JP4357885B2 - Ｉｃカードモジュール用のメタルサブストレート部材とｉｃカードモジュールの作製方法 - Google Patents

Ｉｃカードモジュール用のメタルサブストレート部材とｉｃカードモジュールの作製方法 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非接触型のＩＣカードに用いられるトランスファーモールドタイプのＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材と、該メタルサブストレート部材を用いた非接触型のＩＣカードに用いられるトランスファーモールドタイプのＩＣカードモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報の機密性の面からＩＣカードが次第に普及されつつ中、近年では、読み書き装置（リーダライタ）と接触せずに情報の授受を行う非接触型のＩＣカードが提案され、中でも、外部の読み書き装置との信号交換を、あるいは信号交換と電力供給とを電磁波により行う方式のものが実用化されつつある。
このような非接触式のＩＣカードにおいては、例えば、図８（ａ）に示すように、ＩＣモジュール８１２は、アンテナ８１１に接続されており、その回路構成は、通常、図８（ｂ）のようになっている。
図８において、８１０はＩＣカード、８１１はアンテナ、８１２はＩＣモジュール、８１３は（ＩＣモジュールの）端子である。
このようなＩＣチップモジュールにおけるＩＣチップの実装方法としては、プリント基板にＩＣチップをマウントし、ボンディング線にてプリント基板上へ接続するＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）が最も多く用いられているが、この方法では実装厚を薄くできないという欠点があり、最近では、実装厚を薄くでき、量産にも対応できる実装形態として、導電性のダイパッドをハーフエッチングしたメタルサブストレート上にＩＣチップをマウントし、ボンディング線にてメタルサブストレートの端子部へ接続する形態も提案されている。
このような形態のＩＣチップモジュールにおいては、単位のメタルサブストレートは、ＩＣチップを搭載するための領域（ダイパッド部）、アンテナ回路との接続用の領域や入出力端子の領域等、複数の領域に一部繋がった状態で分割形成されているのが普通で、その作製においては、これらの領域を繋ぎ部で加工用素材に接続し、且つ、単位のメタルサブストレートを多面付けしており、各単位のメタルサブストレートにＩＣチップを搭載して樹脂封止した後に、所定の繋ぎ部を切断分離する。
単位のメタルサブストレートをリードあるいはリードフレームと言う場合もあり、また、単位のメタルサブストレートが多面付けされ、加工用素材に直接、あるいは枠部を設けて枠部に、繋ぎ部で繋がった状態のものを、リードフレームと言う場合もある。
【０００３】
このような、メタルサブストレートをプレスにて作製すると、プレス加工時にバリ９１１が発生し、図９（ａ）に示すように、樹脂封止した場合、裏面への樹脂漏れ９３１が発生してしまうため、エッチング加工方法が採られるが、エッチング加工方法による場合には、図９（ｂ）に示すように、樹脂漏れを起こさずに封止ができる。
尚、図９において、９１０はメタルサブストレート、９２０はＩＣチップ、９３０は封止用樹脂、９３１は樹脂漏れ、９４０はボンディングワイヤである。
エッチング加工方法においては、薄いＣｕ材、あるいは４２合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）を用い、通常、製版処理、エッチング処理をリール・トウー・リールで行う、リール方式が、その生産性の面から採られている。
そして、面付けしてエッチング加工後、面付け状態のまま、順に、銀メッキ処理あるいは全面パラジュームめっき処理、ＩＣチップマウント、ワイヤボンディング、個別樹脂封止等の処理を、連続して、あるいは、分けて、リール方式で行う。
そして、従来、エッチング加工により、ＩＣモジュール用のメタルサブストレートを面付けして、リール方式で作製する場合、図７（ａ）に示すように、１面毎に、その絵柄がオーバラップしないように配列して作製していた。
尚、図７（ｂ）は、図７（ａ）のように面付けされてエッチングされた、メタルサブストレート部材の各ダイパッド部６２１にＩＣチップを搭載し、更にトランスファー方式で樹脂封止した状態を示している。
この後、所定の位置をカットすることにより、個片化する。
図７において、６１１は加工用素材、６２０は単位のメタルサブストレート、６２１はダイパッド、６２１Ｈはハーフエッチング部、６２２Ａ、６２２Ｂは（アンテナと接続する）端子、６２５は貫通孔部、６２６は繋ぎ部、６２８はスプロケット、６４０は封止用樹脂である。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−１７４１７６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、最近、ＩＣモジュール用にメタルサブストレートを用いる形態が提案され、エッチング加工により、ＩＣモジュール用のメタルサブストレートを面付けして、リール方式で作製する作製方法が知られているが、特に、非接触型のＩＣカード用のＩＣモジュールにおいては、更なる、量産化、低コスト化が求められていた。
本発明は、これらに対応するもので、非接触型のＩＣカード用のＩＣモジュールを、更に、量産性良く製造できる、メタルサブストレート部材を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材は、トランスファモールドタイプの非接触型ＩＣカード用のＩＣカードモジュールに用いられる単位のメタルサブストレートを、多数配列したメタルサブストレート部材であって、金属からなる帯状の薄い加工用素材に単位のメタルサブストレートの各部を繋ぎ部で保持した状態で、エッチング形成されたものであり、単位のメタルサブストレートは、端子面を上側にしてＩＣチップを搭載するためのダイパッドを有し、アンテナコイルと接続するためのアンテナ端子を、ダイパッドおよび樹脂封止領域よりも外側に、前記帯状の加工用素材の長手方向でダイパッドを跨ぎ、それぞれ配するもので、前記帯状の加工用素材の長手方向に隣接する単位のメタルサブストレート同士のアンテナ端子部領域を、共通領域としてオーバラップして、単位のメタルサブストレートを、加工用素材の長手方向に面付けしており、且つ、各単位のメタルサブストレートは、該メタルサブストレートの外側２箇所において加工用素材の長手方向に所定幅のカットを入れるだけで、樹脂封止した後に所望の外形が分離できるように、外形加工されていることを特徴とするものである。
そして、上記に記載のメタルサブストレート部材であって、端子面を上側にしてＩＣチップを搭載するための、ＩＣチップより大サイズのダイパッドを有し、該ダイパッドのＩＣチップ搭載領域はハーフエッチングにて、メタルサブストレートの基材厚よりも薄く形成されていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記のいずれかに記載のメタルサブストレート部材であって、ダイパッド領域の外側に、封止樹脂の密着性を向上させるための凹部を配し、前記アンテナ端子と一体的に接続するる内部端子を設けていることを特徴とするものである。
また、上記いずれかに記載のメタルサブストレート部材であって、加工用素材はＣｕ材あるいは４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金（以下、４２合金とも言う）からなることを特徴とするものである。
尚、上記において、金属からなる帯状の薄い加工用素材の厚さは、ＩＣモジュールの薄化要求に対応できる厚さであれば良く、０．１ｍｍ厚程度の薄いものが、特に、薄化要求からは、好ましい。
【０００７】
本発明のＩＣカードモジュールの作製方法は、非接触型のＩＣカードに用いられるトランスファモールドタイプのＩＣカードモジュールの作製方法であって、金属からなる薄い加工用素材に対して、リール・トウー・リールで、製版処理、エッチング処理を行い、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のメタルサブストレート部材を、形成するエッチング加工工程を行った後、以下、リール・トウー・リールで、順に、（ａ）前記メタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートに対し、その所定の領域に銀メッキ処理またはその全面にパラジュームめっき処理を施す、めっき処理工程と、（ｂ）前記メタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートのダイパッド上に、ＩＣチップを搭載するＩＣチップマウント工程と、（ｃ）前記メタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートの所定の内部端子とＩＣチップとをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｄ）トランスファ方式により、ＩＣチップ、ボンデインングワイヤを含み所定領域を樹脂封止する樹脂封止工程と、（ｅ）所定のカッターにて個片化する個片化工程とを行うことを特徴とするものである。
そして、上記に記載のＩＣカードモジュールの作製方法において、加工用素材はＣｕ材あるいは４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金（４２合金とも言う）からなることを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】
本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材は、このような構成にすることにより、非接触型のＩＣカード用のＩＣモジュールを、更に、量産性良く製造できる、メタルサブストレート部材の提供を可能としている。
具体的には、単位のメタルサブストレートは、端子面を上側にしてＩＣチップを搭載するためのダイパッドを有し、そのアンテナコイルと接続するためのアンテナ端子を、ダイパッドおよび樹脂封止領域よりも外側に、前記帯状の加工用素材の長手方向でダイパッドを跨ぎ、それぞれ配するもので、前記帯状の加工用素材の長手方向に隣接する単位のメタルサブストレート同士のアンテナ端子部領域を、共通領域としてオーバラップして、単位のメタルサブストレートを、加工用素材の長手方向に面付けしており、且つ、各単位のメタルサブストレートは、該メタルサブストレートの外側２箇所において加工用素材の長手方向に所定幅のカットを入れるだけで、樹脂封止した後に所望の外形が分離できるように、外形加工されていることにより、これを達成している。
詳しくは、本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材を、リール・トウー・リールで、製版処理、エッチング処理を行い作製することを可能とし、更に、本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材を用いて、ＩＣカードモジュールを、量産性良く、リール・トウー・リールで各処理を行うことを可能としている。
【０００９】
また、端子面を上側にしてＩＣチップを搭載するための、ＩＣチップより大サイズのダイパッドを有し、該ダイパッドのＩＣチップ搭載領域はハーフエッチングにて、メタルサブストレートの基材厚よりも薄く形成されていることにより、特に、ＩＣモジュールを薄型化要求に対応できるものとしている。
また、金属からなる帯状の薄い加工用素材としては、導電性、処理性、汎用性等から、通常は、Ｃｕ材あるいは４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金（４２合金とも言う）が用いられるが、これらに限定はされない。
尚、先にも述べたが、金属からなる帯状の薄い加工用素材の厚さは、ＩＣモジュールの薄化要求に対応できる厚さであれば良く、０． １ｍｍ厚程度の薄いものが、特に、薄化要求からは、好ましい。
また、ダイパッド領域の外側に、封止樹脂の密着性を向上させるための凹部を配し、前記アンテナ端子と一体的に接続する封止用樹脂支持部を設けていることにより、樹脂封止を信頼性の良いものとしている。
【００１０】
本発明のＩＣカードモジュールの作製方法は、このような構成にすることにより、非接触型のＩＣカード用のＩＣモジュールを、量産性良く製造できるものとしている。
即ち、各処理をリール・トウー・リールで行うことにより、これを達成している。
先にも述べたが、金属からなる帯状の薄い加工用素材としては、導電性、処理性、汎用性等から、通常は、Ｃｕ材あるいは４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金（４２合金とも言う）が用いられるが、これらに限定はされない。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の実施の形態例を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の実施の形態の第１の例の一部を示した概略構成図で、図１（ｂ）は図１（ａ）における単位のメタルルサブストレートを示した図で、図２（ａ）は図１（ａ）に示すＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートのダイパッド上にＩＣチップを搭載し、ワイヤボンディング結線した図で、図２（ｂ）は図２（ａ）における単位のメタルサブストレート部を示した図で、図３は図２（ａ）に示す部材にトランスファモールド処理を施した図で、図４は本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の実施の形態の第２の例の一部を示した概略構成図で、図５は図４に示すＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートのダイパッド上にＩＣチップを搭載し、ワイヤボンディング結線した図で、図６は図５に示す部材にトランスファモールド処理を施した図である。
図１〜図６において、１１１は加工用素材、１２０は単位のメタルサブストレート、１２１はダイパッド、１２１Ｈはハーフエッチング部、１２２Ａ、１２２Ｂは（アンテナと接続する）端子、１２３Ａ、１２３Ｂは内部端子、１２４は貫通孔、１２５は貫通孔部、１２６は繋ぎ部、１２８はスプロケット、１３０はＩＣチップ、１３１は端子、１３５はボンディングワイヤ、１４０は封止用樹脂、２２１はダイパッド、２２１Ｈはハーフエッチング部、２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｃ、２２２Ｄは（アンテナと接続する）端子、２２３Ａ、２２３Ｂ、２２３Ｃ、２２３Ｄは内部端子、２２５は貫通孔部、２２６は繋ぎ部、２２８はスプロケット、２３０はＩＣチップ、２３１は端子、２３５はボンディングワイヤ、２４０は封止用樹脂である。
【００１２】
本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の実施の形態の第１の例を、図１に基づいて説明する。
第１の例のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材は、トランスファモールドタイプの非接触型ＩＣカード用のＩＣカードモジュールで、アンテナを１ループで配するＩＣモジュールに用いられる単位のメタルサブストレート１２０（図１（ｂ）参照）を、多数配列したメタルサブストレート部材で、導電性の金属からなる帯状の薄い加工用素材に単位のメタルサブストレート１２０の各部を繋ぎ部１２６で保持した状態で、エッチング形成されたものである。
単位のメタルサブストレート１２０は、図１（ｂ）に示すように、端子面を上側にしてＩＣチップを搭載するためのダイパッド１２１を有し、アンテナコイル（図示していない）と接続するためのアンテナ端子１２２Ａ、１２２Ｂを、ダイパッド１２１および樹脂封止領域よりも外側に、アンテナコイル１ループ用として２個を、前記帯状の加工用素材１１１の長手方向でダイパッド１２１を跨ぎ、それぞれ配するもので、帯状の加工用素材１１１の長手方向に隣接する単位のサブストレート同志のアンテナ端子部領域１２２Ａ、１２２ｂを、共通領域としてオーバラップして、単位のサブストレート１２０を、加工用素材１１１の長手方向に面付けしている。
そして、各単位のメタルサブストレート１２０は、図１（ｂ）のＬ１、Ｌ２に示す、外側（２箇所）において、加工用素材１１１の長手方向に所定幅のカットを入れるだけで、樹脂封止した後に所望の外形が分離できるように、外形加工されている。
本例では、ダイパッド領域の外側に、封止樹脂の密着性を向上させるための貫通孔１２４を配し、アンテナ端子１２２Ａ、１２２Ｂと、それぞれ、一体的に接続する内部端子１２３Ａ、１２３Ｂを設けている。
【００１３】
加工用素材としては、通常は、Ｃｕ材あるいは４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金（４２合金とも言う）が、導電性や処理性、処理性、汎用性から用いられるが、これらに限定はされない。
金属からなる帯状の薄い加工用素材の厚さは、ＩＣモジュールの薄化要求に対応できる厚さであれば良い。
【００１４】
第１の例の変形例としては、端子面を上側にしてＩＣチップを搭載するための、ＩＣチップより大サイズのダイパッドを有し、該ダイパッドのＩＣチップ搭載領域はハーフエッチングにて、メタルサブストレートの基材厚よりも薄く形成されているものが挙げられる。
この変形例の場合は、薄型化を第１の例より一層可能とする。
【００１５】
本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の実施の形態の第２の例を、図２に基づいて、簡単に説明する。
第２の例は、トランスファモールドタイプの非接触型ＩＣカード用のＩＣカードモジュールで、アンテナコイルを２ループで配するＩＣモジュールに用いられる単位のメタルサブストレートを、多数配列したメタルサブストレート部材で、導電性の金属からなる帯状の薄い加工用素材に単位のメタルサブストレートの各部を繋ぎ部で保持した状態で、エッチング形成されたものである。
第２の例においては、端子面を上側にしてＩＣチップを搭載するための、ＩＣチップより大サイズのダイパッドを有し、該ダイパッドのＩＣチップ搭載領域はハーフエッチングにて、メタルサブストレートの基材厚よりも薄く形成されている。
この第２の例の場合も、薄型化を第１の例より一層可能とする。
尚、図４では、加工用素材の長手方向に隣接する単位のメタルサブストレート２個の状態を拡大して示したものである。
図４において、単位のメタルサブストレートは、ダイパッド２２１、アンテナ端子２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｃ、２２２Ｄ、内部端子２２３Ａ、２２３Ｂ、２２３Ｃ、２２３Ｄと、これらを加工用素材に連結するための繋ぎ部２２６からなり、加工用素材の長手方向に隣接する単位のサブストレート同志のアンテナ端子部領域を、共通領域としてオーバラップして、単位のめたるサブストレートを、加工用素材の長手方向に面付けしている。
第２の例は、アンテナコイル２ループ用のもので、アンテナ端子を４個を、長手方向でダイパッド２２１を跨ぎ、それぞれ２個ずつ配するものである。
【００１６】
尚、第２の例では、第１の例のように、内部端子に貫通孔（図１の１２４に相当）を設けていないが、適宜設けても良い。
【００１７】
次に、本発明のＩＣカードモジュールの作製方法の１例を、図１〜図３に基づいて簡単に説明する。
本例のＩＣカードモジュールの作製方法は、図１に示す第１の例のメタルサブストレート部材を用いて作製するものである。
本例は、非接触型のＩＣカードに用いられるトランスファモールドタイプのＩＣカードモジュールの作製方法で、金属からなる薄い加工用素材に対し、リール・トウー・リールで、製版処理、エッチング処理を行い、図１に示す第１の例のメタルサブストレート部材を形成する。（図１）
加工用素材としては、通常、厚さ０. １ｍｍ程度の帯状のＣｕ材あるいは４２合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）材を用い、製版処理により、その両面に耐エッチング性のレジストパターンを形成した後、所定のエッチング液を用い、両面からスプレーエッチングを行い、メタルサブストレート部材をエッチング形成する。
尚、ハーフエッチングをより精度良く行うために、エッチングを２段に分け、ハーフエッチング形成面側に第１のエッチングを行った後、所定の充填材をエッチング形成された孔部に埋め込んだ状態で、反対側から第２のエッチングを行う方法を採っても良い。
次いで、リール・トウー・リールで、エッチング形成されたメタルサブストレート部材（図１（ａ））の各単位のメタルサブストレートの所定の領域に銀メッキ処理を施し、メタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートのダイパッド上に、ＩＣチップを搭載する。 メタルサブストレートの所定の領域への銀メッキ処理に代え、メタルサブストレートの全面にパラジュームめっきを施しても良い。
この後、ＩＣチップの端子（図示していない）と内部端子（図１の１２３Ａ、１２３Ｂに相当）とをワイヤボンディング接続しておく。（図２（ａ））
次いで、トランスファ方式により、ＩＣチップ、ボンデインングワイヤを含み所定領域を樹脂封止する。（図３）
この後、所定のカッターにて、図１（ｂ）のラインＬ１、Ｌ２に沿い、繋ぎ部１２６を切断し、個片化し、それぞれ、ＩＣモジュールとして得る。
【００１８】
上記の方法において、メタルサブストレート部材として、図４に示す第２の例のメタルサブストレート部材を用いた場合も、同様に、リール・トウー・リールで、エッチング形成されたメタルサブストレート部材（図４）の各単位のメタルサブストレートの所定の領域に銀メッキ処理を施し、メタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートのダイパッド上に、ＩＣチップを搭載した後、ワイヤボンディング接続し（図５）、トランスファ方式により、ＩＣチップ、ボンデインングワイヤを含み所定領域を樹脂封止する。（図６）
そして、この後、所定のカッターにて、図４のＬ３、Ｌ４に沿い、繋ぎ部２２６を切断し、個片化し、それぞれ、ＩＣモジュールとして得る。
【００１９】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、非接触型のＩＣカード用のＩＣモジュールを、更に、量産性良く製造できる、メタルサブストレート部材の提供を可能とした。
同時に、そのような、メタルサブストレート部材を用いたＩＣモジュールの作製方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の実施の形態の第１の例の一部を示した概略構成図で、図１（ｂ）は図１（ａ）における単位のメタルルサブストレートを示した図である。
【図２】図２（ａ）は図１（ａ）に示すＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートのダイパッド上にＩＣチップを搭載し、ワイヤボンディング結線した図で、図２（ｂ）は図２（ａ）における単位のメタルサブストレート部を示した図である。
【図３】図２（ａ）に示す部材にトランスファモールド処理を施した図である。
【図４】本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の実施の形態の第２の例の一部を示した概略構成図である。
【図５】図４に示すＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートのダイパッド上にＩＣチップを搭載し、ワイヤボンディング結線した図である。
【図６】図５に示す部材にトランスファモールド処理を施した図である。
【図７】従来のメタルサブストレートとＩＣモッジュールの作製方法を説明するための図である。
【図８】非接触式のＩＣカードにおけるＩＣモジュールとその回路構成を説明するための図である。
【図９】メタルサブストレートの加工方法と樹脂漏れとの関係を説明するための図である。
【符号の説明】
１１１ 加工用素材
１２０ 単位のメタルサブストレート
１２１ ダイパッド
１２１Ｈ ハーフエッチング部
１２２Ａ、１２２Ｂ （アンテナと接続する）端子
１２３Ａ、１２３Ｂ 内部端子
１２４ 貫通孔
１２５ 貫通孔部
１２６ 繋ぎ部
１２８ スプロケット
１３０ ＩＣチップ
１３１ 端子
１３５ ボンディングワイヤ
１４０ 封止用樹脂
２２１ ダイパッド
２２１Ｈ ハーフエッチング部
２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｃ、２２２Ｄ （アンテナと接続する）端子
２２３Ａ、２２３Ｂ、２２３Ｃ、２２３Ｄ 内部端子
２２５ 貫通孔部
２２６ 繋ぎ部
２２８ スプロケット
２３０ ＩＣチップ
２３１ 端子
２３５ ボンディングワイヤ
２４０ 封止用樹脂

Claims (6)

  1. トランスファモールドタイプの非接触型ＩＣカード用のＩＣカードモジュールに用いられる単位のメタルサブストレートを、多数配列したメタルサブストレート部材であって、金属からなる帯状の薄い加工用素材に単位のメタルサブストレートの各部を繋ぎ部で保持した状態で、エッチング形成されたものであり、単位のメタルサブストレートは、端子面を上側にしてＩＣチップを搭載するためのダイパッドを有し、アンテナコイルと接続するためのアンテナ端子を、ダイパッドおよび樹脂封止領域よりも外側に、前記帯状の加工用素材の長手方向でダイパッドを跨ぎ、それぞれ配するもので、前記帯状の加工用素材の長手方向に隣接する単位のメタルサブストレート同士のアンテナ端子部領域を、共通領域としてオーバラップして、単位のメタルサブストレートを、加工用素材の長手方向に面付けしており、且つ、各単位のメタルサブストレートは、該メタルサブストレートの外側２箇所において加工用素材の長手方向に所定幅のカットを入れるだけで、樹脂封止した後に所望の外形が分離できるように、外形加工されていることを特徴とするＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材。
  2. 請求項１に記載のメタルサブストレート部材であって、端子面を上側にしてＩＣチップを搭載するための、ＩＣチップより大サイズのダイパッドを有し、該ダイパッドのＩＣチップ搭載領域はハーフエッチングにて、メタルサブストレートの基材厚よりも薄く形成されていることを特徴とするＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材。
  3. 請求項１ないし２のいずれか１項に記載のメタルサブストレート部材であって、ダイパッド領域の外側に、封止樹脂の密着性を向上させるための凹部を配し、前記アンテナ端子と一体的に接続する内部端子を設けていることを特徴とするＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材。
  4. 請求項１ないし３のいずれか１項に記載のメタルサブストレート部材であって、加工用素材はＣｕ材あるいは４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金からなることを特徴とするＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材。
  5. 非接触型のＩＣカードに用いられるトランスファモールドタイプのＩＣカードモジュールの作製方法であって、金属からなる薄い加工用素材に対し、リール・トウー・リールで、製版処理、エッチング処理を行い、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のメタルサブストレート部材を、形成するエッチング加工工程を行った後、以下、リール・トウー・リールで、順に、（ａ）前記メタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートに対し、その所定の領域に銀メッキ処理またはその全面にパラジュームめっき処理を施す、めっき処理工程と、（ｂ）前記メタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートのダイパッド上に、ＩＣチップを搭載するＩＣチップマウント工程と、（ｃ）前記メタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートの所定内部端子とＩＣチップとをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、
    （ｄ）トランスファ方式により、ＩＣチップ、ボンデインングワイヤを含み所定領域を樹脂封止する樹脂封止工程と、（ｅ）所定のカッターにて個片化する個片化工程とを、行うことを特徴とするＩＣカードモジュールの作製方法。
  6. 請求項５に記載のＩＣカードモジュールの作製方法であって、加工用素材はＣｕ材あるいは４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金からなることを特徴とするＩＣカードモジュールの作製方法。
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