JPH03188656A - 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法Info
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- JPH03188656A JPH03188656A JP32711589A JP32711589A JPH03188656A JP H03188656 A JPH03188656 A JP H03188656A JP 32711589 A JP32711589 A JP 32711589A JP 32711589 A JP32711589 A JP 32711589A JP H03188656 A JPH03188656 A JP H03188656A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレーム用材の構造的改良
と半導体装置用リードフレームの製造方法の改良とに関
する。
と半導体装置用リードフレームの製造方法の改良とに関
する。
半導体装置用リードフレームとは、例えば４２ニッケル
合金等の板を成形して製造した板状体よりなり、半導体
装置の製造工程に使用される中間部材である。この半導
体装置用リードフレームとその製造方法とを、図面を参
照して略述する。
合金等の板を成形して製造した板状体よりなり、半導体
装置の製造工程に使用される中間部材である。この半導
体装置用リードフレームとその製造方法とを、図面を参
照して略述する。
第５図参照
図は、従来技術に係る半導体装置用リードフレームの１
例の平面図である。
例の平面図である。
図において、６は半導体チップ（図示せず）がその上に
搭載されるアイランドであり、このアイランド６は支持
バー７を介して保持バー８に一体的に連結されている。
搭載されるアイランドであり、このアイランド６は支持
バー７を介して保持バー８に一体的に連結されている。
ニーで、保持バー８は額縁状の形状を有し、支持バー７
を介してアイランド６を支持すると＼もに、下記する接
続導体９も支持する。この接続導体９の一端は、上記の
アイランド６の近傍にこれとは絶縁されて配列され、そ
の他端は、上記のとうり、保持バー８に一体的に連結さ
れている。
を介してアイランド６を支持すると＼もに、下記する接
続導体９も支持する。この接続導体９の一端は、上記の
アイランド６の近傍にこれとは絶縁されて配列され、そ
の他端は、上記のとうり、保持バー８に一体的に連結さ
れている。
従来技術に係る半導体装１用リードフレームの製造方法
には、ウェットエツチング法を使用して成形する方法と
プレス打抜き法を使用して成形する方法とがある。
には、ウェットエツチング法を使用して成形する方法と
プレス打抜き法を使用して成形する方法とがある。
まず、ウェットエツチング法を使用してなす半導体装置
用リードフレームの製造方法について略述する。
用リードフレームの製造方法について略述する。
第６図参照
図はウェットエツチング法を使用して製造された半導体
装置用リードフレームの接続導体９の断面図の１例（具
体的には、第５図にＣ−Ｃをもって示す領域の断面図）
である。図において、ｉは接続導体９の先端部（ボンデ
ィングがなされる領域であり、以下、この接続導体９を
インナーリードと云う、）の上面の平坦な領域の幅であ
り（接続導体の長手方向と直交する方向の長さ）であり
、Ｐはインナーリード９のピッチである。
装置用リードフレームの接続導体９の断面図の１例（具
体的には、第５図にＣ−Ｃをもって示す領域の断面図）
である。図において、ｉは接続導体９の先端部（ボンデ
ィングがなされる領域であり、以下、この接続導体９を
インナーリードと云う、）の上面の平坦な領域の幅であ
り（接続導体の長手方向と直交する方向の長さ）であり
、Ｐはインナーリード９のピッチである。
ウェットエツチング法を使用してなす半導体装置用リー
ドフレームを製造するには、金属板（図示せず）の両面
上にレジスト等の膜（図示せず）を形成し、このレジス
ト膜が形成されている金属板の両面上に、リードフレー
ムの平面パターンを代表するフォトマスクを対接させて
、上記のレジスト等を露光した後現像してエツチング用
マスクを製造する。つぎに、上記のエツチング用マスク
がその上に形成されている金属板の両面からエツチング
液を噴射して、噴射方式のエッチングを実施して金属板
を半導体チップリードフレームの平面パターンに対応し
た形状に成形する。このウェソトエソチング工程におい
ては、その等方性特性にもとづき、いわゆるサイドエツ
チングは避は難く、エツチング形状は図示するようにな
り、その厚さ方向の中間に突起９１が残留することは避
は難い、最後に、使用済みのレジストを除去して、所望
の形状に成形された金属板よりなるリードフレームを製
造する。
ドフレームを製造するには、金属板（図示せず）の両面
上にレジスト等の膜（図示せず）を形成し、このレジス
ト膜が形成されている金属板の両面上に、リードフレー
ムの平面パターンを代表するフォトマスクを対接させて
、上記のレジスト等を露光した後現像してエツチング用
マスクを製造する。つぎに、上記のエツチング用マスク
がその上に形成されている金属板の両面からエツチング
液を噴射して、噴射方式のエッチングを実施して金属板
を半導体チップリードフレームの平面パターンに対応し
た形状に成形する。このウェソトエソチング工程におい
ては、その等方性特性にもとづき、いわゆるサイドエツ
チングは避は難く、エツチング形状は図示するようにな
り、その厚さ方向の中間に突起９１が残留することは避
は難い、最後に、使用済みのレジストを除去して、所望
の形状に成形された金属板よりなるリードフレームを製
造する。
つぎに、プレス打抜き法を使用してなす半導体装置用リ
ードフレームの製造方法について説明する。
ードフレームの製造方法について説明する。
第７図参照
図は、半導体装置用リードフレームの平面パターンに適
合した雄・雌金型を使用して金属板（図示せず）を打抜
いて、リードフレームの形状に成形された金属板よりな
るリードフレームの接続導体９の断面の１例（具体的に
は第５図にＣＣをもって示す領域の断面図）である。こ
のプレス打抜き法を使用して製造した半導体装置用リー
ドフレームの接続導体９の断面は不可避的に台形になる
０図において、２・２′は接続導体９の先端部（ボンデ
ィングがなされる領域）の上・下面の平坦な領域の幅で
あり、Ｐはインナーリードピッチである。
合した雄・雌金型を使用して金属板（図示せず）を打抜
いて、リードフレームの形状に成形された金属板よりな
るリードフレームの接続導体９の断面の１例（具体的に
は第５図にＣＣをもって示す領域の断面図）である。こ
のプレス打抜き法を使用して製造した半導体装置用リー
ドフレームの接続導体９の断面は不可避的に台形になる
０図において、２・２′は接続導体９の先端部（ボンデ
ィングがなされる領域）の上・下面の平坦な領域の幅で
あり、Ｐはインナーリードピッチである。
上記したとおり、従来技術に係る半導体装置用リードフ
レームにおいては、以下の欠点が避は難い。
レームにおいては、以下の欠点が避は難い。
半導体チップのポンディングパッドと各接続導体とをボ
ンディング接続するためには、インナーリード９の少な
くとも先端部（ワイヤボンディングされる領域）の上・
下面の平坦な領域の幅（第６図・第７図の１！、）は、
ある程度以上である必要があり、従来技術においては、
最小１００ｎ程度必要とされている。
ンディング接続するためには、インナーリード９の少な
くとも先端部（ワイヤボンディングされる領域）の上・
下面の平坦な領域の幅（第６図・第７図の１！、）は、
ある程度以上である必要があり、従来技術においては、
最小１００ｎ程度必要とされている。
しかし、リードフレームを構成する金属板の厚さが１５
０ｎの場合、ウェットエツチング法を使用して製造する
と、インナーリードの厚さの中央部に突起９１が不可避
的に形成されることは、上記のとうりである。そのため
、インナーリードの少なくとも先端部（ワイヤボンディ
ングされるＳＪｒ域）の上面の平坦な領域の輻（第６図
の１りを大きくしてワイヤボンディング特性を向上しよ
うとすると、上記の突起９１相互間の距離が小さくなり
、接続導体相互間の短絡のおそれが発生するので、イン
ナーリードのピッチＰも同時に大きくせざるを得す、従
来技術において可能な最小のインナーリードのピンチＰ
の値は２５０ｕ■である。
０ｎの場合、ウェットエツチング法を使用して製造する
と、インナーリードの厚さの中央部に突起９１が不可避
的に形成されることは、上記のとうりである。そのため
、インナーリードの少なくとも先端部（ワイヤボンディ
ングされるＳＪｒ域）の上面の平坦な領域の輻（第６図
の１りを大きくしてワイヤボンディング特性を向上しよ
うとすると、上記の突起９１相互間の距離が小さくなり
、接続導体相互間の短絡のおそれが発生するので、イン
ナーリードのピッチＰも同時に大きくせざるを得す、従
来技術において可能な最小のインナーリードのピンチＰ
の値は２５０ｕ■である。
また、リードフレームを構成する金属板の厚さが１５０
ｎの場合、打ち抜き法を使用する場合は、上記のとおり
、インナーリードの上面の平坦な領域の幅（第７図の１
）が下面の平坦な領域の幅（第７図のｌ゛）より小さく
なるなるため、インナーリードの少なくとも先端部（ワ
イヤボンディングされる領域）の上面の平坦な領域の幅
を大きくしてワイヤボンディング特性を向上しようとす
ると、下面相互間の距離が小さくなり、接続導体相互間
の短絡のおそれが発生するので、インナーリードのピッ
チＰも同時に大きくせざるを得す、従来技術において可
能な最小なインナーリードのピッチＰの（直は２５０
ｕである。
ｎの場合、打ち抜き法を使用する場合は、上記のとおり
、インナーリードの上面の平坦な領域の幅（第７図の１
）が下面の平坦な領域の幅（第７図のｌ゛）より小さく
なるなるため、インナーリードの少なくとも先端部（ワ
イヤボンディングされる領域）の上面の平坦な領域の幅
を大きくしてワイヤボンディング特性を向上しようとす
ると、下面相互間の距離が小さくなり、接続導体相互間
の短絡のおそれが発生するので、インナーリードのピッ
チＰも同時に大きくせざるを得す、従来技術において可
能な最小なインナーリードのピッチＰの（直は２５０
ｕである。
ところで、最近広く使用されている多用途半導体集積回
路（ＡＳ Ｉ Ｃ）等においてはビン数が増加し、その
ため、インナーリードピッチＰを１８０ｕ以下にするこ
とが要求されているが、上記の理由により、インナーリ
ードの上・下面の平坦な領域の幅を１００ｎ以上にし、
しかも、インナーリードピンチを１８０ｎ以下にするこ
とは従来技術においては困難である。
路（ＡＳ Ｉ Ｃ）等においてはビン数が増加し、その
ため、インナーリードピッチＰを１８０ｕ以下にするこ
とが要求されているが、上記の理由により、インナーリ
ードの上・下面の平坦な領域の幅を１００ｎ以上にし、
しかも、インナーリードピンチを１８０ｎ以下にするこ
とは従来技術においては困難である。
このように、従来技術に係る半導体装置用リードフレー
ムにおいては、インナーリードのピンチＰの長さとワイ
ヤボンディングされる領域の幅ｌとは、二律排反の関係
にあり、両者の要請を同時に満足することは容易ではな
いと云う欠点が避は難い。
ムにおいては、インナーリードのピンチＰの長さとワイ
ヤボンディングされる領域の幅ｌとは、二律排反の関係
にあり、両者の要請を同時に満足することは容易ではな
いと云う欠点が避は難い。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、エツ
チング法を使用して製造された、インナーリードの先端
部の上・下面の平坦な領域の幅が１００ｎ以上であり、
且つ、インナーリードピッチが１８０ ｎ以下である半
導体装Ｗ用リードフレームを実現するために必要な中間
部材（半導体装置用リードフレーム用材）とこの中間部
材を直接使用してなす半導体装夏用リードフレームの製
造方法を捷供することにある。
チング法を使用して製造された、インナーリードの先端
部の上・下面の平坦な領域の幅が１００ｎ以上であり、
且つ、インナーリードピッチが１８０ ｎ以下である半
導体装Ｗ用リードフレームを実現するために必要な中間
部材（半導体装置用リードフレーム用材）とこの中間部
材を直接使用してなす半導体装夏用リードフレームの製
造方法を捷供することにある。
上記の目的のうち、第１の目的は、炭素含有量が０．０
１５％以下である鉄・ニッケル合金の板よりなる中心部
材（１）が、炭素含有量が０．０２〜２．０％である鉄
・ニッケル合金の板よりなるライニング部材（２）をも
って挟まれて相互に加熱・圧着されている半導体装置用
リードフレーム用材によって達成される。
１５％以下である鉄・ニッケル合金の板よりなる中心部
材（１）が、炭素含有量が０．０２〜２．０％である鉄
・ニッケル合金の板よりなるライニング部材（２）をも
って挟まれて相互に加熱・圧着されている半導体装置用
リードフレーム用材によって達成される。
上記の目的のうち、第２の目的は、請求項［１］記載の
半導体装置用リードフレーム用材（３）の両面にレジス
ト膜（４）を形成し、このレジスト膜（４）を半導体装
置用リードフレームの平面形状に露光・現像してエツチ
ング用マスク（４１）を形成し、前記の半導体装夏用リ
ードフレーム用材（３）をウニ・ントエソチングして、
半導体装置用リードフレームを製造する半導体装置用リ
ードフレームの製造方法によって達成される。
半導体装置用リードフレーム用材（３）の両面にレジス
ト膜（４）を形成し、このレジスト膜（４）を半導体装
置用リードフレームの平面形状に露光・現像してエツチ
ング用マスク（４１）を形成し、前記の半導体装夏用リ
ードフレーム用材（３）をウニ・ントエソチングして、
半導体装置用リードフレームを製造する半導体装置用リ
ードフレームの製造方法によって達成される。
上記いづれの手段においても、望ましい中心部材（１）
の厚さと２枚のライニング部材（２）のそれぞれの厚さ
との比は、それぞれ対応する材料のエツチングレートに
依存する。例えば、一方の炭素含有量を０．００５％と
し、他方の炭素含有量を０．０２５％とすると、エツチ
ングレートの比は１．４；１．０となる。そして、本発
明においては、中心部材（１）の炭素含有量が０．０１
５％以下とされ、ライニング部材（２）の炭素含有量が
０．０２〜２．０％とされており、この場合、エツチン
グレートの比は１．５：１．０であるので、半導体装置
用リードフレームの厚さを１５０ｚｍとすると、中心部
材（１）の厚さの半導体装置用リードフレームの厚さに
対する比は６０〜２０％が望ましく、ライニング部材（
２）の厚さの半導体装置用リードフレームの厚さに対す
る比は２０〜４０％が望ましい。
の厚さと２枚のライニング部材（２）のそれぞれの厚さ
との比は、それぞれ対応する材料のエツチングレートに
依存する。例えば、一方の炭素含有量を０．００５％と
し、他方の炭素含有量を０．０２５％とすると、エツチ
ングレートの比は１．４；１．０となる。そして、本発
明においては、中心部材（１）の炭素含有量が０．０１
５％以下とされ、ライニング部材（２）の炭素含有量が
０．０２〜２．０％とされており、この場合、エツチン
グレートの比は１．５：１．０であるので、半導体装置
用リードフレームの厚さを１５０ｚｍとすると、中心部
材（１）の厚さの半導体装置用リードフレームの厚さに
対する比は６０〜２０％が望ましく、ライニング部材（
２）の厚さの半導体装置用リードフレームの厚さに対す
る比は２０〜４０％が望ましい。
本発明は、鉄・ニッケル合金のウェットエツチングレー
トが、その炭素含有量に依存しており、その炭素含有量
が増加するとエッチングレートが増加すると云う性質を
積極的に利用したものであり、中心部材（１）のエッチ
ングレートがライニング部材（２）のエッチングレート
より大きくしであるので、ライニング部材（２）はそれ
程サイドエッチされないが、中心部材（１）は大きくサ
イドエッチされることになり、その結果、両者のサイド
エッチ量はお−むね同一となり、エツチング面はお−む
ね平面状となる。実験の結果によれば、接続導体の側面
は巨視的にはお−むね平面となり、十分広いボンディン
グ領域と十分微細なインナーリードピッチとを、同時に
、実現することができる。
トが、その炭素含有量に依存しており、その炭素含有量
が増加するとエッチングレートが増加すると云う性質を
積極的に利用したものであり、中心部材（１）のエッチ
ングレートがライニング部材（２）のエッチングレート
より大きくしであるので、ライニング部材（２）はそれ
程サイドエッチされないが、中心部材（１）は大きくサ
イドエッチされることになり、その結果、両者のサイド
エッチ量はお−むね同一となり、エツチング面はお−む
ね平面状となる。実験の結果によれば、接続導体の側面
は巨視的にはお−むね平面となり、十分広いボンディン
グ領域と十分微細なインナーリードピッチとを、同時に
、実現することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施例に係る半導体装
置用リードフレーム用材と半導体装置用リードフレーム
の製造方法とについて説明する。
置用リードフレーム用材と半導体装置用リードフレーム
の製造方法とについて説明する。
３０ｎである鉄・ニッケル合金よりなる板を中心部材１
とし、この中心部材１を、炭素含有量が０．０２〜２．
０％の範囲であり厚さが３０〜６０．Ｉｌｌである鉄・
ニッケル合金の板よりなるライニング部材２をもって挟
み、約８００ ’Ｃにおいて、約７０Ｋｇ／ｍｍ”の圧
力をもって加熱しながら圧着して半導体装置用リードフ
レーム用材３を製造する。
とし、この中心部材１を、炭素含有量が０．０２〜２．
０％の範囲であり厚さが３０〜６０．Ｉｌｌである鉄・
ニッケル合金の板よりなるライニング部材２をもって挟
み、約８００ ’Ｃにおいて、約７０Ｋｇ／ｍｍ”の圧
力をもって加熱しながら圧着して半導体装置用リードフ
レーム用材３を製造する。
この半導体装置用リードフレーム用材３は、下記する半
導体装置用リードフレームの製造方法を使用するときは
、エツチング面がお−むね平面状となり、十分広いボン
ディング領域と十分微細なインナーリードピッチを同時
に実現する半導体装置用リードフレームを製造すること
ができる。
導体装置用リードフレームの製造方法を使用するときは
、エツチング面がお−むね平面状となり、十分広いボン
ディング領域と十分微細なインナーリードピッチを同時
に実現する半導体装置用リードフレームを製造すること
ができる。
第１ａ図参照
炭素含有量が０．０１５％以下であり厚さが１２０〜第
２図参照 スピンコード法を使用して、上記の半導体装１用リード
フレーム用材３上に、レジスト膜４を形成する。
２図参照 スピンコード法を使用して、上記の半導体装１用リード
フレーム用材３上に、レジスト膜４を形成する。
第３図参照
半導体装置用リードフレームの平面形状に対応する形状
にレジスト膜４を露光・現像して、エツチングマスク４
１を製造する。
にレジスト膜４を露光・現像して、エツチングマスク４
１を製造する。
第４図参照
塩化第２鉄（ＦｅＣ１，）と塩化水素（ＨＣｌ）との水
溶液または硝酸（ＨＮＯｌ）と過酸化水素水との水溶液
をエンチャントとして、約６０°Ｃの液温において両面
噴射エツチングを約２分間実行する。
溶液または硝酸（ＨＮＯｌ）と過酸化水素水との水溶液
をエンチャントとして、約６０°Ｃの液温において両面
噴射エツチングを約２分間実行する。
このエツチング時間は、炭素含有量が０．０２％〜２，
０％であり厚さが３０〜６０ｎである鉄・二、ケル合金
の仮よりなるライニング部材２のみをエツチングするに
必要な時間であり、このエツチングが完了した時点にお
いては図示するような形状となる。すなわち、約２Ｏｎ
のサイドエツチングが発生する。
０％であり厚さが３０〜６０ｎである鉄・二、ケル合金
の仮よりなるライニング部材２のみをエツチングするに
必要な時間であり、このエツチングが完了した時点にお
いては図示するような形状となる。すなわち、約２Ｏｎ
のサイドエツチングが発生する。
第１ｂ図参照
さらにつ＼けて、両面噴射エッチングを、炭素含有量が
０．０１５％以下であり厚さが１２０〜３０ｎである鉄
・ニッケル合金よりなる中心部材１に対して、約３分続
行する。塩化第２鉄（ＦｅＣｊ！、）と塩化水素（ＨＣ
Ｉ）との水溶液または硝酸（ＨＮＯ２）と過酸化水素水
との水溶液の高炭素含有量の鉄・ニッケル合金（本実施
例においては、０．０２〜２．０％の範囲）に対するエ
ツチングレートは低炭素含有量の鉄・ニッケル合金（本
実施例においては、０．０１５％以下）に対するエツチ
ングレートの約２／３倍であるから、この工程において
、エツチングレートが象、増して、炭素台を量が０．０
１５％以下である鉄・ニッケル合金の板よりなる中心部
材１は急速にエツチングされるが、炭素含有量が０．０
２％〜２．０％であるライニング部材２はほとんどエツ
チングされず、お＼むね図示するようなエツチング形状
となる。巨視的には、エツチング面はお覧むね平面とな
る０図においては、大きな段差が表されているが、これ
は、説明の都合上凹凸を拡大して表示したものであり、
厚さ１５０μｍに対し、横方向の段差は数μｍであり、
巨視的にはお−むね平面である。最後に使用済みレジス
ト膜よりなるエツチングマスク４１を除去して、半導体
装置用リードフレームを完成する。
０．０１５％以下であり厚さが１２０〜３０ｎである鉄
・ニッケル合金よりなる中心部材１に対して、約３分続
行する。塩化第２鉄（ＦｅＣｊ！、）と塩化水素（ＨＣ
Ｉ）との水溶液または硝酸（ＨＮＯ２）と過酸化水素水
との水溶液の高炭素含有量の鉄・ニッケル合金（本実施
例においては、０．０２〜２．０％の範囲）に対するエ
ツチングレートは低炭素含有量の鉄・ニッケル合金（本
実施例においては、０．０１５％以下）に対するエツチ
ングレートの約２／３倍であるから、この工程において
、エツチングレートが象、増して、炭素台を量が０．０
１５％以下である鉄・ニッケル合金の板よりなる中心部
材１は急速にエツチングされるが、炭素含有量が０．０
２％〜２．０％であるライニング部材２はほとんどエツ
チングされず、お＼むね図示するようなエツチング形状
となる。巨視的には、エツチング面はお覧むね平面とな
る０図においては、大きな段差が表されているが、これ
は、説明の都合上凹凸を拡大して表示したものであり、
厚さ１５０μｍに対し、横方向の段差は数μｍであり、
巨視的にはお−むね平面である。最後に使用済みレジス
ト膜よりなるエツチングマスク４１を除去して、半導体
装置用リードフレームを完成する。
以上の工程をもって製造された半導体装置用リードフレ
ームのエツチング面はお−むね平面であるから、十分広
いボンディング領域と十分微細なインナーリードピッチ
とを同時に実現することができる。
ームのエツチング面はお−むね平面であるから、十分広
いボンディング領域と十分微細なインナーリードピッチ
とを同時に実現することができる。
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置用リード
フレーム用材は、炭素含有量が０．０１５％以下であり
、ウェットエツチングのエツチングレートが大きい鉄・
ニッケル合金の板よりなる中心部材が、炭素含有量が０
．０２〜２．０％であり、ウェットエツチングのエッチ
ングレートが小さい鉄・ニッケル合金の板よりなるライ
ニング部材をもって挟まれて相互に加熱・圧着されてい
るので、ウェットエツチング法を使用してなす半導体装
置用リードフレームの製造方法を使用するときは、エツ
チング面がお＼むね平面状となり、十分広いボンディン
グ領域と十分微細なインナーリードピッチを同時に実現
する半導体装置用リードフレームを製造することができ
る。また、本発明に係る半導体装置用リードフレームの
製造方法は、上記の半導体装置用リードフレーム用材に
対して、ウェットエツチング法を使用してなす半導体装
置用リードフレームの製造方法を使用すること＼されて
いるので、エツチング面がお〜むね平面となり、十分広
いボンディング領域と十分微細なインナーリードピッチ
を同時に実現する半導体装置用リードフレームを製造す
ることができる。
フレーム用材は、炭素含有量が０．０１５％以下であり
、ウェットエツチングのエツチングレートが大きい鉄・
ニッケル合金の板よりなる中心部材が、炭素含有量が０
．０２〜２．０％であり、ウェットエツチングのエッチ
ングレートが小さい鉄・ニッケル合金の板よりなるライ
ニング部材をもって挟まれて相互に加熱・圧着されてい
るので、ウェットエツチング法を使用してなす半導体装
置用リードフレームの製造方法を使用するときは、エツ
チング面がお＼むね平面状となり、十分広いボンディン
グ領域と十分微細なインナーリードピッチを同時に実現
する半導体装置用リードフレームを製造することができ
る。また、本発明に係る半導体装置用リードフレームの
製造方法は、上記の半導体装置用リードフレーム用材に
対して、ウェットエツチング法を使用してなす半導体装
置用リードフレームの製造方法を使用すること＼されて
いるので、エツチング面がお〜むね平面となり、十分広
いボンディング領域と十分微細なインナーリードピッチ
を同時に実現する半導体装置用リードフレームを製造す
ることができる。
第１ａ図は、本発明の一実施例（請求項［１］に対応）
に係る半導体装置用リードフレーム用材の断面図である
。 第１ｂ図は、本発明の一実施例に係る半導体装置用リー
ドフレームの製造方法（請求項［２１に対応）を実施し
て製造した半導体装置用リードフレームの断面図である
。 第２図〜第４図は、本発明の一実施例に係る半導体装置
用リードフレームの製造方法（請求項し２］に対応）の
工程図である。 第５図は、半導体装置用リードフレームの平面図である
。 第６図は、エツチング法を使用してなす従来技術に係る
半導体装１用リードフレームの製造方法を実施して製造
した半導体装置用リードフレームの断面図である。 第７図は、プレス打抜き法を使用してなす従来技術に係
る半導体装１用リードフレームの製造方法を実施して製
造した半導体装置用リードフレームの断面図である。 ４１・・・エツチング用マスク、 ６・・・アイランド、 ７・・・支持バー ８・・・保持バー ９・・・接続導体、 ９１・・・突起。
に係る半導体装置用リードフレーム用材の断面図である
。 第１ｂ図は、本発明の一実施例に係る半導体装置用リー
ドフレームの製造方法（請求項［２１に対応）を実施し
て製造した半導体装置用リードフレームの断面図である
。 第２図〜第４図は、本発明の一実施例に係る半導体装置
用リードフレームの製造方法（請求項し２］に対応）の
工程図である。 第５図は、半導体装置用リードフレームの平面図である
。 第６図は、エツチング法を使用してなす従来技術に係る
半導体装１用リードフレームの製造方法を実施して製造
した半導体装置用リードフレームの断面図である。 第７図は、プレス打抜き法を使用してなす従来技術に係
る半導体装１用リードフレームの製造方法を実施して製
造した半導体装置用リードフレームの断面図である。 ４１・・・エツチング用マスク、 ６・・・アイランド、 ７・・・支持バー ８・・・保持バー ９・・・接続導体、 ９１・・・突起。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］炭素含有量が０．０１５％以下である鉄・ニッケ
ル合金の板よりなる中心部材（１）が、炭素含有量が０
．０２〜２．０％である鉄・ニッケル合金の板よりなる
ライニング部材（２）をもって挟まれて相互に圧着され
てなる ことを特徴とする半導体装置用リードフレーム用材。 ［２］請求項［１］記載の半導体装置用リードフレーム
用材（３）の両面にレジスト膜（４）を形成し、 該レジスト膜（４）を半導体装置用リード フレームの平面形状に露光・現像してエッチング用マス
ク（４１）を形成し、 前記半導体装置用リードフレーム用材（３）をウェット
エッチングして、半導体装置用リードフレームを製造す
る ことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32711589A JPH03188656A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32711589A JPH03188656A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188656A true JPH03188656A (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=18195468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32711589A Pending JPH03188656A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03188656A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367191A (en) * | 1991-09-18 | 1994-11-22 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6182453A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Dainippon Printing Co Ltd | エツチング加工用素材 |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP32711589A patent/JPH03188656A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6182453A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Dainippon Printing Co Ltd | エツチング加工用素材 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367191A (en) * | 1991-09-18 | 1994-11-22 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
| US5753535A (en) * | 1991-09-18 | 1998-05-19 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
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