WO2024106469A1

WO2024106469A1 - リードフレーム及びその製造方法

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Publication number: WO2024106469A1
Application number: PCT/JP2023/041105
Authority: WO
Inventors: 昌博永田; 啓吾今井; 恭司山本
Original assignee: 大日本印刷株式会社
Priority date: 2022-11-16
Filing date: 2023-11-15
Publication date: 2024-05-23
Also published as: TW202427689A

Abstract

リードフレーム（１０）は、ダイパッド（１１）と、ダイパッド（１１）の周囲に配置されたリード部（１２）と、ダイパッド（１１）とリード部（１２）とを互いに連結する金属連結部（１６）と、ダイパッド（１１）とリード部（１２）との周囲であって、リードフレーム（１０）の裏面側に配置された樹脂部（１８）と、を備える。金属連結部（１６）は、表面側から薄肉化され、リード部（１２）の少なくとも一部は、裏面側から薄肉化されている。リード部（１２）の薄肉化された部分に樹脂部（１８）が充填されている。

Description

リードフレーム及びその製造方法

　本開示は、リードフレーム及びその製造方法に関する。

　近年、基板に実装される半導体装置の小型化及び薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、その搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成された、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。

　しかしながら、従来、リードフレームが薄くなるにしたがって、リードフレームの強度を維持することが難しくなり、エッチング後にリードフレームが変形してしまうことが問題となる。

　また近年、チップサイズを変更することなく、リードの数（ピン数）を増やすことが求められてきている。これに対して、従来、リードの幅を細くすることが行われているが、リードが細くなるにしたがって、リードに変形が生じやすくなり、ワイヤボンディングを安定して行いにくくなるという問題が生じる。

特開２００２－１８４９２７号公報

　特許文献１には、非貫通溝を用いて半導体チップ搭載部及びリードを形成し、半導体チップ等を樹脂封止した後、非貫通溝を貫通させて半導体装置を形成する技術が開示されている。しかしながら、仮にリードとして裏面側から薄肉化されたものを用いる場合、ワイヤボンディング時にリードが変形しやすい。またリードとして裏面側から薄肉化されたものを用いる場合、リードの裏面側の空間が狭い。このため、リードの裏面側に封止樹脂を十分に充填できないおそれがある。

　本開示は、ワイヤボンディング時にリード部の変形を抑制することが可能な、リードフレーム及びその製造方法を提供する。

　本開示の実施の形態は、以下の［１］～［１１］に関する。

　［１］リードフレームにおいて、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部とを互いに連結する金属連結部と、前記ダイパッドと前記リード部との周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された樹脂部と、を備え、前記リード部の少なくとも一部は、裏面側から薄肉化され、前記リード部の薄肉化された部分に前記樹脂部が充填されている、リードフレーム。

　［２］前記金属連結部の一部は、前記リード部の裏面側に位置する、［１］に記載のリードフレーム。

　［３］前記金属連結部のうち、前記リード部の裏面側に位置する部分の幅は、５０μｍ以上１５０μｍ以下である、［２］に記載のリードフレーム。

　［４］前記樹脂部は、表面側に位置する樹脂表面を有し、前記樹脂表面は、互いに隣接する２本のリード部の間から外方に露出する、［１］乃至［３］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

　［５］前記金属連結部は、平面視で環形状又はリング形状を有する、［１］乃至［４］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

　［６］前記樹脂部の熱伝導率は、２５℃環境下で１Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１以上１２Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１以下である、［１］乃至［５］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

　［７］前記金属連結部は、表面側から薄肉化されている、［１］乃至［６］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

　［８］前記金属連結部は、裏面側から薄肉化されている、［１］乃至［７］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

　［９］リードフレームにおいて、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドの周囲に配置された複数の内側リード部と、前記複数の内側リード部を互いに連結する金属連結部と、前記ダイパッドと前記リード部との周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された樹脂部と、を備え、前記金属連結部は、表面側から薄肉化され、前記内側リード部の少なくとも一部は、裏面側から薄肉化され、前記内側リード部の薄肉化された部分に前記樹脂部が充填されている、リードフレーム。

　［１０］リードフレームにおいて、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部との間に配置された金属連結部と、前記ダイパッドと前記リード部との周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された樹脂部と、を備え、前記金属連結部の表面に凹部が設けられている、リードフレーム。

　［１１］前記金属連結部の表面に複数の凹部が設けられ、前記複数の凹部は、前記金属連結部の長手方向に沿って互いに間隔を空けて設けられ、各凹部の間には端子部が形成されている、［１０］に記載のリードフレーム。

　［１２］前記凹部は、前記金属連結部の長手方向に沿って溝状に形成されている、［１０］に記載のリードフレーム。

　［１３］前記金属連結部によって複数の内側リード部が支持されており、前記複数の内側リード部は、長内側リード部と、短内側リード部とを含み、前記長内側リード部と前記短内側リード部とが前記金属連結部に沿って交互に配置されている、［１０］乃至［１２］のいずれか１つに記載のリードフレーム。

　［１４］前記金属連結部の表面に複数の凹部が設けられ、前記複数の凹部は、前記金属連結部の長手方向に沿って互いに間隔を空けて設けられ、各凹部の間には厚肉部が形成されている、［１０］に記載のリードフレーム。

　［１５］リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基板の裏面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、裏面側凹部を形成する工程と、前記金属基板の裏面側に樹脂部を形成し、前記樹脂部を前記裏面側凹部に充填する工程と、前記金属基板の表面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部との間に配置された金属連結部と、を形成する工程と、を備えた、リードフレームの製造方法。

　本開示によれば、ワイヤボンディング時にリード部の変形を抑制できる。

図１は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。図２は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す底面図。図３は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のIII－III線断面図）。図４は、第１の実施の形態によるリードフレームの一部を示す拡大斜視図（図１のIV部拡大図）。図５は、第１の実施の形態による半導体装置を示す平面図。図６は、第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図５のVI－VI線断面図）。図７（Ａ）－（Ｉ）は、第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。図８（Ａ）－（Ｈ）は、第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。図９は、第１の実施の形態の第１の変形例によるリードフレームを示す断面図。図１０は、第１の実施の形態の第２の変形例によるリードフレームを示す断面図。図１１は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。図１２は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１１のXII－XII線断面図）。図１３は、第２の実施の形態による半導体装置を示す断面図。図１４は、第２の実施の形態の変形例によるリードフレームを示す断面図。図１５は、第３の実施の形態によるリードフレームを示す断面図。図１６は、第３の実施の形態による半導体装置を示す断面図。図１７は、第３の実施の形態の変形例によるリードフレームを示す断面図。図１８は、第４の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。図１９（Ａ）は、第４の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１８のXIXA－XIXA線断面図）、図１９（Ｂ）は、第４の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１８のXIXB－XIXB線断面図）。図２０は、第４の実施の形態による半導体装置を示す平面図。図２１は、第５の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。図２２（Ａ）は、第５の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２１のXXIIA－XXIIA線断面図）、図２２（Ｂ）は、第５の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２１のXXIIB－XXIIB線断面図）。図２３は、第５の実施の形態による半導体装置を示す平面図。図２４は、第５の実施の形態の変形例によるリードフレームを示す平面図。図２５は、第６の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。図２６（Ａ）は、第６の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２５のXXVIA－XXVIA線断面図）、図２６（Ｂ）は、第６の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２５のXXVIB－XXVIB線断面図）。図２７は、第６の実施の形態による半導体装置を示す平面図。

　（第１の実施の形態）
　以下、第１の実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

　本明細書中、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０又はパッケージ領域１０ａの各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交する。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。また、「内」、「内側」とは、各パッケージ領域１０ａの中心方向を向く側をいう。「外」、「外側」とは、各パッケージ領域１０ａの中心から離れる側をいう。また、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面（Ｚ方向プラス側の面）をいう。「裏面」とは、「表面」の反対側（Ｚ方向マイナス側）の面であって、半導体素子２１が搭載される側の面と反対側の面をいう。

　また、本明細書中、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば１０％以上９０％以下、又は３０％以上７０％以下、又は４０％以上６０％以下であっても良い。

　（リードフレームの構成）
　まず、図１乃至図４により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図４は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。

　図１に示すように、リードフレーム１０は、パッケージ領域（単位リードフレーム）１０ａを含む。パッケージ領域１０ａは、リードフレーム１０内で、平面視で多列及び多段に（マトリックス状に）複数配置されている。なお、これに限らずパッケージ領域１０ａは１つ以上存在していれば良い。なお、パッケージ領域１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域であり、図１において仮想線の内側に位置する領域である。また、図１の仮想線は半導体装置２０の外周縁に対応している。

　図１に示すように、リードフレーム１０は、ダイパッド１１と、複数のリード部１２と、金属連結部１６と、樹脂部１８と、を備えている。複数のリード部１２は、それぞれ細長い形状を有し、ダイパッド１１周囲に設けられている。各リード部１２は、それぞれ半導体素子２１と図示しない外部の配線基板とを電気的に接続する。金属連結部１６は、ダイパッド１１とリード部１２とを互いに連結する。樹脂部１８は、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、リードフレーム１０の裏面側に配置されている。金属連結部１６は、表面側から薄肉化されている。リード部１２の少なくとも一部は、裏面側から薄肉化されている。リード部１２の薄肉化された部分の少なくとも一部に樹脂部１８が充填されている。

　複数のパッケージ領域１０ａは、支持リード（支持部材）１３を介して互いに連結される。支持リード１３は、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する。支持リード１３は、Ｘ方向及びＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。

　ダイパッド１１は、平面視で略正方形形状を有している。ダイパッド１１は、表面側及び裏面側からは薄肉化されていない。なお、これに限らず、ダイパッド１１の一部は、例えばハーフエッチングにより表面側又は裏面側から薄肉化されても良い。ダイパッド１１の平面形状は、正方形に限らず、長方形等の多角形としても良い。また、ダイパッド１１の四隅には、金属連結部１６を介して吊りリード１４が連結されている。ダイパッド１１は、４本の吊りリード１４を介して支持リード１３に連結支持されている。本実施の形態において、吊りリード１４は、表面側及び裏面側のいずれからも薄肉化されておらず、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有する。なお、これに限らず、吊りリード１４は、表面側又は裏面側から薄肉化されていても良い。樹脂部１８により、ダイパッド１１をリード部１２と支持リード１３に対して支持できるため、吊りリード１４を設けなくてもよい。吊りリード１４を設けない場合は、ダイパッド１１の四隅に樹脂部１８を形成する樹脂を充填しやすい。

　ダイパッド１１の表面には、後述する半導体素子２１が搭載される。ダイパッド１１の表面及び裏面は、樹脂部１８に覆われることなく、リードフレーム１０から外方に露出する。ダイパッド１１の表面は、後述する樹脂部１８の樹脂表面１８ａよりも表面側（Ｚ方向プラス側）に位置する。またダイパッド１１のうちリード部１２を向く側には、金属連結部１６が連結されている。ダイパッド１１は、金属連結部１６と一体に形成されている。

　各リード部１２は、それぞれ後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続される。リード部１２は、ダイパッド１１との間に金属連結部１６を介して配置されている。リード部１２は、それぞれ支持リード１３から延び出している。

　複数のリード部１２は、ダイパッド１１の周囲に沿って配置されている。リード部１２はそれぞれ、インナーリード５１と、外部端子５３とを有する。インナーリード５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。外部端子５３は、外側（ダイパッド１１の反対側、支持リード１３側）に位置する。インナーリード５１は、リード部１２の内側端部に位置し、その表面側には内部端子１５が形成されている。この内部端子１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域である。なお、内部端子１５上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させる金属層が設けられていても良い。金属層は、例えば銀めっき等のめっき層からなっていても良い。

　インナーリード５１は、例えばハーフエッチングにより裏面側から薄肉化されている。インナーリード５１は、上述した内部端子１５と、インナーリード裏面５１ｂとを有する。内部端子１５は、インナーリード５１の表面側に位置する。内部端子１５は、表面側から薄肉化されていない。インナーリード裏面５１ｂは、インナーリード５１の裏面側に位置する。インナーリード裏面５１ｂはエッチングにより形成された面である。インナーリード裏面５１ｂは、樹脂部１８に密着している。また、インナーリード５１のうちダイパッド１１を向く側には、インナーリード側面５１ｃが形成されている。インナーリード側面５１ｃとダイパッド１１との間には、空間が形成されている。

　外部端子５３は、支持リード１３側に位置しており、その外側端部は支持リード１３に連結されている。外部端子５３は、表面側及び裏面側のいずれからも薄肉化されていない。外部端子５３は、外部端子表面５３ａと、外部端子面１７とを有する。外部端子表面５３ａは、外部端子５３の表面側に位置しており、外方に露出する。外部端子表面５３ａは、内部端子１５と同一平面上に位置する。外部端子面１７は、外部端子５３の裏面側に位置しており、外方に露出する。外部端子面１７は、裏面側から薄肉化されてない。なお、外部端子面１７と支持リード１３との間の領域が裏面側から薄肉化されることにより、接続部を構成しても良い。

　また、外部端子５３のうちインナーリード裏面５１ｂよりも裏面側の位置には、外部端子内側面５３ｄが形成されている。外部端子内側面５３ｄは、インナーリード裏面５１ｂと外部端子面１７との間に延びる。外部端子内側面５３ｄには、樹脂部１８が密着している。

　金属連結部１６は、複数のリード部１２の先端を連結するように配置されている。また金属連結部１６は、ダイパッド１１を取り囲むように配置されている。この金属連結部１６は、全体として平面視で略矩形の環形状又はリング形状を有する。金属連結部１６の各辺は、Ｘ方向又はＹ方向に沿って延びている。金属連結部１６の四隅にはそれぞれ吊りリード１４が連結されている。なお、金属連結部１６は、必ずしも環形状又はリング形状を有していなくても良い。例えば、金属連結部１６は、ダイパッド１１とリード部１２の先端とを連結するとともに、互いに隣接するリード部１２同士の間には設けられていなくても良い。

　金属連結部１６は、表面側から薄肉化されている。金属連結部１６を表面側から薄肉化することにより、金属連結部１６の体積が減らされる。これにより、後述するように、リード部１２とダイパッド１１とを互いに分離する際、金属連結部１６をエッチングにより除去しやすい。金属連結部１６は、連結部表面１６ａと、連結部裏面１６ｂと、連結部外側面１６ｃとを有する。

　連結部表面１６ａは、金属連結部１６の表面側に位置する。この連結部表面１６ａは、例えばハーフエッチングにより形成される。連結部表面１６ａは、ダイパッド１１の表面及び内部端子１５よりも裏面側（Ｚ方向マイナス側）に位置する。連結部表面１６ａは、インナーリード裏面５１ｂと同一平面上に位置しても良い。連結部表面１６ａのうち、リード部１２の先端よりもダイパッド１１側に位置する部分は、外方に露出する。また連結部表面１６ａのうち、互いに隣接するリード部１２同士の間に位置する部分は、外方に露出する（図４参照）。一方、金属連結部１６のうち、インナーリード５１の裏面側に位置する部分は、インナーリード５１に一体化されており、外方に露出しない。本実施の形態において、金属連結部１６は、全周にわたって表面側から薄肉化されている。なお、これに限らず、金属連結部１６の周方向の一部が表面側から薄肉化されていても良い。例えば金属連結部１６の四隅を除く部分が、表面側から薄肉化されていても良い。

　連結部裏面１６ｂは、金属連結部１６の裏面側に位置する。この連結部裏面１６ｂは、薄肉化されていない。連結部裏面１６ｂは、ダイパッド１１の裏面及び外部端子面１７と同一平面上に位置する。連結部裏面１６ｂは、全体にわたって外方に露出する。なお、金属連結部１６の一部が裏面側から薄肉化されていても良い。

　連結部外側面１６ｃは、金属連結部１６の外側（支持リード１３側）に位置する。連結部外側面１６ｃは、連結部表面１６ａと連結部裏面１６ｂとの間に延びる。連結部外側面１６ｃには、樹脂部１８が密着している。図４に示すように、連結部外側面１６ｃは、インナーリード側面５１ｃよりも外側（支持リード１３側）に位置する。なお、これに限らず、互いに隣接する２本のリード部１２の間において、連結部外側面１６ｃは、インナーリード側面５１ｃと同一平面上に位置しても良い。

　金属連結部１６の幅Ｗ１（図３参照）は、１００μｍ以上３００μｍ以下としても良い。また金属連結部１６の一部は、リード部１２のインナーリード５１の裏面側に位置する。金属連結部１６のうち、リード部１２のインナーリード５１の裏面側に位置する部分の幅Ｗ２（図３参照）は、５０μｍ以上１５０μｍ以下としても良い。なお幅Ｗ１及び幅Ｗ２は、それぞれ金属連結部１６の延伸方向に垂直な断面において、ダイパッド１１側からリード部１２側に測定した距離をいう。

　樹脂部１８は、ダイパッド１１とリード部１２の周囲に配置されている。すなわち、図１に示すように、表面側から見て、樹脂部１８は、金属連結部１６と、互いに隣接する２本のリード部１２と、支持リード１３とによって取り囲まれる領域に位置している。また表面側から見て、樹脂部１８は、金属連結部１６と、吊りリード１４と、当該吊りリード１４に隣接するリード部１２と、支持リード１３とによって取り囲まれる領域に位置している。また、図２に示すように、裏面側から見て、樹脂部１８は、金属連結部１６と、複数の外部端子面１７と、支持リード１３と、２本の吊りリード１４とによって取り囲まれる領域に位置している。なお、各図において、樹脂部１８を網掛けで示している。

　樹脂部１８は、リードフレーム１０の裏面側に配置されている。すなわち樹脂部１８は、リードフレーム１０のうち、厚み方向の途中位置よりも裏面側（Ｚ方向マイナス側）に存在する。樹脂部１８は、厚み方向（Ｚ方向）の途中位置よりも表面側（Ｚ方向プラス側）には存在しない。なお、上記途中位置は、リードフレーム１０の厚み方向の中央に限らず、厚み方向の中央よりも表面側又は裏面側に位置しても良い。厚み方向の途中位置は、厚み方向において、インナーリード裏面５１ｂが存在する位置に対応する。これに限らず、厚み方向の途中位置は、インナーリード裏面５１ｂが存在する位置よりも表面側（Ｚ方向プラス側）に位置しても良い。

　図３に示すように、樹脂部１８は、金属連結部１６の連結部外側面１６ｃに密着している。また樹脂部１８は、リード部１２の裏面側に配置されている。具体的には、樹脂部１８は、リード部１２の外部端子内側面５３ｄと、インナーリード裏面５１ｂとに密着している。

　樹脂部１８は、表面側に位置する樹脂表面１８ａと、裏面側に位置する樹脂裏面１８ｂとを有する。このうち樹脂表面１８ａは、互いに隣接する２本のリード部１２の間から外方に露出する（図４参照）。また樹脂表面１８ａ、インナーリード裏面５１ｂ及び連結部表面１６ａは、互いに同一平面上に位置している。なお、これに限らず、樹脂表面１８ａは、インナーリード裏面５１ｂ及び連結部表面１６ａよりも表面側に位置していても良い。樹脂裏面１８ｂは、リードフレーム１０の裏面側から外方に露出する。ダイパッド１１の裏面、樹脂裏面１８ｂ及び外部端子面１７は、互いに同一平面上に位置する。

　樹脂部１８としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いても良い。なお、樹脂部１８と後述する封止樹脂２３との密着性を高めるため、樹脂部１８として、封止樹脂２３と同一の材料を用いることが好ましい。樹脂部１８の熱伝導率は、例えば２５℃環境下で１Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１以上であってもよく、３Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１以上であってもよい。樹脂部１８の熱伝導率は、１２Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１以下であってもよく、１０Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１以下であってもよい。樹脂部１８の熱伝導率は、レーザーフラッシュ法によって測定する。

　リードフレーム１０のうち樹脂部１８以外の部分は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の最大厚みＴ１は、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上３００μｍ以下としても良い。本明細書において、リードフレーム１０の最大厚みとは、リードフレーム１０のうち最も厚い部分における厚み（Ｚ方向距離）であり、表面側からも裏面側からも薄肉化されていない部分における厚みをいう。また、リードフレーム１０の最大厚みは、後述する金属基板３１の板厚に対応する。本実施の形態において、リード部１２の裏面側に樹脂部１８が設けられているため、ワイヤボンディング時に加わる力によってリード部１２が変形しにくい。これにより、リードフレーム１０の最大厚みＴ１を薄くできる。

　インナーリード５１の厚みＴ２は、リードフレーム１０の最大厚みＴ１の３０％以上６０％以下としても良く、４０％以上５０％以下としても良い。インナーリード５１の厚みＴ２は、２４μｍ以上１８０μｍ以下としても良く、３２μｍ以上１５０μｍ以下としても良い。

　樹脂部１８の厚みＴ３は、リードフレーム１０の最大厚みＴ１の３０％以上６０％以下としても良く、４０％以上５０％以下としても良い。樹脂部１８の厚みＴ３は、２４μｍ以上１８０μｍ以下としても良く、３２μｍ以上１５０μｍ以下としても良い。

　（半導体装置の構成）
　次に、図５及び図６により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図５及び図６は、本実施の形態による半導体装置を示す図である。

　図５及び図６に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、複数のリード部１２と、半導体素子２１と、複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２とを備えている。複数のリード部１２は、ダイパッド１１の周囲に配置されている。半導体素子２１は、ダイパッド１１上に搭載されている。ボンディングワイヤ２２は、リード部１２と半導体素子２１とを電気的に接続する。また、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、半導体装置２０の裏面側に樹脂部１８が配置されている。さらに、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

　半導体装置２０のダイパッド１１、リード部１２及び樹脂部１８は、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。ダイパッド１１、リード部１２及び樹脂部１８の構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１乃至図４に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

　一方、上述した金属連結部１６は、封止樹脂２３によって樹脂封止された後、裏面側からエッチングにより除去されている。このため、図５及び図６に示すように、リード部１２は、ダイパッド１１及び他のリード部１２から分離されており、互いに電気的に独立している。

　このように、金属連結部１６が除去されたことに伴い、封止樹脂２３の裏面のうち、リード部１２とダイパッド１１との間に凹部２７が形成されている。この凹部２７は、金属連結部１６の形状に概ね対応している。凹部２７は、ダイパッド１１を取り囲むように、平面視で略矩形の環形状又はリング形状を有している。なお、凹部２７には、封止樹脂２３と同一又は異なる種類の絶縁性樹脂が充填されていても良い。

　半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用可能である。半導体素子２１としては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いても良い。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。接着剤２４としては、例えばダイボンディングペースト等を用いても良い。

　各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなる。各ボンディングワイヤ２２の一端は、それぞれ半導体素子２１の電極２１ａに接続されている。各ボンディングワイヤ２２の他端は、それぞれ各リード部１２の内部端子１５に接続されている。

　封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いても良い。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１５００μｍ以下程度としても良い。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば０．２ｍｍ以上１６ｍｍ以下としても良い。ダイパッド１１とリード部１２との間の空間において、封止樹脂２３は、凹部２７内に向けて露出している。また、互いに隣接するリード部１２同士の間に位置する部分において、封止樹脂２３は、樹脂部１８の樹脂表面１８ａに密着している。なお、図５において、封止樹脂２３の図示を省略している。

　（リードフレームの製造方法）
　次に、図１乃至図４に示すリードフレーム１０の製造方法について、図７（Ａ）－（Ｉ）を用いて説明する。

　まず図７（Ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用しても良い。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

　次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジストを塗布し、乾燥する。続いて、金属基板３１上の感光性レジストに対してフォトマスクを介して露光し、現像する。これにより、エッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（Ｂ））。裏面側のエッチング用レジスト層３３は、開口部３３ｂを有する。表面側のエッチング用レジスト層３２は開口部を有していないが、開口部を有していても良い。なお、エッチング用レジスト層３２、３３としては、例えばドライフィルムレジストを用いても良い。

　次に、ハーフエッチングにより、金属基板３１の裏面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する。この場合、裏面側のエッチング用レジスト層３３を耐腐蝕膜として、金属基板３１の裏面側に腐蝕液でエッチングを施す（図７（Ｃ））。このとき金属基板３１の表面は、その全体がエッチング用レジスト層３２に覆われているため、エッチングされない。これにより、金属基板３１の裏面側に非貫通凹部である裏面側凹部３６を形成する。この裏面側凹部３６は、樹脂部１８に対応する形状を有する。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択できる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、腐蝕液は、塩化第二鉄水溶液を使用してもよい。この場合、塩化第二鉄水溶液を金属基板３１の一方の面又は両面からスプレーエッチングしても良い。

　続いて、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図７（Ｄ））。次いで金属基板３１を水洗し、乾燥させる。

　次に、金属基板３１の裏面側に樹脂部１８を形成し、樹脂部１８によって裏面側凹部３６を覆う（図７（Ｅ））。このとき、金属基板３１の裏面側に熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を射出成形又はトランスファ成形しても良い。これにより、樹脂部１８が裏面側凹部３６内に充填される。このとき樹脂部１８は、金属基板３１の裏面全体を覆うように設けられる。

　次いで、樹脂部１８を所定の厚みだけ研磨する（図７（Ｆ））。具体的には、樹脂部１８を裏面側から研磨してゆき、金属基板３１を構成する金属部分が出現した後、樹脂部１８の研磨を終了する。これにより、ダイパッド１１の裏面及びリード部１２の外部端子面１７に対応する部分が裏面側に露出する。なお、樹脂部１８を研磨する方法としては、例えばバフ研磨が挙げられる。

　次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジストを塗布し、乾燥する。続いて、金属基板３１上の感光性レジストに対してフォトマスクを介して露光し、現像する。これにより、エッチング用レジスト層３４、３５を形成する（図７（Ｇ））。表面側のエッチング用レジスト層３４は、開口部３４ｂを有する。裏面側のエッチング用レジスト層３５は、開口部を有していないが、開口部を有していても良い。なお、エッチング用レジスト層３４、３５としては、例えばドライフィルムレジストを用いても良い。

　続いて、ハーフエッチングにより、金属基板３１の表面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する。この場合、表面側のエッチング用レジスト層３４を耐腐蝕膜として、金属基板３１の表面側に腐蝕液でエッチングを施す（図７（Ｈ））。なお、腐蝕液としては、金属基板３１の裏面側をエッチングする際に用いたものと同様のものを用いても良い（図７（Ｃ））。

　これにより、金属基板３１の表面側がエッチングされ、ダイパッド１１、リード部１２及び支持リード１３の外形が形成される。このとき、ダイパッド１１の表面側が、エッチングにより薄肉化される。金属基板３１のうち、互いに隣接するリード部１２同士の間の部分が表面側から薄肉化されることにより、樹脂部１８の樹脂表面１８ａが外方に露出する（図４）。また、金属基板３１のうち、ダイパッド１１とリード部１２との間の部分が表面側から薄肉化されることにより、金属連結部１６が形成される。

　次に、エッチング用レジスト層３４、３５を剥離して除去する（図７（Ｉ））。次いで金属基板３１を水洗し、乾燥させる。このようにして図１乃至図４に示すリードフレーム１０が得られる。

　（半導体装置の製造方法）
　次に、図５及び図６に示す半導体装置２０の製造方法について、図８（Ａ）－（Ｈ）を用いて説明する。

　まず、例えば図７（Ａ）－（Ｉ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図８（Ａ））。

　次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図８（Ｂ））。接着剤２４としては、例えばダイボンディングペースト等を用いても良い。

　次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２の内部端子１５とを、それぞれボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図８（Ｃ））。このとき、リードフレーム１０を図示しないワイヤボンディング装置のヒートブロック上に載置する。次いで、ヒートブロックにより、金属連結部１６及び外部端子５３を介して各リード部１２のインナーリード５１を裏面側から加熱する。これとともに、ワイヤボンディング装置のキャピラリー３８を介して超音波を印加しながら、半導体素子２１の各電極２１ａと各リード部１２のインナーリード５１とをボンディングワイヤ２２により接続する。

　本実施の形態において、ダイパッド１１とリード部１２とが金属連結部１６によって互いに連結されている。また、リード部１２の裏面側の薄肉化された部分に樹脂部１８が充填されている。このため、インナーリード５１の裏面側が樹脂部１８によって安定して保持される。これにより、キャピラリー３８によってボンディングワイヤ２２をリード部１２に接合する際、リード部１２が変形することを抑えられる。さらに、ヒートブロックを直接インナーリード裏面５１ｂに接触させる場合と比較して、ヒートブロックからの熱を均一に伝達できる。

　次に、リードフレーム１０に対して、例えば熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を射出成形又はトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図８（Ｄ））。このようにして、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２を封止する。また、封止樹脂２３は、ダイパッド１１とリード部１２との間であって金属連結部１６の表面側にも充填される。

　続いて、リードフレーム１０及び封止樹脂２３の裏面に、開口部３７ｂを有するエッチング用レジスト層３７を設ける（図８（Ｅ））。

　この間、まずリードフレーム１０及び封止樹脂２３の裏面全体にそれぞれ感光性レジストを塗布する。続いて、当該感光性レジストをフォトマスクを介して露光し、現像することにより、開口部３７ｂを有するエッチング用レジスト層３７が形成される。

　この場合、エッチング用レジスト層３７は、開口部３７ｂを除くリードフレーム１０及び封止樹脂２３の裏面全体を覆っている。また、開口部３７ｂは、金属連結部１６の位置にほぼ対応し、平面から見て略矩形の帯形状を有する。開口部３７ｂからは金属連結部１６の連結部裏面１６ｂが露出している。なお、エッチング用レジスト層３７としては、例えばドライフィルムレジストを用いても良い。

　次に、エッチング用レジスト層３７を耐腐蝕膜としてリードフレーム１０に腐蝕液でエッチングを施す（図８（Ｆ））。このとき、開口部３７ｂから進入した腐蝕液が、金属連結部１６の全体を溶解して除去する。金属連結部１６が除去されることにより、金属連結部１６に対応する位置に凹部２７が形成される。このようにして、金属連結部１６が取り除かれ、ダイパッド１１と各リード部１２とが分離されるとともに、互いに隣接するリード部１２同士が分離される。なお、腐蝕液としては、金属基板３１の裏面側をエッチングする際に用いたものと同様のものを用いても良い（図７（Ｃ））。

　次いで、エッチング用レジスト層３７を剥離して除去する（図８（Ｇ））。なお、エッチング用レジスト層３７を除去した後、凹部２７に封止樹脂２３と同一又は異なる種類の絶縁性樹脂を充填する工程が設けられていても良い。

　その後、各半導体素子２１間の封止樹脂２３及び支持リード１３をダイシングする。これにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する。この際、例えば人工ダイヤモンドを含有したブレードを回転させながら、各半導体装置２０間の封止樹脂２３及び支持リード１３を切断しても良い。

　このようにして、図５及び図６に示す半導体装置２０が得られる（図８（Ｈ））。

　このように本実施の形態によれば、ダイパッド１１とリード部１２とが金属連結部１６によって互いに連結されている。また、リード部１２の裏面側の薄肉化された部分に樹脂部１８が充填されている。このため、リード部１２の裏面側が樹脂部１８によって安定して保持される。これにより、ワイヤボンディング時に（図８（Ｃ））、キャピラリー３８によってボンディングワイヤ２２をリード部１２に接合する際、リード部１２が変形することを抑えられる。

　すなわち、リード部１２のインナーリード５１にボンディングワイヤ２２を接続する際（図８（Ｃ）参照）、リード部１２にはキャピラリー３８によって表面側から裏面側に向けて押圧力が加わる。本実施の形態によれば、リード部１２の裏面側が樹脂部１８によって保持されていることにより、このようなキャピラリー３８による押圧力が加わった場合でも、リード部１２が変形することを抑えられる。この結果、リード部１２の厚みを薄くすることが可能となり、リードフレーム１０及び半導体装置２０の全体の厚みも薄くできる。リード部１２の厚みを薄くできるので、リード部１２の幅、リード部１２同士の間隔を狭くすることができ、リードフレーム１０及び半導体装置２０を多ピン化できる。また、ワイヤボンディング時に（図８（Ｃ））、リード部１２が振動することを抑制できる。これにより、ワイヤボンディング作業を安定して行える。また、リード部１２の長さを長くできるため、ボンディングワイヤ２２の長さを短くできる。

　また、本実施の形態によれば、封止樹脂２３によってリードフレーム１０を樹脂封止する時点（図８（Ｄ））より前に、予めリード部１２の裏面側の薄肉化された部分に樹脂部１８が充填されている。このため、樹脂部１８を、リード部１２の裏面側の薄肉化された部分に隙間なく充填できる。とりわけ、リード部１２の裏面側の薄肉化された部分の厚み（図３の厚みＴ３）が薄い場合でも、この部分に樹脂部１８を隙間なく充填できる。これにより、半導体装置２０の使用時に、空気中の水分等が半導体装置２０の裏面側から封止樹脂２３とリード部１２との界面に侵入することを抑えられる。他方、仮に、リード部１２の裏面に樹脂部１８が充填されていない場合、この部分に封止樹脂２３が十分に回り込まないおそれがある。

　また、本実施の形態によれば、金属連結部１６の一部は、リード部１２のインナーリード５１の裏面側に位置しても良い。これにより、金属連結部１６とリード部１２とが強固に連結され、ワイヤボンディング時にキャピラリー３８によってリード部１２が変形することを抑えられる。また、金属連結部１６のうち、リード部１２の裏面側に位置する部分の幅Ｗ２は、５０μｍ以上１５０μｍ以下としても良い。幅Ｗ２を５０μｍ以上とすることにより、上述したリード部１２の変形を抑制する効果がより得られやすい。また、幅Ｗ２を１５０μｍ以下とすることにより、半導体装置２０の裏面に形成される凹部２７が必要以上に大きくなることを抑えられる。

　また、本実施の形態によれば、樹脂部１８は、表面側に位置する樹脂表面１８ａを有し、樹脂表面１８ａは、互いに隣接する２本のリード部１２の間から外方に露出しても良い。このように２本のリード部１２の間に樹脂部１８が存在することにより、ワイヤボンディング時に（図８（Ｃ））、リード部１２が横方向に変形することを抑えられる。

　また、本実施の形態によれば、金属連結部１６は、平面視で環形状又はリング形状を有しても良い。これにより、金属連結部１６により複数のリード部１２をまとめて連結できる。

　また、本実施の形態によれば、樹脂部１８の熱伝導率は、２５℃環境下で１Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１以上１２Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１以下であっても良い。これにより、ワイヤボンディング時に、リード部１２のインナーリード５１を裏面側から加熱する際、樹脂部１８、金属連結部１６及び外部端子５３を介して、ヒートブロックからの熱を均一に伝達できる。

　（第１の実施の形態の第１の変形例）
　図９は、本実施の形態の第１の変形例によるリードフレーム１０を示している。図９に示すリードフレーム１０において、金属連結部１６は、表面側及び裏面側の両方から薄肉化されている。金属連結部１６の裏面側から薄肉化された部分は、裏面側薄肉部１６ｄを形成する。裏面側薄肉部１６ｄは、インナーリード側面５１ｃよりも外側（支持リード１３側）に位置する。裏面側薄肉部１６ｄには、樹脂部１８は充填されていない。裏面側薄肉部１６ｄと、金属連結部１６のインナーリード側面５１ｃとの間の幅Ｗ３は、５０μｍ以上２５０μｍ以下としても良い。

　裏面側薄肉部１６ｄは、例えばハーフエッチングにより形成されても良い。裏面側薄肉部１６ｄは、平面視で金属連結部１６の長手方向に沿って延びていても良い。裏面側薄肉部１６ｄの幅Ｗ４は、５０μｍ以上１５０μｍ以下としても良い。金属連結部１６は、裏面側薄肉部１６ｄと樹脂部１８との間に位置する金属部分１６ｅを有する。この場合、樹脂部１８は、裏面側薄肉部１６ｄ内に露出しない。金属部分１６ｅは、表面側及び裏面側のいずれからも薄肉化されていない。金属部分１６ｅの幅Ｗ５は、２５μｍ以上１５０μｍ以下としても良い。なお幅Ｗ３、幅Ｗ４及び幅Ｗ５は、それぞれ金属連結部１６の延伸方向に垂直な断面において、ダイパッド１１側からリード部１２側に測定した距離をいう。

　図９において、裏面側薄肉部１６ｄの深さｄ１は、リードフレーム１０の最大厚みＴ１の３０％以上６０％以下としても良く、４０％以上５０％以下としても良い。裏面側薄肉部１６ｄの深さｄ１は、２４μｍ以上１８０μｍ以下としても良く、３２μｍ以上１５０μｍ以下としても良い。図９において、裏面側薄肉部１６ｄの深さｄ１は、樹脂部１８の厚みＴ３よりも浅いが、これに限られない。裏面側薄肉部１６ｄの深さｄ１は、樹脂部１８の厚みＴ３と同一であっても良く、樹脂部１８の厚みＴ３より深くても良い。

　裏面側薄肉部１６ｄは、以下のようにして形成されても良い。まず上述したエッチング用レジスト層３４、３５を形成する工程において（図７（Ｇ））、裏面側のエッチング用レジスト層３５に、裏面側薄肉部１６ｄに対応する開口部を形成する。その後、ハーフエッチングにより、金属基板３１の表面側及び裏面側の両方からそれぞれ金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する（図７（Ｈ））。この際、裏面側のエッチング用レジスト層３５を耐腐蝕膜として、金属基板３１の裏面側に腐蝕液でエッチングを施すことにより、裏面側薄肉部１６ｄが形成される。

　あるいは、裏面側薄肉部１６ｄは、金属基板３１の裏面側にハーフエッチングにより裏面側凹部３６を形成する工程において（図７（Ｃ））、裏面側凹部３６とともに形成されても良い。

　本変形例によれば、金属連結部１６を裏面側から薄肉化することにより、金属連結部１６の体積がさらに減らされる。これにより、上述したように、リード部１２とダイパッド１１とを互いに分離する際（図８（Ｆ））、金属連結部１６をエッチングやダイシングによりさらに除去しやすい。

　このほかの構成は、図１乃至図８に示す形態と同一としても良い。

　（第１の実施の形態の第２の変形例）
　図１０は、本実施の形態の第２の変形例によるリードフレーム１０を示している。図１０に示すリードフレーム１０において、金属連結部１６は、表面側及び裏面側の両方から薄肉化されている。金属連結部１６の裏面側から薄肉化された部分は、裏面側薄肉部１６ｄを形成する。裏面側薄肉部１６ｄは、インナーリード側面５１ｃよりも外側（支持リード１３側）に位置する。裏面側薄肉部１６ｄには、樹脂部１８は充填されていない。

　図１０において、樹脂部１８は、裏面側薄肉部１６ｄ内に露出している。すなわち裏面側薄肉部１６ｄと樹脂部１８との間には、金属部分が存在しない。

　このほかの構成は、図９に示す第１の変形例と同一としても良い。

　（第２の実施の形態）
　次に、図１１乃至図１３を参照して第２の実施の形態について説明する。図１１乃至図１３は第２の実施の形態を示す図である。図１１乃至図１３において、図１乃至図８に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

　本実施の形態によるリードフレーム１０Ａは、ダイパッド１１と、複数のリード部１２と、複数の内側リード部１２Ａ、１２Ｂと、金属連結部１６とを備えている。複数のリード部１２及び複数の内側リード部１２Ａ、１２Ｂは、それぞれダイパッド１１の周囲に配置されている。金属連結部１６は、ダイパッド１１とリード部１２との間に配置されている。また、金属連結部１６によって、複数の内側リード部１２Ａ、１２Ｂが支持されている。

　各リード部１２は、それぞれインナーリード５１と、外部端子５３とを有する。インナーリード５１は、例えばハーフエッチングにより裏面側から薄肉化されている。外部端子５３の裏面には、それぞれ外部端子面１７が形成されている。

　金属連結部１６は、ダイパッド１１を取り囲むように配置されている。金属連結部１６は、表面側から薄肉化されている。この金属連結部１６は、全体として平面視で略矩形の環形状又はリング形状を有する。金属連結部１６の各辺はＸ方向又はＹ方向に沿って延びている。金属連結部１６の四隅にはそれぞれ吊りリード１４が連結されている。金属連結部１６は、４本の吊りリード１４を介して支持リード１３に支持されている。

　金属連結部１６からは、複数の内側リード部１２Ａ、１２Ｂがそれぞれ延出している。複数の内側リード部１２Ａ、１２Ｂは、ダイパッド１１とリード部１２との間に位置する。内側リード部１２Ａ、１２Ｂは、ダイパッド１１側に延びる内側リード部１２Ａと、支持リード１３側に延びる内側リード部１２Ｂとを含む。

　各内側リード部１２Ａ、１２Ｂは、それぞれインナーリード５１Ａ、５１Ｂと、外部端子５３Ａ、５３Ｂとを有する。インナーリード５１Ａ、５１Ｂは、例えばハーフエッチングにより裏面側から薄肉化されている。外部端子５３Ａ、５３Ｂの裏面には、それぞれ外部端子面１７Ａ、１７Ｂが形成されている。

　また、複数の内側リード部１２Ａ、１２Ｂは、金属連結部１６に沿って互いに間隔を空けて配列されている。内側リード部１２Ａ、１２Ｂは、半導体装置２０を作製する際、金属連結部１６を除去することにより、互いに個別に分離される。

　樹脂部１８は、ダイパッド１１とリード部１２の周囲に配置されている。樹脂部１８は、リードフレーム１０Ａの裏面側に配置されている。すなわち樹脂部１８は、リードフレーム１０Ａのうち、厚み方向の途中位置よりも裏面側（Ｚ方向マイナス側）に存在する。

　図１２に示すように、樹脂部１８は、リード部１２の裏面の薄肉化された部分と、内側リード部１２Ｂの裏面の薄肉化された部分とに充填されている。また樹脂部１８は、リード部１２と内側リード部１２Ｂとの間にも存在する。また樹脂部１８は、内側リード部１２Ａの裏面の薄肉化された部分に充填されている。また樹脂部１８は、内側リード部１２Ａとダイパッド１１との間にも存在する。

　本実施の形態によるリードフレーム１０Ａの製造方法は、第１の実施の形態によるリードフレーム１０の製造方法と略同様にして行うことができる（図７（Ａ）－（Ｉ））。

　図１３は、本実施の形態による半導体装置２０Ａを示す図である。図１３に示すように、半導体装置２０Ａは、ダイパッド１１と、複数のリード部１２と、複数の内側リード部１２Ａ、１２Ｂと、半導体素子２１と、複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２とを備えている。複数のリード部１２は、ダイパッド１１の周囲に配置されている。半導体素子２１は、ダイパッド１１上に搭載されている。ボンディングワイヤ２２は、リード部１２及び内側リード部１２Ａ、１２Ｂと、半導体素子２１とを互いに電気的に接続する。また、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、半導体装置２０Ａの裏面側に樹脂部１８が配置されている。さらに、ダイパッド１１、リード部１２、内側リード部１２Ａ、１２Ｂ、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

　この場合、内側リード部１２Ａは、ダイパッド１１、内側リード部１２Ｂ及び他の内側リード部１２Ａから分離されており、互いに電気的に独立している。内側リード部１２Ｂは、ダイパッド１１、内側リード部１２Ａ及び他の内側リード部１２Ｂから分離されており、互いに電気的に独立している。図１３において、金属連結部１６が除去されたことにより、半導体装置２０Ａの裏面であって、内側リード部１２Ａと内側リード部１２Ｂとの間に凹部２７が形成されている。この凹部２７は、金属連結部１６の形状に概ね対応している。凹部２７は、ダイパッド１１を取り囲むように、平面視で略矩形の環形状又はリング形状を有している。なお、凹部２７には、封止樹脂２３と同一又は異なる種類の絶縁性樹脂が充填されていても良い。

　本実施の形態による半導体装置２０Ａの製造方法は、第１の実施の形態による半導体装置２０の製造方法と略同様にして行うことができる（図８（Ａ）－（Ｈ））。

　本実施の形態によれば、半導体装置２０Ａを作製する際、金属連結部１６を除去することにより、内側リード部１２Ａと内側リード部１２Ｂとがそれぞれ個別に分離されるようになっている。このため、リード部１２に加え、内側リード部１２Ａ、１２Ｂを用いることもでき、外部の実装基板と接続される端子部の数（ピン数）を増やせる。これにより、半導体装置２０の高密度化を実現できる。

　（第２の実施の形態の変形例）
　図１４は、本実施の形態の変形例によるリードフレーム１０Ａを示している。図１４に示すリードフレーム１０Ａにおいて、金属連結部１６は、表面側及び裏面側の両方から薄肉化されている。金属連結部１６の表面側から薄肉化された部分は、表面側薄肉部１６ｆを形成する。金属連結部１６の裏面側から薄肉化された部分は、裏面側薄肉部１６ｄを形成する。裏面側薄肉部１６ｄは、表面側薄肉部１６ｆの内側（ダイパッド１１側）と外側（支持リード１３側）とにそれぞれ形成されている。すなわち一方の裏面側薄肉部１６ｄは、表面側薄肉部１６ｆの内側に形成され、他方の裏面側薄肉部１６ｄは、表面側薄肉部１６ｆの外側に形成される。

　表面側薄肉部１６ｆ及び裏面側薄肉部１６ｄは、それぞれ例えばハーフエッチングにより形成されても良い。表面側薄肉部１６ｆ及び裏面側薄肉部１６ｄは、それぞれ平面視で金属連結部１６の長手方向に沿って延びていても良い。裏面側薄肉部１６ｄと樹脂部１８との間には、それぞれ外部端子５３Ａ、５３Ｂが存在する。樹脂部１８は、裏面側薄肉部１６ｄ内に露出しない。

　本変形例によれば、金属連結部１６を裏面側から薄肉化することにより、金属連結部１６の体積がさらに減らされる。これにより、半導体装置２０Ａを作製する工程において、内側リード部１２Ａと内側リード部１２Ｂとを互いに分離する際、金属連結部１６をエッチングやダイシングによりさらに除去しやすい。

　このほかの構成は、図１１乃至図１３に示す形態と同一としても良い。

　（第３の実施の形態）
　次に、図１５及び図１６を参照して第３の実施の形態について説明する。図１５及び図１６は第３の実施の形態を示す図である。図１５及び図１６に示す第３の実施の形態は、主として、金属連結部１６が裏面側から薄肉化され、表面側から薄肉化されていない点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１５及び図１６において、図１乃至図８に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

　図１５に示すように、本実施の形態によるリードフレーム１０Ｂは、ダイパッド１１と、リード部１２と、金属連結部１６と、樹脂部１８とを備えている。金属連結部１６は、ダイパッド１１とリード部１２とを互いに連結する。樹脂部１８は、ダイパッド１１とリード部１２との周囲であって、リードフレーム１０Ｂの裏面側に配置される。金属連結部１６は、裏面側から薄肉化されている。リード部１２の少なくとも一部は、裏面側から薄肉化されている。リード部１２の薄肉化された部分の少なくとも一部に樹脂部１８が充填されている。

　図１５において、金属連結部１６は、裏面側から薄肉化されている。金属連結部１６は、表面側から薄肉化されていない。金属連結部１６の裏面側から薄肉化された部分は、裏面側薄肉部１６ｄを形成する。裏面側薄肉部１６ｄは、インナーリード側面５１ｃに対応する部分よりも内側（ダイパッド１１側）に位置する。裏面側薄肉部１６ｄには、樹脂部１８は充填されていない。

　裏面側薄肉部１６ｄは、例えばハーフエッチングにより形成される。裏面側薄肉部１６ｄは、平面視で金属連結部１６の長手方向に沿って延びていても良い。裏面側薄肉部１６ｄの幅Ｗ６は、２５μｍ以上１５０μｍ以下としても良い。裏面側薄肉部１６ｄと樹脂部１８との間には、金属部分１６ｅが存在する。樹脂部１８は、裏面側薄肉部１６ｄ内に露出しない。金属部分１６ｅは、表面側及び裏面側のいずれからも薄肉化されていない。金属部分１６ｅの幅Ｗ７は、２５μｍ以上１００μｍ以下としても良い。なお幅Ｗ６及び幅Ｗ７は、それぞれ金属連結部１６の延伸方向に垂直な断面において、ダイパッド１１側からリード部１２側に測定した距離をいう。

　図１５において、裏面側薄肉部１６ｄの深さｄ２は、リードフレーム１０の最大厚みＴ１の３０％以上６０％以下としても良く、４０％以上５０％以下としても良い。裏面側薄肉部１６ｄの深さｄ２は、２４μｍ以上１８０μｍ以下としても良く、３２μｍ以上１５０μｍ以下としても良い。図１５において、裏面側薄肉部１６ｄの深さｄ２は、樹脂部１８の厚みＴ３と同一であるが、これに限られない。裏面側薄肉部１６ｄの深さｄ２は、樹脂部１８の厚みＴ３より浅くても良く、樹脂部１８の厚みＴ３より深くても良い。

　裏面側薄肉部１６ｄは、以下のようにして形成されても良い。まず上述したエッチング用レジスト層３４、３５を形成する工程において（図７（Ｇ））、裏面側のエッチング用レジスト層３５に、裏面側薄肉部１６ｄに対応する開口部を形成する。一方、表面側のエッチング用レジスト層３４には、開口部３４ｂを形成しない。その後、ハーフエッチングにより、金属基板３１の裏面側から金属基板３１を厚み方向の途中まで薄肉化する（図７（Ｈ））。この際、裏面側のエッチング用レジスト層３５を耐腐蝕膜として、金属基板３１の裏面側に腐蝕液でエッチングを施すことにより、裏面側薄肉部１６ｄが形成される。

　本実施の形態によれば、金属連結部１６を裏面側から薄肉化することにより、金属連結部１６の体積が減らされる。これにより、上述したように、リード部１２とダイパッド１１とを互いに分離する際（図８（Ｆ））、金属連結部１６をエッチングにより除去しやすい。

　図１６は、本実施の形態による半導体装置２０Ｂを示す図である。図１６に示すように、半導体装置２０Ｂは、複数のリード部１２と、半導体素子２１と、複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２とを備えている。複数のリード部１２は、ダイパッド１１の周囲に配置されている。半導体素子２１は、ダイパッド１１上に搭載されている。ボンディングワイヤ２２は、リード部１２と半導体素子２１とを電気的に接続する。また、ダイパッド１１とリード部１２の周囲であって、半導体装置２０Ｂの裏面側に樹脂部１８が配置されている。ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

　金属連結部１６は、封止樹脂２３によって樹脂封止された後、裏面側からエッチングにより除去される。このため、リード部１２は、ダイパッド１１及び他のリード部１２から分離されており、互いに電気的に独立している。

　金属連結部１６が除去されたことに伴い、封止樹脂２３の裏面のうち、リード部１２とダイパッド１１との間に凹部２７が形成される。この凹部２７は、金属連結部１６の形状に概ね対応している。凹部２７は、ダイパッド１１を取り囲むように、平面視で略矩形の環形状又はリング形状を有している。金属連結部１６が除去されることにより、ダイパッド１１とリード部１２とが互いに分離する。このとき、リード部１２のインナーリード側面５１ｃが形成される。また、凹部２７は、ダイパッド１１とリード部１２との間にも形成される。なお、凹部２７に接する樹脂部１８の側面には、除去された金属連結部１６が少なくとも一部残っていても良い。この場合、半導体装置２０の使用時に、空気中の水分等が、樹脂部１８とリード部１２との界面から半導体素子２１側に侵入することを抑えられる。また、凹部２７には、封止樹脂２３と同一又は異なる種類の絶縁性樹脂が充填されていても良い。

　（第３の実施の形態の変形例）
　図１７は、本実施の形態の変形例によるリードフレーム１０Ｂを示している。図１７に示すリードフレーム１０Ｂにおいて、金属連結部１６は、裏面側から薄肉化され、表面側から薄肉化されていない。金属連結部１６の裏面側から薄肉化された部分は、裏面側薄肉部１６ｄを形成する。裏面側薄肉部１６ｄは、インナーリード側面５１ｃに対応する部分よりも内側（ダイパッド１１側）に位置する。裏面側薄肉部１６ｄには、樹脂部１８は充填されていない。

　図１７において、樹脂部１８は、裏面側薄肉部１６ｄ内に露出している。すなわち裏面側薄肉部１６ｄと樹脂部１８との間には、金属部分が存在しない。

　本変形例によれば、金属連結部１６を裏面側から薄肉化することにより、金属連結部１６の体積がさらに減らされる。これにより、上述したように、リード部１２とダイパッド１１とを互いに分離する際（図８（Ｆ））、金属連結部１６をエッチングによりさらに除去しやすい。

　このほかの構成は、図１５及び図１６に示す形態と同一としても良い。

　（第４の実施の形態）
　次に、図１８乃至図２０を参照して第４の実施の形態について説明する。図１８乃至図２０は第４の実施の形態を示す図である。図１８乃至図２０において、第１の実施の形態乃至第３の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

　図１８及び図１９（Ａ）（Ｂ）に示すリードフレーム１０Ｃは、ダイパッド１１と、複数の細長い外周リード部１２Ｃ、１２Ｄと、金属連結部４１と、樹脂部１８とを備えている。複数の外周リード部１２Ｃ、１２Ｄは、ダイパッド１１の周囲に配置されている。金属連結部４１は、ダイパッド１１と外周リード部１２Ｃ、１２Ｄとの間に配置され、ダイパッド１１の周囲に沿って延びている。樹脂部１８は、ダイパッド１１と外周リード部１２Ｃ、１２Ｄとの周囲であって、リードフレーム１０Ｃの裏面側に配置されている。

　複数の外周リード部１２Ｃ、１２Ｄは、各パッケージ領域１０ａの外周に沿って設けられている。複数の外周リード部１２Ｃ、１２Ｄは、相対的に長い長外周リード部１２Ｃと、相対的に短い短外周リード部１２Ｄとを含む。本明細書において、長外周リード部１２Ｃと短外周リード部１２Ｄとを合わせて外周リード部１２Ｃ、１２Ｄともいう。

　外周リード部１２Ｃ、１２Ｄは、それぞれ外部端子５３と、接続リード５２とを有する。外部端子５３は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。接続リード５２は、外側（ダイパッド１１の反対側、支持リード１３側）に位置する。外部端子５３は、外周リード部１２Ｃ、１２Ｄの内側端部に位置している。外部端子５３の表面側には内部端子１５が形成されている。外部端子５３の裏面側には外部端子面１７が形成されている。接続リード５２は、外部端子５３と支持リード１３とを互いに連結している。

　金属連結部４１は、外周リード部１２Ｃ、１２Ｄよりも内側において、ダイパッド１１を取り囲むように配置されている。金属連結部４１は、全体として略矩形形状を有しており、その各辺はＸ方向又はＹ方向に沿って延びている。金属連結部４１の四隅にはそれぞれ吊りリード１４が連結されている。金属連結部４１は、４本の吊りリード１４を介して支持リード１３に支持されている。

　金属連結部４１の表面には、互いに間隔を空けて複数の第１凹部４１ａが形成されている。各第１凹部４１ａは、ハーフエッチングにより形成されたものであり、厚み方向に貫通することなく一定の深さを持っている。各第１凹部４１ａは、金属連結部４１の幅方向中央部よりも内側（ダイパッド１１側）に形成されている。各第１凹部４１ａは、金属連結部４１の幅方向中央部に形成されても良く、金属連結部４１の幅方向中央部よりも外側（ダイパッド１１の反対側）に形成されても良い。

　互いに隣接する第１凹部４１ａの間には、内側端子部４２が形成されている。すなわち第１凹部４１ａと内側端子部４２とは、金属連結部４１の長さ方向に沿って交互に配置されている。この場合、内側端子部４２は、ハーフエッチングされておらず、ダイパッド１１及び支持リード１３と同一の厚みを有している。各内側端子部４２の表面には、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき等の金属層が設けられていても良い。

　金属連結部４１の裏面には、互いに間隔を空けて複数の第２凹部４１ｂが形成されている。各第２凹部４１ｂは、ハーフエッチングにより形成されたものであり、厚み方向に貫通することなく一定の深さを持っている。各第２凹部４１ｂは、金属連結部４１の幅方向中央部よりも外側（ダイパッド１１の反対側）に形成されている。各第２凹部４１ｂは、金属連結部４１の幅方向中央部に形成されても良く、金属連結部４１の幅方向中央部よりも内側（ダイパッド１１側）に形成されても良い。各第２凹部４１ｂ内には樹脂部１８は充填されていない。各第１凹部４１ａと各第２凹部４１ｂとは、平面視で金属連結部４１の幅方向に並んで配置されている。これに限らず、各第１凹部４１ａと各第２凹部４１ｂとは、平面視で千鳥状（互い違い）に配置されても良い。

　本実施の形態において、半導体装置２０Ｃ（図２０参照）を作製する際、金属連結部４１の一部のみがエッチングにより除去される。具体的には、金属連結部４１のうち各第１凹部４１ａの周辺領域がそれぞれ除去される。一方、金属連結部４１のうち、各第１凹部４１ａ及び各第２凹部４１ｂ間に位置する部分は、除去されることなく、それぞれ個別に分離されて内側端子部４２を構成する。

　すなわち、リードフレーム１０Ｃの裏面側から金属連結部４１の一部をエッチング除去する際（図８（Ｆ）参照）、各第１凹部４１ａ、各第２凹部４１ｂ及びその周囲に対応する領域に、エッチング用レジスト層３７の開口部３７ａを設けておく。そして当該開口部３７ａから進入した腐蝕液により、金属連結部４１のうち各第１凹部４１ａ及び各第２凹部４１ｂの周辺領域を選択的に溶解して除去する。この場合、金属連結部４１に第１凹部４１ａ及び各第２凹部４１ｂが設けられている。このため、開口部３７ａから進入した腐蝕液が、内側端子部４２や外周リード部１２Ｃ、１２Ｄを必要以上に溶解することなく、金属連結部４１のうち各第１凹部４１ａ及び各第２凹部４１ｂの周辺領域のみを適切に除去できる。このようにして、金属連結部４１のうち、互いに隣接する第１凹部４１ａ同士の間に、それぞれ内側端子部４２が残存する。

　なお、本実施の形態において、第１凹部４１ａ及び第２凹部４１ｂは、それぞれ長外周リード部１２Ｃの先端に対応する位置に形成されているが、これに限らず、短外周リード部１２Ｄの先端に対応する位置に形成されていても良い。複数の第１凹部４１ａ及び複数の第２凹部４１ｂは、金属連結部４１の周方向全域にわたって設けられているが、これに限らず、金属連結部４１の一部分のみに設けられていても良い。本実施の形態において、第１凹部４１ａが内側（ダイパッド１１側）に配置され、第２凹部４１ｂが外側（ダイパッド１１の反対側）に配置されている。これに限らず、第１凹部４１ａが外側に配置され、第２凹部４１ｂが内側に配置されても良い。

　図２０に示す半導体装置２０Ｃは、図１８及び図１９（Ａ）（Ｂ）に示すリードフレーム１０Ｃから作製されたものである。半導体装置２０Ｃにおいて、内側端子部４２は、ダイパッド１１の周囲４辺（図２０においてはＸ方向又はＹ方向に平行な４辺）に沿って、互いに間隔を空けて配列されている。

　リードフレーム１０Ｃの金属連結部４１のうち、各第１凹部４１ａ及び各第２凹部４１ｂの周辺領域は、封止樹脂２３によって樹脂封止された後、裏面側からエッチングにより除去されている。このため、各内側端子部４２は、ダイパッド１１、外周リード部１２Ｃ、１２Ｄ及び他の内側端子部４２から分離されており、これらの部材から電気的に独立している。内側端子部４２は、ハーフエッチングされておらず、ダイパッド１１と同一の厚みを有している。内側端子部４２の裏面には、外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子面１７が形成されている。

　金属連結部４１のうち内側端子部４２を除く部分が除去されたことに伴い、封止樹脂２３の裏面のうち、外周リード部１２Ｃ、１２Ｄとダイパッド１１との間の領域に、ダイパッド１１を取り囲むように凹部２７Ａが形成される。

　本実施の形態によれば、半導体装置２０Ｃを作製する際、金属連結部４１の一部が除去される。また金属連結部４１のうち除去されない部分がそれぞれ個別に分離されて内側端子部４２となる。このように、多数の内側端子部４２が形成されていることにより、外部の実装基板と接続される端子部の数（ピン数）を増やし、半導体装置２０Ｃの更なる高密度化を実現できる。

　本実施の形態において、一部の内側端子部４２を他の内側端子部４２よりも大きく形成しても良い。他の内側端子部４２よりも大きい内側端子部４２に複数のボンディングワイヤ２２を接続することにより、電気信号の調節のためのバスバーやグランド（ＧＮＤ）端子として用いても良い。これにより、端子数の増加に伴う発熱を低減し、より信頼性の高い半導体装置２０Ｃを実現できる。

　本実施の形態によるリードフレーム１０Ｃの製造方法及び半導体装置２０Ｃの製造方法は、第１の実施の形態によるリードフレーム１０の製造方法（図７（Ａ）－（Ｉ））及び半導体装置２０の製造方法（図８（Ａ）－（Ｈ））と略同様である。

　（第５の実施の形態）
　次に、図２１乃至図２４を参照して第５の実施の形態について説明する。図２１乃至図２４は第５の実施の形態を示す図である。図２１乃至図２４において、第１の実施の形態乃至第４の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

　図２１及び図２２（Ａ）（Ｂ）に示すリードフレーム１０Ｄは、ダイパッド１１と、複数の細長い外周リード部１２Ｃ、１２Ｄと、金属連結部４３と、樹脂部１８とを備えている。複数の細長い外周リード部１２Ｃ、１２Ｄは、ダイパッド１１の周囲に配置されている。金属連結部４３は、ダイパッド１１と外周リード部１２Ｃ、１２Ｄとの間に配置され、ダイパッド１１の周囲に沿って延びている。樹脂部１８は、ダイパッド１１と外周リード部１２Ｃ、１２Ｄとの周囲であって、リードフレーム１０Ｅの裏面側に配置されている。

　図２１及び図２２（Ａ）（Ｂ）に示すリードフレーム１０Ｄにおいて、金属連結部４３の表面には、凹部４３ａが形成されている。凹部４３ａは、金属連結部４３の長手方向に沿って溝状に形成されている。凹部４３ａは、例えばハーフエッチングにより形成されたものであり、厚み方向に貫通することなく一定の深さを持っている。凹部４３ａは、金属連結部４３の幅方向略中央部に形成されているが、金属連結部４３の幅方向略中央部からずれていても良い。凹部４３ａの幅方向両側には、薄肉化されていない土手部４３ｂが形成されている。金属連結部４３の長手方向に垂直な断面は、略凹字形状又は略Ｕ字形状となっている。なお、本実施の形態において、凹部４３ａは、金属連結部４３の四隅を除く全周に設けられているが、これに限らず、例えば金属連結部４３の四隅を含む全周にわたって設けられていても良い。

　このように凹部４３ａを設けたことにより、金属連結部４３の体積が減らされる。これにより、半導体装置２０Ｄ（図２３参照）の製造時に、複数の外部端子５６を個別に分離する際、金属連結部４３をエッチングにより除去しやすい。

　本実施の形態において、金属連結部４３によって複数の内側リード部１２Ｅ～１２Ｈが支持されている。複数の内側リード部１２Ｅ～１２Ｈは、長内側リード部１２Ｅと、短内側リード部１２Ｆと、長内側リード部１２Ｇと、短内側リード部１２Ｈとを含む。各内側リード部１２Ｅ～１２Ｈは、それぞれ外部端子５６と、接続リード５７とを有する。接続リード５７は、金属連結部４３に連結される。接続リード５７は、表面側から薄肉化されている。

　複数の内側リード部１２Ｅ～１２Ｈのうち、長内側リード部１２Ｅと短内側リード部１２Ｆとは、それぞれ金属連結部４３から外側に向けて延びている。長内側リード部１２Ｅと短内側リード部１２Ｆとは、金属連結部４３の長手方向に沿って交互に配置されている。長内側リード部１２Ｇと短内側リード部１２Ｈとは、それぞれ金属連結部４３から内側に向けて延びている。長内側リード部１２Ｇと短内側リード部１２Ｈとは、金属連結部４３の長手方向に沿って交互に配置されている。

　金属連結部４３から内側に向けて延びる長内側リード部１２Ｇと、金属連結部４３から外側に向けて延びる短内側リード部１２Ｆとが、金属連結部４３を介して互いに反対側の位置に配置されている。長内側リード部１２Ｇと、対応する短内側リード部１２Ｆとが、金属連結部４３を挟んで一直線上に位置している。

　金属連結部４３から内側に向けて延びる短内側リード部１２Ｈと、金属連結部４３から外側に向けて延びる長内側リード部１２Ｅとが、金属連結部４３を介して互いに反対側の位置に配置されている。短内側リード部１２Ｈと、対応する長内側リード部１２Ｅとが、金属連結部４３を挟んで一直線上に位置している。

　金属連結部４３から外側に向けて延びる短内側リード部１２Ｆと、長外周リード部１２Ｃとが互いに向かい合い、金属連結部４３から外側に向けて延びる長内側リード部１２Ｅと、短外周リード部１２Ｄとが互いに向かい合っている。

　内側リード部１２Ｅ～１２Ｈの各接続リード５７は、表面側から薄肉化されている。この場合、接続リード５７が裏面側に露出するので、金属連結部４３とともに接続リード５７を除去する作業を容易に行うことができる。また、金属連結部４３をエッチングにより除去する際（図８（Ｅ）参照）、金属連結部４３及び接続リード５７が確実に除去されたか否かを裏面側から容易に確認することができる。これにより、外部端子５６を独立させる作業が容易となる。

　図２３に示す半導体装置２０Ｄは、図２１及び図２２（Ａ）（Ｂ）に示すリードフレーム１０Ｄから作製されたものである。リードフレーム１０Ｄの金属連結部４３は、封止樹脂２３によって樹脂封止された後、裏面側からエッチングにより除去されている。金属連結部４３が除去されたことに伴い、封止樹脂２３の裏面のうち、内側リード部１２Ｅ、１２Ｆと内側リード部１２Ｇ、１２Ｈとの間の領域に、凹部２７Ａが形成される。

　図２３に示す半導体装置２０Ｄにおいて、金属連結部４３とともに接続リード５７が除去されている。これに限らず、半導体装置２０Ｄに接続リード５７の一部を残しても良く、あるいは接続リード５７の全体を残しても良い。

　図２４は、本実施の形態の変形例によるリードフレーム１０Ｅを示している。図２４において、金属連結部４３の内側には、短内側リード部１２Ｈのみが延びており、長内側リード部１２Ｇは延びていない。したがって、外部端子５３、５６は、ダイパッド１１の周囲に５列に配置されている。この場合、半導体装置２０Ｄの大きさに対してダイパッド１１の面積を広く確保できる。

　本実施の形態によるリードフレーム１０Ｄ、１０Ｅの製造方法及び半導体装置２０Ｄの製造方法は、第１の実施の形態によるリードフレーム１０の製造方法（図７（Ａ）－（Ｉ））及び半導体装置２０の製造方法（図８（Ａ）－（Ｈ））と略同様である。

　本実施の形態において、図２１に示すリードフレーム１０Ｄ（外部端子５３、５６が６列）及び図２４に示すリードフレーム１０Ｅ（外部端子５３、５６が５列）のいずれにおいても、全ての外部端子５３、５６を、外部端子５３、５６同士の間隔が等しい千鳥状に配置できる。これにより、基板実装時における半田ブリッジの発生を抑制できるため、実装信頼性を向上できる。

　本実施の形態によれば、例えば１２ｍｍ角のパッケージの場合、図２１に示すリードフレーム１０Ｄ（外部端子５３、５６が６列）を用いると、端子部の数（ピン数）を３０８ピンまで増やせる。また、例えば１２ｍｍ角のパッケージの場合、図２１に示すリードフレーム１０Ｄ（外部端子５３、５６が５列）を用いると、端子部の数（ピン数）を２８０ピンまで増やせる。このように、本実施の形態によれば、高機能のＬＳＩを搭載可能な半導体装置を安価に作製できる。さらに、例えば１０ｍｍ角のパッケージの場合、図２１に示すリードフレーム１０Ｄ（外部端子５３、５６が５列）を用いると、端子部の数（ピン数）を２０８ピン～２１６ピンまで増やせる。このピン数（２０８ピン～２１６ピン）は、従来の２８ｍｍ角のＱＦＰ（Quad Flat Package）と同等のピン数に相当する。

　（第６の実施の形態）
　次に、図２５乃至図２７を参照して第６の実施の形態について説明する。図２５乃至図２７は第６の実施の形態を示す図である。図２５乃至図２７において、第１の実施の形態乃至第５の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

　図２５及び図２６（Ａ）（Ｂ）に示すリードフレーム１０Ｆは、ダイパッド１１と、複数の細長い外周リード部１２Ｊ、１２Ｋと、金属連結部４４と、樹脂部１８とを備えている。複数の外周リード部１２Ｊ、１２Ｋは、ダイパッド１１の周囲に配置されている。金属連結部４４は、ダイパッド１１と外周リード部１２Ｊ、１２Ｋとの間に配置され、ダイパッド１１の周囲に沿って延びている。樹脂部１８は、ダイパッド１１と外周リード部１２Ｊ、１２Ｋとの周囲であって、リードフレーム１０Ｆの裏面側に配置されている。

　外周リード部１２Ｊ、１２Ｋは、インナーリード５１と、接続リード５２と、外部端子５３とを有する。インナーリード５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。接続リード５２は、外側（ダイパッド１１の反対側、支持リード１３側）に位置する。外部端子５３は、インナーリード５１と接続リード５２との間に位置する。インナーリード５１及び接続リード５２は、裏面側から薄肉化されている。外部端子５３は、薄肉化されていない。接続リード５２は、支持リード１３に連結されている。

　図２５及び図２６（Ａ）（Ｂ）において、金属連結部４４は、外周リード部１２Ｊ、１２Ｋのインナーリード５１の先端に設けられている。金属連結部４４は、ダイパッド１１を取り囲むように配置されている。金属連結部４４の外側周縁部（支持リード１３側周縁部）には、外周リード部１２Ｊ、１２Ｋのインナーリード５１が連結されている。金属連結部４４から内側（ダイパッド１１側）に向けて、連結バー４５が延出している。この場合、金属連結部４４は、全てのインナーリード５１に連結されて支持されている。これに限らず、金属連結部４４は一部のインナーリード５１のみに連結されていても良い。

　金属連結部４４の表面であって各インナーリード５１の先端近傍に、それぞれ凹部４４ａが形成されている。各凹部４４ａは、ハーフエッチングにより形成されたものであり、厚み方向に貫通することなく一定の深さを持っている。各凹部４４ａは、金属連結部４４の幅方向略中央部に形成されているが、金属連結部４４の幅方向略中央部よりも内側又は外側に形成されても良い。

　複数の凹部４４ａは、金属連結部４４の長手方向に沿って互いに間隔を空けて配置されている。互いに隣接する凹部４４ａの間には、厚肉部４４ｂが形成されている。凹部４４ａと厚肉部４４ｂとは、金属連結部４４の長手方向に沿って交互に配置されている。厚肉部４４ｂは、ハーフエッチングされておらず、ダイパッド１１及び支持リード１３と同一の厚みを有している。連結バー４５は、ダイパッド１１の４辺全てにそれぞれ２本ずつ連結されている。ダイパッド１１は、金属連結部４４及び連結バー４５によって支持されている。ダイパッド１１の四隅には吊りリード１４が設けられている。なお、樹脂部１８により、ダイパッド１１を外周リード部１２Ｊ、１２Ｋと支持リード１３に対して支持できるため、吊りリード１４を設けなくてもよい。吊りリード１４を設けない場合は、ダイパッド１１の四隅に樹脂部１８を形成する樹脂を充填しやすい。

　本実施の形態において、半導体装置２０Ｆ（図２７参照）を作製する際、金属連結部４４のうち各凹部４４ａの周辺部と、金属連結部４４の厚肉部４４ｂとは、同時にエッチングされはじめる。一方、厚肉部４４ｂを除去するのは、各凹部４４ａの領域を除去するよりも時間がかかる。これにより金属連結部４４自体のエッチングの進行を調整することが可能である。

　本実施の形態において、リードフレーム１０Ｆの裏面側から金属連結部４４をエッチング除去する際（図８（Ｅ）参照）、封止樹脂２３の裏面のエッチング用レジスト層３７の金属連結部４４に対応する位置に開口部３７ｂを設けておく。そして当該開口部３７ｂから進入した腐蝕液により、金属連結部４４のうち各凹部４４ａと厚肉部４４ｂとを適度に溶解して除去する。この場合、金属連結部４４の表面に凹部４４ａが設けられているので、開口部３７ｂから進入した腐蝕液が、外周リード部１２Ｊ、１２Ｋを必要以上に溶解することなく、金属連結部４４の全体を適切に除去できる。

　本実施の形態において、凹部４４ａは、全てのインナーリード５１の先端近傍に設けられている。これに限らず、凹部４４ａは、一部のインナーリード５１の先端近傍のみに設けられていても良い。

　このように、金属連結部４４に沿って凹部４４ａを一定間隔でドット状に設け、各凹部４４ａの間に厚肉部４４ｂを形成したことにより、金属連結部４４をエッチングにより除去する際、腐蝕液の進入と溶解とを適宜調整できる。

　図２７に示す半導体装置２０Ｆは、図２５及び図２６（Ａ）（Ｂ）に示すリードフレーム１０Ｆから作製されたものである。リードフレーム１０Ｆの金属連結部４４は、封止樹脂２３によって樹脂封止された後、裏面側からエッチングにより除去されている。金属連結部４４が除去されたことに伴い、封止樹脂２３の裏面のうち、外周リード部１２Ｊ、１２Ｋとダイパッド１１との間の領域に、ダイパッド１１を取り囲むように凹部２７Ｂが形成される。

　なお、本実施の形態によるリードフレーム１０Ｆの製造方法及び半導体装置２０Ｆの製造方法は、第１の実施の形態によるリードフレーム１０の製造方法（図７（Ａ）－（Ｉ））及び半導体装置２０の製造方法（図８（Ａ）－（Ｈ））と略同様である。

　上記各実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記各実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

Claims

　リードフレームにおいて、
　ダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、
　前記ダイパッドと前記リード部とを互いに連結する金属連結部と、
　前記ダイパッドと前記リード部との周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された樹脂部と、を備え、
　前記リード部の少なくとも一部は、裏面側から薄肉化され、前記リード部の薄肉化された部分に前記樹脂部が充填されている、リードフレーム。
　前記金属連結部の一部は、前記リード部の裏面側に位置する、請求項１に記載のリードフレーム。
　前記金属連結部のうち、前記リード部の裏面側に位置する部分の幅は、５０μｍ以上１５０μｍ以下である、請求項２に記載のリードフレーム。
　前記樹脂部は、表面側に位置する樹脂表面を有し、前記樹脂表面は、互いに隣接する２本のリード部の間から外方に露出する、請求項１に記載のリードフレーム。
　前記金属連結部は、平面視で環形状又はリング形状を有する、請求項１に記載のリードフレーム。
　前記樹脂部の熱伝導率は、２５℃環境下で１Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１以上１２Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１以下である、請求項１に記載のリードフレーム。
　前記金属連結部は、表面側から薄肉化されている、請求項１に記載のリードフレーム。
　前記金属連結部は、裏面側から薄肉化されている、請求項１に記載のリードフレーム。
　リードフレームにおいて、
　ダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、
　前記ダイパッドの周囲に配置された複数の内側リード部と、
　前記複数の内側リード部を互いに連結する金属連結部と、
　前記ダイパッドと前記リード部との周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された樹脂部と、を備え、
　前記金属連結部は、表面側から薄肉化され、
　前記内側リード部の少なくとも一部は、裏面側から薄肉化され、前記内側リード部の薄肉化された部分に前記樹脂部が充填されている、リードフレーム。
　リードフレームにおいて、
　ダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、
　前記ダイパッドと前記リード部との間に配置された金属連結部と、
　前記ダイパッドと前記リード部との周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された樹脂部と、を備え、
　前記金属連結部の表面に凹部が設けられている、リードフレーム。
　前記金属連結部の表面に複数の凹部が設けられ、前記複数の凹部は、前記金属連結部の長手方向に沿って互いに間隔を空けて設けられ、各凹部の間には端子部が形成されている、請求項１０に記載のリードフレーム。
　前記凹部は、前記金属連結部の長手方向に沿って溝状に形成されている、請求項１０に記載のリードフレーム。
　前記金属連結部によって複数の内側リード部が支持されており、
　前記複数の内側リード部は、長内側リード部と、短内側リード部とを含み、前記長内側リード部と前記短内側リード部とが前記金属連結部に沿って交互に配置されている、請求項１０に記載のリードフレーム。
　前記金属連結部の表面に複数の凹部が設けられ、前記複数の凹部は、前記金属連結部の長手方向に沿って互いに間隔を空けて設けられ、各凹部の間には厚肉部が形成されている、請求項１０に記載のリードフレーム。
　リードフレームの製造方法において、
　金属基板を準備する工程と、
　前記金属基板の裏面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、裏面側凹部を形成する工程と、
　前記金属基板の裏面側に樹脂部を形成し、前記樹脂部を前記裏面側凹部に充填する工程と、
　前記金属基板の表面側から前記金属基板を厚み方向の途中までエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部との間に配置された金属連結部と、を形成する工程と、を備えた、リードフレームの製造方法。