JPS63290796A - Icカード用リードフレーム - Google Patents

Icカード用リードフレーム

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JPS63290796A
JPS63290796A JP62125088A JP12508887A JPS63290796A JP S63290796 A JPS63290796 A JP S63290796A JP 62125088 A JP62125088 A JP 62125088A JP 12508887 A JP12508887 A JP 12508887A JP S63290796 A JPS63290796 A JP S63290796A
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JP
Japan
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lead frame
lead
card
mount
thickness
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JP62125088A
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昌夫 後上
肥田 佳明
一木 喜久夫
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はICカード用リードフレームに関する。
〔従来の技術〕
従来のリードフレームはIC搭載部も、それ以外の領域
も等厚に形成されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ICカードについては、カード厚がISO規格では、0
.76閣(許容誤差±10%)厚と規定されているため
、ICモジュールの部分をより薄くすることが7望され
ている。
しかしながら、リードフレームの母材厚を薄くすると、
必要とされるICモジュールの強度は得られない。
そこで、本発明が解決しようとする問題点は、必要なI
Cモジュールの強度を有し、且つ薄くしたICモジュー
ルの形成を可能とするリードフレームを提供することに
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者は、上記の問題点を解決すべく研究の結果、I
Cを搭載するIC搭載部のみを薄くすることにより、所
期の目的を達成することが出来ることを見出し、かかる
知見に基づいて、本発明を完成したものである。
即ち、本発明は、rマウント部と、該マウント部から間
隙をおいて配設された複数のリードフレームとからなる
リードフレームにおいて、IC搭載部に相当するリード
フレームの領域がその他の領域よりも薄く形成されてい
ることを特徴とするICカード用リードフレーム、Jを
要旨とするものである。
IC搭載部はリードフレームの母材厚の85%以内とす
るのが望ましい、85%以上に深くハーフエツチングす
ると、エツチング面と反対側に、歪みが現れることがあ
り、その平坦度が掻めて悪くなる。
〔作用〕
本発明において、薄く形成したIC搭載部以外のリード
フレーム領域がICモジュールに必要な強度を提供する
ものであ°る。
〔実施例〕 第1図aないしCは本発明のリードフレームを示す。
リードフレーム16の中央に、マウント部11があり、
このマウント部11はタイバー12を介してフレーム部
13に連設されている、マウント部11の左右2辺に沿
って、フレーム13に連設された複数のリード部14が
、マウント部11と間隔をおいて配列されている。
そして、マうント部11の上下2辺と同方向に、上下各
辺の両端から突出して延びる横方向の補強用枠15がラ
ウン1ト部11に連設されている。
また、リード部14のアウターリード部に縦方向に突出
する縦方向の補強用枠15′が設けられている。
そしてマウント部11、およびリード部14のマウント
部寄りの部分が、IC搭載部17さして構成され、その
他のリードフレーム領域よりも薄く形成されている。
第1図示のように、上記のリードフレーム16は、42
合金、コバール、鉄、50合金、アンバー材、4262
6合金酸素鋼、リン青銅、ベリリウム銅、0LIN19
5、その他の鉄合金、及び銅合金、ステンレス等の母材
16aと、銅メッキ層16b1ニッケルメッキ層16C
1及び金メッキ層16d1°16eによって構成される
ものである。裏側の軟質金メッキ層16dはICチップ
とのボンディング用に設けたものであり、一方表側の硬
質金メッキJ!116eはカード表面に露出し、外部接
続端子をなすもので、銅メッキ層16bの表裏の所要領
域にニッケルメッキ層16cを介して表裏の金メッキ層
16d、16eが設けられている。
次に、上記のリードフレームの製造例についてのべる。
厚さ0.27−の42合金を用意し、この金属表面の油
、汚れ等の付着物を脱脂液を用いて取り除き、しかるの
ち、金属板の両面にネガタイプの感光液、例えば(MR
−S)、諸呈インキ■製を塗布し、5o−ioo℃の温
度で加熱乾燥後、両面より両パターンをあてがい、露光
する。
両パターンを真空密着させ、両面同時に高圧水銀灯の紫
外線に冨んだ光にて露光し、次に30〜45℃の温水に
て現像し、レジストパターンを形成させる0次いで両面
より腐食液(35〜46゜B e ’ 、 50〜65
°CのFeC15液)をノズルから吹き掛け、不要部分
をエツチングし、次いでIC搭載部以外をマスキングし
た状態で、IC搭載部18を0.1 wmの薄厚となる
ようにハーフエツチングした。
その後、レジスト剥離液を用いて、レジストを除去し、
次いでメッキを施す、メッキは必要な前処理(酸、アル
カリ、水洗処理等)を行い、下地メッキを施した後、金
メッキを行う、この時、リードフレームのICチップが
搭載される側には軟質の金メッキを、また反対面側は硬
質の金メッキを施す0表裏で異なるメッキを施すため、
どちらか片面をマスキングする治具を用意し、片面ずつ
メッキ作業を行う。
第2図は、上記のようにして形成したICモジュールの
一例を示す。
リードフレーム16の上に、第1図(a)図示のIC搭
載部17に、補強用絶縁体21として、熱硬化型接着剤
が片面に塗布されている厚さ80μのポリイミドシート
(商品名;リードフレーム固定用ポリイミドテープJR
−2250、日東電工■製)を、温度150°Cで、加
熱接着して補強用絶縁体21をリードフレーム16に形
成した。
次に、上記補強用絶縁体21上のチップバット部に、熱
硬化型エポキシダイ接着剤を塗布厚20μに形成して、
その接着剤を介して、ICチップ22を設置した。
次に、ワイヤーボンディング機により、ICチップボン
ディング部と軟質金メッキれたリードフレームの端子部
とを、25μ径の金ワイヤ−23で結線した。
次に、結線が終了したICチップ22とリードフレーム
16t−トランスファーモールド法により、エポキシ系
のトランスファーモールド用樹脂(商品名iMP−10
.日東電工■製日東電工構製封止した後、パッケージ単
位に断裁し、且つ必要とあれば、樹脂面を研摩して、厚
さ0.65mmのICモジュールを形成する。
上記の様にして形成したICモジュールの厚みは0.6
5m+sで、従来のリードフレームを用いてなるものよ
りも0.17011だけ薄くすることが出来た。
このICモジュールをICカード基材に装着してICカ
ードを構成し、長辺方向に2cm、短辺方向にICI、
各々1730秒サイクルで数100回、曲げ試験を行っ
たが、変形、破損は生じなかった。
〔発明の効果〕
以上、詳記したとおり、本発明に係るリードフレームに
よれば、必要なICモジュールの強度を保持して、IC
モジュールの厚みを従来よりも、薄くすることが出来る
【図面の簡単な説明】
第t@aないしCは本発明に係るリードフレー+÷φ→
嚇i−第2図は本発明のリードフレームを用いてなるI
Cモジュールの断面図である。 16・・・ ・リードフレーム 11・・・・マウント部 13・・・・フレーム部 14・ ・ ・ ・リード部 15.15’  ・・・・補強枠 17・・・IC搭載部(ハーフエツチング部)特許出願
人    大日本印刷株色会社代理人 弁理士    
小 西 淳 美第1図<a> 第 1 図(b) 第2図 手  続  補  正  書 (方 式)%式% 2発明の名称 ICカード用リードフレーム 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 住所   菫輩鋪鉤貿笛馨i緒!−?讐1奪l萼名称 
(289)戻首梨砧騎U訳与暮 代表者  1r  鼠 髄 糠 (2)明細書の第9頁第2行目〜同頁第3行目に記載の
「第2図a、及びbは露光焼付用のパターンの平面図、
」を削除する。 以上

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)マウント部と、該マウント部の周辺に、マウント
    部から、間隙をおいて配設された複数のリードフレーム
    とからなるリードフレームにおいて、IC搭載部に相当
    するリードフレームの領域がその他の領域よりも薄く形
    成されていることを特徴とするICカード用リードフレ
    ーム。
  2. (2)IC搭載部がリードフレームの母材厚の85%以
    内の深さにハーフエッチングされてなるものである特許
    請求の範囲第1項記載のICカード用リードフレーム。
  3. (3)IC搭載部がマウント部、及びリード部のマウン
    ト寄りの領域にわたる特許請求の範囲第1項記載のIC
    カード用リードフレーム。
JP62125088A 1987-05-22 1987-05-22 Icカード用リードフレーム Expired - Fee Related JP2609863B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191158A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2010073830A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd リードフレーム及びリードフレームの製造方法

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JPS6092848U (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 松下電工株式会社 半導体装置
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JPS619849U (ja) * 1984-06-25 1986-01-21 カシオ計算機株式会社 回路基板

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