JP2012164877A - リードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダイパッド13とリード14とを有する単位リードフレーム10が複数個連設されたリードフレーム1は、表面が粗面化された粗面めっき層17が内壁面15Aに形成されている開口部15と、粗面めっき層17の粗化面17Aに接するように開口部15に埋め込まれた絶縁性の樹脂層18とを有している。
【選択図】図1
Description
(第1実施形態)
以下、第1実施形態を図1〜図4に従って説明する。
リードフレーム1の開口部15の内壁面15Aに、表面が粗面化された粗面めっき層17が形成される。そして、この粗面めっき層17の粗化面17Aに接するように、開口部15内に絶縁性の樹脂層18が形成される。これにより、その粗面めっき層17の粗化面17Aと樹脂層18との接触面積が、開口部15の内壁面15Aが平滑面である場合よりも増大され、粗面めっき層17(基板フレーム2)と樹脂層18との密着性を向上させることができる。したがって、基板フレーム2からの樹脂層18の剥離等の発生を好適に抑制することができる。
まず、図2(a)に示す導電性基板30を準備する。この導電性基板30としては、例えばCu、Cuをベースにした合金、Fe−Ni又はFe−Niをベースにした合金等の金属板を用いることができる。また、この導電性基板30の厚さは、例えば100〜500μmである。
図3に示すように、めっき処理装置40は、処理槽41とめっき液42とを有している。処理槽41に処理対象である上記基板形成工程後の基板フレーム2が浸漬される。処理槽41は、付属の案内ローラ(図示略)によって上記基板フレーム2が矢印方向に搬送可能なように構成されている。また、処理槽41は、電解めっきのため、整流器43に接続された2枚の白金電極板(+)44,45を備えている。整流器43は、基板フレーム2にも給電している。
塩化ニッケル 75g/L
チオシアン酸ナトリウム 15g/L
塩化アンモニウム 30g/L
pH: 約4.5〜5.5
浴温: 常温(約25℃)
陰極電流密度: 約1〜3A/cm2
このように、予め使用するめっき液の組成や電流密度等を適切に調整することにより、粗面めっき層17の表面が粗面化され、その粗化面17Aの粗度を所望の表面粗度に設定させることができる。なお、上述しためっき液の組成やめっき条件は一例であり、粗面めっき層17の粗化面17Aが所望の表面粗度になるように調整されるのであれば、その組成や条件は特に限定されない。
次に、図2(f)に示すように、粗化後の基板フレーム2の一側面(ここでは、下面)側に、半硬化状態とされた樹脂シート33を配置する。ここで、樹脂シート33の材料としては、例えばビルドアップ樹脂(フィラー入りのエポキシ樹脂など)や封止用樹脂などを使用することができる。
(粗面めっき層の密着性評価)
次に、上述した条件1にて製造された粗面めっき層の密着性についての評価を行った結果について説明する。
サンプルB1:膜厚1.0μm
サンプルC1:膜厚3.0μm
サンプルD1:膜厚5.0μm
この評価用サンプルA1〜D1の作製に使用した電解めっき浴の組成及びめっき条件は、上述した条件1である。
サンプルB2:膜厚1.0μm
サンプルC2:膜厚3.0μm
サンプルD2:膜厚5.0μm
この比較用サンプルA2〜D2の作製に使用した電解めっき浴の組成及びめっき条件は、次の通りである(条件2)。
スルファミン酸ニッケル 320g/L
硼酸 30g/L
臭化ニッケル 10g/L
pH: 約3.0〜4.0
浴温: 約30〜50℃
陰極電流密度: 約3〜30A/cm2
このように作製された全てのサンプル、すなわち評価用サンプルA1〜D1及び比較用サンプルA2〜D2のそれぞれについて、表面粗さRaを求めた。その結果を表1に示す。
(1)基板フレーム2の開口部15の内壁面15Aに、表面が粗化面17Aである粗面めっき層17を形成し、その粗化面17Aに接するように樹脂層18を開口部15内に埋め込むようにした。この粗化面17Aにより、開口部15の内壁面と樹脂層18との接触面積が増大されるため、粗面めっき層17(基板フレーム2)と樹脂層18との密着性を向上させることができる。したがって、基板フレーム2からの樹脂層18の剥離等の発生を好適に抑制することができる。
・上記第1実施形態では、ダイパッド13の端面及びリード14の端面を露出させるようにしたが、図5に示すように、ダイパッド13の端面及びリード14の端面の各々にめっき層13C,14Cを形成するようにしてもよい。このめっき層13C,14Cは、例えば図2(g)に示す研磨工程後の基板フレーム2にめっき処理を施すことにより形成することができる。めっき処理としては、順にNiめっき、Auめっきを施すめっき処理や、Agめっきを施すめっき処理などが挙げられるが、これに限定されない。
以下、第2実施形態を図6及び図7に従って説明する。先の図1〜図5に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
まず、図7(a)に示す導電性基板50を準備する。この導電性基板50としては、例えばCu、Cuをベースにした合金、Fe−Ni又はFe−Niをベースにした合金等の金属板を用いることができる。また、この導電性基板50の厚さは、例えば100〜500μmである。
(5)樹脂56を加圧及び加熱しながら注入することにより、開口部15及び凹部16内に樹脂層18を形成するようにした。これにより、リードフレーム1A(基板フレーム2A)の外表面が樹脂56で汚染されることを好適に抑制することができる。
・上記第2実施形態におけるゲート部4を設ける位置は、製品となる単位リードフレーム10よりも外側の領域であれば、特に限定されない。
(第3実施形態)
以下、第3実施形態を図8〜図10に従って説明する。先の図1〜図7に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
まず、図9(a)に示す導電性基板60を準備する。この導電性基板60としては、例えばCu、Cuをベースにした合金、Fe−Ni又はFe−Niをベースにした合金等の金属板を用いることができる。また、この導電性基板60の厚さは、例えば100〜500μmである。
なお、上記第3実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態では、開口部15のうち第1凹部21の内壁面21Aに粗面めっき層23を形成し、その第1凹部21に樹脂層24を形成するようにした。これに限らず、例えば図11に示すように、開口部15のうち第2凹部22の内壁面22Aに粗面めっき層23を形成し、その第2凹部22に樹脂層24を形成するようにしてもよい。なお、このリードフレーム1Cを製造する方法は、図9及び図10に示したリードフレーム1Bの製造工程と略同様であるため、その説明を省略する。
以下、第4実施形態を図12及び図13に従って説明する。先の図1〜図11に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
まず、先の図2で説明した製造方法によりリードフレーム1を製造し、図13(a)に示すように、ダイパッド13の端面及びリード14の端面の各々にめっき層13C,14Cを形成した後、そのめっき層13Cが形成された各ダイパッド13上に半導体素子71を搭載する。その後、各半導体素子71の電極とインナーリード14Aとをボンディングワイヤ72により電気的に接続する。これにより、半導体素子71が単位リードフレーム10に実装されたことになる。
なお、上記第4実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記各実施形態において、図3に示しためっき処理装置40の白金電極板44,45の代わりに、ニッケルチップを使用するようにしてもよい。
・上記各実施形態のリードフレーム1,1A,1B,1Cの形状に特に制限はない。すなわち、ダイパッド13及びリード14を画定する開口部15の内壁面15Aの少なくとも一部が粗化され、その粗化した面と接するように樹脂が開口部15の少なくとも一部に埋め込まれた構成を有するリードフレームであれば、その形状は特に制限されない。
2、2A、2B、2C 基板フレーム
4 ゲート部
10,10B,10C 単位リードフレーム
13 ダイパッド
14 リード
15 開口部
17 粗面めっき層
18 樹脂層
21 第1凹部
22 第2凹部
23 粗面めっき層
24 樹脂層
30,50,60 導電性基板
31,51 レジスト層
54,55 金型
56 樹脂
70,80〜82 半導体装置
71 半導体素子
72 ボンディングワイヤ
73 封止樹脂
Claims (9)
- ダイパッドとリードとを有する単位リードフレームが複数個連設されたリードフレームであって、
前記ダイパッド及び前記リードを画定する開口部と、
前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部に形成される、表面が粗面化された粗面めっき層と、
前記粗面めっき層に接するように前記開口部の少なくとも一部に埋め込まれた絶縁性の樹脂層と、
を有することを特徴とするリードフレーム。 - 前記粗面めっき層の表面粗さRaが100nm以上であることを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。
- ダイパッドとリードとを有する単位リードフレームが複数個連設されるリードフレームの製造方法であって、
前記ダイパッド及び前記リードを画定するための開口部を導電性基板に形成して基板フレームを形成する基板形成工程と、
前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部に、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、
前記粗面めっき層に接するように絶縁性の樹脂を前記開口部の少なくとも一部に埋め込む樹脂埋め込み工程と、
を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 前記基板形成工程は、前記開口部が空間的に連続して形成されるように前記基板フレームを形成し、
前記樹脂埋め込み工程は、
前記粗化工程後の基板フレームを金型で固定し、前記単位リードフレームよりも外側に設けられたゲート部から絶縁性の樹脂を加熱及び加圧しながら注入することにより、前記樹脂を前記開口部に充填することを特徴とする請求項3に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記基板形成工程は、
前記導電性基板の両面に前記開口部の形状に対応する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をエッチングマスクとして、前記導電性基板を両面からエッチングする工程と、を含み、
前記粗面めっき層を形成する工程は、前記レジスト層をマスクとした電解めっきにより行うことを特徴とする請求項3又は4に記載のリードフレームの製造方法。 - ダイパッドとリードとを有する単位リードフレームが複数個連設されるリードフレームの製造方法であって、
導電性基板の第1主面に第1凹部を形成する第1基板加工工程と、
前記第1凹部の内壁面の少なくとも一部に、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、
前記粗面めっき層に接するように絶縁性の樹脂を前記第1凹部の少なくとも一部に埋め込む樹脂埋め込み工程と、
前記導電性基板の第2主面に、前記第1凹部と連通する第2凹部を形成し、前記ダイパッド及び前記リードを画定する開口部を形成する第2基板加工工程と、
を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 前記第1基板加工工程は、前記第1凹部が空間的に連続して形成されるように前記導電性基板を加工し、
前記樹脂埋め込み工程は、
前記粗化工程後の導電性基板を金型で固定し、前記単位リードフレームよりも外側に設けられたゲート部から絶縁性の樹脂を加熱及び加圧しながら注入することにより、前記樹脂を前記第1凹部に充填することを特徴とする請求項6に記載のリードフレームの製造方法。 - 請求項1又は2に記載のリードフレームの前記単位リードフレームと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項3〜7のいずれか1つに記載のリードフレームの製造方法によって製造されたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームの各ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子の電極と前記リードとをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、
前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止樹脂により封止する工程と、
前記封止樹脂により封止されたリードフレームを、各半導体装置単位に分割する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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