JP7404763B2 - リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7404763B2 JP7404763B2 JP2019191227A JP2019191227A JP7404763B2 JP 7404763 B2 JP7404763 B2 JP 7404763B2 JP 2019191227 A JP2019191227 A JP 2019191227A JP 2019191227 A JP2019191227 A JP 2019191227A JP 7404763 B2 JP7404763 B2 JP 7404763B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- side corner
- corner portion
- surface side
- lead frame
- outer frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
以下、第1の実施の形態について、図1乃至図9を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。
まず、図1乃至図4により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図1乃至図4は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
次に、図5及び図6により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図5及び図6は、本実施の形態による半導体装置(DR-QFN(Dual Row QFN)タイプ)を示す図である。
次に、図1乃至図4に示すリードフレーム10の製造方法について、図7(a)-(h)を用いて説明する。なお、図7(a)-(h)は、リードフレーム10の製造方法を示す断面図であり、外枠40の断面を含む図である。
次に、図5及び図6に示す半導体装置20の製造方法について、図8(a)-(f)を用いて説明する。
次に、図10を参照して第2の実施の形態について説明する。図10は第2の実施の形態を示す図である。図10に示す第2の実施の形態は、外枠40の側面43の断面形状が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図10において、図1乃至図9に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図11及び図12を参照して第3の実施の形態について説明する。図11及び図12は第3の実施の形態を示す図である。図11及び図12に示す第3の実施の形態は、外枠40の側面43の断面形状が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図11及び図12において、図1乃至図9に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図13を参照して第4の実施の形態について説明する。図13は第4の実施の形態を示す図である。図13に示す第4の実施の形態は、外枠40の側面43の断面形状が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図13において、図1乃至図9に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図14を参照して第5の実施の形態について説明する。図14は第5の実施の形態を示す図である。図14に示す第5の実施の形態は、外枠40の側面43の断面形状が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図14において、図1乃至図9に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
10a パッケージ領域
11 ダイパッド
12A 第1リード部
12B 第2リード部
20 半導体装置
40 外枠
41 第1面
42 第2面
43 側面
44 第1面側角部
45 第2面側角部
46 中間部
47 第1湾曲部
48 段部
49 第2湾曲部
Claims (17)
- リードフレームにおいて、
外枠と、
前記外枠の内側に配置されたパッケージ領域と、を備え、
前記外枠は、前記リードフレームの表面である第1面と、前記第1面の反対側に位置し、前記リードフレームの裏面である第2面と、前記第1面から前記第2面に向けて延び、前記外枠の外側を向く側面とを有し、
断面において、前記側面と前記第1面との間に第1面側角部が形成され、前記第2面と前記側面との間に第2面側角部が形成され、前記側面のうち前記第1面側角部と前記第2面側角部との間に中間部が形成され、
断面において、前記第1面側角部、前記第2面側角部及び前記中間部は、それぞれ丸みを帯びている、リードフレーム。 - 前記中間部は、断面において外側に向けて突出する突起である、請求項1記載のリードフレーム。
- 前記第1面側角部と前記中間部との間には、内側に向けて曲線状に湾曲した第1湾曲部が形成され、前記中間部と前記第2面側角部との間には、内側に向けて曲線状に湾曲した第2湾曲部が形成されている、請求項2記載のリードフレーム。
- 断面における前記第1面側角部及び前記第2面側角部の曲率半径は、1μm以上20μm以下であり、前記中間部の曲率半径は、1μm以上40μm以下である、請求項2又は3記載のリードフレーム。
- 前記中間部は、断面において、外側に向けて曲線状に膨らんでいる、請求項1記載のリードフレーム。
- 断面において、前記第1面側角部及び前記第2面側角部の曲率半径は、2μm以上40μm以下であり、前記中間部の曲率半径は、20μm以上400μm以下である、請求項5記載のリードフレーム。
- 前記第2面側角部は、前記第1面側角部よりも内側に引っ込んでおり、前記中間部は、断面において、前記第1面側角部から前記第2面側角部に向かうにつれて、外側から内側に向かう曲線となっている、請求項1記載のリードフレーム。
- 断面において、前記第1面側角部の曲率半径は、1μm以上80μm以下であり、前記第2面側角部の曲率半径は、1μm以上40μm以下である、請求項7記載のリードフレーム。
- 前記中間部は、断面において、内側に向けて曲線状に凹んでいる、請求項1記載のリードフレーム。
- 断面において、前記第1面側角部及び前記第2面側角部の曲率半径は、1μm以上20μm以下であり、前記中間部の曲率半径は、40μm以上200μm以下である、請求項9記載のリードフレーム。
- 前記第2面側角部は、前記第1面側角部よりも内側に引っ込んでおり、前記第1面側角部は、前記側面のうち最も外側に位置する、請求項1記載のリードフレーム。
- 断面において、前記第1面側角部の曲率半径は、1μm以上20μm以下であり、前記第2面側角部の曲率半径は、1μm以上20μm以下である、請求項11記載のリードフレーム。
- 前記外枠のうち外側に位置する部分に、段部が形成されている、請求項1乃至12のいずれか一項記載のリードフレーム。
- リードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
前記金属基板にエッチングを施すことにより、前記金属基板に、外枠と、前記外枠の内側に配置されたパッケージ領域とを形成する工程であって、前記外枠は、前記リードフレームの表面である第1面と、前記第1面の反対側に位置し、前記リードフレームの裏面である第2面と、前記第1面から前記第2面に向けて延び、前記外枠の外側を向く側面とを有する、工程と、
前記金属基板の前記外枠の前記側面を丸め加工する工程と、を備え、
断面において、前記側面と前記第1面との間に第1面側角部が形成され、前記第2面と前記側面との間に第2面側角部が形成され、前記側面のうち前記第1面側角部と前記第2面側角部との間に中間部が形成され、
断面において、前記第1面側角部、前記第2面側角部及び前記中間部は、それぞれ丸みを帯びている、リードフレームの製造方法。 - 前記丸め加工する工程は、前記金属基板を薬液により処理する工程である、請求項14記載のリードフレームの製造方法。
- 前記丸め加工する工程は、前記金属基板を電解処理する工程である、請求項14記載のリードフレームの製造方法。
- 半導体装置の製造方法において、
請求項1乃至13のいずれか一項記載のリードフレームを準備する工程と、
前記リードフレーム上に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と前記リードフレームとを接続部材により電気的に接続する工程と、
前記リードフレームと、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止樹脂により封止する工程と、
前記半導体装置毎に前記リードフレーム及び前記封止樹脂を切断する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019191227A JP7404763B2 (ja) | 2019-10-18 | 2019-10-18 | リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019191227A JP7404763B2 (ja) | 2019-10-18 | 2019-10-18 | リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021068753A JP2021068753A (ja) | 2021-04-30 |
JP7404763B2 true JP7404763B2 (ja) | 2023-12-26 |
Family
ID=75637508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019191227A Active JP7404763B2 (ja) | 2019-10-18 | 2019-10-18 | リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7404763B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099871A (ja) | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JP2013058693A (ja) | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体素子用リードフレーム、樹脂付半導体素子用リードフレームおよび半導体装置、並びに、半導体素子用リードフレームの製造方法、樹脂付半導体素子用リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2018022772A (ja) | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 大日本印刷株式会社 | リードフレーム |
JP2018133533A (ja) | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61295648A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Hitachi Cable Ltd | エツチングリ−ドフレ−ムの製造方法 |
-
2019
- 2019-10-18 JP JP2019191227A patent/JP7404763B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099871A (ja) | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JP2013058693A (ja) | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体素子用リードフレーム、樹脂付半導体素子用リードフレームおよび半導体装置、並びに、半導体素子用リードフレームの製造方法、樹脂付半導体素子用リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2018022772A (ja) | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 大日本印刷株式会社 | リードフレーム |
JP2018133533A (ja) | 2017-02-17 | 2018-08-23 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021068753A (ja) | 2021-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6319644B2 (ja) | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法 | |
JP7044142B2 (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
JP6205816B2 (ja) | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 | |
JP2024096387A (ja) | リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP6917010B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP7174363B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
JP7193284B2 (ja) | リードフレーム及びリードフレームの製造方法 | |
JP6936963B2 (ja) | リードフレーム | |
JP6573157B2 (ja) | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 | |
JP6617955B2 (ja) | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 | |
JP7404763B2 (ja) | リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP6946870B2 (ja) | リードフレーム、半導体装置、および半導体装置の製造方法 | |
JP7468056B2 (ja) | リードフレーム及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 | |
JP6788825B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
JP7112663B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 | |
JP7380750B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
JP7223347B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 | |
WO2024106469A1 (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
JP2018137315A (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
JP7486065B1 (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
WO2023228898A1 (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
JP6967190B2 (ja) | リードフレーム | |
JP6436202B2 (ja) | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 | |
JP2023174472A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
JP2023172854A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220826 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230414 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230809 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7404763 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |