JP2609863B2 - Icカード用リードフレーム - Google Patents
Icカード用リードフレームInfo
- Publication number
- JP2609863B2 JP2609863B2 JP62125088A JP12508887A JP2609863B2 JP 2609863 B2 JP2609863 B2 JP 2609863B2 JP 62125088 A JP62125088 A JP 62125088A JP 12508887 A JP12508887 A JP 12508887A JP 2609863 B2 JP2609863 B2 JP 2609863B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- card
- thickness
- lead
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はICカード用リードフレームに関する。
従来のリードフレームはIC搭載部も、それ以外の領域
も等厚に形成されていた。
も等厚に形成されていた。
ICカードについては、カード厚がISO規格では、0.76m
m(許容誤差±10%)厚と規定されているため、ICモジ
ュールの部分をより薄くすることが要望されている。
m(許容誤差±10%)厚と規定されているため、ICモジ
ュールの部分をより薄くすることが要望されている。
しかしながら、リードフレームの母材厚を薄くする
と、必要とされるICモジュールの強度は得られない。
と、必要とされるICモジュールの強度は得られない。
そこで、本発明が解決しようとする問題点は、必要な
ICモジュールの強度を有し、且つ薄くしたICカード用リ
ードフレームを提供することにある。
ICモジュールの強度を有し、且つ薄くしたICカード用リ
ードフレームを提供することにある。
本発明者は、上記の問題点を解決すべく研究の結果、
ICを搭載するIC搭載部のみを薄くすることにより、所期
の目的を達成することが出来ることを見出し、かかる知
見に基づいて、本発明を完成したものである。
ICを搭載するIC搭載部のみを薄くすることにより、所期
の目的を達成することが出来ることを見出し、かかる知
見に基づいて、本発明を完成したものである。
即ち、本発明は、『マウント部と、該マウント部の周
辺に、マウント部から間隙をおいて配設された複数のリ
ード部からなり、マウント部及びリード部は、それぞれ
フレーム部に連設されているリードフレームにおいて、 前記マウント部及びリード部は、ICカードの表面に露
出する外部接続端子をなすものであって、IC搭載部に相
当するリードフレームの領域の厚みが、他の領域の厚み
よりも薄く形成されていることを特徴とするICカード用
リードフレーム。』を要旨とするものである。
辺に、マウント部から間隙をおいて配設された複数のリ
ード部からなり、マウント部及びリード部は、それぞれ
フレーム部に連設されているリードフレームにおいて、 前記マウント部及びリード部は、ICカードの表面に露
出する外部接続端子をなすものであって、IC搭載部に相
当するリードフレームの領域の厚みが、他の領域の厚み
よりも薄く形成されていることを特徴とするICカード用
リードフレーム。』を要旨とするものである。
IC載置部はリードフレームの母材厚の85%以内とする
のが望ましい。85%以上に深くハーフエッチングする
と、エッチング面と反対側に、歪みが現れることがあ
り、その平坦度が極めて悪くなる。
のが望ましい。85%以上に深くハーフエッチングする
と、エッチング面と反対側に、歪みが現れることがあ
り、その平坦度が極めて悪くなる。
本発明において、薄く形成したIC搭載部以外のリード
フレーム領域がICモジュールに必要な強度を提供するも
のである。
フレーム領域がICモジュールに必要な強度を提供するも
のである。
第1図aないしcは本発明のリードフレームを示す。
リードフレーム16の中央に、マウント部11があり、こ
のマウント部11はタイバー12を介してフレーム部13に連
設されている。マウント部11の左右2辺に沿って、フレ
ーム13に連設された複数のリード部14が、マウント部11
と間隔をおいて配列されている。
のマウント部11はタイバー12を介してフレーム部13に連
設されている。マウント部11の左右2辺に沿って、フレ
ーム13に連設された複数のリード部14が、マウント部11
と間隔をおいて配列されている。
そして、マウント部11の上下2辺と同方向に、上下各
辺の両端から突出して延びる横方向の補強用枠15がマウ
ント部11に連設されている。
辺の両端から突出して延びる横方向の補強用枠15がマウ
ント部11に連設されている。
また、リード部14のアウターリード部に縦方向に突出
する縦方向の補強用枠15′が設けられている。
する縦方向の補強用枠15′が設けられている。
そしてマウント部11、およびリード部14のマウント部
寄りの部分が、IC搭載部17として構成され、その他のリ
ードフレーム領域よりも薄く形成されている。
寄りの部分が、IC搭載部17として構成され、その他のリ
ードフレーム領域よりも薄く形成されている。
第1図示のように、上記のリードフレーム16は、42合
金、コバール、鉄、50合金、アンバー材、426合金、無
酸素銅、リン青銅、ベリリウム銅、OLIN195、その他の
鉄合金、及び銅合金、ステンレス等の母材16aと、銅メ
ッキ層16b、ニッケルメッキ層16c、及び金メッキ層16
d、16eによって構成されるものである。裏側の軟質金メ
ッキ層16dはICチップとのボンデイング用に設けたもの
であり、一方表側の硬質金メッキ層16eはカード表面に
露出し、外部接続端子をなすもので、銅メッキ層16bの
表裏の所要領域にニッケルメッキ層16cを介して表裏の
金メッキ層16d、16eが設けられている。
金、コバール、鉄、50合金、アンバー材、426合金、無
酸素銅、リン青銅、ベリリウム銅、OLIN195、その他の
鉄合金、及び銅合金、ステンレス等の母材16aと、銅メ
ッキ層16b、ニッケルメッキ層16c、及び金メッキ層16
d、16eによって構成されるものである。裏側の軟質金メ
ッキ層16dはICチップとのボンデイング用に設けたもの
であり、一方表側の硬質金メッキ層16eはカード表面に
露出し、外部接続端子をなすもので、銅メッキ層16bの
表裏の所要領域にニッケルメッキ層16cを介して表裏の
金メッキ層16d、16eが設けられている。
次に、上記のリードフレームの製造例についてのべ
る。
る。
厚さ0.27mmの42合金を用意し、この金属表面の油、汚
れ等の付着物を脱脂液を用いて取り除き、しかるのち、
金属板の両面にネガタイプの感光液、例えば(MR−
S)、諸星インキ(株)製を塗布し、80〜100℃の温度
で加熱乾燥後、両面より両パターンをあてがい、露光す
る。
れ等の付着物を脱脂液を用いて取り除き、しかるのち、
金属板の両面にネガタイプの感光液、例えば(MR−
S)、諸星インキ(株)製を塗布し、80〜100℃の温度
で加熱乾燥後、両面より両パターンをあてがい、露光す
る。
両パターンを真空密着させ、両面同時に高圧水銀灯の
紫外線に富んだ光にて露光し、次に30〜45℃の温水にて
現像し、レジストパターンを形成させる。次いで両面よ
り腐食液(35〜46゜Be′,50〜65℃のFeCl3液)をノズル
から吹き掛け、不要部分をエッチングし、次いでIC搭載
部以外をマスキングした状態で、IC搭載部17を0.1mmの
薄厚となるようにハーフエッチングした。
紫外線に富んだ光にて露光し、次に30〜45℃の温水にて
現像し、レジストパターンを形成させる。次いで両面よ
り腐食液(35〜46゜Be′,50〜65℃のFeCl3液)をノズル
から吹き掛け、不要部分をエッチングし、次いでIC搭載
部以外をマスキングした状態で、IC搭載部17を0.1mmの
薄厚となるようにハーフエッチングした。
その後、レジスト剥離液を用いて、レジストを除去
し、次いでメッキを施す。メッキは必要な前処理(酸、
アルカリ、水洗処理等)を行い、下地メッキを施した
後、金メッキを行う。この時、リードフレームのICチッ
プが搭載される側には軟質の金メッキを、また反対面側
は硬質の金メッキを施す。表裏で異なるメッキを施すた
め、どちらか片面をマスキングする治具を用意し、片面
ずつメッキ作業を行う。
し、次いでメッキを施す。メッキは必要な前処理(酸、
アルカリ、水洗処理等)を行い、下地メッキを施した
後、金メッキを行う。この時、リードフレームのICチッ
プが搭載される側には軟質の金メッキを、また反対面側
は硬質の金メッキを施す。表裏で異なるメッキを施すた
め、どちらか片面をマスキングする治具を用意し、片面
ずつメッキ作業を行う。
第2図は、上記のようにして形成したICモジュールの
一例を示す。
一例を示す。
リードフレーム16の上に、第1図(a)図示のIC搭載
部17に、補強用絶縁体21として、熱硬化型接着剤が片面
に塗布されている厚さ80μのポリイミドシート(商品
名;リードフレーム固定用ポリイミドテープJR−2250,
日東電工(株)製)を、温度150℃で、加熱接着して補
強用絶縁体21をリードフレーム16に形成した。
部17に、補強用絶縁体21として、熱硬化型接着剤が片面
に塗布されている厚さ80μのポリイミドシート(商品
名;リードフレーム固定用ポリイミドテープJR−2250,
日東電工(株)製)を、温度150℃で、加熱接着して補
強用絶縁体21をリードフレーム16に形成した。
次に、上記補強用絶縁体21上のチップパット部に、熱
硬化型エポキシダイ接着剤を塗布厚20μに形成して、そ
の接着剤を介して、IC搭載部の領域内18へICチップ22を
設置した。
硬化型エポキシダイ接着剤を塗布厚20μに形成して、そ
の接着剤を介して、IC搭載部の領域内18へICチップ22を
設置した。
次に、ワイヤーボンデイング機により、ICチップボン
デイング部と軟質金メッキされたリードフレームの端子
部とを、25μ径の金ワイヤー23で結線した。
デイング部と軟質金メッキされたリードフレームの端子
部とを、25μ径の金ワイヤー23で結線した。
次に、結線が終了したICチップ22とリードフレーム16
をトランスファーモールド法により、エポキシ系のトラ
ンスファーモールド用樹脂(商品名;MP−10,日東電工
(株)製)で片面樹脂封止した後、パッケージ単位に断
裁し、且つ必要とあれば、樹脂面を研磨して、厚さ0.65
mmのICモジュールを形成する。
をトランスファーモールド法により、エポキシ系のトラ
ンスファーモールド用樹脂(商品名;MP−10,日東電工
(株)製)で片面樹脂封止した後、パッケージ単位に断
裁し、且つ必要とあれば、樹脂面を研磨して、厚さ0.65
mmのICモジュールを形成する。
上記の様にして形成したICモジュールの厚みは0.65mm
で、従来のリードフレームを用いてなるものよりも0.17
mmだけ薄くすることが出来た。
で、従来のリードフレームを用いてなるものよりも0.17
mmだけ薄くすることが出来た。
このICモジュールをICカード基材に装着してICカード
を構成し、長辺方向に2cm、短辺方向に1cm、各々1/30秒
サイクルで数100回、曲げ試験を行ったが、変形、破損
は生じなかった。
を構成し、長辺方向に2cm、短辺方向に1cm、各々1/30秒
サイクルで数100回、曲げ試験を行ったが、変形、破損
は生じなかった。
以上、詳記したとおり、本発明に係るICカード用リー
ドフレームによれば、必要なICモジュールの強度を保持
して、ICモジュールの厚みを従来よりも、薄くすること
が出来る。
ドフレームによれば、必要なICモジュールの強度を保持
して、ICモジュールの厚みを従来よりも、薄くすること
が出来る。
【図面の簡単な説明】 第1図aないしcは本発明に係るリードフレームを示
し、第1図aは平面図、第1図bは断面図、第1図cは
部分的拡大断面図、第2図は本発明のリードフレームを
用いてなるICモジュールの断面図である。 16……リードフレーム 11……マウント部 13……フレーム部 14……リード部 15,15′……補強枠 17……IC搭載部(ハーフエッチング部)
し、第1図aは平面図、第1図bは断面図、第1図cは
部分的拡大断面図、第2図は本発明のリードフレームを
用いてなるICモジュールの断面図である。 16……リードフレーム 11……マウント部 13……フレーム部 14……リード部 15,15′……補強枠 17……IC搭載部(ハーフエッチング部)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/50 G06K 19/00 K
Claims (1)
- 【請求項1】マウント部と、該マウント部の周辺に、マ
ウント部から間隙をおいて配設された複数のリード部か
らなり、マウント部及びリード部は、それぞれフレーム
部に連設されているリードフレームにおいて、 前記マウント部及びリード部は、ICカードの表面に露出
する外部接続端子をなすものであって、 IC搭載部に相当するリードフレームの領域の厚みが、他
の領域の厚みよりも薄く形成されている、 ことを特徴とするICカード用リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62125088A JP2609863B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | Icカード用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62125088A JP2609863B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | Icカード用リードフレーム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63290796A JPS63290796A (ja) | 1988-11-28 |
JP2609863B2 true JP2609863B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=14901541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62125088A Expired - Fee Related JP2609863B2 (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | Icカード用リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2609863B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005191158A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010073830A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6092848U (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | 松下電工株式会社 | 半導体装置 |
JPS60209885A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-22 | Toshiba Corp | Icカ−ド |
JPS619849U (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-21 | カシオ計算機株式会社 | 回路基板 |
-
1987
- 1987-05-22 JP JP62125088A patent/JP2609863B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63290796A (ja) | 1988-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2548939B2 (ja) | Icカード用リードフレーム | |
KR0174761B1 (ko) | 초박형 구조로된 전자모쥴 | |
US5653891A (en) | Method of producing a semiconductor device with a heat sink | |
US4709254A (en) | Carrier element for an IC module | |
US5850690A (en) | Method of manufacturing and assembling an integrated circuit card | |
KR101604154B1 (ko) | 리드 프레임 기판과 그 제조 방법 및 반도체 장치 | |
JP2609863B2 (ja) | Icカード用リードフレーム | |
JPH0216233B2 (ja) | ||
JPH04299851A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JP2556325B2 (ja) | Icカ−ド用リ−ドフレ−ム | |
EP0723293B1 (en) | Semiconductor device with a heat sink and method of producing the heat sink | |
JP4451298B2 (ja) | Icカードモジュール体 | |
JP3381375B2 (ja) | 電極集合体及びその製造方法ならびに電極集合体を用いたリードフレーム | |
JPH01208847A (ja) | 集積回路装置 | |
JPH0262297A (ja) | 集積回路装置およびそれを用いたicカード | |
JP4357885B2 (ja) | Icカードモジュール用のメタルサブストレート部材とicカードモジュールの作製方法 | |
JP2654032B2 (ja) | 半導体ic装置の製造方法 | |
JP7404763B2 (ja) | リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008097073A (ja) | Icカードモジュール、その製造方法及びicカード | |
KR100414709B1 (ko) | 히이트싱크부착반도체장치및그히이트싱크의제조방법 | |
JP6967190B2 (ja) | リードフレーム | |
JP6788825B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
JPS62224033A (ja) | テ−プキヤリア装置 | |
JPH06104314A (ja) | フィルムキャリア | |
JP2021073741A (ja) | リードフレームおよび半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |