JPH03188660A - 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法Info
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- JPH03188660A JPH03188660A JP32711989A JP32711989A JPH03188660A JP H03188660 A JPH03188660 A JP H03188660A JP 32711989 A JP32711989 A JP 32711989A JP 32711989 A JP32711989 A JP 32711989A JP H03188660 A JPH03188660 A JP H03188660A
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Landscapes
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- Wire Bonding (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレーム用材の構造的改良
と半導体装置用リードフレームの製造方法の改良とに関
する。
と半導体装置用リードフレームの製造方法の改良とに関
する。
〔従来の技術］
半導体装置用リードフレームとは、例えば４２合金等の
板を成形して製造した板状体よりなり、半導体装胃の製
造工程に使用される中間部材である。
板を成形して製造した板状体よりなり、半導体装胃の製
造工程に使用される中間部材である。
この半導体装置用リードフレームとその製造方法とを、
図面を参照して略述する。
図面を参照して略述する。
第５図参照
図は、従来技術に係る半導体装置用リードフレームの１
例の平面図である。
例の平面図である。
図において、６は半導体チップ（図示せず）がその上に
搭載されるアイランドであり、このアイランド６は支持
バー７を介して保持バー８に一体的に連結されている。
搭載されるアイランドであり、このアイランド６は支持
バー７を介して保持バー８に一体的に連結されている。
こ−で、保持ノ＼−８は額縁状の形状を有し、支持バー
７を介してアイランド６を支持すると＼もに、下記する
接続導体９も支持する。この接続導体９の一端は、上記
のアイランド６の近傍にこれとは絶縁されて配列され、
その他端は、上記のとおり、保持バー８に一体的に連結
されている。
７を介してアイランド６を支持すると＼もに、下記する
接続導体９も支持する。この接続導体９の一端は、上記
のアイランド６の近傍にこれとは絶縁されて配列され、
その他端は、上記のとおり、保持バー８に一体的に連結
されている。
従来技術に係る半導体装置用リードフレームの製造方法
には、ウェットエツチング法を使用して成形する方法と
プレス打抜き法を使用して成形する方法とがある。
には、ウェットエツチング法を使用して成形する方法と
プレス打抜き法を使用して成形する方法とがある。
まず、ウェットエッチング法を使用してなす半導体装置
用リードフレームの製造方法について略述する。
用リードフレームの製造方法について略述する。
第６図参照
図はウェットエツチング法を使用して製造された半導体
装置用リードフレームの接続導体９の断面図の１例（具
体的には、第５図にＣ−Ｃをもって示す領域の断面図）
である。図において、ｌは接続導体９の先端部（ポンデ
ィングがなされる領域であり、以下、この接続導体９を
インナーリードと云う。）の上面の平坦な領域の幅であ
り（接続導体の長手方向と直交する方向の長さ）であり
、Ｐはインナーリード９のピッチである。
装置用リードフレームの接続導体９の断面図の１例（具
体的には、第５図にＣ−Ｃをもって示す領域の断面図）
である。図において、ｌは接続導体９の先端部（ポンデ
ィングがなされる領域であり、以下、この接続導体９を
インナーリードと云う。）の上面の平坦な領域の幅であ
り（接続導体の長手方向と直交する方向の長さ）であり
、Ｐはインナーリード９のピッチである。
ウェットエッチング法を使用してなす半導体装置用リー
ドフレームを製造するには、金属板（図示せず）の両面
上にレジスト等の膜（図示せず）を形成し、このレジス
ト膜が形成されている金属板の両面上に、リードフレー
ムの平面パターンを代表するフォトマスクを対接させて
、上記のレジスト等を露光した後現像してエツチング用
マスクを製造する。つぎに、上記のエツチング用マスク
がその上に形成されている金属板の両面からエツチング
液を噴射して、噴射方式のエツチングを実施して金属板
を半導体装置用リードフレームの平面パターンに対応し
た形状に成形する。このウェットエツチング工程におい
ては、その等方性特性にもとづき、いわゆるサイドエツ
チングは避は難く、エツチング形状は図示するようにな
り、その厚さ方向の中間に突起９１が残留することは避
は難い。最後に、使用済みのレジストを除去して、所望
の形状に成形された金属板よりなるリードフレームを製
造する。
ドフレームを製造するには、金属板（図示せず）の両面
上にレジスト等の膜（図示せず）を形成し、このレジス
ト膜が形成されている金属板の両面上に、リードフレー
ムの平面パターンを代表するフォトマスクを対接させて
、上記のレジスト等を露光した後現像してエツチング用
マスクを製造する。つぎに、上記のエツチング用マスク
がその上に形成されている金属板の両面からエツチング
液を噴射して、噴射方式のエツチングを実施して金属板
を半導体装置用リードフレームの平面パターンに対応し
た形状に成形する。このウェットエツチング工程におい
ては、その等方性特性にもとづき、いわゆるサイドエツ
チングは避は難く、エツチング形状は図示するようにな
り、その厚さ方向の中間に突起９１が残留することは避
は難い。最後に、使用済みのレジストを除去して、所望
の形状に成形された金属板よりなるリードフレームを製
造する。
つぎに、プレス打抜き法を使用してなす半導体装置用リ
ードフレームの製造方法について説明する。
ードフレームの製造方法について説明する。
第７図参照
図は、半導体装置用リードフレームの平面パターンに適
合した雄・雌金型を使用して金属板（図示せず）を打抜
いて、リードフレームの形状に成形された金属板よりな
るリードフレームの接続導体９の断面の１例（具体的に
は第５図にＣＣをもって示す領域の断面図）である。こ
のプレス打抜き法を使用して製造した半導体装置用リー
ドフレームの接続導体９の断面は不可避的に台形になる
。図において、２・２゛は接続導体９の先端部（ボンデ
ィングがなされる領域）の上・下面の平坦な領域の幅で
あり、Ｐはインナーリードピッチである。
合した雄・雌金型を使用して金属板（図示せず）を打抜
いて、リードフレームの形状に成形された金属板よりな
るリードフレームの接続導体９の断面の１例（具体的に
は第５図にＣＣをもって示す領域の断面図）である。こ
のプレス打抜き法を使用して製造した半導体装置用リー
ドフレームの接続導体９の断面は不可避的に台形になる
。図において、２・２゛は接続導体９の先端部（ボンデ
ィングがなされる領域）の上・下面の平坦な領域の幅で
あり、Ｐはインナーリードピッチである。
〔発明が解決しようとする課題］
上記したとおり、従来技術に係る半導体装置用リードフ
レームにおいては、以下の欠点が避は難い。
レームにおいては、以下の欠点が避は難い。
半導体チップのポンディングパッドと各接続導体とをボ
ンディング接続するためには、インナーリード９の少な
くとも先端部（ワイヤボンディングされる領域）の上・
下面の平坦な領域の幅（第６図・第７図の１）は、ある
程度以上である必要があり、従来技術においては、最小
１００ｎ程度必要とされている。
ンディング接続するためには、インナーリード９の少な
くとも先端部（ワイヤボンディングされる領域）の上・
下面の平坦な領域の幅（第６図・第７図の１）は、ある
程度以上である必要があり、従来技術においては、最小
１００ｎ程度必要とされている。
しかし、リードフレームを構成する金属板の厚さが１５
０ｎの場合、ウェットエツチング法を使用して製造する
と、インナーリードの厚さの中央部に突起９１が不可避
的に形成されることは、上記のとおりである。そのため
、インナーリードの少なくとも先端部（ワイヤボンディ
ングされる領域）の上面の平坦な領域の幅（第６図の１
）を大きくしてワイヤボンディング特性を向上しようと
すると、上記の突起９１相互間の距離が小さくなり、接
続導体相互間の短絡のおそれが発生するので、インナー
リードのピッチＰも同時に大きくせざるを得す、従来技
術において可能な最小のインナーリードのピッチＰの（
直は２００ｎである。
０ｎの場合、ウェットエツチング法を使用して製造する
と、インナーリードの厚さの中央部に突起９１が不可避
的に形成されることは、上記のとおりである。そのため
、インナーリードの少なくとも先端部（ワイヤボンディ
ングされる領域）の上面の平坦な領域の幅（第６図の１
）を大きくしてワイヤボンディング特性を向上しようと
すると、上記の突起９１相互間の距離が小さくなり、接
続導体相互間の短絡のおそれが発生するので、インナー
リードのピッチＰも同時に大きくせざるを得す、従来技
術において可能な最小のインナーリードのピッチＰの（
直は２００ｎである。
また、リードフレームを構成する金属板の厚さが１５０
１ｒｍの場合、打ち抜き法を使用する場合は、上記のと
おり、インナーリードの上面の平坦な領域の幅（第７図
の１）が下面の平坦な領域の幅（第７図のｌ゛）より小
さくなるなるため、インナーリードの少なくとも先端部
（ワイヤボンディングされる領域）の上面の平坦な領域
の幅を大きくしてワイヤボンディング特性を向上しよう
とすると、下面相互間の距離が小さくなり、接続導体相
互間の短絡のおそれが発生するので、インナーリードの
とッ千Ｐも同時に大きくせざるを得す、従来技術におい
て可能な最小なインナーリードのピッチＰの値は２００
ｎである。
１ｒｍの場合、打ち抜き法を使用する場合は、上記のと
おり、インナーリードの上面の平坦な領域の幅（第７図
の１）が下面の平坦な領域の幅（第７図のｌ゛）より小
さくなるなるため、インナーリードの少なくとも先端部
（ワイヤボンディングされる領域）の上面の平坦な領域
の幅を大きくしてワイヤボンディング特性を向上しよう
とすると、下面相互間の距離が小さくなり、接続導体相
互間の短絡のおそれが発生するので、インナーリードの
とッ千Ｐも同時に大きくせざるを得す、従来技術におい
て可能な最小なインナーリードのピッチＰの値は２００
ｎである。
ところで、最近広く使用されている多用途半導体集積回
路（ＡＳＩＣ）等においてはピン数が増加し、そのため
、インナーリードピッチＰを１ＢＯｎ以下にすることが
要求されているが、上記の理由により、インナーリード
の上・下面の平坦な領域の幅を１００ ｕｓ以上にし、
しかも、インナーリードピンチを１８０ｎ以下にするこ
とは従来技術においては困難である。
路（ＡＳＩＣ）等においてはピン数が増加し、そのため
、インナーリードピッチＰを１ＢＯｎ以下にすることが
要求されているが、上記の理由により、インナーリード
の上・下面の平坦な領域の幅を１００ ｕｓ以上にし、
しかも、インナーリードピンチを１８０ｎ以下にするこ
とは従来技術においては困難である。
このように、従来技術に係る半導体装置用リードフレー
ムにおいては、インナーリードのピッチＰの長さとワイ
ヤボンディングされる領域の幅！とは、二律排反の関係
にあり、両者の要請を同時に満足することは容易ではな
いと云う欠点が避は難い。
ムにおいては、インナーリードのピッチＰの長さとワイ
ヤボンディングされる領域の幅！とは、二律排反の関係
にあり、両者の要請を同時に満足することは容易ではな
いと云う欠点が避は難い。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、エツ
チング法を使用して製造された、インナーリードの先端
部の上・下面の平坦な領域の幅が１００７ｍ以上であり
、且つ、インナーリードピッチが１８０ｎ以下である半
導体装置用リードフレームを実現するために必要な中間
部材（半導体装置用リードフレーム用材）とこの中間部
材を直接使用してなす半導体装置用リードフレームの製
造方法を提供することにある。
チング法を使用して製造された、インナーリードの先端
部の上・下面の平坦な領域の幅が１００７ｍ以上であり
、且つ、インナーリードピッチが１８０ｎ以下である半
導体装置用リードフレームを実現するために必要な中間
部材（半導体装置用リードフレーム用材）とこの中間部
材を直接使用してなす半導体装置用リードフレームの製
造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段〕
上記の目的のうち、第１の目的は、銅または銅を主成分
とする金属の板よりなる中心部材（１）がニッケルまた
はニッケルを主成分とする金属の板よりなるライニング
部材（２）をもって挟まれて相互に圧着されている半導
体装置用リードフレーム用材によって達成される。
とする金属の板よりなる中心部材（１）がニッケルまた
はニッケルを主成分とする金属の板よりなるライニング
部材（２）をもって挟まれて相互に圧着されている半導
体装置用リードフレーム用材によって達成される。
上記の目的のうち、第２の目的は、下記いずれの手段を
もっても達成される。
もっても達成される。
本発明の第２の目的を達成する第１の手段は、請求項［
１］記載の半導体装置用リードフレーム用材（３）の両
面にレジスト膜（４）を形成し、このレジスト膜（４）
を半導体装置用リードフレームの平面形状に露光・現像
してエツチング用マスク（４１）を形成し、塩化第二鉄
と塩酸との水溶液をエッチャントとして前記の半導体装
置用リードフレーム用材（３）をエツチングして半導体
装置用リードフレームを製造する半導体装置用リードフ
レームの製造方法である。
１］記載の半導体装置用リードフレーム用材（３）の両
面にレジスト膜（４）を形成し、このレジスト膜（４）
を半導体装置用リードフレームの平面形状に露光・現像
してエツチング用マスク（４１）を形成し、塩化第二鉄
と塩酸との水溶液をエッチャントとして前記の半導体装
置用リードフレーム用材（３）をエツチングして半導体
装置用リードフレームを製造する半導体装置用リードフ
レームの製造方法である。
この手段（請求項［２］に対応）において許容される中
心部材（１）と２枚のライニング部材（２）のそれぞれ
との厚さの比はそれぞれ対応するエツチングレートに依
存するので、中心部材（１）の厚さと２枚のライニング
部材（２）のそれぞれの厚さとの比は７０〜７６％対１
５〜１３％程度が現実的であり、半導体装置用リードフ
レームの厚さは１５０μｍ程度が通常であるから、中心
部材（１）の厚さは１ｌ１０７ｚ程度が現実的であり、
２枚のライニング部材（２）のそれぞれの厚さは２０μ
ｍ程度が現実的である。
心部材（１）と２枚のライニング部材（２）のそれぞれ
との厚さの比はそれぞれ対応するエツチングレートに依
存するので、中心部材（１）の厚さと２枚のライニング
部材（２）のそれぞれの厚さとの比は７０〜７６％対１
５〜１３％程度が現実的であり、半導体装置用リードフ
レームの厚さは１５０μｍ程度が通常であるから、中心
部材（１）の厚さは１ｌ１０７ｚ程度が現実的であり、
２枚のライニング部材（２）のそれぞれの厚さは２０μ
ｍ程度が現実的である。
本発明の第２の目的を達成する第２の手段は、請求項［
１］記載の半導体装置用リードフレーム用材（３）の両
面にレジスト膜（４）を形成し、このレジスト膜（４）
を半導体装置用リードフレームの平面形状に露光・現像
してエッチング用マスク（４１）を形成し、塩化第二鉄
と塩酸との水溶液をエッチャントとして前記のニッケル
またはニッケルを主成分とする金属の板（２）をエツチ
ングし、硫酸アンモニウム、硫酸銅、水酸化アルミニウ
ムを主成分とするエッチャントを使用して前記の銅また
は銅を主成分とする金属の板（１）をエツチングして半
導体装置用リードフレームを製造する半導体装置用リー
ドフレームの製造方法である。
１］記載の半導体装置用リードフレーム用材（３）の両
面にレジスト膜（４）を形成し、このレジスト膜（４）
を半導体装置用リードフレームの平面形状に露光・現像
してエッチング用マスク（４１）を形成し、塩化第二鉄
と塩酸との水溶液をエッチャントとして前記のニッケル
またはニッケルを主成分とする金属の板（２）をエツチ
ングし、硫酸アンモニウム、硫酸銅、水酸化アルミニウ
ムを主成分とするエッチャントを使用して前記の銅また
は銅を主成分とする金属の板（１）をエツチングして半
導体装置用リードフレームを製造する半導体装置用リー
ドフレームの製造方法である。
この手段（請求項［３１に対応）においては、中心部材
（１）をエツチングするエッチャントをもってはライニ
ング部材（２）がほとんどエツチングされないので、中
心部材（１）とライニング部材（２）との厚さの比はほ
とんど自由である。
（１）をエツチングするエッチャントをもってはライニ
ング部材（２）がほとんどエツチングされないので、中
心部材（１）とライニング部材（２）との厚さの比はほ
とんど自由である。
本発明の請求項［１］と請求項［２］とに係る手段は、
単一のエンチャントを使用してなすエッチング法を使用
して半導体装置用リードフレームを成形することを前提
とし、上記の単一のエッチャントに対してはエツチング
レートが高い材料の中心部材（本例においては銅または
銅を主成分とする金属の板（１））を、上記の単一のエ
ッチャントに対してはエツチングレートが低い材料をラ
イニング部材（本例においてはニッケルまたはニッケル
を主成分とする金属の板（２））をもって挟み、これら
の積層体を熱圧着法等を使用して圧着して製造した半導
体装置用リードフレーム用材とこの半導体装置用リード
フレーム用材を上記のエッチャントを使用してエツチン
グして、上記の中心部材（１）をエツチングするときは
上記のライニング部材（２）がほとんどエツチングされ
ず、ライニング部材（２）に対しては事実上サイドエッ
チングがなされず、お−むね垂直なエツチング面を実現
させて、その結果、十分広いボンディング領域と十分微
細なインナーリードピッチとを、同時に、実現するよう
にしたものである。
単一のエンチャントを使用してなすエッチング法を使用
して半導体装置用リードフレームを成形することを前提
とし、上記の単一のエッチャントに対してはエツチング
レートが高い材料の中心部材（本例においては銅または
銅を主成分とする金属の板（１））を、上記の単一のエ
ッチャントに対してはエツチングレートが低い材料をラ
イニング部材（本例においてはニッケルまたはニッケル
を主成分とする金属の板（２））をもって挟み、これら
の積層体を熱圧着法等を使用して圧着して製造した半導
体装置用リードフレーム用材とこの半導体装置用リード
フレーム用材を上記のエッチャントを使用してエツチン
グして、上記の中心部材（１）をエツチングするときは
上記のライニング部材（２）がほとんどエツチングされ
ず、ライニング部材（２）に対しては事実上サイドエッ
チングがなされず、お−むね垂直なエツチング面を実現
させて、その結果、十分広いボンディング領域と十分微
細なインナーリードピッチとを、同時に、実現するよう
にしたものである。
また、本発明の請求項［１］と請求項［３］とに係る手
段は、通常のエッチャントを使用すればエツチングしや
すい材料を中心部材（本例においては銅または銅を主成
分とする金属の板（１））とし、上記の通常のエッチャ
ントを使用してはエツチングされにくいが、他のエンチ
ャントを使用すれば容易にエツチングされる材料をライ
ニング部材（本例においてはニッケルまたはニッケルを
主成分とする金属の板（２））をもって挟み、これらの
積層体を熱圧着法等を使用して圧着して製造した半導体
装置用リードフレーム用材とこの半導体装置用リードフ
レーム用材を上記の２種のエッチャントを順次使用して
エツチングして、上記の中心部材（１）をエツチングす
るときは上記のライニング部材（２）がエツチングされ
ず、ライニング部材（２）に対してはサイドエツチング
がなされず、お−むね垂直なエツチング面を実現させて
、その結果、十分広いボンディング領域と十分微細なイ
ンナーリードピッチとを、同時に、実現するようにした
ものである。
段は、通常のエッチャントを使用すればエツチングしや
すい材料を中心部材（本例においては銅または銅を主成
分とする金属の板（１））とし、上記の通常のエッチャ
ントを使用してはエツチングされにくいが、他のエンチ
ャントを使用すれば容易にエツチングされる材料をライ
ニング部材（本例においてはニッケルまたはニッケルを
主成分とする金属の板（２））をもって挟み、これらの
積層体を熱圧着法等を使用して圧着して製造した半導体
装置用リードフレーム用材とこの半導体装置用リードフ
レーム用材を上記の２種のエッチャントを順次使用して
エツチングして、上記の中心部材（１）をエツチングす
るときは上記のライニング部材（２）がエツチングされ
ず、ライニング部材（２）に対してはサイドエツチング
がなされず、お−むね垂直なエツチング面を実現させて
、その結果、十分広いボンディング領域と十分微細なイ
ンナーリードピッチとを、同時に、実現するようにした
ものである。
以下、図面を参照して、本発明の実施例に係る半導体装
置用リードフレーム用材と半導体装置用リードフレーム
の製造方法とについて説明す男」ＪΩ【桝 第ｆｆｌ桝 第１ａ図参照 銅または銅を主成分とする金属であり１￥さが約１１０
μｍである板ｌの上下両面をニッケルまたはニッケルを
主成分とする金属であり厚さが約２０μｍである板２を
もって挟み、約５００°Ｃに加熱し、約５０Ｋｇ／ｍｍ
”の圧力をもって加圧して圧着して半導体装置用リード
フレーム用材３を製造する。
置用リードフレーム用材と半導体装置用リードフレーム
の製造方法とについて説明す男」ＪΩ【桝 第ｆｆｌ桝 第１ａ図参照 銅または銅を主成分とする金属であり１￥さが約１１０
μｍである板ｌの上下両面をニッケルまたはニッケルを
主成分とする金属であり厚さが約２０μｍである板２を
もって挟み、約５００°Ｃに加熱し、約５０Ｋｇ／ｍｍ
”の圧力をもって加圧して圧着して半導体装置用リード
フレーム用材３を製造する。
この半導体装置用リードフレーム用材３は、下記する半
導体装置用リードフレームの製造方法を使用するときは
、エツチング面がお＼むね垂直となり、十分広いボンデ
ィング領域と十分微細なインナーリードピッチを同時に
実現する半導体装置用リードフレームを製造することが
できる。
導体装置用リードフレームの製造方法を使用するときは
、エツチング面がお＼むね垂直となり、十分広いボンデ
ィング領域と十分微細なインナーリードピッチを同時に
実現する半導体装置用リードフレームを製造することが
できる。
第２図参照
スピンコード法を使用して、上記の半導体装置用リード
フレーム用材３上に、レジスト膜４を形成する。
フレーム用材３上に、レジスト膜４を形成する。
第３図参照
半導体装置用リードフレームの平面形状に対応する形状
にレジスト膜４を露光・現像して、エツチングマスク４
１を製造する。
にレジスト膜４を露光・現像して、エツチングマスク４
１を製造する。
第４図参照
塩化第二鉄（ＦｅＣ１，）と塩酸（ＨＣｆｆｉ）との水
溶液または硝酸（ｔ（ＮＯｓ）と過酸化水素水との水溶
液をエンチャントとして、約５０°Ｃの液温において両
面噴射エツチングを約１分間実行する。
溶液または硝酸（ｔ（ＮＯｓ）と過酸化水素水との水溶
液をエンチャントとして、約５０°Ｃの液温において両
面噴射エツチングを約１分間実行する。
このエツチング時間は、ニッケルまたはニッケルを主成
分とする金属の板２のみをエツチングするに必要な時間
であり、このエツチングが完了した時点においては図示
するような形状となる。すなわち、約２０μｍのサイド
エッチングが発生する。
分とする金属の板２のみをエツチングするに必要な時間
であり、このエツチングが完了した時点においては図示
するような形状となる。すなわち、約２０μｍのサイド
エッチングが発生する。
第１ｂ図参照
さらにつ−けて、両面噴射エツチングを約５分続行する
。塩化第二鉄ＣＦｅＣ１５）と塩酸（ＨＣｆ）との水溶
液または硝酸（ＨＮ○、）と過酸化水素水との水溶液の
銅に対するエツチングレートはニッケルに対するエッチ
ングレートの約１．０００倍であるから、この工程にお
いて、エツチングレートが急増して、銅または銅を主成
分とする金属板１は急速にエツチングされるが、ニッケ
ルまたはニッケルを主成分とする金属板２はほとんどエ
ツチングされず、お−むね図示するようなエツチング形
状となる。巨視的には、エツチング面はお＼むね垂直と
なる。図においては段差が表れているが、これは、説明
の都合上凹凸を拡大して表示したものであり、厚さ１５
０μｍに対し、横方向の段差は数μｍであり、巨視的に
はお−むね垂直である。最後に使用済みレジスト膜より
なるエツチングマスク４１を除去して、半導体装置用リ
ードフレームを完成する。
。塩化第二鉄ＣＦｅＣ１５）と塩酸（ＨＣｆ）との水溶
液または硝酸（ＨＮ○、）と過酸化水素水との水溶液の
銅に対するエツチングレートはニッケルに対するエッチ
ングレートの約１．０００倍であるから、この工程にお
いて、エツチングレートが急増して、銅または銅を主成
分とする金属板１は急速にエツチングされるが、ニッケ
ルまたはニッケルを主成分とする金属板２はほとんどエ
ツチングされず、お−むね図示するようなエツチング形
状となる。巨視的には、エツチング面はお＼むね垂直と
なる。図においては段差が表れているが、これは、説明
の都合上凹凸を拡大して表示したものであり、厚さ１５
０μｍに対し、横方向の段差は数μｍであり、巨視的に
はお−むね垂直である。最後に使用済みレジスト膜より
なるエツチングマスク４１を除去して、半導体装置用リ
ードフレームを完成する。
以上の工程をもって製造された半導体装置用リードフレ
ームのエツチング面はお＼むね垂直であるから、十分広
いボンディング領域と十分微細なインナーリードピッチ
とを同時に実現することができる。
ームのエツチング面はお＼むね垂直であるから、十分広
いボンディング領域と十分微細なインナーリードピッチ
とを同時に実現することができる。
第２図再参照
スピンコード法を使用して、上記の半導体装置用リード
フレーム用材３上に、レジスト膜４を形成する。
フレーム用材３上に、レジスト膜４を形成する。
第３図再参照
半導体装置用リードフレームの平面形状に対応する形状
にレジスト膜４を露光・現像して、エツチングマスク４
１を製造する。
にレジスト膜４を露光・現像して、エツチングマスク４
１を製造する。
第４図再参照
塩化第二鉄（ＦｅＣｊ！ｓ）と塩酸（ＨＣＩりまたは硝
酸（ＨＮＯ３）と過酸化水素水との水溶液をエッチャン
トとして、約５０°Ｃの液温において両面噴射エツチン
グを約１分間実行する。
酸（ＨＮＯ３）と過酸化水素水との水溶液をエッチャン
トとして、約５０°Ｃの液温において両面噴射エツチン
グを約１分間実行する。
このエツチング時間は、ニッケルまたはニッケルを主成
分とする金属の板２のみをエツチングするに必要な時間
であり、このエッチングが完了した時点においては図示
するような形状となる。すなわち、約２０μｍのサイド
エツチングは避は難い。
分とする金属の板２のみをエツチングするに必要な時間
であり、このエッチングが完了した時点においては図示
するような形状となる。すなわち、約２０μｍのサイド
エツチングは避は難い。
第１ｂ図再参照
次に、硝酸アンモニウム（（ＮＨ，）、ＳＯ２）と硫酸
１（ＣｕＳＯ，）と水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）とを
約８０：１５：５−７３：１０：１７の比に含有する水
溶液をエッチャントして、両面噴射エツチングを約５分
続行する。硝酸アンモニウム（（ＮＨ，）ｔ ｓｏ、）
と硫酸銅（ＣｕＳＯ４）と水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ
）とを約８０：１５：５〜７３：１０：１７の比に含有
する水？８液をエッチャントの銅に対するエツチングレ
ートはニッケルに対するエツチングレートの約１．００
０倍であるから、この工程において、エツチングレート
が急増して、銅または銅を主成分とする金属板１は急速
にエッチングされるが、ニッケルまたは二、ケルを主成
分とする金属板２はほとんどエツチングされず、お＼む
ね図示するようなエツチング形状となる。巨視的には、
エッチング面はお−むね垂直となる０図においては段差
が表れているが、これは、説明の都合上凹凸を拡大して
表示したものであり、厚さ１５０μｍに対し、横方向の
段差は数μｍであり、巨視的にはお−むね垂直である。
１（ＣｕＳＯ，）と水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）とを
約８０：１５：５−７３：１０：１７の比に含有する水
溶液をエッチャントして、両面噴射エツチングを約５分
続行する。硝酸アンモニウム（（ＮＨ，）ｔ ｓｏ、）
と硫酸銅（ＣｕＳＯ４）と水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ
）とを約８０：１５：５〜７３：１０：１７の比に含有
する水？８液をエッチャントの銅に対するエツチングレ
ートはニッケルに対するエツチングレートの約１．００
０倍であるから、この工程において、エツチングレート
が急増して、銅または銅を主成分とする金属板１は急速
にエッチングされるが、ニッケルまたは二、ケルを主成
分とする金属板２はほとんどエツチングされず、お＼む
ね図示するようなエツチング形状となる。巨視的には、
エッチング面はお−むね垂直となる０図においては段差
が表れているが、これは、説明の都合上凹凸を拡大して
表示したものであり、厚さ１５０μｍに対し、横方向の
段差は数μｍであり、巨視的にはお−むね垂直である。
最後に使用済みレジスト膜よりなるエツチングマスク４
１を除去して、半導体装置用リードフレームを完成する
。
１を除去して、半導体装置用リードフレームを完成する
。
以上の工程をもって製造された半導体装置用リードフレ
ームのエツチング面はお−むね垂直であるから、十分広
いボンディング領域と十分微細なインナーリードピンチ
とを同時に実現することができる。
ームのエツチング面はお−むね垂直であるから、十分広
いボンディング領域と十分微細なインナーリードピンチ
とを同時に実現することができる。
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置用リード
フレーム用材は、銅または銅を主成分とする金属の板よ
りなる中心部材がニッケルまたはニッケルを主成分とす
る金属の板よりなるライニング部材をもって挟まれ、相
互に圧着されているので、これを使用し、エツチング法
を使用して、半導体装置用リードフレームを製造すると
、エツチング面がお＼むね垂直となり、十分広いボンデ
ィング領域と十分微細なインナーリードピッチを同時に
実現する半導体装置用リードフレームを製造することが
できる。また、本発明に係る半導体装置用リードフレー
ムの製造方法は、上記の半導体装置用リードフレーム用
材を使用し、中心部材（銅または銅を主成分とする金属
の板）に対しては大きなエツチングレートを有するが、
ライニング部材にニッケルまたはニッケルを主成分とす
る金属の板）に対しては小さなエツチングレートを有す
るエンチャントを使用しているので、エツチング面がお
−むね垂直となり、十分広いボンディング領域と十分微
細なインナーリードピッチを同時に実現する半導体装置
用リードフレームを製造することができる。
フレーム用材は、銅または銅を主成分とする金属の板よ
りなる中心部材がニッケルまたはニッケルを主成分とす
る金属の板よりなるライニング部材をもって挟まれ、相
互に圧着されているので、これを使用し、エツチング法
を使用して、半導体装置用リードフレームを製造すると
、エツチング面がお＼むね垂直となり、十分広いボンデ
ィング領域と十分微細なインナーリードピッチを同時に
実現する半導体装置用リードフレームを製造することが
できる。また、本発明に係る半導体装置用リードフレー
ムの製造方法は、上記の半導体装置用リードフレーム用
材を使用し、中心部材（銅または銅を主成分とする金属
の板）に対しては大きなエツチングレートを有するが、
ライニング部材にニッケルまたはニッケルを主成分とす
る金属の板）に対しては小さなエツチングレートを有す
るエンチャントを使用しているので、エツチング面がお
−むね垂直となり、十分広いボンディング領域と十分微
細なインナーリードピッチを同時に実現する半導体装置
用リードフレームを製造することができる。
第１ａ図は、本発明の一実施例（請求項［１］に対応）
に係る半導体装置用リードフレーム用材の断面図である
。 第１ｂ図は、本発明の第１・第２実施例に係る半導体装
置用リードフレームの製造方法（請求項［２］ ・ ［
３］に対応）を実施して製造した半導体装置用リードフ
レームの断面図である。 第２図〜第４図は、本発明の一実施例に係る半導体装置
用リードフレームの製造方法（請求項［２］に対応）の
工程図である。 第５図は、半導体装置用リードフレームの平面図である
。 第６図は、エツチング法を使用してなす従来波ｊネテに
係る半導体装置用リードフレームの製造方法を実施して
製造した半導体装置用リードフレームの断面図である。 第７図は、プレス打抜き法を使用してなす従来技術に係
る半導体装置用リードフレームの製造方法を実施して製
造した半導体装置用リードフレームの断面図である。 ・銅または銅を主成分とする金属の板よりなる中心部材
、 ・ニッケルまたはニッケルを主成分とする金属の板より
なるライニング部材、 ・半導体装置用リードフレーム用材、 ・レジスト膜、 ・エッチング用マスク、 ・アイランド、 ・支持バー 保持バー ・接続導体、 ・突起。
に係る半導体装置用リードフレーム用材の断面図である
。 第１ｂ図は、本発明の第１・第２実施例に係る半導体装
置用リードフレームの製造方法（請求項［２］ ・ ［
３］に対応）を実施して製造した半導体装置用リードフ
レームの断面図である。 第２図〜第４図は、本発明の一実施例に係る半導体装置
用リードフレームの製造方法（請求項［２］に対応）の
工程図である。 第５図は、半導体装置用リードフレームの平面図である
。 第６図は、エツチング法を使用してなす従来波ｊネテに
係る半導体装置用リードフレームの製造方法を実施して
製造した半導体装置用リードフレームの断面図である。 第７図は、プレス打抜き法を使用してなす従来技術に係
る半導体装置用リードフレームの製造方法を実施して製
造した半導体装置用リードフレームの断面図である。 ・銅または銅を主成分とする金属の板よりなる中心部材
、 ・ニッケルまたはニッケルを主成分とする金属の板より
なるライニング部材、 ・半導体装置用リードフレーム用材、 ・レジスト膜、 ・エッチング用マスク、 ・アイランド、 ・支持バー 保持バー ・接続導体、 ・突起。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］銅または銅を主成分とする金属の板よりなる中心
部材（１）がニッケルまたはニッケルを主成分とする金
属の板よりなるライニング部材（２）をもって挟まれて
相互に圧着されてなる ことを特徴とする半導体装置用リードフレーム用材。 ［２］請求項［１］記載の半導体装置用リードフレーム
用材（３）の両面にレジスト膜（４）を形成し、 該レジスト膜（４）を半導体装置用リードフレームの平
面形状に露光・現像してエッチング用マスク（４１）を
形成し、 塩化第二鉄と塩酸との水溶液をエッチャントとして前記
半導体装置用リードフレーム用材（３）をエッチングし
て 半導体装置用リードフレームを製造する ことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方
法。 ［３］請求項［１］記載の半導体装置用リードフレーム
用材（３）の両面にレジスト膜（４）を形成し、 該レジスト膜（４）を半導体装置用リードフレームの平
面形状に露光・現像してエッチング用マスク（４１）を
形成し、 塩化第二鉄と塩酸との水溶液をエッチャントとして前記
ニッケルまたはニッケルを主成分とする金属の板（２）
をエッチングし、 硫酸アンモニウムを主成分とするエッチャントを使用し
て前記銅または銅を主成分とする金属の板（１）をエッ
チングして 半導体装置用リードフレームを製造する ことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32711989A JPH03188660A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32711989A JPH03188660A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188660A true JPH03188660A (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=18195516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32711989A Pending JPH03188660A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03188660A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367191A (en) * | 1991-09-18 | 1994-11-22 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
| WO2000019533A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Substrat plaque, destine a des cadres de montage, cadre de montage mettant en oeuvre un tel substrat, et procede de fabrication de ce cadre |
| WO2001009950A1 (fr) * | 1999-08-02 | 2001-02-08 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Module de boitier a semiconducteurs |
| US6579565B2 (en) * | 1998-07-23 | 2003-06-17 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Clad sheet for printed circuit board, a multilayered printed circuit board using thereof and manufacturing method thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4987539A (ja) * | 1972-12-26 | 1974-08-21 |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP32711989A patent/JPH03188660A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4987539A (ja) * | 1972-12-26 | 1974-08-21 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367191A (en) * | 1991-09-18 | 1994-11-22 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
| US5753535A (en) * | 1991-09-18 | 1998-05-19 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
| US6579565B2 (en) * | 1998-07-23 | 2003-06-17 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Clad sheet for printed circuit board, a multilayered printed circuit board using thereof and manufacturing method thereof |
| WO2000019533A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Substrat plaque, destine a des cadres de montage, cadre de montage mettant en oeuvre un tel substrat, et procede de fabrication de ce cadre |
| US6663980B1 (en) | 1998-09-30 | 2003-12-16 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Clad plate for lead frames, lead frame using the same, and method of manufacturing the lead frame |
| JP4110440B2 (ja) * | 1998-09-30 | 2008-07-02 | 東洋鋼鈑株式会社 | リードフレーム用クラッド板の製造方法及びリードフレームの製造方法 |
| WO2001009950A1 (fr) * | 1999-08-02 | 2001-02-08 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Module de boitier a semiconducteurs |
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