
…タイバーダイ。
１…ランナー・ゲート除去部分、１２…タイバー・タイ
バー不要樹脂除去部分、２０…ランナー・ゲート・タイ
バー除去部、２１…上型（プレス金型）、２２…下型
（プレス金型）、３１…ランナー、３２…ゲート、３３
…タイバー、４１…ランナー打ち抜きパンチ（ランナー
除去用打ち抜き部）、４２…ゲート打ち抜きパンチ（ゲ
ート除去用打ち抜き部）、４３…タイバーパンチ（タイ
バー切断・タイバー不要樹脂除去用打ち抜き部）、４４
…タイバーダイ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/28 H01L 21/56 B21D 28/00
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームのダイパッド上に搭載し
た半導体チップを樹脂封止する半導体装置の製造方法に
おいて、 前記半導体チップの樹脂封止後に、ランナー除去用打ち
抜き部およびゲート除去用打ち抜き部によるランナー・
ゲートの除去と、タイバー切断除去用打ち抜き部および
タイバー不要樹脂除去用打ち抜き部によるタイバー・タ
イバー不要樹脂の除去とを、それぞれの除去のタイミン
グをずらした状態で同一ストローク内で行い、 しかる後タイバーの切断除去部分にメッキ処理を施すこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 リードフレームに並設した複数のダイパ
ッド上にそれぞれ搭載した半導体チップを樹脂封止する
ことにより複数の半導体パッケージを形成し、この樹脂
封止後にランナー除去、ゲート除去、タイバー切断除
去、タイバー不要樹脂の除去を同一の金型で行う半導体
製造装置であって、 前記金型に、前記ランナー除去とゲート除去とを行うラ
ンナー・ゲート除去用打ち抜き部と、前記タイバー切断
除去とタイバー不要樹脂の除去とを行うタイバー・タイ
バー不要樹脂除去用打ち抜き部とを、前記リードフレー
ムの搬送方向に沿って並設し、 前記複数の半導体パッケージに対して前記ランナー・ゲ
ート除去用打ち抜き部による除去と前記タイバー・タイ
バー不要樹脂除去用打ち抜き部による除去とを、前記金
型の同一ストローク動作内で除去タイミングをずらすこ
とにより段階的に分けて行うように構成したことを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体製造装置におい
て、 前記ランナー・ゲート除去用打ち抜き部によるランナー
除去およびゲート除去と、前記タイバー・タイバー不要
樹脂除去用打ち抜き部によるタイバー切断およびタイバ
ー不要樹脂除去を、前記金型の同一ストローク動作内で
段階的に分けて行うことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10121987A JP3085278B2 (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
| US09/300,684 US6303983B1 (en) | 1998-05-01 | 1999-04-27 | Apparatus for manufacturing resin-encapsulated semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10121987A JP3085278B2 (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317483A JPH11317483A (ja) | 1999-11-16 |
| JP3085278B2 true JP3085278B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=14824769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10121987A Expired - Fee Related JP3085278B2 (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6303983B1 (ja) |
| JP (1) | JP3085278B2 (ja) |
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| JP3741995B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2006-02-01 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の樹脂封止後におけるタイバーの除去装置及び方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2007242825A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | タイバー剪断金型装置 |
| JP5215556B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2013-06-19 | Ｔｏｗａ株式会社 | 電子部品製造用の個片化装置 |
| US7935287B2 (en) * | 2009-03-06 | 2011-05-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Keyboard case manufacturing system and method |
| DE102009042479A1 (de) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Msg Lithoglas Ag | Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem Bauelement auf einem Trägersubstrat und Anordnung sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbzeuges und Halbzeug |
| KR20140094758A (ko) * | 2013-01-22 | 2014-07-31 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 스트립 |
| CN114769414B (zh) * | 2022-06-21 | 2022-09-20 | 四川旭茂微科技有限公司 | 一种半导体成型分离模具 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS63180119A (ja) | 1987-01-21 | 1988-07-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | マイクロコンピユ−タの初期化方法 |
| US4942454A (en) * | 1987-08-05 | 1990-07-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin sealed semiconductor device |
| KR930006868A (ko) * | 1991-09-11 | 1993-04-22 | 문정환 | 반도체 패키지 |
| JPH06196603A (ja) * | 1992-12-23 | 1994-07-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレームの製造方法 |
| JPH0722447A (ja) | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Rohm Co Ltd | 樹脂モールドパッケージ型電子部品の製造における樹脂モールド工程の後処理装置および方法 |
| JPH0823042A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法及びこれに使用される金型 |
| TW314650B (ja) * | 1995-06-21 | 1997-09-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | |
| JP2746224B2 (ja) * | 1995-10-11 | 1998-05-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH09153504A (ja) | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| JP3617574B2 (ja) | 1996-05-22 | 2005-02-09 | 株式会社ルネサステクノロジ | 多連多列リードフレームおよびそれを用いる半導体装置の製造方法 |
| US5929511A (en) * | 1996-07-15 | 1999-07-27 | Matsushita Electronics Corporation | Lead frame for resin sealed semiconductor device |
| JP2859220B2 (ja) * | 1996-10-08 | 1999-02-17 | 九州日本電気株式会社 | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-05-01 JP JP10121987A patent/JP3085278B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-04-27 US US09/300,684 patent/US6303983B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11317483A (ja) | 1999-11-16 |
| US6303983B1 (en) | 2001-10-16 |
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