JPS60130132A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60130132A JPS60130132A JP58239105A JP23910583A JPS60130132A JP S60130132 A JPS60130132 A JP S60130132A JP 58239105 A JP58239105 A JP 58239105A JP 23910583 A JP23910583 A JP 23910583A JP S60130132 A JPS60130132 A JP S60130132A
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子等の高密度、薄型７小型の実装にお
ける転写バンブ方式による半導体装置の製造方法に関す
るものである。
ける転写バンブ方式による半導体装置の製造方法に関す
るものである。
従来例の構成とその問題点
近年、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子は各種の家庭電化製
品、産業用機器の分野へ導入されている。
品、産業用機器の分野へ導入されている。
これら家庭電化製品、産業用機器は、省資源化。
省電力化のためにあるいは利用範囲を拡大させるために
、多機能化、小型化、薄型化のいわゆるボータプル化が
促進されてきている。
、多機能化、小型化、薄型化のいわゆるボータプル化が
促進されてきている。
半導体素子においてもポータプル化に対応するために、
パッケージングの小型化、薄型化が要求されてきている
。拡散工程、電極配線工程の終了した／リコンスライス
は半導体素子単位のチップに切断され、チップの周辺に
設けられたアルミ電極端子から外部端子へ電極リードを
取出して取扱いやすくし、丑だ機械的保護のためにパッ
ケージングされる。通常、これら半導体素子のパッケー
ジングには、ＤＩＬ、チップキャリヤ、フリップチップ
、フィルムキャリヤ方式等が用いられているが、前記し
た目的のためには、フィルムキャリヤ方式が有望である
。
パッケージングの小型化、薄型化が要求されてきている
。拡散工程、電極配線工程の終了した／リコンスライス
は半導体素子単位のチップに切断され、チップの周辺に
設けられたアルミ電極端子から外部端子へ電極リードを
取出して取扱いやすくし、丑だ機械的保護のためにパッ
ケージングされる。通常、これら半導体素子のパッケー
ジングには、ＤＩＬ、チップキャリヤ、フリップチップ
、フィルムキャリヤ方式等が用いられているが、前記し
た目的のためには、フィルムキャリヤ方式が有望である
。
半導体素子の電極端子にフィルムキャリヤのす−ド端子
を接合する手段のひとつとし−ＣＣ転写パフ式（特開昭
５７−１５２１４７−Ｓ号）か］ノ、１案されている。
を接合する手段のひとつとし−ＣＣ転写パフ式（特開昭
５７−１５２１４７−Ｓ号）か］ノ、１案されている。
この転写バンプ方式は、絶縁性基板上の半導体素子の電
極と対応しだ位（ｆｊ Ｉ／ＣＡ ｕの金属突起（バン
プ）を形成しておき、１ず、ｌ’ｌ’Ｊ ｉｊＬ金属突
起とフィルムキャリヤのＳｎメッキし／Ｃリード☆；ｈ
１子とを位置合せし、ツールで加圧、加熱し、前記リー
ド端子に前記絶縁性基板上の金属突起をＡｕ・Ｓｎ合金
で接合し、絶縁性基板上から前記金属突起を剥離せしめ
、リード端子に転写させる。次いで、半導体素子の電極
端子（アルミ）と前記リード端子の金属突起とを位置合
ぜし、ツールで加圧。
極と対応しだ位（ｆｊ Ｉ／ＣＡ ｕの金属突起（バン
プ）を形成しておき、１ず、ｌ’ｌ’Ｊ ｉｊＬ金属突
起とフィルムキャリヤのＳｎメッキし／Ｃリード☆；ｈ
１子とを位置合せし、ツールで加圧、加熱し、前記リー
ド端子に前記絶縁性基板上の金属突起をＡｕ・Ｓｎ合金
で接合し、絶縁性基板上から前記金属突起を剥離せしめ
、リード端子に転写させる。次いで、半導体素子の電極
端子（アルミ）と前記リード端子の金属突起とを位置合
ぜし、ツールで加圧。
加熱せしめ、Ａｕ−Ａｊｌｔ合金で前記金属突起と半導
体素子の電極端子とを接合するものである。
体素子の電極端子とを接合するものである。
従来、転写バンプ方式のフィルムキャリヤのリードは第
１図に示す構成であった。すなわち、長尺の樹脂フィル
ム１には半導体素子２と樹脂フィルム１から延在したリ
ード端子３とを接合するために開孔部４が形成されてい
る。開孔部４ｄフイルム１の一部に形成されており、第
１図ではｌ） ＋ド３は一方向のもののみを示しである
が、四方より開孔部４内に延在している。樹脂フィルム
１から延在したリード端子３は、開孔部４の領域におい
て、第１図（−）に示すように同一の１−Ｊを有するも
のである。この場合、リード端子３に基板上に形成した
金属突起を位置合せし転写する際に、リード端子３に金
属突起との位置合せ時の所定位置を示すキーがないため
に、前記延在したリード端子のどの領域に金属突起を転
写、接合すべきかが不明確となる。
１図に示す構成であった。すなわち、長尺の樹脂フィル
ム１には半導体素子２と樹脂フィルム１から延在したリ
ード端子３とを接合するために開孔部４が形成されてい
る。開孔部４ｄフイルム１の一部に形成されており、第
１図ではｌ） ＋ド３は一方向のもののみを示しである
が、四方より開孔部４内に延在している。樹脂フィルム
１から延在したリード端子３は、開孔部４の領域におい
て、第１図（−）に示すように同一の１−Ｊを有するも
のである。この場合、リード端子３に基板上に形成した
金属突起を位置合せし転写する際に、リード端子３に金
属突起との位置合せ時の所定位置を示すキーがないため
に、前記延在したリード端子のどの領域に金属突起を転
写、接合すべきかが不明確となる。
リード端子の１コが金属突起５のｄ」よりも大きいと、
半導体素子２の電極６とリード端子３に転写した金属突
起５とを位置合せする際に、第１図（ｂ）の如く、金属
突起５がリード端子３にかくれてしまうために、位置合
せが著じるしく困難となり、位置合せずれによる接合強
度の低下をまねくものである。まだ、仮にリード端子の
１１〕３が金属突起５の巾よりも小さいと、リード端子
３の延在方向と直角方向の位置合せは、金属突起５がリ
ード端子３からはみだすので割合容易ではあるが、延在
方向の位置合せは困難となり、第１図（ｃ）に示す樹脂
フィルム１と半導体素子２との距離Ａが上下。
半導体素子２の電極６とリード端子３に転写した金属突
起５とを位置合せする際に、第１図（ｂ）の如く、金属
突起５がリード端子３にかくれてしまうために、位置合
せが著じるしく困難となり、位置合せずれによる接合強
度の低下をまねくものである。まだ、仮にリード端子の
１１〕３が金属突起５の巾よりも小さいと、リード端子
３の延在方向と直角方向の位置合せは、金属突起５がリ
ード端子３からはみだすので割合容易ではあるが、延在
方向の位置合せは困難となり、第１図（ｃ）に示す樹脂
フィルム１と半導体素子２との距離Ａが上下。
左右方向で異なってしまい樹脂フィルムに機械的応力・
熱的応力が作用した場合にリード端子３の長さが異なる
ために、リード端子３が受ける応力も、上下、左右方向
で不均等になシ、リード端子３の破断を捷ねくものであ
った。また、距１１１Ａのちがいは、金属突起と半導体
素子の電極との接合時にリード端子からの熱の逃げが不
均等であるからボンディングツールの温度分布に不拘１
／１．をもたらし、これもまた接合強度の低下をもんら
ずものであった。これは第１図（ｂ）の場合でも同一で
ある。
熱的応力が作用した場合にリード端子３の長さが異なる
ために、リード端子３が受ける応力も、上下、左右方向
で不均等になシ、リード端子３の破断を捷ねくものであ
った。また、距１１１Ａのちがいは、金属突起と半導体
素子の電極との接合時にリード端子からの熱の逃げが不
均等であるからボンディングツールの温度分布に不拘１
／１．をもたらし、これもまた接合強度の低下をもんら
ずものであった。これは第１図（ｂ）の場合でも同一で
ある。
さらにまだ従来の問題をのべれば、第２図のごとく、フ
ィルムリード３に転写された金属突起５は、第３図半導
体素子２の電極６に加圧加熱され接合することによって
、第３図（ｂ） 、 （Ｃ）の如く変形してしまう。す
なわち、フィルムリード３に転写した金属突起５の１］
ｃおよびＤ （Ｃ＝ ６０７１ｍ 、 Ｄ＝６０μｍ）
は、フィルムリードの延在方向に対し直角方向の断面に
おいて、完全に押しつぶさＪｌ、、巾Ｃは拡がってしま
いＣ’（Ｃ’＝ ８５μｍ）になる。
ィルムリード３に転写された金属突起５は、第３図半導
体素子２の電極６に加圧加熱され接合することによって
、第３図（ｂ） 、 （Ｃ）の如く変形してしまう。す
なわち、フィルムリード３に転写した金属突起５の１］
ｃおよびＤ （Ｃ＝ ６０７１ｍ 、 Ｄ＝６０μｍ）
は、フィルムリードの延在方向に対し直角方向の断面に
おいて、完全に押しつぶさＪｌ、、巾Ｃは拡がってしま
いＣ’（Ｃ’＝ ８５μｍ）になる。
この時の金属突起５′の押し拡がりにより半導体素子２
のアルミ電極６の表面の酸化膜を除去し、Ａｕ・Ａ犯の
合金を形成し接合することができる。
のアルミ電極６の表面の酸化膜を除去し、Ａｕ・Ａ犯の
合金を形成し接合することができる。
一方、フィルムリードの延在方向の金属突起のｒｌ］
Ｄ’（Ｄ’＝ ６２ μｍ ）は、接合前の巾りと殆ど
変らない。この事は、接合強度に直接起因しているのは
断面ｘ −ｘ’力方向押拡がりによるもので、断面Ｙ
−Ｙ’力方向接合強度を得るために寄与していないと推
定される。加圧加熱したのにもかかわらず、断面Ｙ−Ｙ
’力方向金属突起が拡がらず、接合強度を高める作用を
していないのは、著しくこの工程の効率が悪いばかりか
、接合強度を高めるために、金属突起５の１１］Ｄを大
きくしなければならない。
Ｄ’（Ｄ’＝ ６２ μｍ ）は、接合前の巾りと殆ど
変らない。この事は、接合強度に直接起因しているのは
断面ｘ −ｘ’力方向押拡がりによるもので、断面Ｙ
−Ｙ’力方向接合強度を得るために寄与していないと推
定される。加圧加熱したのにもかかわらず、断面Ｙ−Ｙ
’力方向金属突起が拡がらず、接合強度を高める作用を
していないのは、著しくこの工程の効率が悪いばかりか
、接合強度を高めるために、金属突起５の１１］Ｄを大
きくしなければならない。
これはまた、金属突起５の材料を余分に使用することに
なるから、全体としてのコスト高を丑ねくものである。
なるから、全体としてのコスト高を丑ねくものである。
又、第１図（ｂ）の如くフィルムリードの巾が金属突起
よりも大きい状態にあっては、前記金属突起は、単に圧
接されるのみで、電極６の表面の酸化膜を除去する効果
が著しく小さいので接合強度も低下しやすい。
よりも大きい状態にあっては、前記金属突起は、単に圧
接されるのみで、電極６の表面の酸化膜を除去する効果
が著しく小さいので接合強度も低下しやすい。
発明の目的
本発明はこのような従来の問題にＺｌみ、フィルムリー
ドの形状により転写バンプ方式の接合強度および信頼性
を高めだ半導体装置の製浩力法を提供することを目的と
する。
ドの形状により転写バンプ方式の接合強度および信頼性
を高めだ半導体装置の製浩力法を提供することを目的と
する。
発明の構成
本発明は、金属突起を転写する領域で〃・つ半導体素子
の電極に相対応した領域に金属突起の夕１寸よりも小さ
い孔もしくは切欠き丑だ＆：１．四部全形成したフィル
ムリードを用いることにより、前；、己金属突起とフィ
ルムリードの位置合せを容易にするとともにボンディン
グ時の加圧加熱条件を効率的に作用さぜ、位置合せ容易
で接合強度の高い半導体装置の製造を可能とするもので
ある。。
の電極に相対応した領域に金属突起の夕１寸よりも小さ
い孔もしくは切欠き丑だ＆：１．四部全形成したフィル
ムリードを用いることにより、前；、己金属突起とフィ
ルムリードの位置合せを容易にするとともにボンディン
グ時の加圧加熱条件を効率的に作用さぜ、位置合せ容易
で接合強度の高い半導体装置の製造を可能とするもので
ある。。
実施例の説明
第４図は本発明の第１の実施を示すもので、特に本発明
の特徴であるフィルムリードの構成について説明する。
の特徴であるフィルムリードの構成について説明する。
樹脂フィルム１から延在したノイ−ルムリード３の先端
領域に孔１１が形成され（第４図ｄ）、孔１１の位置は
、金属突起を転写・接合する位置であり、かつ半導体素
子の電極に相対応する位置に形成されている。
領域に孔１１が形成され（第４図ｄ）、孔１１の位置は
、金属突起を転写・接合する位置であり、かつ半導体素
子の電極に相対応する位置に形成されている。
寸だ、前記フィルムリード３の孔１１は金属突起の外寸
よりも小さく形成されている。第４図（ｂ）は金属突起
６を形成する基板１ｏから金属突起６を転写・接合した
状態であるが、金属突起５とフィルムリードとの位置合
せは、前記フィルムリードの孔１１の上部２方向より金
属突起５が見える状態で位置合せを行えば良いから、位
置合せの位置が指定されると共に、容易に位置合ぜが行
なえる。次に半導体装置のアルミ電極（通常パッドと呼
ばれる）」二に前記金属突起を位置合ぜし、加圧加熱せ
しめる。この接合状態を第５図に示す。金属突起５′は
加圧加熱せしめる事により、塑性変形を起こし、押し拡
げられる。本発明のフィルムリードの如く、孔１１を有
していると金属突起は孔１１の方向３１に塑性変形を起
こし流動すると同時にこの３１方向への流動によシ、半
導体索子２のアルミ電極６の表面に形成されている酸化
膜を除去するために役立つ３０方向の流動が顕著になる
。この現象は、丁度ワイヤボンディング方式において、
Ａｕボールをアルミ電極に接合するメカニズムと類似す
る事になる。すなわし、フィルン、リード３の孔１１が
、ワイヤボンディング方式でのキャピラリーの形となっ
ている１、実験の結果、同一寸法の金属突起を用い従来
方法と比較した結果、本発明では、金属突起５とアルミ
′ＩＩｆ、 ｉｆｔ ６との界面の接合１ｎｆ積が約１
．４Ｎ１．７倍に大きくなっており、接合強度も約１．
５倍高くなる中が判明した。
よりも小さく形成されている。第４図（ｂ）は金属突起
６を形成する基板１ｏから金属突起６を転写・接合した
状態であるが、金属突起５とフィルムリードとの位置合
せは、前記フィルムリードの孔１１の上部２方向より金
属突起５が見える状態で位置合せを行えば良いから、位
置合せの位置が指定されると共に、容易に位置合ぜが行
なえる。次に半導体装置のアルミ電極（通常パッドと呼
ばれる）」二に前記金属突起を位置合ぜし、加圧加熱せ
しめる。この接合状態を第５図に示す。金属突起５′は
加圧加熱せしめる事により、塑性変形を起こし、押し拡
げられる。本発明のフィルムリードの如く、孔１１を有
していると金属突起は孔１１の方向３１に塑性変形を起
こし流動すると同時にこの３１方向への流動によシ、半
導体索子２のアルミ電極６の表面に形成されている酸化
膜を除去するために役立つ３０方向の流動が顕著になる
。この現象は、丁度ワイヤボンディング方式において、
Ａｕボールをアルミ電極に接合するメカニズムと類似す
る事になる。すなわし、フィルン、リード３の孔１１が
、ワイヤボンディング方式でのキャピラリーの形となっ
ている１、実験の結果、同一寸法の金属突起を用い従来
方法と比較した結果、本発明では、金属突起５とアルミ
′ＩＩｆ、 ｉｆｔ ６との界面の接合１ｎｆ積が約１
．４Ｎ１．７倍に大きくなっており、接合強度も約１．
５倍高くなる中が判明した。
次に他の実施例について説明する。第ら図（ａ）。
［有］）は、金属突起を転写する領域であってかつ半導
体素子の電極と相対応する領域のフィルムリードの１」
」を広く構成し、１］広く構成した領域３３の中に孔１
１を形成している。［１」広い領域３３ ＆；、１（ａ
）の如く角形状でも良いし、（ｂ）の如く丸形状−Ｃも
良いが、少なく共生導体素子の電極とほぼ同一寸法かも
しくは小さ目に形成されるものである。第６１図の構成
であれば、フィルムリードの「［Ｊ広の領域３３に金属
突起や半導体素子のアルミ電極を位置合せすれば良いか
ら、位置合せが著しく容易になる。
体素子の電極と相対応する領域のフィルムリードの１」
」を広く構成し、１］広く構成した領域３３の中に孔１
１を形成している。［１」広い領域３３ ＆；、１（ａ
）の如く角形状でも良いし、（ｂ）の如く丸形状−Ｃも
良いが、少なく共生導体素子の電極とほぼ同一寸法かも
しくは小さ目に形成されるものである。第６１図の構成
であれば、フィルムリードの「［Ｊ広の領域３３に金属
突起や半導体素子のアルミ電極を位置合せすれば良いか
ら、位置合せが著しく容易になる。
寸だ、フィルムリード３に形成する孔１１は、第７図の
フィルムリードの断面図に示す如く、断面において、は
ぼ平行（ｂ）図に形成しても良いし、（Ｃ）図の如くテ
ーパ状に形成しても良い。孔がテーパ状の構成において
は、加圧加熱時の金属突起の流動が容易に行なわれ、本
発明の効果を促進できる。（ｄ）図は、フィルムリード
３の金属突起を転写・接合する側に四部１２を形成した
ものであるが、位置合ぜの容易さの効果はなくなるもの
の、加圧加熱時の金属突起の流動は、他の実施例の効果
と同一であって接続強度を高ぐすることができる。
フィルムリードの断面図に示す如く、断面において、は
ぼ平行（ｂ）図に形成しても良いし、（Ｃ）図の如くテ
ーパ状に形成しても良い。孔がテーパ状の構成において
は、加圧加熱時の金属突起の流動が容易に行なわれ、本
発明の効果を促進できる。（ｄ）図は、フィルムリード
３の金属突起を転写・接合する側に四部１２を形成した
ものであるが、位置合ぜの容易さの効果はなくなるもの
の、加圧加熱時の金属突起の流動は、他の実施例の効果
と同一であって接続強度を高ぐすることができる。
第８図、第９図は本発明の第３の実施例で特に本発明の
特徴であるフィルムリードの構成について詳述する。樹
脂フィルム１から延在し／こフィルムリード３の先端部
で金属突起を転写する領域であってかつ半導体素子の電
極に相対応する領域に切欠き１６が形成され、この領域
がｒｌＪ狭く形成されているものである（第８図ａ）。
特徴であるフィルムリードの構成について詳述する。樹
脂フィルム１から延在し／こフィルムリード３の先端部
で金属突起を転写する領域であってかつ半導体素子の電
極に相対応する領域に切欠き１６が形成され、この領域
がｒｌＪ狭く形成されているものである（第８図ａ）。
この状態は丁度、フィルムリード３の両端部が細くくび
れた形状をなすものである。また切欠き１６の長さＥお
よびｒｌｊ Ｆは金属突起５の外寸法よりも小さく形成
されている。切欠き１６を有するフィル７・リード３を
用いて金属突起５とを位置合せする際には、金属突起５
が、フィルムリード３０１ノ欠き１６の部分に入りこむ
様に位置合せすれば良い（第８図ｂ）。すなわち、位置
合せする場所がフィルムリードの切欠きによって指定さ
れているので１解性合ぜが著しく容易であって、樹脂フ
ィルムから金属突起までのフィルムリードの長さが均一
に形成される。第８図（Ｃ）はフィルムリード３に金属
突起５を転写した状態を示す。
れた形状をなすものである。また切欠き１６の長さＥお
よびｒｌｊ Ｆは金属突起５の外寸法よりも小さく形成
されている。切欠き１６を有するフィル７・リード３を
用いて金属突起５とを位置合せする際には、金属突起５
が、フィルムリード３０１ノ欠き１６の部分に入りこむ
様に位置合せすれば良い（第８図ｂ）。すなわち、位置
合せする場所がフィルムリードの切欠きによって指定さ
れているので１解性合ぜが著しく容易であって、樹脂フ
ィルムから金属突起までのフィルムリードの長さが均一
に形成される。第８図（Ｃ）はフィルムリード３に金属
突起５を転写した状態を示す。
第９図は第８図で説明したフィルムリードに金属突起が
転写されたものを半導体素子２のアルミ電極６に加圧加
熱せしめ接合した状態を示している。第９図（−）は、
フィルムリード部分を上面からみた平面図であり、第９
図（ｂ）は断面図であるが、金属突起５′は押しつぶさ
れ、半導体素子２のアルミ電極６に接合されている。こ
の時、本発明の特徴であるフィルムリードの切欠き１６
は、第１Ｑ図に示した様に、フィルムリードの延在方向
の寸法１４と、切欠く事によって形成される図の斜面部
分の寸法１５ 、１５’で構成される。切欠き部分の斜
面部分の寸法１５ 、１５’は、フィルムリードを切欠
く事によって、形成されるものであって、その長゛さは
フィルムリードに対し直角に切欠けば１６の寸法になり
、第１０図のようにフィルムリードに対し角度をもって
切欠けば１６′の寸法を得るものである。すなわち、フ
ィルムリードを切欠く事によって形成された長さが１４
の寸法に加算され、この長さが前記金属突起を押し拡げ
るために働き、そのＡｕ−Ａｆｉの分接合面積が増え接
合強度が増大する。
転写されたものを半導体素子２のアルミ電極６に加圧加
熱せしめ接合した状態を示している。第９図（−）は、
フィルムリード部分を上面からみた平面図であり、第９
図（ｂ）は断面図であるが、金属突起５′は押しつぶさ
れ、半導体素子２のアルミ電極６に接合されている。こ
の時、本発明の特徴であるフィルムリードの切欠き１６
は、第１Ｑ図に示した様に、フィルムリードの延在方向
の寸法１４と、切欠く事によって形成される図の斜面部
分の寸法１５ 、１５’で構成される。切欠き部分の斜
面部分の寸法１５ 、１５’は、フィルムリードを切欠
く事によって、形成されるものであって、その長゛さは
フィルムリードに対し直角に切欠けば１６の寸法になり
、第１０図のようにフィルムリードに対し角度をもって
切欠けば１６′の寸法を得るものである。すなわち、フ
ィルムリードを切欠く事によって形成された長さが１４
の寸法に加算され、この長さが前記金属突起を押し拡げ
るために働き、そのＡｕ−Ａｆｉの分接合面積が増え接
合強度が増大する。
次に第１１図で他のフィルムリードを用いる実施例を説
明する。第１１図（ａ）は、フィルムリード３の先端領
域の巾を太くし、この領域に切欠き１６を形成しである
。先端領域の巾広の部分は、半導体素子の電極の寸法と
同一もしくは小さ目に形成されておシ、半導体素子の電
極との位置合せを著しく容易にしたものである。第１１
図Φ）は、フィルムリード３の片側のみに切欠き１６を
形成した構成、（Ｃ）は、前述の実施例で説明した構成
であって、（ｄ）および（ｅ）は、フィルムリードの金
属突起が転写される側のリードの端部に四部１７を形成
した構成である。この様な構成にあっでは、金属突起と
フィルムリードとの位置合ぜの容易さＣよ損なわれるも
のの、加圧加熱時に金属突起を押し拡げる効果は（Ｃ）
の構成と同一であって、少なくともフィルムリードが完
全に切欠かれていす、フィルムリードの巾が狭くなって
いないので、フィルムリード自身の強度は（Ｃ）よりも
強いものである３゜次に第１２図をもちいて、本発明の
全体の工程の実施例を説明する。
明する。第１１図（ａ）は、フィルムリード３の先端領
域の巾を太くし、この領域に切欠き１６を形成しである
。先端領域の巾広の部分は、半導体素子の電極の寸法と
同一もしくは小さ目に形成されておシ、半導体素子の電
極との位置合せを著しく容易にしたものである。第１１
図Φ）は、フィルムリード３の片側のみに切欠き１６を
形成した構成、（Ｃ）は、前述の実施例で説明した構成
であって、（ｄ）および（ｅ）は、フィルムリードの金
属突起が転写される側のリードの端部に四部１７を形成
した構成である。この様な構成にあっでは、金属突起と
フィルムリードとの位置合ぜの容易さＣよ損なわれるも
のの、加圧加熱時に金属突起を押し拡げる効果は（Ｃ）
の構成と同一であって、少なくともフィルムリードが完
全に切欠かれていす、フィルムリードの巾が狭くなって
いないので、フィルムリード自身の強度は（Ｃ）よりも
強いものである３゜次に第１２図をもちいて、本発明の
全体の工程の実施例を説明する。
樹脂フィルム１から延在したフィルムリード３はＣｕ箔
をエツチング処理し、ビーム状に形成され、かつＳｎメ
ッキをＯ，４１ｔｍの厚さに有するものである。一方、
金属突起６を形成する／（二めの基板１０は、ガラス、
セラミック等の絶縁性）、（板」ニにＰｔ、Ｐｄ、ｉＴ
ｏ等の金属膜または導電性の金属酸化膜が形成され、こ
の上にさらに、半導体素子の電極に相対応する領域のみ
を開孔したメブキ用マスクパターンを有するＳｉＯ２、
Ｓ １３Ｎ４１ポリイミド膜等の絶縁膜が形成されてお
り、この絶縁膜の開孔部に金属突起６が電解メッキ法で
形成される（第１２図ａ）。
をエツチング処理し、ビーム状に形成され、かつＳｎメ
ッキをＯ，４１ｔｍの厚さに有するものである。一方、
金属突起６を形成する／（二めの基板１０は、ガラス、
セラミック等の絶縁性）、（板」ニにＰｔ、Ｐｄ、ｉＴ
ｏ等の金属膜または導電性の金属酸化膜が形成され、こ
の上にさらに、半導体素子の電極に相対応する領域のみ
を開孔したメブキ用マスクパターンを有するＳｉＯ２、
Ｓ １３Ｎ４１ポリイミド膜等の絶縁膜が形成されてお
り、この絶縁膜の開孔部に金属突起６が電解メッキ法で
形成される（第１２図ａ）。
次に、フィルムリード３と金属突起６とを位置合せ、ボ
ンディングツール２０で加熱加圧せしめ、フィルムリー
ドの先端部の領域に、金属突起６をＡｕ−８ｎの合金で
転写・接合し、基板１ｏより金属突起５を剥離する（第
１２図ｂ）。
ンディングツール２０で加熱加圧せしめ、フィルムリー
ドの先端部の領域に、金属突起６をＡｕ−８ｎの合金で
転写・接合し、基板１ｏより金属突起５を剥離する（第
１２図ｂ）。
次にフィルムリード３に転写・接合された金属突起５を
基台３Ｑ上の半導体素子２の電極６に位置合ぜする（第
１２図Ｃ）。位置合せが終了した段階で、金属突起５は
、確実に半導体素子２の電極６上の領域内に位置合せさ
れ存在する。
基台３Ｑ上の半導体素子２の電極６に位置合ぜする（第
１２図Ｃ）。位置合せが終了した段階で、金属突起５は
、確実に半導体素子２の電極６上の領域内に位置合せさ
れ存在する。
この状態でボンディングツール２１で加圧・加熱すれば
、金属突起はＡｕ−Ａｎの合金で接合され、第１２図（
ｄ）の状態を得る。
、金属突起はＡｕ−Ａｎの合金で接合され、第１２図（
ｄ）の状態を得る。
発明の効果
■ 先端部に孔、切欠きを有するフィルムリ−ドにおい
ては延在したフィルムソードの孔部分丑たは切欠き部分
に転写用の金属突起を１１７首合せすれば良いから、す
なわち金属突起を位置合せする位置が指定されてなるの
で、著しく位置合ぜが容易となり、この工程での所要時
間を短縮できるものである。
ては延在したフィルムソードの孔部分丑たは切欠き部分
に転写用の金属突起を１１７首合せすれば良いから、す
なわち金属突起を位置合せする位置が指定されてなるの
で、著しく位置合ぜが容易となり、この工程での所要時
間を短縮できるものである。
■ フィルムリードの先端に設け／Ｃ孔′マ／ζ乞１切
欠きによって、位置合せ位置が指定されるので、従来例
で説明した第１図（ｂ）または（ｃ）の（Ｊ゛θθミＡ
下、左右方向で変化し、フィルムリードの強度を低下さ
すことがないので信頼（ｆｌの高い半導体装置を得るこ
とができる。
欠きによって、位置合せ位置が指定されるので、従来例
で説明した第１図（ｂ）または（ｃ）の（Ｊ゛θθミＡ
下、左右方向で変化し、フィルムリードの強度を低下さ
すことがないので信頼（ｆｌの高い半導体装置を得るこ
とができる。
■ 丑だ、フィルムリードの金属突起を転写する領域に
孔または四部もしくｔ：上り欠きが形成されているので
、加圧加熱時に金属突起が均等にしかも理想的に押拡げ
られ、半導体素子のアルミ電極表面の酸化膜が除去され
、前、：ｃアルミ電極と金属突起との接触面積が拡大さ
れ、接合強度が増し、信頼性が著しく向上する。
孔または四部もしくｔ：上り欠きが形成されているので
、加圧加熱時に金属突起が均等にしかも理想的に押拡げ
られ、半導体素子のアルミ電極表面の酸化膜が除去され
、前、：ｃアルミ電極と金属突起との接触面積が拡大さ
れ、接合強度が増し、信頼性が著しく向上する。
第１図（、）〜（Ｃ）ｌ−ｊ：従来の転写バンプ方式に
よるフィルムリード部の構成を示す平面図、第２図は従
来方式での金属突起の転写状態の平面図、第３図（ａ）
は従来方式での半導体素子への転写状態の平面図、第３
図（ｂ）、（Ｃ）は同（ａ）のＹＹ’＋Ｘ、ｘ′線断面
図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第１の実施例
によるフィルムリードの構成を示す平面図、断面図、第
５図は本発明の第１の実施例での金属突起の押拡がり方
を示す断面図、第６図体） 、 （ｂ）は本発明におム
リードの平面図、断面図、第８図（ａ） 、 （ｂ）お
よび同図（Ｃ）はそれぞれ本発明の第１の実施例のフィ
ルムリードに金属突起を転写する工程の平面図および断
面図、第９図（ａ） 、 （ｂ）は本発明を用いたリー
ドによるアルミ電極への接合平面図、断面図、第１０図
はフィルムリードの切欠き部分を示す平面図、第１１図
（ａ）〜（ｅ）は本発明による他のフィルムリードの平
面図、第１２図（−）〜（ｄ）は本発明における転写バ
レプ方式の工程断面図である。 ２・−半導体素子、３ ・−・フィルムリード、５・・
・・金属突起、６−・電極、１１・−・孔、１５・−・
・フィルムリード中央の凹部、１６・・切欠き、１７一
−−凹部、２０− ボンディングツール。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （幻 （Ｃン 第２図 第 ３ 図 （０，］ 第４図 （θ、） ５図 第６図 ζα〕 第７図 （α） （４） （０，） 灸少 第９図 （ｏ−２ 乙 ？ 第１０図 第１１図 （ａン Ｃ−６−）
よるフィルムリード部の構成を示す平面図、第２図は従
来方式での金属突起の転写状態の平面図、第３図（ａ）
は従来方式での半導体素子への転写状態の平面図、第３
図（ｂ）、（Ｃ）は同（ａ）のＹＹ’＋Ｘ、ｘ′線断面
図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の第１の実施例
によるフィルムリードの構成を示す平面図、断面図、第
５図は本発明の第１の実施例での金属突起の押拡がり方
を示す断面図、第６図体） 、 （ｂ）は本発明におム
リードの平面図、断面図、第８図（ａ） 、 （ｂ）お
よび同図（Ｃ）はそれぞれ本発明の第１の実施例のフィ
ルムリードに金属突起を転写する工程の平面図および断
面図、第９図（ａ） 、 （ｂ）は本発明を用いたリー
ドによるアルミ電極への接合平面図、断面図、第１０図
はフィルムリードの切欠き部分を示す平面図、第１１図
（ａ）〜（ｅ）は本発明による他のフィルムリードの平
面図、第１２図（−）〜（ｄ）は本発明における転写バ
レプ方式の工程断面図である。 ２・−半導体素子、３ ・−・フィルムリード、５・・
・・金属突起、６−・電極、１１・−・孔、１５・−・
・フィルムリード中央の凹部、１６・・切欠き、１７一
−−凹部、２０− ボンディングツール。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （幻 （Ｃン 第２図 第 ３ 図 （０，］ 第４図 （θ、） ５図 第６図 ζα〕 第７図 （α） （４） （０，） 灸少 第９図 （ｏ−２ 乙 ？ 第１０図 第１１図 （ａン Ｃ−６−）
Claims (2)
- （１）樹脂フィルムから延在し、金属突起を転写しかつ
半導体素子の電極に相対応する領域に前記金属突起の外
寸よりも小さい孔または凹部１／こは切欠きを有するフ
ィルムリードに、基板上の前記金属突起を転写・接合す
る工程、前記金属突起を半導体素子の電極に接合する工
程とを備えた半導体装置の製造方法。 - （２）金属突起を転写し、かつ半導体素子の電極に相対
応する領域のフィルムリードのｉＪが、樹脂フィルムイ
」近のｒｌｊよりも広いことを特徴と−Ｊ−る特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58239105A JPS60130132A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58239105A JPS60130132A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60130132A true JPS60130132A (ja) | 1985-07-11 |
Family
ID=17039878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58239105A Pending JPS60130132A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60130132A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01145827A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Toppan Printing Co Ltd | フィルムキャリア |
| US4907991A (en) * | 1987-11-25 | 1990-03-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Connective jumper |
| US5062567A (en) * | 1988-12-20 | 1991-11-05 | Schlumberger Technologies, Inc. | Lead design to facilitate post-reflow solder joint quality inspection |
| US5162896A (en) * | 1987-06-02 | 1992-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | IC package for high-speed semiconductor integrated circuit device |
| USRE35549E (en) * | 1991-02-26 | 1997-07-01 | North American Specialties Corporation | Solderable lead |
-
1983
- 1983-12-19 JP JP58239105A patent/JPS60130132A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162896A (en) * | 1987-06-02 | 1992-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | IC package for high-speed semiconductor integrated circuit device |
| US4907991A (en) * | 1987-11-25 | 1990-03-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Connective jumper |
| US4962585A (en) * | 1987-11-25 | 1990-10-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Connective jumper and method of manufacturing the same |
| JPH01145827A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Toppan Printing Co Ltd | フィルムキャリア |
| US5062567A (en) * | 1988-12-20 | 1991-11-05 | Schlumberger Technologies, Inc. | Lead design to facilitate post-reflow solder joint quality inspection |
| USRE35549E (en) * | 1991-02-26 | 1997-07-01 | North American Specialties Corporation | Solderable lead |
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